JPS61222136A - 高分子絶縁超薄膜 - Google Patents
高分子絶縁超薄膜Info
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- JPS61222136A JPS61222136A JP60061828A JP6182885A JPS61222136A JP S61222136 A JPS61222136 A JP S61222136A JP 60061828 A JP60061828 A JP 60061828A JP 6182885 A JP6182885 A JP 6182885A JP S61222136 A JPS61222136 A JP S61222136A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的分野〕
本発明は電気素子用の高分子絶縁超薄膜に関する。
砒化ガリウム、窒化ガリウム、硫化亜鉛、ガリウムリン
、炭化シリコン等の化合物半導体においては、シリコン
のように熱酸化により形成した酸化シリコンに相当する
良好な絶縁超薄膜を形成するめが困難な状況にあり、ス
パッタリンで窒化シリコン薄膜を形成する方法等が実施
されているが、歪の発生等の問題が生じている。
、炭化シリコン等の化合物半導体においては、シリコン
のように熱酸化により形成した酸化シリコンに相当する
良好な絶縁超薄膜を形成するめが困難な状況にあり、ス
パッタリンで窒化シリコン薄膜を形成する方法等が実施
されているが、歪の発生等の問題が生じている。
このような状況のもとで、近年ラングミエア・プロジェ
ットの方法により、有機物の超薄膜を半導体表面に形成
し、絶縁膜として用いる試みが盛んに行なわれるように
なってきた。
ットの方法により、有機物の超薄膜を半導体表面に形成
し、絶縁膜として用いる試みが盛んに行なわれるように
なってきた。
金属−絶縁体一半導体（ＭＩＳ）接合発光デバイスや金
属−絶縁体一金ｇ（ＭＩＭ）接合を利用し九ジ冒セ７ソ
ン素子において、いかに均一で、しかも薄い絶縁膜を得
るかが問題である。ラングミエア・プロジェットの方法
とはステアリン酸やアラキシン酸等の両親性分子、すな
わち疎水部分と親水性部分を持つ分子を水面上に展開し
て単分子層を形成させ、それを一定の表面圧で押しなが
ら適当な基板上に移しとる方法であるが、欠陥のない、
分子オーダーの極めて薄い膜を得ることができる。しか
しながら、この様な超薄膜を具体的なデバイスに応用す
るには、有機材料の耐熱性を改善することが必要であり
、重合膜や頑丈な骨格を含む分子からなる超薄膜を形成
することが開発の主流となっている。英国ターハム大学
のＪ、Ｊ、ロバーツ教授らのフタロシアニン膜（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ誌、第２０巻、４８
９ページ、１９８４年）、英国ランカスター大学のＲ，
Ｈ，トレッドゴールド教授のスチレン−無水マレイン酸
交互共重合体膜（Ｉ Ｅ Ｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ誌、第１３０巻、２５６ページ、１９８３年）、新技
術開発事業団賭方プロジェクトの芳香族ポリシッフ塩基
膜などがその代表例である。
属−絶縁体一金ｇ（ＭＩＭ）接合を利用し九ジ冒セ７ソ
ン素子において、いかに均一で、しかも薄い絶縁膜を得
るかが問題である。ラングミエア・プロジェットの方法
とはステアリン酸やアラキシン酸等の両親性分子、すな
わち疎水部分と親水性部分を持つ分子を水面上に展開し
て単分子層を形成させ、それを一定の表面圧で押しなが
ら適当な基板上に移しとる方法であるが、欠陥のない、
分子オーダーの極めて薄い膜を得ることができる。しか
しながら、この様な超薄膜を具体的なデバイスに応用す
るには、有機材料の耐熱性を改善することが必要であり
、重合膜や頑丈な骨格を含む分子からなる超薄膜を形成
することが開発の主流となっている。英国ターハム大学
のＪ、Ｊ、ロバーツ教授らのフタロシアニン膜（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ誌、第２０巻、４８
９ページ、１９８４年）、英国ランカスター大学のＲ，
Ｈ，トレッドゴールド教授のスチレン−無水マレイン酸
交互共重合体膜（Ｉ Ｅ Ｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ誌、第１３０巻、２５６ページ、１９８３年）、新技
術開発事業団賭方プロジェクトの芳香族ポリシッフ塩基
膜などがその代表例である。
一方、全芳香族のポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ルは耐熱性高分子として知られ、機械的強度も大きく、
優秀な絶縁膜として知られている。しかし、これらがラ
ングミエア・プロジェット膜はどの超薄膜を形成したと
いう例はない。化合物が超薄膜として水面上に広がる丸
めには、疎水部と親水部のパ２ンスがとれていることが
必要であり、かつ展開有機溶媒に対する溶解性が必要で
ある。
ルは耐熱性高分子として知られ、機械的強度も大きく、
優秀な絶縁膜として知られている。しかし、これらがラ
ングミエア・プロジェット膜はどの超薄膜を形成したと
いう例はない。化合物が超薄膜として水面上に広がる丸
めには、疎水部と親水部のパ２ンスがとれていることが
必要であり、かつ展開有機溶媒に対する溶解性が必要で
ある。
２−ヒドロキシ安息香酸の重縮合反応により得られるポ
リエステル（ＩＩ状重重合体が環の片側にベンゼン３ｊ
ｌ（疎水部）が配向し、カルボニル酸素（親水部〕がも
う片側に配向した分子構造を有することは既に知られて
いる。
リエステル（ＩＩ状重重合体が環の片側にベンゼン３ｊ
ｌ（疎水部）が配向し、カルボニル酸素（親水部〕がも
う片側に配向した分子構造を有することは既に知られて
いる。
分子構造の上ではこれらが水面上に超薄膜を形成するこ
とは可能と考えられる。しかし、２−ヒドロキシ安息香
酸の単独重合体は一般に有機溶媒に不溶なため、水面上
に超薄膜を展開できない。
とは可能と考えられる。しかし、２−ヒドロキシ安息香
酸の単独重合体は一般に有機溶媒に不溶なため、水面上
に超薄膜を展開できない。
以上の様に従来は、電子素子の絶縁体とに応用するのに
