JPS61239701A - トリプレ−ト線路形ｔ分岐 - Google Patents
トリプレ−ト線路形ｔ分岐Info
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- JPS61239701A JPS61239701A JP60080719A JP8071985A JPS61239701A JP S61239701 A JPS61239701 A JP S61239701A JP 60080719 A JP60080719 A JP 60080719A JP 8071985 A JP8071985 A JP 8071985A JP S61239701 A JPS61239701 A JP S61239701A
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- Japan
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- dielectric substrate
- branch
- strip pattern
- strip
- triplate
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、多層化基板を用いたマイクロ波相トリプレ
ート線路形Ｔ分岐（以下、Ｔ分岐とする）の改良に関す
るものである。
ート線路形Ｔ分岐（以下、Ｔ分岐とする）の改良に関す
るものである。
第６図に２例えば特開昭５６−１５４８０４号公報に示
された従来のトリプレート形ストリップ線路（以下、ト
リプレート線路とする）の一部削除した斜視図を示す。
された従来のトリプレート形ストリップ線路（以下、ト
リプレート線路とする）の一部削除した斜視図を示す。
図中、 （１ａ）は一方の面の一部に線路幅Ｗなるス）
＋３ツブ導体（２）を、他方の面の全面に金属から成
る地板（３）をそれぞれ密着させた比誘電率ε１の誘電
体から成る誘電体基板Ａ、 （１に＋）は一方の面のみ
全面に地板（３）を密着させた誘電体基板Ｂである。
＋３ツブ導体（２）を、他方の面の全面に金属から成
る地板（３）をそれぞれ密着させた比誘電率ε１の誘電
体から成る誘電体基板Ａ、 （１に＋）は一方の面のみ
全面に地板（３）を密着させた誘電体基板Ｂである。
このトリプレート線路は、マイクロストリップ線路と比
較して系が閉じているため、放射損失がなく、漏洩電力
の他２機器に及ぼす影響がない等の利点があるため、ア
ンテナ給電回路等によく用いられる。
較して系が閉じているため、放射損失がなく、漏洩電力
の他２機器に及ぼす影響がない等の利点があるため、ア
ンテナ給電回路等によく用いられる。
第１図に、このトリプレート線路を用いたＴ分岐の平面
図を示す。
図を示す。
図中、 （２ａ）はＴ分岐の入出力端子Ｐ１．Ｐ２．Ｐ
３となるトリプレート線路、 （２ｂ）、（２ｃ）はＴ
分岐を構成する特性インピーダンスの異なるトリプレー
ト線路である。トリプレート線路（２１）） ？ （２
６）の特性インピーダンスＺｏｂ ｔ ”００は、トリ
プレート線路（２ａ）の特性インピーダンスｚＯＩＬお
よび出力電力比にょシ決まり１例えば、出力端子Ｐ２．
Ｐ５への出力電力が一３１Ｂでｚｏａが５０Ωのときｔ
ｚＯｂ −ｚｏｏ −ｒｏ、ｒｏとなる。さらに、こ
のときのトリプレート線路（２ｂ）と（２ｃ）の軸長け
２例えば、λｇ／４となる。
３となるトリプレート線路、 （２ｂ）、（２ｃ）はＴ
分岐を構成する特性インピーダンスの異なるトリプレー
