JPS612374A - 太陽電池 - Google Patents
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- JPS612374A JPS612374A JP60120752A JP12075285A JPS612374A JP S612374 A JPS612374 A JP S612374A JP 60120752 A JP60120752 A JP 60120752A JP 12075285 A JP12075285 A JP 12075285A JP S612374 A JPS612374 A JP S612374A
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Classifications
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- Sustainable Energy (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、いずれか一方の導電形の薄し・表面部が金属
化部を有する、ｐｎ接合部を包含する半導体、裏面接触
部及び反射防止層より成る太陽電池に関する。
化部を有する、ｐｎ接合部を包含する半導体、裏面接触
部及び反射防止層より成る太陽電池に関する。
従来の技術
太陽エネルギーを電気エネルギーに変換するに当り、今
日では主に効率約１４％の単結晶又は多結晶のシリコン
太陽電池が使われる。効率の損失は、とりわけ反射によ
る損失、不完全な吸収、フォトンエネルギーの部分的利
用、発生したキャリアの再結合、原料の理想的な最適値
１．４ｅＶからの禁止帯幅のずれ等により生じる。
日では主に効率約１４％の単結晶又は多結晶のシリコン
太陽電池が使われる。効率の損失は、とりわけ反射によ
る損失、不完全な吸収、フォトンエネルギーの部分的利
用、発生したキャリアの再結合、原料の理想的な最適値
１．４ｅＶからの禁止帯幅のずれ等により生じる。
ＡＭｉスペクトル（ａｉｒ −ｍａｓｓ −１）−非常
に高い太陽の位置における海抜に対して大気吸収後の太
陽スペクトル−をより良好に利用ずろために、はぼ理想
的な禁止帯幅１．４３ ｅＶを有するので砒化ガリウム
をベースとする太陽電池を用いて効率約２２９ｂを達成
する。大量生産に関しては砒化ガリウム太陽電池の製造
はなお相対的に高価である。
に高い太陽の位置における海抜に対して大気吸収後の太
陽スペクトル−をより良好に利用ずろために、はぼ理想
的な禁止帯幅１．４３ ｅＶを有するので砒化ガリウム
をベースとする太陽電池を用いて効率約２２９ｂを達成
する。大量生産に関しては砒化ガリウム太陽電池の製造
はなお相対的に高価である。
太陽電池の経済的な製造を可能にするために、既に無定
形シリコンを使った実験が行なわれた。
形シリコンを使った実験が行なわれた。
その理由は、原材料の廉価な製造、低い原料使用量並び
に大量生産の可能性という点にある。
に大量生産の可能性という点にある。
しかし、大量生産において無定形シリコンから製造した
太陽電池では効率僅か５．５％が達成されたに過ぎなか
った。単結晶又は多結晶のシリコン太陽電池の効率もな
お不十分である。
太陽電池では効率僅か５．５％が達成されたに過ぎなか
った。単結晶又は多結晶のシリコン太陽電池の効率もな
お不十分である。
それ故、本発明は従来の太陽電池に比べて高し・効率を
有ずろ経済的な太陽電池を開示するとし・５課題を基礎
とする。
有ずろ経済的な太陽電池を開示するとし・５課題を基礎
とする。
本発明により、この課題は冒頭に挙げた種類の太陽電池
で、無定形又は微結晶シリコン層が反射防止膜下に設け
られていることにより解決される。
で、無定形又は微結晶シリコン層が反射防止膜下に設け
られていることにより解決される。
この手段により、再結合中心を減少させることにより太
陽電池の効率の比較的経済的な上列が行なわれる。
陽電池の効率の比較的経済的な上列が行なわれる。
これは、有利な他の実施形では、無定形か又゛は微結晶
のシリコン層を直接反射防止膜下に又は直接いずれか一
方の導電形の薄い表面部上に施すことにより行なうこと
ができる。殊に、太陽電池の半導体はドーピングされた
シリコン又は砒化ガリウムより成り、その際に半導体は
単結晶か又は多結晶であってよい。自由価電子を飽和す
るための水素による水素添加、禁止帯幅約６ｅｖの光学
窓を形成するために炭素を添加することにより、薄い表
面部の受光面の表面再結合速度を特に良好に低下させる
ことができる。
のシリコン層を直接反射防止膜下に又は直接いずれか一
方の導電形の薄い表面部上に施すことにより行なうこと
ができる。殊に、太陽電池の半導体はドーピングされた
シリコン又は砒化ガリウムより成り、その際に半導体は
