JPS61246700A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネル及びその製造方法に
関するものである。

【従来技術】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられる。このＸ線画像を得るために、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これに
より可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真をとる
ときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射して現
像した、いわゆる放射線写真が利用されている。しかし
、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層
から直接画像を取り出す方法が工夫されるようになった
。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーをＩＦ積させて潜像を形成し、しかる後に
この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによっ
て各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれ
を光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生してもよい。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μ−程度の粒子状の輝尽性蛍光
体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層
上に塗布・乾燥しで作成されるので、Ｘ１ｌＩ尽性蛍光
体の充填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充
分高くするには第５図（ａ）に示すように輝尽性蛍光体
層の層厚を厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２００μ
輪のときに輝尽性蛍光体の附着量は５０ｍｇ／ａｍ２で
あり、層厚が３５０μｍまでは放射線感度は直線的に増
大して４５０μ輪以上で飽和する。尚、放射線感度が飽
和するのは、輝尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると、輝尽
性蛍光体粒子間での輝尽性蛍光体層の散乱のため輝尽性
蛍光体層内部での輝尽発光が外部に出てこなくなるため
である。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
り、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化
が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構
造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層
の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射
線量子数が減少して量子モトルが増加したり構造的乱れ
が顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を
生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝尽
性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成され
てきた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（ｔｌ）に照射
された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光
されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上
のある画素（ｘｉｗｙｉ）からの出力として記録される
が、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり
、照射画素（ｘＬｙｉ）の外側に存在する輝尽性蛍光体
をも励起してしまうと、上記（ｘＬｙｉ）なる画素から
の出力としてその画素よりも広い領域からの出力が記録
されてしまうからである。従って、ある時間（ｔｉ）に
照射された輝尽励起光による輝尽発光が、その時間（ｔ
ｉ）に輝尽励起光が真に照射されていた該パネル上の画
素（ｘｉｔｙｉ）からの発光のみであれば、その発光が
いかなる広がりを持つものであろうと得られる画像の鮮
鋭性には影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつか考案されて米な。例えば特開昭５５−１４
８４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３５
００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝
尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍光体
の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さくな
るように着色する方法等である。しかし、これらの方法
は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が着しく低下してし
まい、好ましい方法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既に特願昭５９−１９６３６
