JPS61230139A - Far ultraviolet sensitive silicone type resist - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a resist sensitive to far UV rays, enhanced in resolution, and improved in dry etching resistance by evaporating a specified org. silane compd. in reduced pressure, and executing vapor phase photochemical reaction in the presence of O2 or N2O to deposit a resist film. CONSTITUTION:The org. silane compd. represented by formula I, R1, R2 each being an org. group, X being H or halogen, and n being >=1, is evaporated in reduced pressure, introduced into a reaction chamber together with O2 or N2O, and a thin org. silicon type film is deposited on a semiconductor substrate by the vapor phase photochemical reaction. It is preferred to use mercury vapor as the photosensitizer of the vapor phase photochemical reaction, and a far UV lamp is used as a light source, thus permitting the resist to be directly formed on the substrate by the vapor phase reaction, accordingly, a uniform thin film of <=1mum thickness to be obtained with out forming any pinhole, the resist to be improved in etching resistance, enhanced in resolution of a formed pattern, and in photosensitivity because a film of Si-O-Si structure is partially formed by the photochemical reaction in the coexistence of O2 or N2O.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、半導体製造分野における耐ドライエツチング
性に優れた微細加工用レノストである有機シリコーシ系
遠紫外ａＳ光性しシス）に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an organosilicone far-ultraviolet aS photoresist which is a renost for microfabrication with excellent dry etching resistance in the field of semiconductor manufacturing.

［従米の技術１ 通常、半導体の製造は、ｌｌｌ５１図に示すような工程
で行なわれている。[Jubei's technology 1 Normally, semiconductor manufacturing is carried out using the steps shown in Figure 1151.

まず、基板（１）上に、スピンコーティングにより感光
性レノスジ膜（Ｚ）を形成し、マスク（５）を介して投
影露光を行なったのち、溶剤などによる現像を行なうこ
とにより、ポジ型またはネガ型のレクス）ＩＩの微細パ
ターン（６）を形成し、このしシス）膜の微細パターン
をマスクとして、ドライエツチングなどの方法により基
板上に微細加工が行なわれる。First, a photosensitive resin film (Z) is formed on the substrate (1) by spin coating, and after projection exposure is performed through a mask (5), development with a solvent or the like is performed to create a positive or negative type film. A fine pattern (6) of the lex) II type is formed, and then, using the fine pattern of the cis) film as a mask, fine processing is performed on the substrate by a method such as dry etching.

また最近では、半導体の高集積化が進み、基板上の微細
加工が複雑かつ精密になるにしたがい、基板上の段差が
大きくなってきており、よｒｔ＊＊な加工を行なうため
、第２図に示すような多層構造のレノストも使用されて
きている。このばあい、下層レジスト層（３）を厚くコ
ーティングすることにより、基板上の段差を平坦化し、
その上に酸素を用いたドライエツチングなどに対する耐
ドライエツチング性に優れた上層感光性レツス）層（４
）を薄（形成し、マスクを介して露光、現像を行ない、
上層感光性レジスト層のパターン（７）を形成し、この
上層感光性レノスト層のパターンをマスクとして、ドラ
イエツチングなどにより、下層レノスＦ層の微細加工を
行なうものである。In recent years, as semiconductors have become more highly integrated and microfabrication on substrates has become more complex and precise, the steps on the substrate have become larger. Multilayered lenosts, such as those shown in Figure 1, have also been used. In this case, by coating the lower resist layer (3) thickly, the steps on the substrate are flattened,
On top of that is an upper photosensitive etching layer (4) with excellent dry etching resistance against dry etching using oxygen.
) is formed, exposed through a mask, and developed.
A pattern (7) of the upper photosensitive resist layer is formed, and using this pattern of the upper photosensitive resist layer as a mask, fine processing of the lower Renos F layer is performed by dry etching or the like.

上記のような微細加工には、各種のドライエツチング技
術が多用されており、耐ドライエツチング性に優れたレ
ジストが必要となっている。Various dry etching techniques are often used for the above-mentioned microfabrication, and a resist with excellent dry etching resistance is required.