単結晶か又は多結晶であってよい。自由価電子を飽和す
るための水素による水素添加、禁止帯幅約６ｅｖの光学
窓を形成するために炭素を添加することにより、薄い表
面部の受光面の表面再結合速度を特に良好に低下させる
ことができる。
例えばリンをドーピングすることにより無定形又は微結
晶シリコン層はキャリア移送にも有用である。それ故太
陽電池の薄い表面部をより薄くすることが可能であり、
それにより短波長領域のスペクトルのより良好な利用が
達成され、それと同時に薄（・表面部の表面での高いド
ーピング効果とそれに関連する再結合中心を回避するた
めに弱くドーピングすることができる。
晶シリコン層はキャリア移送にも有用である。それ故太
陽電池の薄い表面部をより薄くすることが可能であり、
それにより短波長領域のスペクトルのより良好な利用が
達成され、それと同時に薄（・表面部の表面での高いド
ーピング効果とそれに関連する再結合中心を回避するた
めに弱くドーピングすることができる。
本発明の他の有利な実施形及びその製法は特許請求の範
囲第２項から第１４項に記載されている。
囲第２項から第１４項に記載されている。
実施例
次に本発明の実施例を添付図面に基づし・て詳説する。
第１図は、いずれか一方の導電形の薄い表面部２を備え
た半導体１，２、直接薄い表面部２上は施されかつ入射
光側の櫛形の金属化部６及び半導体１，２の他方の導電
形の基板１上に設けられている全面の裏面接触部１より
成る太陽電池の基本構造を示す。
た半導体１，２、直接薄い表面部２上は施されかつ入射
光側の櫛形の金属化部６及び半導体１，２の他方の導電
形の基板１上に設けられている全面の裏面接触部１より
成る太陽電池の基本構造を示す。
例えば、第２図の太陽電池の半導体１，２は単結晶又は
多結晶シリコンより成り、その際に基板１は原子約１０
］５個／ｃｒｎ３てｐ形にドーピングしかつ薄い表面部
２は原子約１０２０個／ｃｍ”でｎ″形にドーピングさ
れている。半導体１，２は厚さ約２００μｍを有し、薄
い表面部２は約０．５ｚ１ｍである。殊に、基板１のド
ーピング物質としては硼素をかつ薄い表面部２ではリン
を使用する。周期律表の第６族ないしは第５族からの他
のドーピング物質も使用することができる。
多結晶シリコンより成り、その際に基板１は原子約１０
］５個／ｃｒｎ３てｐ形にドーピングしかつ薄い表面部
２は原子約１０２０個／ｃｍ”でｎ″形にドーピングさ
れている。半導体１，２は厚さ約２００μｍを有し、薄
い表面部２は約０．５ｚ１ｍである。殊に、基板１のド
ーピング物質としては硼素をかつ薄い表面部２ではリン
を使用する。周期律表の第６族ないしは第５族からの他
のドーピング物質も使用することができる。
直接薄い表面部２上に層厚約２ ｎｍの二酸化珪素から
の極薄層３が施されており、この層はその土に施されて
いる金属化部６の接触フィンガーと一緒にＭＩＳ構造を
形成しかつそれにより少数キャリアを促進しかつ多数キ
ャリアを抑制する。
の極薄層３が施されており、この層はその土に施されて
いる金属化部６の接触フィンガーと一緒にＭＩＳ構造を
形成しかつそれにより少数キャリアを促進しかつ多数キ
ャリアを抑制する。
金属化部６の接触フィンガー及び二酸化珪素製極薄層３
上に層厚約０．０５〜０．００５１１ｍの無定形か又は
微結晶のシリコン層４が施されて℃・る。水素で水素添
加することにより自由価電子は飽和されかつ殊に炭素の
添加により禁止帯幅を６０Ｖまで高めることができ、そ
れによりこの層は入射光を吸収し得すかつ光学窓として
作用する。
上に層厚約０．０５〜０．００５１１ｍの無定形か又は
微結晶のシリコン層４が施されて℃・る。水素で水素添
加することにより自由価電子は飽和されかつ殊に炭素の
添加により禁止帯幅を６０Ｖまで高めることができ、そ
れによりこの層は入射光を吸収し得すかつ光学窓として
作用する。
無定形か又は微結晶のかつこの場合にはドーピングされ
ていないシリコン層４は結晶シリコンより成る薄い表面
部２０入射光面上で表面再結合速度を低下させるので、
多くのキャリア対がｐｎ接合近くで形成する。その結果
として、間接的にそのような構造の太陽電池の電圧及び
電流が高まり、これが効率上昇に作用する。
ていないシリコン層４は結晶シリコンより成る薄い表面
部２０入射光面上で表面再結合速度を低下させるので、
多くのキャリア対がｐｎ接合近くで形成する。その結果
として、間接的にそのような構造の太陽電池の電圧及び
電流が高まり、これが効率上昇に作用する。
無定形ないしは微結晶のシリコン層４上には反射防止膜
５が設けられており、この膜は例えば酸化チタン、一酸
化珪素、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化
アルミニウムより成るかないしはこれらの物質を組合せ
た単層又は多層より成る。
５が設けられており、この膜は例えば酸化チタン、一酸