５号において前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した新規な放
射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結着剤を
含有しない放射線画像変換パネルを提案している。これ
によれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結
着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が着しく向
上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が向上するので、
前記放射線画像変換パネルの放射線に対する感度と画像
の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭性も改善さ
れる。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損うことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなって米でいる。

【発明の目的１ 本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルに関連し、これをさらに改良するものであり、
本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共に鮮
鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供す
ることにある。 本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。 また、前記目的に並んでの本発明の目的は、前記目的を
満足する放射線画像変換パネルの製造方法を提供するこ
とにある。 【発明の構成】 前記本発明の目的は、支持体上に輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層
が前記支持体面にほぼ垂直方向に伸びた微細柱状ブロッ
ク構造を有することを特徴とする放射線画像変換パネル
及びその製造方法によって達成することができる。 次に本発明を具体的に説明する。 第１図は本発明の放射＃Ｉ画像変換パネル（以後意味明
晰な場合には単にパネルと略称することがある）の厚み
方向の断面図である。 同図に於いて１０は本発明のパネル、ｌ１ｉｊは支持体
面から垂直方向（厚み方向）に伸びた輝尽性蛍光体の一
つ一つの微細柱状ブロックであり、（ｌｌｉｊ）はｌｌ
ｉｊ間の亀裂、溝或は窪み等の形態の間隙である。前記
１１ｉｊ及び（ｌｌｉｊ）によって本発明に関る微細柱
状ブロック構造の輝尽性蛍光体層１１が形成される。 微細柱状ブロック１ｌｉｊの平均的径は１〜４００μＩ
が好ましく、また間ＦＡ（ｌｌｉｊ）は前記微細柱状ブ
ロック１ｌｉｊが互いに光学的に独立していれば、いか
なる間隔でもよいが平均的にはθ〜２０μ脇が好ましい
、１２は支持体、１３は設けられることが好ましい保護
層、１４は必要に応じて設けてもよい輝尽性蛍光体と支
持体との接着性をよくする接着層である。 前記した光学的に互いに独立な微細柱状ブロック構造を
有する輝尽性蛍光体層に輝尽励起光が人、射すると該励
起光は微細柱状ブロック構造の光誘導効果により柱状ブ
ロック内面で反射を繰り返しながら柱状ブロック外に散
逸することなく柱状ブロックの底まで到着する。従って
輝尽発光による画像の鮮鋭性を看しく増大することがで
きる。 尚支持体表面には前記接着層の外に輝尽励起光及び／又
は輝尽発光の反射層或は吸収層を適用してもよい。 前記柱状ブロック構造は任意のパターンであってもよい
。第２図（ａ）、（ｂ）及び（ｅ）に該パターンの例を
示した。 本発明のパネルの輝尽性蛍光体層１１の厚みはパネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが１０〜１０００μｌの範囲であることが好ましく
、２０〜８００μｍの範囲であることが更に好ましい。 前記微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層の形成には
、表面が均質な平滑面を有する支持体及び輝尽性蛍光体
が付着若しくは堆積して柱状ブロック構造を形成するの
に好都合な素地パターンを有する支持体を共に用いるこ
とがでさる。 均質平滑面支持体を用いる場合には、充分に細い金属線
（例えば銅線）で編んだ金属網メツシュ或はレーザ光で
細孔を緻密に穿った細孔メツシュを支持体に圧着し、真
空蒸着、スパッタリング等の気相堆積法によって輝尽性
蛍光体を堆積させることによって柱状ブロックを形成す
るメツシュマスク法；或は微細柱状ブロックパターンと
共範な凹パターンを有する鋳型にシリコーン系等の離型
剤で表面被覆を施し輝尽性蛍光体を充填しこの充填面に
支持体を接着し、鋳型を取り去り柱状ブロックを裸呈さ
せる鋳型法等が挙げられる。更に均一に気相堆積させて
から熱処理などでクラックを発生させるクラック法も用
いられる。 また前記素地パターンを有する支持体に対しては印刷法
に常用される手段によって結着剤に輝尽性蛍光体が懸濁
した塗料を積層塗設するか前記気相堆積法によって柱状
ブロックを生長させる方法がとられる。 前記素地パターンを有する支持体は、前記した塗料を用
いる場合には、印刷に於る平版法に倣って支持体表面に
前記塗料に対する親和性の有無に関する微細柱状パター
ンに対応するパターンを形成する方法によって得られる
。 また気相堆積法による場合には、前記素地パターンを有
する支持体はインクをクラビヤ印刷或はシルク印刷など
の方法を用いて印刷し更に好よしはバーニングを施し微
細柱状パターンに対応する素地パターンを作る方法、或