［発明が解決しようとする問題点１ 従米のレジスト膜形成法としては、レジスト溶液をスピ
ナーを用いて塗布し、そののち加熱により溶剤成分を除
去し、レジスト膜をうる方法が一般的である。[Problem to be Solved by the Invention 1] A common method for forming a resist film is to apply a resist solution using a spinner, and then remove the solvent component by heating to obtain a resist film.

通常、レノスト膜の解像度は膜厚が薄いほど良好である
が、スピナーによる成膜法では、０．１μｌ　　　　゛
以下の均一なレノスト膜をうろことは困難であり、ピン
ホールが生じでしまう。Normally, the resolution of a Rennost film is better as the film thickness becomes thinner, but in the film forming method using a spinner, it is difficult to scale a uniform Rennost film of 0.1 μl or less, resulting in pinholes.

また、耐ドライエツチング性をレジスト膜に持なせる意
味からもある程度の厚さが必要であり、この点からも高
い解像度をうるには限界がある。Furthermore, a certain degree of thickness is required in order to provide the resist film with dry etching resistance, and from this point of view as well, there is a limit to the ability to obtain high resolution.

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり、高い解像度を有し、かつ耐ドライエツチ
ング性に優れた感光性レノストをうることを目的とする
ものである。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and aims to provide a photosensitive lenost having high resolution and excellent dry etching resistance.

［問題点を解決するための手Ｐｉ１ 本発明は、半導体製造工程の微細加工に使用されるしシ
ストとして一般式（■）： （式中、Ｒ１、Ｒ２は有機基、Ｘは水素原子またはハロ
ゲン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示される有情
シラン化合物を減圧下で気化させ、酸素または酸化二窒
素の存在下で気相光化学反応を行ない基板上に堆積させ
た有機シリコーン系薄膜をレノスト膜として使用するこ
とを特徴とする耐ドライエツチング性を有する有機シリ
コーン系遠紫外線感光性レジストに関する。さらに詳し
くは、一般式（１）で示される有機シラン化合物を減圧
下で気化させ、酸素または酸化二窒素の存在下で、たと
えば低圧水銀灯や紫外線レーザーなどを光源として気相
光化学反応を行なうことにより、基板上に有機シリコー
ン系ＩＷＩＩを堆積させた耐ドライエツチング性に優れ
た遠紫外線感光性レノストに関する。[Measures to Solve the Problems Pi1 The present invention is used for microfabrication in semiconductor manufacturing processes. An organosilicone thin film is formed by vaporizing a silane compound represented by an atom (n is an integer of 1 or more) under reduced pressure and performing a vapor phase photochemical reaction in the presence of oxygen or dinitrogen oxide to deposit it on a substrate. The present invention relates to an organosilicone deep ultraviolet-sensitive resist having dry etching resistance, which is used as a Renost film. More specifically, the organic silane compound represented by the general formula (1) is vaporized under reduced pressure, and a gas phase photochemical reaction is carried out in the presence of oxygen or dinitrogen oxide using a low-pressure mercury lamp, an ultraviolet laser, or the like as a light source. , relates to a deep ultraviolet-sensitive renost with excellent dry etching resistance, in which organic silicone IWII is deposited on a substrate.

［実施例］ 本発明においでは一般式（■）： （式中、Ｒｌｓ　Ｒｔは有機基、Ｘは水素原子または／
Ｓロデン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示される
有機シラン化合物を減圧下で気化させ、酸素または酸化
二窒素ととも反応室に導入させ、気相化学反応により基
板上に有機シリコーン系薄膜として堆積せしめられる。[Example] In the present invention, general formula (■): (wherein, Rls Rt is an organic group, and X is a hydrogen atom or /
An organosilane compound represented by an S rodene atom (n represents an integer of 1 or more) is vaporized under reduced pressure and introduced into a reaction chamber together with oxygen or dinitrogen oxide, and an organosilane compound is formed on the substrate by a gas phase chemical reaction. Deposited as a thin film.