化珪素、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化
アルミニウムより成るかないしはこれらの物質を組合せ
た単層又は多層より成る。
太陽電池の受光面とは反対側に裏面接触部７が設けられ
ており、これは金属化部６と同じ拐料より成り金属化部
６は例えばアルミニウム、銀、ニッケル、銅又はチタン
−パラジウム−銀の成層より成る。太陽電池バッテリー
を構成するだめの特別な結合素子は同じ材料から成って
いてよい。第１図による金属化部６は櫛形に構成さ」ｔ
でいてよく、その際に各ウェブは断面高さ約１０ μｍ
及び幅６〜１０１１Ｉ′１１を有してし・てよしＸ。
ており、これは金属化部６と同じ拐料より成り金属化部
６は例えばアルミニウム、銀、ニッケル、銅又はチタン
−パラジウム−銀の成層より成る。太陽電池バッテリー
を構成するだめの特別な結合素子は同じ材料から成って
いてよい。第１図による金属化部６は櫛形に構成さ」ｔ
でいてよく、その際に各ウェブは断面高さ約１０ μｍ
及び幅６〜１０１１Ｉ′１１を有してし・てよしＸ。
第６図による太陽電池の層配列は原則的に第２図による
太陽電池と同じ構成を有するが、但し２つの点で異なっ
ていることに注意すべきである： １、 無定形か又は微結晶のシリコン層４は原子釣１０
２０個／ Ｃｍ３てドーピングされており、その際に周
期律表の第３族もしくは第５族の元素によるｐ形ないし
はｎ形ドーピングが可能である。
太陽電池と同じ構成を有するが、但し２つの点で異なっ
ていることに注意すべきである： １、 無定形か又は微結晶のシリコン層４は原子釣１０
２０個／ Ｃｍ３てドーピングされており、その際に周
期律表の第３族もしくは第５族の元素によるｐ形ないし
はｎ形ドーピングが可能である。
２、太陽電池の薄い表面部２は第２図のそれより著しく
薄く約０．２５ μｍであり、更に原子約１０１９個／
ｃｍ、”て弱くドーピングされている。
薄く約０．２５ μｍであり、更に原子約１０１９個／
ｃｍ、”て弱くドーピングされている。
この手段により太陽スペクトルの短波長領域がより良好
に利用される。それというのもキャリア対を形成する短
波長光線が薄い表面部２０表面近くでは吸収されないか
らである。更に、この手段により高ドーピング効果が薄
い表面部２の表面で回避される。
に利用される。それというのもキャリア対を形成する短
波長光線が薄い表面部２０表面近くでは吸収されないか
らである。更に、この手段により高ドーピング効果が薄
い表面部２の表面で回避される。
第３図による実施形では無定形か又は微結晶シリコン層
４はドーピングされているので、キャリア伝導に使われ
、それ故前記の手段により惹起さ牙する薄い表面部２の
層抵抗の上昇は殆んど補償される。
４はドーピングされているので、キャリア伝導に使われ
、それ故前記の手段により惹起さ牙する薄い表面部２の
層抵抗の上昇は殆んど補償される。
第４図による太陽電池の層構造は第２図及び第６図によ
る太陽電池の変形である。
る太陽電池の変形である。
この場合にも、半導体１，２は単結晶又は多結晶シリコ
ンより成り、その際に基板１は原子約１０１５個／ ｃ
ｍ”でｐ形にドーピングされかつ薄い表面部２は原子約
１０２０個／ＣｒＩＥ３でｐ形にドーピングされて（・
ろ。半導体１．２は厚さ約２００ ｔｒｍを有し、その
際に薄い表面部２は約０．２５μｍである。殊に、ドー
ピング物質としては基板１では硼素を使いかつ薄し・表
面部２てはリンを使用する。直接薄い表面部２上に厚さ
約０．５／１ｍのドーピングした無定形か又は微結晶の
シリコン層４が施されている。シリコン層４は水素、炭
素の添加物を包含しかつ原子約１０１５個／儂３てｐ形
又はｎ形にドーピングされている。この無定形か又は微
結晶のシリコン層４上に直接厚さ約２ｎｍの二酸化珪素
からの極薄層３が施されており、それにより層３の上に
施された金属化部６と一緒にＭＩＳ構造が生じ、その構
造が少数ギヤリアを促進しかつ多数キャリアを阻止する
。金属化部６はこの場合も同様に櫛状に構成されており
、かつ第２図又は第３図による太陽電池と同じ材料組成
を有する反射防１１−膜５により被覆されている。
ンより成り、その際に基板１は原子約１０１５個／ ｃ
ｍ”でｐ形にドーピングされかつ薄い表面部２は原子約
１０２０個／ＣｒＩＥ３でｐ形にドーピングされて（・
ろ。半導体１．２は厚さ約２００ ｔｒｍを有し、その
際に薄い表面部２は約０．２５μｍである。殊に、ドー
ピング物質としては基板１では硼素を使いかつ薄し・表
面部２てはリンを使用する。直接薄い表面部２上に厚さ
約０．５／１ｍのドーピングした無定形か又は微結晶の
シリコン層４が施されている。シリコン層４は水素、炭
素の添加物を包含しかつ原子約１０１５個／儂３てｐ形
又はｎ形にドーピングされている。この無定形か又は微