は写真蝕刻法によって物理的及び／又は化学的に輝尽性
蛍光体の気相堆積に好都合な素地パターンを作る方法、
或は陽極酸化したアルミニウム板に封孔処理加熱処理を
施すことによって素地パターンを作成する方法等によっ
て得られる。 このようにして輝尽性蛍光体の気相堆積に物理的及び／
又は化学的に好都合な島状微細区画が気相堆積が進行し
難しい微細な筋状、溝状、凹部或は亀裂に取り囲まれた
形態の素地パターンが得られる。 尚前記素地パターンを有する支持体を用いる場合には、
支持体に薄く輝尽性蛍光体を有するパターン層を作り、
該素地パターンに気相堆積法を継いで施すようにしても
よい。 本発明の放射ｍｗ像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、光学的または電気的等の剰
激（輝ＰＬｍ起）により、最初の光もしくは高エネルギ
ーの放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を
言うが、実用的な面から好ましくは５００ｎｅ＋以上の
輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発
明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体と
しては、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されて
いるＢａＳＯ４：ＡＸ（但しＡはＤｙ＊Ｔｂ及びＴ＋ｍ
のうち少なくとも１種であり、×は０．００１≦ｘ＜１
モル％である。）で表される蛍光体、特開昭４８−８０
４８８号記載のＭ。 Ｓ　Ｏ４：Ａ　Ｘ（但しＡはＨｏ或いはり、のうちいず
れかであり、０．００１≦Ｘ≦１モル％である）で表さ
れる蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されてい
るＳｒＳ　Ｏ、：Ａ　ｘ（但しＡはＤｙ、Ｔｂ及びＴ鎗
のうち少なくとも１種であり×は０．００１≦ｘ＜１モ
ル％ある。）で表わされている蛍光体、特開昭５１−２
９８８９号に記載されているＮａｚＳＯ，、Ｃａ５Ｏ，
及びＢａＳＯ４等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくと
も１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に
記載されているＢｅＯ，ＬｉＦＭｇＳＯｎ及びＣａ　Ｆ
　２等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載され
でいるＬ　ｉｚＢ　４０　？：ＣｕｌＡ、等の蛍光体、
特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬ　ｉｚｏ
　・（Ｂ　２ｏ　２）Ｘ：ＣＬＩ（但しＸは２＜ｘ≦３
）、及びＬ　ｉｌｏ　・（Ｂ　２０　□）ｘ：ＣｕｗＡ
ｇ（但しＸは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許３，８
５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｓ、
ＳｒＳ；Ｅｕ、Ｓｅｎ％ＬａｚＯ２Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍ及び
（Ｚ　ｎｔ　Ｃｄ）Ｓ　：Ｍ　ｎ−Ｘ　（但しＸはハロ
デン）で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭
５５−１２１４２号にＥ載すレティルＺｎＳ　：Ｃｕ、
Ｐｂ蛍光体、一般式がＢ　ａｏ−ｘＡ　１．０３：Ｅ　
ｕ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン酸バ
リウム蛍光体及び一般式力Ｍ　”　Ｏ・ｘＳ　ｉｏ　ｚ
：Ａ　（但ＬＭ”ＪｔＭｓＣａ　ｔ　Ｓ　ｒ　ｔ　Ｚ　
ｎ　ｒ　Ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅｔ　Ｔ　ｂＩＥ　
ｕ−Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ　Ｉ、Ｂ　ｉ及Ｃ／　Ｍ　ｎのうち
少なくとも１種であり、Ｘは０．５≦×≦２．５−ＣＩ
”ある、）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光
体が挙げられる。また、一般式が （Ｂａ、−Ｘ−、ＭｇｘＣａ、　）Ｆ　Ｘ　：　ｅＥｕ
”（但ＬＸはＢｒ及ｖＣ１の中の少なくとも１つであり
、ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ≦ｏ、ｓ、ｘｙ≠
０及び１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−”なる条件を満たす数
である。 で表される一般式が Ｌ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬ　ａ　ｔ　Ｙ　、Ｇ　ｄ及びＬｕの少な
くとも１つを、ＸはＣＩ及び／又はＢ「を、ＡはＣｅ及
び／又はＴｂを、ＸはＯ＜ｘ＜０．１を満足する数を表
す、）で表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に
記載されている一般式が （但しＭｘは、Ｍ　ｇｇ　Ｃａｔ　Ｓ　ｒｏ　Ｚ　ｎ及
びＣｄのうちの少なくとも１つを、ＸはＣＩ、Ｂｒ及び
Ｉのうち少なくとも１つを、ＡはＥｕｙＴｂｙＣｅｅＴ
−ｓＤＦ＊ＰｒｔＨＯｗＮｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少
なくとも１つを、×及びｙはＯ≦Ｘ≦０．８及び０≦ｙ
≦０．２なる条件を満たす数を表す、）で表される蛍光