ト線路である。トリプレート線路（２１）） ？ （２
６）の特性インピーダンスＺｏｂ ｔ ”００は、トリ
プレート線路（２ａ）の特性インピーダンスｚＯＩＬお
よび出力電力比にょシ決まり１例えば、出力端子Ｐ２．
Ｐ５への出力電力が一３１Ｂでｚｏａが５０Ωのときｔ
ｚＯｂ −ｚｏｏ −ｒｏ、ｒｏとなる。さらに、こ
のときのトリプレート線路（２ｂ）と（２ｃ）の軸長け
２例えば、λｇ／４となる。
ここで、λ８は伝搬波長である。このとき、このＴ分岐
は２例えば第１図のＰｌから入力したマイクロ波電力は
９等分配されてＰ２とＰ３の出力電力となる。
は２例えば第１図のＰｌから入力したマイクロ波電力は
９等分配されてＰ２とＰ３の出力電力となる。
： 〔発明が解決し１うとす４問題点〕
このように構成された従来のＴ分岐を用いた誘電体基板
は、下記のような問題があった。
このように構成された従来のＴ分岐を用いた誘電体基板
は、下記のような問題があった。
（１）１つの誘電体基板に、１辺がλｇ／４の長さのト
リプレート線路を２本接続した形状となるために、１つ
の平面における専有面積が多く、マイクロ波部品の実装
密度が低くなる。
リプレート線路を２本接続した形状となるために、１つ
の平面における専有面積が多く、マイクロ波部品の実装
密度が低くなる。
（２） このＴ分岐を、多数用いる多分配回路や大量
のマイクロ波部品が必要の場合、Ｔ分岐の配置に制限を
受けたシ、同一平面内に構成できなくなり、誘電体基板
を大きくするか、又は、誘電体基板の枚数を増加させな
ければならない。
のマイクロ波部品が必要の場合、Ｔ分岐の配置に制限を
受けたシ、同一平面内に構成できなくなり、誘電体基板
を大きくするか、又は、誘電体基板の枚数を増加させな
ければならない。
この発明は、これらの問題を改善する目的でなされたも
ので、誘電体基板内におけるＴ分岐の実装密度の増加お
よび配置の制限をなくすことを目的とするもので６る。
ので、誘電体基板内におけるＴ分岐の実装密度の増加お
よび配置の制限をなくすことを目的とするもので６る。
まず、この発明の説明に必要な範囲で１例えば。
特開昭５６−１５４８０５号公報に示されたマイクロ波
で用いる誘電体基板を多層化した場合に１階層の異なる
トリプレート線路間を接続するトリプレート線路形基板
間接続素子（以下、基板間接続素子とする）について説
明する。
で用いる誘電体基板を多層化した場合に１階層の異なる
トリプレート線路間を接続するトリプレート線路形基板
間接続素子（以下、基板間接続素子とする）について説
明する。
第８図は、この基板間接続素子の一部削除した斜視図で
ある。図中、（４）、 （５）、 （６１，（７）は、
それぞれストリップパターンム、Ｂ、Ｏ，Ｄである。
ある。図中、（４）、 （５）、 （６１，（７）は、
それぞれストリップパターンム、Ｂ、Ｏ，Ｄである。
この基板間接続素子の誘電体基板Ａ （１ａ）の一方の
面には、第２図（Ａ）に拡大図を示すストリップパター
ンＢｔ５）、ストリップパターンＤ（７）が設けられて
おり、ストリップパターンＢ（５）にトリプレート線路
Ａ−（２ａ）が接続している。また、誘電体基板Ａ（１
ａ）の他方の面（地板（３）側）には、第２図（Ｂ）に
拡大図を示すストリップパターンが設けられている。
面には、第２図（Ａ）に拡大図を示すストリップパター
ンＢｔ５）、ストリップパターンＤ（７）が設けられて
おり、ストリップパターンＢ（５）にトリプレート線路
Ａ−（２ａ）が接続している。また、誘電体基板Ａ（１
ａ）の他方の面（地板（３）側）には、第２図（Ｂ）に
拡大図を示すストリップパターンが設けられている。