結晶のシリコン層４上に直接厚さ約２ｎｍの二酸化珪素
からの極薄層３が施されており、それにより層３の上に
施された金属化部６と一緒にＭＩＳ構造が生じ、その構
造が少数ギヤリアを促進しかつ多数キャリアを阻止する
。金属化部６はこの場合も同様に櫛状に構成されており
、かつ第２図又は第３図による太陽電池と同じ材料組成
を有する反射防１１−膜５により被覆されている。
ＡＭ１−スペクトルをより良好に利用するに当り、半導
体１，２の構成には禁止帯幅１．４ろｅＶがほぼ理想的
であるので砒化ガリウムも非常に好適である。
体１，２の構成には禁止帯幅１．４ろｅＶがほぼ理想的
であるので砒化ガリウムも非常に好適である。
そのような（）ａ、Ａｓ製太陽電池の効率を高めるにも
第２図、第６図及び第４図による層構造の無定形か又は
微結晶のシリコン層４が好適である。砒化ガリウム太陽
電池の基板１は例えば亜鉛により原子約１０］５個／α
３てｐ形に及び薄い表面部２は例えば硫黄により原子約
４〜５．１０１８個／ Ｃｍ３でｎ形にドーピングされ
ている。
第２図、第６図及び第４図による層構造の無定形か又は
微結晶のシリコン層４が好適である。砒化ガリウム太陽
電池の基板１は例えば亜鉛により原子約１０］５個／α
３てｐ形に及び薄い表面部２は例えば硫黄により原子約
４〜５．１０１８個／ Ｃｍ３でｎ形にドーピングされ
ている。
ンラン（５ｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）もしくはエチレ
ン（Ｃ２Ｈ４）及びホスフィン（ＰＨ３）のグロー放電
により、ドーピングされた無定形か又は微結晶のシリコ
ン層４を製造する。ＣＶＤプロ十ス（化学的蒸気沈着：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｕｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）も可能である。更に、無定形かもしくは微結晶
のシリコン層をスパンクリングさせるか又は蒸着させろ
ことができる。
ン（Ｃ２Ｈ４）及びホスフィン（ＰＨ３）のグロー放電
により、ドーピングされた無定形か又は微結晶のシリコ
ン層４を製造する。ＣＶＤプロ十ス（化学的蒸気沈着：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｕｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）も可能である。更に、無定形かもしくは微結晶
のシリコン層をスパンクリングさせるか又は蒸着させろ
ことができる。
単一太陽電池を太陽電池バッテリーに接続するに当り接
点と金属化部６の接触区域を超音波溶接法により相互に
結合する。
点と金属化部６の接触区域を超音波溶接法により相互に
結合する。
用途及び経済性に応じて半導体１．２に単結晶又は多結
晶の原材料を使用し、殊に宇宙で使用するには単結晶及
び地」−では多結晶を使用する。
晶の原材料を使用し、殊に宇宙で使用するには単結晶及
び地」−では多結晶を使用する。
第１図は太陽電池の斜視図、第２図は無定形か又は微結
晶のシリコン層を備えた太陽電池の層構造の断面図、第
６図はドーピングされている無定形か又は微結晶のシリ
コン層を備えた太陽電池の他の層構造の断面図、第４図
はドーピングされている無定形か又は微結晶のシリコン
層を備えていて、この層が直接薄い表面部」―に施され
ている太陽電池の層構造の断面図である。 １．２・・半導体、３・・極薄層、４・・シリコン層、
５ 反射防ＩＦ膜、６・・・金属化部、７・・裏面接触
部。 ＦｌＯ，Ｉ ＦＩＯ，２
晶のシリコン層を備えた太陽電池の層構造の断面図、第
６図はドーピングされている無定形か又は微結晶のシリ
コン層を備えた太陽電池の他の層構造の断面図、第４図
はドーピングされている無定形か又は微結晶のシリコン
層を備えていて、この層が直接薄い表面部」―に施され
ている太陽電池の層構造の断面図である。 １．２・・半導体、３・・極薄層、４・・シリコン層、
５ 反射防ＩＦ膜、６・・・金属化部、７・・裏面接触
部。 ＦｌＯ，Ｉ ＦＩＯ，２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｐｎ接合を包含し、いずれか一方の導電形の薄い表
面部（２）が金属化部（６）を有する半導体（１、２）
、裏面接触部（７）及び反射防止膜（５）より成る太陽
電池において、無定形か又は微結晶のシリコン層（４）
が反射防止膜（５）下に設けられていることを特徴とす
る太陽電池。 ２、直接金属化部（６）下に及び表面部（２）上に二酸
化珪素製の極薄層（３）が設けられている特許請求の範
囲第１項記載の太陽電池。 ３、無定形か又は微結晶のシリコン層（４）が金属化部
（６）の表面ないしは二酸化珪素製の極薄層（３）の表