体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式
がＢ　ａＦ　Ｘ　：ｘＣｅｔｙＡ　（但し、ＸはＣＩｙ
Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはＩ　ｎ＝　Ｔ
　Ｌ　Ｇ　ｄ−Ｓ　ｍ及びＺｒのうちの少なくとも１つ
であり、×及びｙはそれぞれ０く×≦２Ｘ１０−’及び
ｏ＜ｙ≦５Ｘ１０−”である、）で表される蛍光体、特
開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭ
　”　Ｆ　Ｘ　ｓｘＡ　：ｙＬ　ｎ （但しＭｌはＭｇ＋Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ＋Ｚｎ及びＣｄの
うちの少なくとも１種、ＡはＢ　ｅ　Ｏ１Ｍ　ｇ　Ｏ＋
　Ｃａ　ＯｘＳ　ｒｏ　＋Ｂ　ｔｏ　ｙＺ　ｎｏ　ｙＡ
　ｌｚｏ　ｓｗＹ　２０　！ＩＬ　ａｇｏ　ｓ＊Ｉ　ｎ
ｅｏ　ｙｅｓ　ｉｏ　ｚ＋　Ｔ　ｉｏ　２ｔ　Ｚ　ｒｏ
　ｔ＊Ｇ　ｅｏ　ｉｔ　Ｓ　ｎｏ　２１Ｎ　ｂ２０　ｓ
＝Ｔ　ａ、ｏ　ｓ及びＴｈ０２のうちの少なくとも１種
、ＬｎはＥ　ｕ　ｒ　Ｔ　ｂ　＊　Ｃｅ　ｗ　Ｔ　ｍ　
＊　Ｄ　ｙ　＊　Ｐ　ｒ　＠　、Ｈｏ　ｓ　Ｎ　ｄ　ｔ
Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｍ及びＧｄのうちの少なくとも１種であ
り、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１種であ
り、×及（／３１はそれぞれ５×１０′−Ｓ≦Ｘ≦０．
５及びｏ＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）で
表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光
体、一般式がＺ　ｎＳ　：Ａ　、（Ｚ　ｎ＊ｃｄ）Ｓ　
：Ａ　−Ｃ’ｃｌＳ　：Ａ、ＺｎＳ：Ａ＝Ｘ及ｔ／Ｃｄ
Ｓ：Ａ、Ｘ（但しＡはＣｕ。 ＡｇｅＡｕｇ又はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）
で表される蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号に記載
されている一般式〔！〕又は（Ｉｆ）、 一般式（１）’　　　ＸＭ　３（Ｐ　Ｏ４）２　・Ｎ　
Ｘ　２：ＦＡ一般式（Ｉｆ　）　　　　Ｍ　ｚ（Ｐ　Ｏ
４）ｔ　・ｙＡ（式中、Ｍ及ｖＮはそれぞれＭｇ　Ｉ　
Ｃａ　＠　Ｓ　ｒ　＊　Ｂ　ａ　＊Ｚｎ及ｖＣｄのうち
少なくとも１種、ＸばＦ　＊　ｃ　１＊Ｂｒ＊及ｔ／　
Ｉ　ｔｎ　’）　チ少’！　＜　トモ１　種、Ａｌ１Ｅ
ｕ、Ｔｂ。 ｅｅｔＴｍｔＤｙｔＰｒｔＨｏ＋ＮｃＬＥｒｔＳｂｔＴ
　ＩｔＭｎ及ＩＳｎのうち少なくとも１種を表す、また
、×及ｖｙはＯ＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる条件を満たす
数である。）で表される蛍光体、一般式（［３又は〔■
〕　゛−一般式　Ｍ　）、ｎＲｅＸＰｍＡＸ’　ａ：ｘ
−Ｅｕ　　、一般式（ｆｆ）　　　ｎＲｅＸ５・ｍＡＸ
’２：ｘＥｕｗｙｓｓｉ（式中、ＲｅはＬａ、Ｇｄ、Ｙ
、Ｌｕのうち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属、
Ｂ　ａｔ　Ｓ　ｒｗ　Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はＦ、ＣＩ、Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす
、また、Ｘ及びｙは、ＩＸＩＧ−’＜ｘ＜　３　ｘｔｏ
−’、１　ｘｔｏ−’＜ｙ＜　Ｉ　Ｘｌ０−’なる条件
を満たす数であり、ｎ／ＩＩＩはＩ　Ｘ　１０−’　＜
　ｎ７ｍ＜　７　Ｘ　１０−’なる条件を満たす、）で
表さ代る蛍光体、及び 一般式 ％式％： （但し％Ｍ”はＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｈ、及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、ＭｆはＢ
ｇ＋Ｍｇ＋ＣａｙＳｒ＊Ｂａ５ＺｎｓＣｃＬＣｕ及びＮ
１から遇ばれる少なくとも一種の二価金属である６Ｍ１
はＳｃ＊Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｓ＋、Ｓｓ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ。 Ｄ　Ｆ　＊　）Ｉ　Ｏ＊　Ｅ　ｒ　＊　Ｔ　ｍ　＋　Ｙ
　ｂ　＊　Ｌ　ｕ　＊　Ａ　Ｉ　ｒ　Ｇ　ａ　＠及びＩ
ｎから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。＋　
　ＸｓＸ′及びＸ＃はＦ＝ＣＩ、Ｂｒ及びＩから選ばれ
る少なくとも一種のハロゲンである。ＡはＥｕ、Ｔｂ、
Ｃｅ−ＴｍｔＤｙｔＰｒ＋Ｈｏ＋ＮｃＬＹｂｔＥｒｔＧ
ｄ＊Ｌｕ＊Ｓｍ＊Ｙ＋Ｔ　ｌ　ｗ　Ｎ　ａ　＊　Ａ　ｇ
　Ｉ　Ｃｕ及びＭ、から選ばれる少なくとも一種の金属
である。 またａは０≦ａ＜０．５範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ
＜０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．２の範
囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体
勢が挙げられる。＊にアルカリハライド蛍光体は真空蒸
着、スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやす
く好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝ｓ、ｍ起光を照射した場合に輝Ｐ