前記一般式（Ｉ）で示される有機シラン化合物としては
、たとえばツメチルシラン、ジメチルジクロロシラン、
ツメチルシラン、ジメチルジクロロシラン、ジットキシ
シラン、ツメトキシックロロシフン、ジェトキシシラン
、ノエトキシノクロロシラン、メチルフェニルシラン、
メチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルシラン、ジ
フェニルジクロロシラン、ジベンジルシラン、ジベンジ
ルジクロロシラン、テトラヒドロ７ラン、テトラメチル
ックロロノシランなどがあげられ、単独で用いでもよく
、２種以上併用してもよい。Examples of the organic silane compound represented by the general formula (I) include trimethylsilane, dimethyldichlorosilane,
Tsumethylsilane, dimethyldichlorosilane, ditoxysilane, tsumethoxychlorosilane, jetoxysilane, noethoxynochlorosilane, methylphenylsilane,
Examples include methylphenyldichlorosilane, diphenylsilane, diphenyldichlorosilane, dibenzylsilane, dibenzyldichlorosilane, tetrahydroclonosilane, and tetramethylchlorosilane, which may be used alone or in combination of two or more.

前記有機シラン化合物を気化させる減圧とは、１０−３
〜Ｉ　Ｔｏｒｒ程度の圧力のことであり、前記有機シラ
ン化合物を気化させたものとともに反応室に導入される
酸素または酸化二窒素と有機シラン化合物との比率は、
通常容量比で１７１Ｏ〜１０７１の範囲である。The reduced pressure to vaporize the organic silane compound is 10-3
~ I Torr, and the ratio of oxygen or dinitrogen oxide introduced into the reaction chamber together with the vaporized organic silane compound and the organic silane compound is:
The capacity ratio is usually in the range of 171O to 1071.

このようにして反応室に導入された混合気体は、低圧水
銀灯あるいは紫外線レーザーなどを光源として波！１１
８０−２５０ｎｍで１０ｉ＋Ｗ／ｃｉ＋”程度の強度の
遠紫外線が照射され、基板上に膜厚数百〜数千人程度の
有機シリコーン系薄膜が形成される。The gas mixture introduced into the reaction chamber in this way is exposed to waves using a light source such as a low-pressure mercury lamp or an ultraviolet laser! 11
Far ultraviolet rays having a wavelength of 80-250 nm and an intensity of about 10i+W/ci+'' are irradiated to form an organic silicone thin film with a thickness of several hundred to several thousand layers on the substrate.

前記反応は、気相でおこってもよく、基板に吸畢 着された層でおこってもよい。The reaction may occur in the gas phase, and may be caused by adsorption on the substrate. It may occur in the worn layer.

前記基板上に堆積された有機シリコーン系薄膜は、反応
室に導入された酸素または酸化二窒素と有機シラン化合
物との容量比として、０．１〜１０倍程度程度れば、は
とんどの有機溶媒に不溶であり、また１０倍程度以上に
なると有機溶媒に部分的に可溶となる。The organosilicone thin film deposited on the substrate will be able to absorb most organic silicone compounds if the volume ratio of the oxygen or dinitrogen oxide introduced into the reaction chamber is about 0.1 to 10 times that of the organosilane compound. It is insoluble in solvents, and becomes partially soluble in organic solvents when the concentration is about 10 times or more.

このようにしてえちれた有機シリコーン系薄膜は極性溶
媒、たとえばメタノール、アセトン、テトラヒドロ７ラ
ン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミドなどに可溶
となるため、湿式現像により、ポジ型のレジスト膜とし
て使用しうる。これは、えられた膜が５ｉ−３ｉ結合を
主に含み、部分的にＳ　ｉ　−０−３ｉの構造を有した
ものであり、空気中で遠紫外線を照射することにより、
Ｓ　ｉ　−０−Ｓ　ｉの構造が主となるためであり、５
ｉ−Ｓｉ結合のみのばあいより感度が向上する。The organic silicone thin film prepared in this way becomes soluble in polar solvents such as methanol, acetone, tetrahydro7rane, acetonitrile, dimethylformamide, etc., so it can be used as a positive resist film by wet development. . This is because the obtained film mainly contains 5i-3i bonds and partially has a Si-0-3i structure, and by irradiating it with deep ultraviolet rays in the air,
This is because the structure of S i -0-S i is the main one, and 5
Sensitivity is improved compared to the case of only i-Si bonds.