面を被覆する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の太
陽電池。 ４、無定形か又は微結晶のシリコン層（４）が二酸化珪
素製の極薄層（３）と表面部（２）との間に設けられて
いる特許請求の範囲第１項又は第２項記載の太陽電池。 ５、無定形か又は微結晶のシリコン層（４）がドーピン
グされていないか又はドーピングされている特許請求の
範囲第１項から第４項までのいずれか１項記載の太陽電
池。 ６、無定形か又は微結晶のシリコン層（４）のｐ形ない
しはｎ形ドーピングに当り周期律表の第３族もしくは第
５族の物質を使用する特許請求の範囲第１項から第５項
までのいずれか１項記載の太陽電池。 ７、半導体（１、２）がドーピングしたシリコン又は砒
化ガリウムより成り、その際に半導体（１）又は（２）
は砒化ガリウム太陽電池ではＧａＡｓ又はＧｅ製の基板
上に施されている特許請求の範囲第１項から第６項まで
のいずれか１項記載の太陽電池。 ８、半導体（１、２）が単結晶又は多結晶のシリコン又
は砒化ガリウムより成る特許請求の範囲第１項から第７
項までのいずれか１項記載の太陽電池。 ９、反射防止膜（５）が酸化チタン、一酸化珪素、二酸
化珪素、酸化タンタル、酸化ニオブないしはこれらの物
質を組合せた単層又は多層より成る特許請求の範囲第１
項から第８項までのいずれか１項記載の太陽電池。 １０、金属化部（６）が反射防止膜（５）下に櫛構造又
は二重櫛構造を有しかつ裏面接触部（７）と同様にアル
ミニウム、銀、ニッケル又は銅より成る特許請求の範囲
第１項から第９項までのいずれか１項記載の太陽電池。 １１、薄い表面部（２）が、ドーピングされていない無
定形か又は微結晶のシリコン層（４）の場合は層厚約０
．５μｍを有しかつドーピングされた無定形か又は微結
晶のシリコン層（４）の場合には層厚約０．２５μｍを
有する特許請求の範囲第５項記載の太陽電池。 １２、無定形か又は微結晶のシリコン層（４）の価電子
が水素で水素添加することにより飽和されており、炭素
の導入により禁止帯幅約３ｅＶの光学窓が存在し、かつ
リンの添加により該層の導電性が一定である特許請求の
範囲第１項から第１１項までのいずれか１項記載の太陽
電池。 １３、無定形か又は微結晶のシリコン層（４）がグロー
放電プロセス又はＣＶＤにより製造されているか、スパ
ッタリングされているか又は蒸着されている特許請求の
範囲第１項から第１２項までのいずれか１項記載の太陽
電池。 １４、反射防止層（５）が熱的に形成されているか、蒸
着させるか、遠心塗布するか、浸漬又はＣＶＤプロセス
により製造されている特許請求の範囲第１項から第１３
項までのいずれか１項記載の太陽電池。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843420887 DE3420887A1 (de) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | Solarzelle |
| DE3420887.9 | 1984-06-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612374A true JPS612374A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=6237659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60120752A Pending JPS612374A (ja) | 1984-06-05 | 1985-06-05 | 太陽電池 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642414A (ja) |
| EP (1) | EP0164090B1 (ja) |
| JP (1) | JPS612374A (ja) |
| CA (1) | CA1244926A (ja) |
| DE (1) | DE3420887A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167206U (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-24 | ||
| JPH02201972A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
| JPH04226084A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2009099582A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | ポリシリコン膜の形成方法 |