Ｌ蛍光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であっても
よい。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から威る輝尽性蛍光体層群であってもよい、ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、用いちれる支
持体としては各種高分子材料、ガラス金属等が用いられ
る。特に情報記録材料としての取り扱い上回視性のある
シートあるいはウェブに加工で終るものが好適であり、
この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、鉄ｔｉｌｔクロム等
の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シ
ートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μ−〜１０００μ−であ
り、取り扱い上の、？！、からさらに好ましくは８０μ
−〜５００μ鋤である。 本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を
物理的１こあるいは化学的に保護するための保護層を設
けることが好ましい、この保護層は、保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に直接塗布しで形成してもよいし、あ
るいはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層
上に接着してもよい、保護層の材料としては酢酸セルロ
ース。 ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等によＱ　
、＋Ｓ　ｉＣ＊Ｓ　ｉｏ　２１８　ｉＮ　ｖＡ　１２０
　ｘす？　ノｆｉｌｌ物質を積層して形成してもよい。 次に前記輝尽性蛍光体層が、結着剤を含有しない気相堆
積法について説明する。 第１の方法として真空蒸着法がある。該方法に於いては
、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気し
て１Ｇ−＠Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。 次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトロビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記
支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器あるいは二しク）ｏビームを用いて共
蒸着を行うことも可能である。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好しくは保護層を設は本発明の放射線
画像変換パネルが製造される。 尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい、また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活
性ガスをスパッタ装置内に導入して１０−’　Ｔ　ｏｒ
ｒ程度のガス圧とする。 次に前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 前記スバツタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲッ
トを用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明の放射線画像変換パネルが製造される
。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとっでもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターデッドして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０．
．８２等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよ
い。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱してもよい、またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。 第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、商周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層を得る。 第３図（＆）は気相堆積法によってえられた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層単位厚層厚に対応
する輝尽性蛍光体耐着量と放射線感度の関係の一例を表
している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の耐着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約２倍
あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が
向上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒
状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従
来の塗設法による輝尽性蛍光体層上り層厚を厚くするこ