同様に、′誘電体基板Ｂ （１ｂ）には、第３図（Ａ）
に拡大図を示すストリップパターンＡ＋４１． ストリ
ップパターンＤ（７）が、地板（３）側には第３図（Ｂ
）に拡大図を示すストリップパターンＡ（４）が設けら
れて（・る。
に拡大図を示すストリップパターンＡ＋４１． ストリ
ップパターンＤ（７）が、地板（３）側には第３図（Ｂ
）に拡大図を示すストリップパターンＡ（４）が設けら
れて（・る。
そして誘電体基板０ （１ａ）には、第３図（Ａ）に拡
大図を示すストリップパターンＡ（４１，ストリップパ
ターンＤ（７）が設けられており、ストリップパターン
ｌ Ａ （４１にトリプレート線路Ａ （
２ａ）が接続している。
大図を示すストリップパターンＡ（４１，ストリップパ
ターンＤ（７）が設けられており、ストリップパターン
ｌ Ａ （４１にトリプレート線路Ａ （
２ａ）が接続している。
□
１ また、地板（３）側には第３図（Ｂ）に拡
大図を示すスト１ リップパターンＡ（４）
が設けられている。誘電体基・１ １ 板Ｄ （１（１）には、第９図（Ａ）に拡
大図を示すストリップパターンＤ（７）が、地板（３１
側には第９図（Ｂ）に拡大図を示すストリップパターン
がそれぞれ設けられている。
大図を示すスト１ リップパターンＡ（４）
が設けられている。誘電体基・１ １ 板Ｄ （１（１）には、第９図（Ａ）に拡
大図を示すストリップパターンＤ（７）が、地板（３１
側には第９図（Ｂ）に拡大図を示すストリップパターン
がそれぞれ設けられている。
第２図の（Ａ）と（Ｂ）に示すストリップパターンの形
成された商をそれぞれ誘電体基板Ａ （１ａ）の表側お
よび裏側とし、同様に、第３図の（Ａ）と（Ｂ）に示゛
すストリップパターンの形成された面をそれぞれ誘電体
−板Ｂ （１ｂ）と０（１ｃ）の表側および裏側、第９
図の（Ａ）と（Ｂ）に示すストリップパターンの形成さ
れた面をそれぞれ誘電体基板Ｄ （１４）の表側および
裏側とする。
成された商をそれぞれ誘電体基板Ａ （１ａ）の表側お
よび裏側とし、同様に、第３図の（Ａ）と（Ｂ）に示゛
すストリップパターンの形成された面をそれぞれ誘電体
−板Ｂ （１ｂ）と０（１ｃ）の表側および裏側、第９
図の（Ａ）と（Ｂ）に示すストリップパターンの形成さ
れた面をそれぞれ誘電体基板Ｄ （１４）の表側および
裏側とする。
ストリップパターンＡ１４１． Ｄｌフ）に設けられ
たスルーホールは、。スルーホールメッキ１と呼ばれる
メッキ方法によシスルーホール部分にメッキがほどこさ
れる。
たスルーホールは、。スルーホールメッキ１と呼ばれる
メッキ方法によシスルーホール部分にメッキがほどこさ
れる。
第１０図には、スルーホールメッキ後のスルーホール部
分の断面図を示す。これにより、誘電体基板’Ａ （１
ａ）のトリプレート線路Ａ （２ａ）はストリップパタ
ーンＢ（５１，ストリップパターンＡ（４）を介して誘
電体基板０ （１ｃ）のトリプレート線路Ａ （２ａ）
と。
分の断面図を示す。これにより、誘電体基板’Ａ （１
ａ）のトリプレート線路Ａ （２ａ）はストリップパタ
ーンＢ（５１，ストリップパターンＡ（４）を介して誘
電体基板０ （１ｃ）のトリプレート線路Ａ （２ａ）
と。
また、誘電体基板Ａ （１ａ）のストリップパターンＤ
（７）は、各誘電体基板の地板（３）を介して誘電体基
板Ｄ （１ａ）のストリップパターンＤ（７）に電気的
に接続される。
（７）は、各誘電体基板の地板（３）を介して誘電体基
板Ｄ （１ａ）のストリップパターンＤ（７）に電気的
に接続される。
つまり、スルーホールメッキは、誘電体基板の表裏のス