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| DE3722198A1 (de) * | 1987-07-04 | 1989-01-12 | Semikron Elektronik Gmbh | Verfahren zum herstellen von solarzellen |
| DE3815512C2 (de) * | 1988-05-06 | 1994-07-28 | Deutsche Aerospace | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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| US20150380581A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-31 | Michael C. Johnson | Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with crystalline silicon |
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| DE2853412A1 (de) * | 1978-12-11 | 1980-07-03 | Rudolf Dr Hezel | Solarzelle aus halbleitermaterial |
| US4200473A (en) * | 1979-03-12 | 1980-04-29 | Rca Corporation | Amorphous silicon Schottky barrier solar cells incorporating a thin insulating layer and a thin doped layer |
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| DE3135933A1 (de) * | 1980-09-26 | 1982-05-19 | Unisearch Ltd., Kensington, New South Wales | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4453173A (en) * | 1982-04-27 | 1984-06-05 | Rca Corporation | Photocell utilizing a wide-bandgap semiconductor material |
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-
1984
- 1984-06-05 DE DE19843420887 patent/DE3420887A1/de active Granted
-
1985
- 1985-05-16 US US06/734,843 patent/US4642414A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-03 EP EP85106838A patent/EP0164090B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-04 CA CA000483108A patent/CA1244926A/en not_active Expired
- 1985-06-05 JP JP60120752A patent/JPS612374A/ja active Pending
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| JPH0541684Y2 (ja) * | 1988-05-18 | 1993-10-21 | ||
| JPH02201972A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
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| EP0164090B1 (de) | 1991-03-13 |
| DE3420887C2 (ja) | 1992-12-17 |
| CA1244926A (en) | 1988-11-15 |
| DE3420887A1 (de) | 1985-12-05 |
| EP0164090A3 (en) | 1988-07-13 |
| US4642414A (en) | 1987-02-10 |
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