とが可能であり、放射線に対して一層高感度となる。 前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を第３
図（ｂ）に示す。 本発明のパネルは微細柱状ブロック構造の光誘導効果に
より、輝尽励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り返し
、柱状ブロック外に散逸することが少ないので、従来の
パネルの特性を示す第５図（ｂ）と比較すると明らかな
ように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍光体の
層厚の増大にともなう鮮鋭性の低下を小さくすることが
可能である。 本発明の放射線画像変換パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れてた鮮
鋭性粒状性及ゾ感度を与える。すなわち、第４図におい
て、４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は本発
明の放射線画像変換パネル、４４は輝尽励起光源、４５
は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を検
出する光電変換装置、４６は４５で検出された信号を画
像として再生する装置４７は再生された画像を表示する
装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発
光のみを透過させるフィルターである。尚４５以降は４
３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記に限定されるものではない。 第４図に示されるように放射線発生装置１４１からの放
射線は被写体４２を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル４３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変
換パネル４３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネル
ギーが蓄積され放射線透過像の蓄積像が形成される。次
にこの蓄積像を輝尽励起光＠４４からの輝尽励起光で励
起して輝尽発光として放・出せしめる０本発明の放射線
画像変換パネル４３は、輝尽性蛍光体層が微細柱状ブロ
ック構造を有しているため、上記輝ｆｉＬｍ起光による
走査の際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散する
のが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４６
によって画像として再生し画像表示装ａ４７によって表
示することにより、被写体の

【実施例】

次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１ 支持体として５００μ−厚のアルミニウムシー）ヲ蒸着
器中に設置した０次ｌ二抵抗加熱用のタングステンボー
ト中にアルカリハライド輝尽性蛍光体（０，９ＲｂＢ　
ｒ　・０．ＩＣｓＦ　：０．ＯＩＴ　ｌ）を入れ、抵抗
加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を排気して２ｘ１
０−’Ｔｏｒｒの真空度とした。 次にタングステンボードに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させアルミニ
ウムシート上に輝尽性蛍光体層の層厚が３００μ■の厚
さになるまで堆積させた。続いて真空中で前記アルミニ
ウムシートを３００℃に加熱した後、急冷して本発明の
放射線画像変換パネルＡを得た。 このようなして得られた本発明の放射線画像変換ｔ＜　
ネ１ｋ　Ａ　ニ’Ｉ電圧８０Ｋ　Ｖ　ｐノＸ　４１　ヲ
１０ｍＲ照射した後、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（６３３ｎｍ
）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層がら放射される輝尽発
光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、この信号
を画像再生装置によって画像として再生し、銀塩フィル
ム上に記録した。信号の大きさより、放射線画像変換パ
ネルＡのＸ線に対する感度を調べ、また得られた画像よ
り、画像の′！ｉ肩伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）及び粒状
性を調べ第１表に示す。 第１表において、ＸＡＩに対する感度は本発明の放射線
画像変換パネルＡを１００として相対値で示しである。 また、変調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）は、空間周波数が
２サイクル／−の時の値であり、粒状性は（良い、普通
、悪い）をそれぞれ（○、Δ、×）で示しである。 実施例２ 支持体として５００μｌ厚のアルミニウムシート面に直
径５０μ−の金属線で編んだ金属網メツシュを圧着して
、これをスパッタ装置中に設置した。次にスパッタリン
グ・ターデツ）として７ル力リノ１ライド輝尽性蛍光体
（０，９５ＲｂＢ　ｒ−０，０５ＣｓＦ　：０．００５
ＴＩ）をスパッタ装置内に設置し、続いてｌＸｌ０−’
Ｔ　ｏｒｒの真空度まで排気した。スパッタが又として
Ａｒｆｆスを導入しながらスパッタを行い、金属網メツ
シュの層厚が３００μ−になるまで堆積させ、本発明の
放射線画像変換パネルＢを得た。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。 比較例１ アルカリハライド輝尽性蛍光体（０，９ＲｂＢ　ｒ・０