トリップパターンを電気的に接続する場合に用いる。
トリップパターンを電気的に接続する場合に用いる。
このような誘電体基板を用いて構成した基板間接続素子
では、誘電体基板Ｂ （１ｂ）、 Ｏ（１ｃ）部の伝
搬モードを等測的に同軸モードとして考えることができ
る。つまり、ストリップパターンＡ（４）からストリッ
プパターンＢ （５１ｆ：接続するスＡ、 ＊−ルメ
ツキの外径が第１１図に示す同軸線路の内導体外径、ス
トリップパターンＤ（７）にある複数個のスルーホール
メッキ外径によって形成された電気的等価短絡面が第１
１図に示す同軸線路の外導体内径となると考えられる。
では、誘電体基板Ｂ （１ｂ）、 Ｏ（１ｃ）部の伝
搬モードを等測的に同軸モードとして考えることができ
る。つまり、ストリップパターンＡ（４）からストリッ
プパターンＢ （５１ｆ：接続するスＡ、 ＊−ルメ
ツキの外径が第１１図に示す同軸線路の内導体外径、ス
トリップパターンＤ（７）にある複数個のスルーホール
メッキ外径によって形成された電気的等価短絡面が第１
１図に示す同軸線路の外導体内径となると考えられる。
’ ＣＣ’ｔ’、 ２’） ＩＪッ７’ ／＜
／ −７０（７，よあ、、。
／ −７０（７，よあ、、。
のスルーホールメッキの隣接間距離は、波長に比較して
十分小さいものとする。従って、この同軸線路のもつ特
性インピーダンスは、ストリップパターンＡ（４）に設
けるスルーホールメッキの外径と上記電気的等価短絡面
の寸法を変化させることで簡単に調整できる。
十分小さいものとする。従って、この同軸線路のもつ特
性インピーダンスは、ストリップパターンＡ（４）に設
けるスルーホールメッキの外径と上記電気的等価短絡面
の寸法を変化させることで簡単に調整できる。
この発明に係るＴ分岐は、１つの誘電体基板におけるマ
イクロ波部品の実装密度を増加するために、上記基板間
接続素子を用いることで、平面回路で構成されていたＴ
分岐を立体回路で構成したことである。
イクロ波部品の実装密度を増加するために、上記基板間
接続素子を用いることで、平面回路で構成されていたＴ
分岐を立体回路で構成したことである。
この発明においては、基板間接続素子を用いて。
階層の異なるトリプレート線路間でＴ分岐を設けること
によシ、誘電体基板内におけるＴ分岐の実装密度が増加
する。
によシ、誘電体基板内におけるＴ分岐の実装密度が増加
する。
また、誘電体基板内におけるＴ分岐の配置の制限をなく
す。
す。
第１図はこの発明の一実施例を示す立体回路のＴ分岐の
一部削除した斜視図である。
一部削除した斜視図である。
図中（１ａ）から（５１，（７）仁上記従来のτ分岐お
よび基板間接続素子と全く同一のものである。（６）は
ストリップパターンＣである。この発明によるＴ分岐は
、トリプレート線路Ａ （２ａ）、 Ｂ （２ｂ）、
Ｏ（２ｃ）と誘電体基板Ｂ （１ｂ）、 Ｏ（１
ｃ）内に形成される等制量軸線路とから構成される。
よび基板間接続素子と全く同一のものである。（６）は
ストリップパターンＣである。この発明によるＴ分岐は
、トリプレート線路Ａ （２ａ）、 Ｂ （２ｂ）、
Ｏ（２ｃ）と誘電体基板Ｂ （１ｂ）、 Ｏ（１
ｃ）内に形成される等制量軸線路とから構成される。
この立体回路のＴ分岐の誘電体基板Ａ （１ａ）には。
第２図（Ａ）に拡大図を示すストリップパターンＢ １
５）とストリップパターンＤ（７）が設けられており、
誘電体基板Ａ （１ａ）の地板（３）側には、第２図（
Ｂ）に拡大図を示すストリップパターンが設けられてい
る。
５）とストリップパターンＤ（７）が設けられており、