また、前記有機シリコーン系薄膜は、Ｓｉを含有した薄
膜であるため、酸素などによるドライエツチング耐性が
優れており、ドライエツチングにより膜厚がほとんど減
少しない。Furthermore, since the organic silicone thin film is a thin film containing Si, it has excellent resistance to dry etching by oxygen and the like, and the film thickness hardly decreases due to dry etching.

さらに本発明では、気相反応を利用してレジスト膜を形
成させるため、ピンホールがなく、膜厚制御が容易であ
る。それゆえ、０．１μｌ以下の非常に薄い膜でも均一
に精度よく形成できる。また、通常の合成法によってえ
られた有機シリコーン化合物は、溶媒に不溶であるもの
が多く、レジスト膜として使用できるものが限定される
が、本発明における有機シリコーン化合物は容易に薄膜
化でき、通常の溶媒に不溶性を示すものも可能である。Furthermore, in the present invention, since the resist film is formed using a gas phase reaction, there are no pinholes and the film thickness can be easily controlled. Therefore, even a very thin film of 0.1 μl or less can be formed uniformly and accurately. In addition, many organic silicone compounds obtained by ordinary synthesis methods are insoluble in solvents, which limits what can be used as resist films, but the organic silicone compounds used in the present invention can be easily made into thin films, and are generally insoluble in solvents. It is also possible to use compounds that are insoluble in these solvents.

本発明ににおける有機シリコーン化合物は上記のごとき
特性を有するため、えられた有機シリコーン系薄膜をレ
ノスト膜としで用いれば、現像溶媒による膨潤がなく、
高解像度のレノスト膜がえられ、サブミクロン加工も可
能である。Since the organosilicone compound in the present invention has the above-mentioned properties, if the obtained organosilicone thin film is used as a Renost film, there will be no swelling due to the developing solvent.
High-resolution Lennost films can be obtained, and submicron processing is also possible.

さらに前記気相光化学反応においては光増感剤を用いて
もよく、光増感剤として水銀蒸気を用いると、１０″″
３〜１Ｇ−’Ｔｏｒｒの蒸気で光反応の効率が高くなり
、基板上への堆積速度もはやくなる。Furthermore, a photosensitizer may be used in the gas phase photochemical reaction, and when mercury vapor is used as the photosensitizer,
Steam at 3-1 G-'Torr increases the efficiency of the photoreaction and reduces the deposition rate on the substrate.

また、前記気相反応によってえられた有機シリコーン系
薄膜を２層構造レジストの上層として用いると、耐ドラ
イエツチング性に優れた膜が数百人のオーダーで精度よ
く均一に成膜できるため高解像度のものかえられる。In addition, when the organic silicone thin film obtained by the gas phase reaction is used as the upper layer of a two-layer resist, a film with excellent dry etching resistance can be deposited uniformly and accurately by several hundred people, resulting in high resolution. You can change things.

以下、実施例を用いて本発明の有機シリコーン系遠紫外
線感光性レノストをさらに詳細に説明するが、本発明は
実施例のみに限定されるものではない。EXAMPLES Hereinafter, the organosilicone deep ultraviolet-sensitive renost of the present invention will be explained in more detail using Examples, but the present invention is not limited to the Examples.

実施例１ ジフェニルシランを１〜１０””Ｔｏｒｒの減圧下、　
５０℃で気化させ、水銀溜めを経由して上部に石英窓を
有した反応容器中に酸素〃スとともに導入した。Example 1 Diphenylsilane was heated under reduced pressure of 1 to 10'' Torr,
The mixture was vaporized at 50° C. and introduced together with oxygen into a reaction vessel having a quartz window at the top via a mercury reservoir.

つぎに反応容器中に置かれた基板上に１００Ｗの低圧水
銀灯（ウシオ電ｆｉ（株）製）を用いて遠紫外線を基板
から１０ｃｍ離れたところから外部より石英窓を通して
照射し、基板温度を３０℃で３０分間戻反応せた０反応
時の反応容器内のり７工エルシラン分圧はＩ　Ｘ　１１
−”Ｔｏｒｒ、酸素分圧は５Ｘ１Ｇ−″”Ｔｏｒｒであ
った。このときシリコンウェハー基板上に形成された有
機シリコーン系′ｆ＃膜は通常の溶媒に不溶であり、膜
厚は７００人であった。Next, using a 100W low-pressure mercury lamp (manufactured by Ushio Denfi Co., Ltd.), the substrate placed in the reaction vessel was irradiated with far ultraviolet rays from the outside through a quartz window from a distance of 10 cm from the substrate, and the substrate temperature was lowered to 30°C. The partial pressure of silane in the reaction vessel at the time of 0 reaction after back-reacting at ℃ for 30 minutes is I x 11
-"Torr, and the oxygen partial pressure was 5X1G-""Torr. At this time, the organosilicon-based 'f# film formed on the silicon wafer substrate was insoluble in ordinary solvents, and the film thickness was 700. Ta.