、ＩＣｓＦ　：０．０１Ｔ　Ｉ）８重量部とポリビニル
ブチラール樹脂１重量部と溶剤（シクロヘキサノン）５
重量部を用いて混合・分散し、輝尽性蛍光体層用塗布液
を調整した０次にこの塗布液を水平に置いた。 ３００μ謹厚の支持体としての黒色ポリエチレンナフタ
レートフィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させて３０
０μ−厚の輝尽性蛍光体層を形成した。 このようにして得られた比較の放１ｔ＃Ｉ１１像変換パ
ネルＰは実施例１と同様にして評価し、結果を第１表よ
り明らかなように本発明の放射線画像変換パネルＡ、Ｂ
は、比較の放射線画像変換パネルＰに比べてＸ＃ｌ感度
が約２倍高くしかも画像の粒状性が優れていた。これは
本発明の放射線画像変換パネルは輝尽性蛍光体層中に結
着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填率が比較のパネ
ルに比べて高くＸ線の吸収率が良いためである。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡ％Ｂは比較の放
射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が高いにもかか
わらず鮮鋭性の点でも優れていた。 これは、本発明の放射ＡＩ［像変換パネルの輝尽性蛍光
体層は微細柱状ブロック構造を有しているので、輝尽励
起光であるＨｅ　　Ｎｅレーザの輝尽性蛍光体層中での
散乱が減少するためである。 【発明の効果１ 以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が者しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上されることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層の増大による画像
の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層を大きく
することにより、画像の鮮鋭性を低下させることなく放
射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層の増大による画像
の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大き
くすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることなく
画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射＃ＩＷ１像変換パネルの一部を示
す断面図である。第２図は本発明の放射、Ｉｉｌ像変換
パネルの一部を示す平面図である。１３図（＆）は本発
明の一例に関する放射線画像変換パネルにおける輝尽性
蛍光体層厚及び附着量と放射線に対する感度とを示す図
であり、（ｂ）は前記放射線画像変換パネルにおける輝
尽性蛍光体層及び附着量と空間周波数が２サイクル／１
Ｉ１１における変調伝達関数（ＭＴＦ）とを示す図であ
る。第４図は本発明に用いられる放射線画像変換方法の
概略図である。第５図（ａ）は従来の放射線画像変換パ
ネルにおける輝尽性蛍光体層及び附着量と放射線に対す
る感度とを示す図であり、（ｂ）は前記従来の放射線画
像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び附着量と空
間周波数が２サイクル／−一における変調伝達関数（Ｍ
　Ｔ　Ｆ　）とを示す図である。 １１・・・輝尽性蛍光体層 １２・・・支持体 １３・・・保護層 １４・・・接着層 ４１・・・放射線発生装置 ４２・・・被写体 ４３・・・放射線画像変換パネル ４４・・・輝尽励起光源 ４５・・・光電変換装置 ４６・・・画像再生装置 ４７・・・画像表示装置 ４８・・・フィルタ 代理人　弁理士　野　１）義　親 第２１ 第３図 （レノ 第４図 第５図 手続補正書 昭和６１年３月１４日 １、事件の表示 昭和５９年特許顆第２６６９１２号 ２、発明の名称 放射線画像変換パネル及びその製造方法３、補正をする
者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真工業株式会社（電話０４２５−８３−１５２
１）特　　許　　部 ４、補正命令１付　自発　　　　　　　　　〆二θ１５
、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、補正の内容 （１）発明の詳細な説明を次の如く補正する。 手続補正書 １　、ＪＪ！件の表示 昭和５９年特許願第２６６９１２号 ２、発明の名称 放射線画像変換パネル及びその製造方法３、補正をする
者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真工業株式会社（電話ｏ４２ｓ−ｏ−ｔ５ｚｅ
特　　許　　部 ４、補正命令の日付 昭和６１年４月２２ＦＩ（発う弦与こ〉、５、補正の対
象 昭和６１年３月１４日付は提出の手続補正書６、補正の
内容 別紙のとおり。 手続補正書 昭和６１年３月１４日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
   パネルにおいて前記輝尽性蛍光体層が前記支持体面にほ
   ぼ垂直方向に伸びた微細柱状ブロック構造を有すること
   を特徴とする放射線画像変換パネル。 ２）支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
   パネルの製造方法において、前記輝尽性蛍光体層を前記
   支持体面に、ほぼ垂直方向に伸びた微細柱状ブロック構
   造とすることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造
   方法。