誘電体基板Ａ （１ａ）の地板（３）側には、第２図（
Ｂ）に拡大図を示すストリップパターンが設けられてい
る。
ここで、ストリップパターンＢ（５）には、トリプレー
ト線路ａ （２ａ）が接続している。同様に、誘電体基
板Ｂ （１ｂ）には、第３図（Ａ）に拡大図を示すスト
リップパターンＡ（４）とストリップパターンＤ（７）
が。
ト線路ａ （２ａ）が接続している。同様に、誘電体基
板Ｂ （１ｂ）には、第３図（Ａ）に拡大図を示すスト
リップパターンＡ（４）とストリップパターンＤ（７）
が。
地板（３）側には第３図（Ｂ）に拡大図を示すス） Ｉ
ＪツブパターンＡ（４）が設けられている。そして、誘
電体基板０ （１ｃ）には、第４図（Ａ）に拡大図を示
すストリップパターンＡ（４）とストリップパターンＣ
（６）カル地板（３）側には第４図（Ｂ）に示すス）
ＩＪツブパター７Ａ（４）が設けられて（・る。ここで
、ストリップパターン（４）には、Ｔ分岐を構成するた
めのトリプレート線路Ｂ （２ｂ）、 Ｏ（２ｃ）と
トリプレート線路Ａ （２ａ）がそれぞれ接続している
。誘電体基板Ｄ （１（１）には。
ＪツブパターンＡ（４）が設けられている。そして、誘
電体基板０ （１ｃ）には、第４図（Ａ）に拡大図を示
すストリップパターンＡ（４）とストリップパターンＣ
（６）カル地板（３）側には第４図（Ｂ）に示すス）
ＩＪツブパター７Ａ（４）が設けられて（・る。ここで
、ストリップパターン（４）には、Ｔ分岐を構成するた
めのトリプレート線路Ｂ （２ｂ）、 Ｏ（２ｃ）と
トリプレート線路Ａ （２ａ）がそれぞれ接続している
。誘電体基板Ｄ （１（１）には。
第５図（Ａ）に拡大図を示すストリップパターンＢ（５
）とストリップパターンＣ（６）が、地板（３）側には
第５図（Ｂ）に示すストリップパターンが設けられてい
るＯまた。ストリップパターンＡ（４）とストリップパ
ターンＯｔｅ＋ トストリップパターンＤ（７）のスル
ーホールは、第１０図に示したようにスルーホール部分
にメッキがほどこされており、トリプレート線路Ａ （
２ａ）、 Ｂ （２ｂ）、 Ｏ（２ｃ）は、各誘電体
基板を介して電気的に接続される。
）とストリップパターンＣ（６）が、地板（３）側には
第５図（Ｂ）に示すストリップパターンが設けられてい
るＯまた。ストリップパターンＡ（４）とストリップパ
ターンＯｔｅ＋ トストリップパターンＤ（７）のスル
ーホールは、第１０図に示したようにスルーホール部分
にメッキがほどこされており、トリプレート線路Ａ （
２ａ）、 Ｂ （２ｂ）、 Ｏ（２ｃ）は、各誘電体
基板を介して電気的に接続される。
上記のように構成されたＴ分岐においては、特性インピ
ーダンスの異なるトリプレート線路Ａ （２ａ）とＢ
（２ｂ）とＯ（２ｃ）から成り、従来と同様にそれぞれ
の特性インピーダンスは１例えば、５０Ω、ＴＯ，７Ω
。
ーダンスの異なるトリプレート線路Ａ （２ａ）とＢ
（２ｂ）とＯ（２ｃ）から成り、従来と同様にそれぞれ
の特性インピーダンスは１例えば、５０Ω、ＴＯ，７Ω
。
ＴＯ９１Ωで形成し、トリプレート線路Ｅ （ｚｂ）と
Ｃ（２ｃ）の電気長はλｇ／４で構成する。
Ｃ（２ｃ）の電気長はλｇ／４で構成する。
従って、このＴ分岐で、 Ｐｌから入力したマイクロ
波電力は、トリプレート線路ｈ （２ａ） 、基板間接
続素子、トリプレート線路Ｂ （２ｂ）と０（２０）、
）リブレート線路Ａ （２ａ）を通り１等分配され
てＰ２とＰ３に出力する。
波電力は、トリプレート線路ｈ （２ａ） 、基板間接
続素子、トリプレート線路Ｂ （２ｂ）と０（２０）、