えられた覆膜にｓｏｏｗのＸｅ−Ｈｇランプ（ウシオ電
ｍ＜株）製）を用い、２０ｃｉ＋離れたところからマス
クを介しで、３０秒間照射した。そののち、ツタノール
−アセトン混合溶媒を現像液として湿式現像を行なった
。その結果、ポジ型のパターンがえられた。そののち、
平行平板型ＲＩＥ装置（アネルバ社製）を用い、酸素〃
ス圧１５ｍＴｏｒｒ、パワー０．１５Ｈ／ｃｉ＋”でエ
ツチングを行なったが、膜厚はほとんど変化しなかった
。The obtained coating film was irradiated for 30 seconds using a SOOW Xe-Hg lamp (manufactured by Ushio Den M Co., Ltd.) from a distance of 20 ci+ through a mask. Thereafter, wet development was performed using a mixed solvent of tutanol and acetone as a developer. As a result, a positive pattern was obtained. after that,
Using a parallel plate RIE device (manufactured by Anelva), oxygen
Etching was performed at a pressure of 15 mTorr and a power of 0.15 H/ci+'', but the film thickness hardly changed.

実施例２ ジフェニルシランのかわりにジメチルジクロロシランを
用い、実施例１と同様の装置を用いてツメチルシクロａ
シラン分圧Ｉ　Ｔｏｒｒ、酸化二窒素分圧０．　ＩＴｏ
ｒｒ、基板温度３０℃の条件下で３０分間反応させた。Example 2 Using dimethyldichlorosilane instead of diphenylsilane and using the same equipment as in Example 1, dimethylcycloa
Silane partial pressure I Torr, dinitrogen oxide partial pressure 0. ITo
rr, and the reaction was carried out for 30 minutes at a substrate temperature of 30°C.

えられた有機シリコーン系薄膜は通常の溶媒に不溶であ
り、膜厚は０．１μｌ以下であった。実施例１と同様の
試験を行なった結果、実施例１と同様の結果がえられた
。The organic silicone thin film obtained was insoluble in ordinary solvents and had a thickness of 0.1 μl or less. As a result of conducting the same test as in Example 1, the same results as in Example 1 were obtained.

実施例３ ジフェニルシランのかわりにノツチルシランを用い、実
施例１と同様の装置を用いてツメチルシラン分圧０．　
ＩＴｏｒｒ、酸素分圧Ｉ　Ｔｏｒｒｑ基板温度３０℃の
条件下で３０分間反応を行なった。Example 3 Using notutylsilane instead of diphenylsilane and using the same apparatus as in Example 1, the partial pressure of notutylsilane was 0.
The reaction was carried out for 30 minutes under conditions of ITorr, oxygen partial pressure ITorrq, and substrate temperature of 30°C.

えられた有機シリコーン系薄膜は、極性溶媒に部分的に
溶解する膜であり、膜厚は５００人であった。実施例１
と同様に遠紫外線を１５秒間照射後、ベンゼン：ノオキ
サン＝５：２（重量比）の混合溶媒で現像した結果、ボ
ッ型パターンがえられた。The organic silicone thin film obtained was a film that was partially soluble in a polar solvent, and had a thickness of 500 mm. Example 1
After irradiation with deep ultraviolet rays for 15 seconds in the same manner as above, development was performed using a mixed solvent of benzene:nooxane=5:2 (weight ratio), and as a result, a box pattern was obtained.

