JPS61246367A - マグネトロン型スパツタリング装置 - Google Patents
マグネトロン型スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS61246367A JPS61246367A JP8795785A JP8795785A JPS61246367A JP S61246367 A JPS61246367 A JP S61246367A JP 8795785 A JP8795785 A JP 8795785A JP 8795785 A JP8795785 A JP 8795785A JP S61246367 A JPS61246367 A JP S61246367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- parts
- magnetic field
- magnetic
- sputtering device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マグネトロン型スパッタリング装置に関し、
特に膜厚分布を改良してなるマグネトロン型スパッタリ
ング装置に関するものである・〔従来の技術〕 従来、この種の装置に於いては長方形のターゲットに面
した基板をターゲットの短軸方向に並進あるいは回転運
動させることにより、基板の運動方向の膜厚のバラツキ
を抑制し、運動方向で大量の基板をスパッタ処理し、高
い生産性を得るようにしていた。
特に膜厚分布を改良してなるマグネトロン型スパッタリ
ング装置に関するものである・〔従来の技術〕 従来、この種の装置に於いては長方形のターゲットに面
した基板をターゲットの短軸方向に並進あるいは回転運
動させることにより、基板の運動方向の膜厚のバラツキ
を抑制し、運動方向で大量の基板をスパッタ処理し、高
い生産性を得るようにしていた。
上述の方法に於いては基板上での膜厚の均一性は、ター
ゲットの長軸方向の膜厚分布によって規定されるため、
ターゲットの長軸方向に膜厚のバラツキを生じた場合、
所望の均一性を有する領域が著しく狭められてしまい、
装置の生産性が低下してしまうという欠点があった。
ゲットの長軸方向の膜厚分布によって規定されるため、
ターゲットの長軸方向に膜厚のバラツキを生じた場合、
所望の均一性を有する領域が著しく狭められてしまい、
装置の生産性が低下してしまうという欠点があった。
本発明は以上の欠点を解決し、所望の均一性を有する領
域を可能な限り広げ、生産性の高いマグネトロン型スパ
ッタリング装置を提供することを目的とするものである
。
域を可能な限り広げ、生産性の高いマグネトロン型スパ
ッタリング装置を提供することを目的とするものである
。
本発明はターゲットのマグネットを設置する裏面側に強
磁性体部品と非強磁性体部品とを適宜組み合わせて配設
し、該部品にてターゲットの表面付近の磁界の強さを局
部的に変化させ、表面全体の磁界の強度分布を調整可能
としたことを特徴とするマグネトロン型スパッタリング
装置である。
磁性体部品と非強磁性体部品とを適宜組み合わせて配設
し、該部品にてターゲットの表面付近の磁界の強さを局
部的に変化させ、表面全体の磁界の強度分布を調整可能
としたことを特徴とするマグネトロン型スパッタリング
装置である。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図において、1はターゲットであり、固定枠2によ
ってバッキングプレート3に固定すれている。またバッ
キングプレート3の裏面にはマグネット4が設置されて
いる。さらにバッキングプレート3の裏面には、マグネ
ット4の磁極に対向して、強磁性材料(パーマロイ等)
からなる部品−と非磁性材料(銅等)からなる部品5と
を適宜組み合わせて配設する。バッキングプレート3の
取付部3aに強磁性体部品5cLをはめ込んだ場合には
、ターゲット1の裏側にマグネット4が接しているのと
同等な状態になるため、取付部3αに非磁性体部品布を
はめ込んだ場合と比較すると、ターゲット1の表面付近
の磁場の強度は高くなる。したがつて、部品5αと5b
とによりターゲット1の表面付近の磁界の強さを局部的
に変化させ、表面全体の磁界の強度分布を任意に調整す
る。例えば、第2図に示すように取付部3αに強磁性体
部品5αを使い、取付部3bに非磁性体部品5bを使用
した場合には、従来のように全体が非磁性材料からなる
バッキングプレートを使用した場合と比較すると、ター
ゲット1の中央部付近で特に磁場が強められることにな
る。
ってバッキングプレート3に固定すれている。またバッ
キングプレート3の裏面にはマグネット4が設置されて
いる。さらにバッキングプレート3の裏面には、マグネ
ット4の磁極に対向して、強磁性材料(パーマロイ等)
からなる部品−と非磁性材料(銅等)からなる部品5と
を適宜組み合わせて配設する。バッキングプレート3の
取付部3aに強磁性体部品5cLをはめ込んだ場合には
、ターゲット1の裏側にマグネット4が接しているのと
同等な状態になるため、取付部3αに非磁性体部品布を
はめ込んだ場合と比較すると、ターゲット1の表面付近
の磁場の強度は高くなる。したがつて、部品5αと5b
とによりターゲット1の表面付近の磁界の強さを局部的
に変化させ、表面全体の磁界の強度分布を任意に調整す
る。例えば、第2図に示すように取付部3αに強磁性体
部品5αを使い、取付部3bに非磁性体部品5bを使用
した場合には、従来のように全体が非磁性材料からなる
バッキングプレートを使用した場合と比較すると、ター
ゲット1の中央部付近で特に磁場が強められることにな
る。
第3図は本発明を実施したことによシ膜厚分布が改善さ
れたことを示すグラフで、曲線Bは従来の非磁性材料の
バッキングプレートを用いた場合の膜厚分布であり、曲
線Cは第2図に示したバッキングプレートを用いた場合
の膜厚分布である。
れたことを示すグラフで、曲線Bは従来の非磁性材料の
バッキングプレートを用いた場合の膜厚分布であり、曲
線Cは第2図に示したバッキングプレートを用いた場合
の膜厚分布である。
±5チの均一性を有する領域が従来は125朋の範囲で
あったのに対して、本発明の実施によυ300龍の範囲
にまで拡張されている。