）リブレート線路Ａ （２ａ）を通り１等分配され
てＰ２とＰ３に出力する。
これらから、この発明のＴ分岐は、第１図に示した従来
のＴ分岐と同様に、良好な特性を示すことがわかる。
のＴ分岐と同様に、良好な特性を示すことがわかる。
なお、上記実施例では、マイクロ波電力を等分配するＴ
分岐について説明したが、この発明はこれに限らず、不
等分配のＴ分岐に対しても適用できることは言うまでも
なく、また、ここでは誘電体基板を４枚で説明したが、
誘電体基板の枚数を４枚以上で構成する多層化した誘電
体基板にも適用できる。さらに、Ｔ分岐を構成するトリ
プレート線路の特性インピーダンス、軸長は、説明に用
いた数値に限るものではない。
分岐について説明したが、この発明はこれに限らず、不
等分配のＴ分岐に対しても適用できることは言うまでも
なく、また、ここでは誘電体基板を４枚で説明したが、
誘電体基板の枚数を４枚以上で構成する多層化した誘電
体基板にも適用できる。さらに、Ｔ分岐を構成するトリ
プレート線路の特性インピーダンス、軸長は、説明に用
いた数値に限るものではない。
この発明は２以上説明したとおり、立体回路の′
Ｔ分岐を用いることにより、１つの誘電体基板に
おけるマイクロ波部品の実装密度を増加させるという効
果がある。″ また、平面回路のＴ分岐から立体回路のＴ分岐を用〜・
ることで、大量のマイクロ波部品が必要な場合において
も、誘電体基板の枚数の増加を防止できる効果がある。
Ｔ分岐を用いることにより、１つの誘電体基板に
おけるマイクロ波部品の実装密度を増加させるという効
果がある。″ また、平面回路のＴ分岐から立体回路のＴ分岐を用〜・
ることで、大量のマイクロ波部品が必要な場合において
も、誘電体基板の枚数の増加を防止できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施向を示す一部削除した斜視図
、第２図（Ａ）、 （Ｂ）はストリップパターンＢ。 Ｄとトリプレート線路Ａと基板の裏面に形成するス）
ＩＪツブパターンの拡大図、第３図（Ａ）、 （Ｂ）は
ストリップパターンＡ、Ｄと基板の裏面に形成する自１ ス） ＩＪツブパターンＡの拡大図、第４図（Ａ）、
（Ｂ）はストリップパターンＡ、Ｏとトリプレート線路
Ａ。 Ｂ、 Ｏと基板の裏面に形成するストリップパターン
Ａの拡大図、第５図（Ａ）、 （Ｂ）はストリップパタ
ーンＢ、Ｏと基板の裏面に形成するス） ＩＪツブパタ
ーンの拡大図、第６図はトリプレート線路の一部削除し
た斜視図、第１図は従来のＴ分岐の平面図。 第８図は従来のマイクロ波で用（・る誘電体基板を多層
化した場合に階層の異なるトリプレート線路間を接続す
る基板間接続素子の一部削除した斜視図、第９図（Ａ）
、 （Ｂ）はス） ＋７ツプパターンＤと基板の裏面に
形成するストリップパターンの拡大図。 第１０図はスルーホールメッキの説明図、第１１図は同
軸線路の説明図である。 図中、 （１ａ）ｔ（Ｔｏ）ｔ（１ｃ）？（１１）は
誘電体基板Ａ、’Ｂ。 ０、 ＤＩ （２ａ）？（２ｂ）？（２０）はトリプ
レート線路Ａ、Ｂ。 Ｃ２（３）は地板、（４１はストリップパターンＡ、ｆ
ｆ１ｌ庁ストリップパターンＢ、＋６）はストリップパ
ターン０、＋７１はストリップパター’／Ｄ、（８１は
同軸線路の内導体、（９）は同軸線路の外導体である。 なお２図中、同一符号は、同一または相当部分を示すも
のである。
、第２図（Ａ）、 （Ｂ）はストリップパターンＢ。 Ｄとトリプレート線路Ａと基板の裏面に形成するス）
ＩＪツブパターンの拡大図、第３図（Ａ）、 （Ｂ）は