上記実施例では、有機シラン化合物を単独で使用したが
、２種以上の有機シラン化合物を同様に反応させてもよ
い、＊た、光源として紫外線レーザーを用いて集光暑せ
、基板上に照射し、基板もしくはレーザービームを走査
することにより、基板上に直接有機シリコーン系薄膜の
パターンを形成させることも可能である。In the above example, an organic silane compound was used alone, but two or more types of organic silane compounds may be reacted in the same way. However, it is also possible to form an organic silicone thin film pattern directly on the substrate by scanning the substrate or a laser beam.

［発明の効果］ 以上説明したように本発明の有機シリコーン系遠紫外感
光性しシストは、気相光化学反応を利用して気相中より
直接基板上に形成せしめられるため、ピンホールもない
均一なサブミクロン単位の薄い膜となる。そのうえ、え
ちれた本発明の有機シリコーン系遠紫外感光レノストは
、耐エツチング性が良好である。＊た、サブミクロン単
位のレノスト膜がえられるので、パターンを形成したば
あいの解像度が高くなる。[Effects of the Invention] As explained above, the organosilicone-based far-ultraviolet-sensitive cyst of the present invention is formed directly on the substrate from the gas phase using a gas phase photochemical reaction, so it is uniform and has no pinholes. The result is a submicron thin film. Moreover, the organic silicone-based deep ultraviolet-sensitive renost of the present invention has good etching resistance. *Also, since a sub-micron Lennost film can be obtained, the resolution when forming a pattern is high.

また、通常の合成法では、溶媒に不溶となっ℃しよう有
機シリコーン化合物もレジスト材料として利用できる。In addition, organic silicone compounds that are insoluble in solvents and remain stable at ℃ using normal synthesis methods can also be used as resist materials.

さらに酸素または酸化二窒素と共存させて光化学反応を
行なうことにより、部分的にＳ　ｉ　−０−Ｓ　ｉの構
造を有した膜ができるため、高感度なしシストを作製す
ることもできる。Further, by performing a photochemical reaction in the coexistence of oxygen or dinitrogen oxide, a film partially having a Si-0-Si structure can be produced, so that highly sensitive cyst-free cysts can also be produced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図および＃＆２図は、いずれも従来の感光性レノス
トを用いた半導体製造工程に関する説明図である。FIG. 1 and FIG. 2 are explanatory diagrams relating to a semiconductor manufacturing process using conventional photosensitive lenost.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）半導体製造工程の微細加工に使用されるレジスト
として一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は有機基、Ｘは水素原子または
ハロゲン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示される
有機シラン化合物を減圧下で気化させ、酸素または酸化
二窒素の存在下で気相光化学反応を行ない、基板上に堆
積させた有機シリコーン系薄膜をレジスト膜として使用
することを特徴とする耐ドライエッチング性を有する有
機シリコーン系遠紫外線感光性レジスト。(1) General formula (I) for resists used in microfabrication in semiconductor manufacturing processes: ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(I) (In the formula, R_1 and R_2 are organic groups, and X is a hydrogen atom or An organic silicone compound is deposited on a substrate by vaporizing an organic silane compound represented by a halogen atom (n is an integer of 1 or more) under reduced pressure and performing a gas phase photochemical reaction in the presence of oxygen or dinitrogen oxide. An organic silicone deep ultraviolet-sensitive resist having dry etching resistance, characterized in that a thin film is used as a resist film. （２）前記気相光化学反応の光増感剤として、水銀蒸気
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の有機シリコーン系遠紫外線感光性レジスト。(2) The organosilicone deep ultraviolet-sensitive resist according to claim (1), wherein mercury vapor is used as a photosensitizer in the gas-phase photochemical reaction. （３）前記気相光化学反応によりえられた有機シリコー
ン系薄膜を２層構造レジストの上層レジストとして用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の有
機シリコーン系遠紫外線感光性レジスト。(3) An organosilicone deep ultraviolet-sensitive resist according to claim (1), characterized in that the organosilicon thin film obtained by the vapor phase photochemical reaction is used as an upper layer resist of a two-layer resist. . （４）前記気相光化学反応の光源として、遠紫外線を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
有機シリコーン系遠紫外線感光性レジスト。(4) The organic silicone-based deep ultraviolet-sensitive resist according to claim (1), wherein far ultraviolet rays are used as a light source for the vapor phase photochemical reaction.