あったのに対して、本発明の実施によυ300龍の範囲
にまで拡張されている。
以上説明したように本発明によれば、マグネトロン型ス
パッタリング装置においてターゲット表面付近の磁場の
強度分布を任意に調整することによシ、あらゆるスパッ
タリング材料或いはあらゆる使用条件に応じて、所望の
均一性を有する領域を可能な限)広げることができ、実
用上の効果が顕著である・
パッタリング装置においてターゲット表面付近の磁場の
強度分布を任意に調整することによシ、あらゆるスパッ
タリング材料或いはあらゆる使用条件に応じて、所望の
均一性を有する領域を可能な限)広げることができ、実
用上の効果が顕著である・
第1図は本発明の実施例を示すマグネトロン型スパッタ
リング装置のターゲット近傍の断面図、第2図は第1図
のA−に線断面図、第3図は基板内の膜厚分布を示すグ
ラフである。
リング装置のターゲット近傍の断面図、第2図は第1図
のA−に線断面図、第3図は基板内の膜厚分布を示すグ
ラフである。
Claims (1)
- (1)平板ターゲット及びその裏面に設置されたマグネ
ットからなる陰極と、該陰極に対向する基板あるいは基
板ホルダとの間に直流電力あるいは高周波電力を印加す
るマグネトロン型スパッタリング装置において、前記タ
ーゲットの裏面側に強磁性体部品と非磁性体部品とを適
宜組み合わせて配設し、該部品にてターゲットの表面付
近の磁界の強さを局部的に変化させ、表面全体の磁界の
強度分布を調整可能としたことを特徴とするマグネトロ
ン型スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8795785A JPS61246367A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | マグネトロン型スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8795785A JPS61246367A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | マグネトロン型スパツタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61246367A true JPS61246367A (ja) | 1986-11-01 |
Family
ID=13929346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8795785A Pending JPS61246367A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | マグネトロン型スパツタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61246367A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6372873A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JPH01104771A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 | Anelva Corp | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
JPH01230770A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-14 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0288766A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | スパッタ電極、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP2007302921A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 |
WO2011024411A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置 |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8795785A patent/JPS61246367A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6372873A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JPH01104771A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 | Anelva Corp | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
JPH01230770A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-14 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH046792B2 (ja) * | 1988-03-09 | 1992-02-06 | Tokuda Seisakusho | |
JPH0288766A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | スパッタ電極、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP2007302921A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置 |
WO2011024411A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置 |
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