ストリップパターンＡ、Ｄと基板の裏面に形成する自１ ス） ＩＪツブパターンＡの拡大図、第４図（Ａ）、
（Ｂ）はストリップパターンＡ、Ｏとトリプレート線路
Ａ。 Ｂ、 Ｏと基板の裏面に形成するストリップパターン
Ａの拡大図、第５図（Ａ）、 （Ｂ）はストリップパタ
ーンＢ、Ｏと基板の裏面に形成するス） ＩＪツブパタ
ーンの拡大図、第６図はトリプレート線路の一部削除し
た斜視図、第１図は従来のＴ分岐の平面図。 第８図は従来のマイクロ波で用（・る誘電体基板を多層
化した場合に階層の異なるトリプレート線路間を接続す
る基板間接続素子の一部削除した斜視図、第９図（Ａ）
、 （Ｂ）はス） ＋７ツプパターンＤと基板の裏面に
形成するストリップパターンの拡大図。 第１０図はスルーホールメッキの説明図、第１１図は同
軸線路の説明図である。 図中、 （１ａ）ｔ（Ｔｏ）ｔ（１ｃ）？（１１）は
誘電体基板Ａ、’Ｂ。 ０、 ＤＩ （２ａ）？（２ｂ）？（２０）はトリプ
レート線路Ａ、Ｂ。 Ｃ２（３）は地板、（４１はストリップパターンＡ、ｆ
ｆ１ｌ庁ストリップパターンＢ、＋６）はストリップパ
ターン０、＋７１はストリップパター’／Ｄ、（８１は
同軸線路の内導体、（９）は同軸線路の外導体である。 なお２図中、同一符号は、同一または相当部分を示すも
のである。
Claims (1)
- 片面にのみ導体を被着した誘電体基板、片面に導体を
また他方の面にはストリップ導体をそれぞれ被着した誘
電体基板、これら２枚の誘電体基板をそれぞれの導体が
外側になる様に重ね合せて構成したトリプレート形スト
リップ線路を用いたＴ分岐において、前記誘電体基板を
基板の厚み方向に多層化するとともに、階層の異なるト
リプレート形ストリップ線路間をトリプレート形ストリ
ップ線路から前記誘電体基板の厚み方向に垂直に複数の
スルーホールを設け、そのスルーホールの内壁にメッキ
層を設けることによつて階層の異なるトリプレート形ス
トリップ線路間を電気的に接続するトリプレート形基板
間接続素子を形成し、多層化した誘電体基板の厚み方向
に立体的に前記Ｔ分岐を構成したことを特徴とするトリ
プレート線路形Ｔ分岐。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60080719A JPS61239701A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | トリプレ−ト線路形ｔ分岐 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60080719A JPS61239701A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | トリプレ−ト線路形ｔ分岐 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61239701A true JPS61239701A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13726159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60080719A Pending JPS61239701A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | トリプレ−ト線路形ｔ分岐 |
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