適した有機物超薄膜を得ることは困難であった。
適した有機物超薄膜を得ることは困難であった。
本発明は耐熱性に優れ九芳香族ポリエステルからなる高
分子絶縁超薄膜を得ることを目的とする。
分子絶縁超薄膜を得ることを目的とする。
本発明の高分子絶縁超薄膜は、共重合もしくは置換基を
導入することにより有機溶媒に可溶化された２−ヒドロ
キシ安息香酸誘導体ポリエステルからなることを特徴と
するものである。
導入することにより有機溶媒に可溶化された２−ヒドロ
キシ安息香酸誘導体ポリエステルからなることを特徴と
するものである。
このような有機溶媒に可溶化された２−ヒドロキシ安息
香酸誘導体ポリエステルとしては、具体的には、例えば
２−ヒドロキシ安息香酸、４−メチル−２−ヒドロキシ
安息香酸、５−メチル−２−ヒドロキシ安息香酸、４−
エチル−２−ヒドロキシ安息香酸、５−エチル−２−ヒ
ドロキシ安息香酸、４−プロピル−２−ヒドロキシ安息
香酸、５−１０ビル−２−ヒドロキシ安息香酸、４−メ
トキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、５−メトキシ−２−
ヒドロキシ安息香酸、４−エトキシ−２−ヒドロキシ安
息香酸、５−エトキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、４，
５−ジメチル−２−ヒドロキシ安息香酸、４．５−ジエ
チル−２−ヒドロキシ安息香酸、４．５−ジプロピル−
２−ヒドロキシ安息香酸、４−エチル−５−メチル−２
−ヒドロキシ安息香酸、４−エチル−５−グロヒ０ルー
２−ヒドロキシ安息香酸、４−ニトキシー５−メチル−
２−ヒドロキシ安息香酸等の二種類以上の組み合わせに
よる共重合体を挙げることができる。共重合体の組成は
任意であるが、有機溶媒に対する可溶性から等モルずっ
が望ましい。
香酸誘導体ポリエステルとしては、具体的には、例えば
２−ヒドロキシ安息香酸、４−メチル−２−ヒドロキシ
安息香酸、５−メチル−２−ヒドロキシ安息香酸、４−
エチル−２−ヒドロキシ安息香酸、５−エチル−２−ヒ
ドロキシ安息香酸、４−プロピル−２−ヒドロキシ安息
香酸、５−１０ビル−２−ヒドロキシ安息香酸、４−メ
トキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、５−メトキシ−２−
ヒドロキシ安息香酸、４−エトキシ−２−ヒドロキシ安
息香酸、５−エトキシ−２−ヒドロキシ安息香酸、４，
５−ジメチル−２−ヒドロキシ安息香酸、４．５−ジエ
チル−２−ヒドロキシ安息香酸、４．５−ジプロピル−
２−ヒドロキシ安息香酸、４−エチル−５−メチル−２
−ヒドロキシ安息香酸、４−エチル−５−グロヒ０ルー
２−ヒドロキシ安息香酸、４−ニトキシー５−メチル−
２−ヒドロキシ安息香酸等の二種類以上の組み合わせに
よる共重合体を挙げることができる。共重合体の組成は
任意であるが、有機溶媒に対する可溶性から等モルずっ
が望ましい。
置換基を導入することにより、単独重合体で有機溶媒に
可溶化されたポリエステルとしてハ、例えば、５−ブト
キシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、５−へキ
シルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、５
−ペンチルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステ
ル、５−オクチルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリ
エステル、５−ノニルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸
ポリエステル、４−メチル−５−ブトキシ−２−ヒドロ
キシ安息香酸、４−メール−５−へキシルオキシ−２−
ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、４−）ｆルー５−ペ
ンチルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、
４−メチル−５−オクチルオキシ−２−ヒドロキシ安息
香酸ポリエステル、４−メチル−５−ノニルオキシ−２
−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル等を挙げることがで
きる。
可溶化されたポリエステルとしてハ、例えば、５−ブト
キシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、５−へキ
シルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、５
−ペンチルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステ
ル、５−オクチルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリ
エステル、５−ノニルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸
ポリエステル、４−メチル−５−ブトキシ−２−ヒドロ
キシ安息香酸、４−メール−５−へキシルオキシ−２−
ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、４−）ｆルー５−ペ
ンチルオキシ−２−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、
４−メチル−５−オクチルオキシ−２−ヒドロキシ安息
香酸ポリエステル、４−メチル−５−ノニルオキシ−２
−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル等を挙げることがで
きる。
重合体の合成は、対応するヒドロキシ安息香酸誘導体の
脱水重縮合反応により行うことができる。縮合剤として
はオキシ塩化リン、ポリリン酸、トリフェニルホスフィ
ンジクロリド等のリン系縮合剤が優れている。反応溶媒
トシてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンな
どの芳香族炭化水素溶媒が優れている。重合反応として
は２−ヒドロキシ安息香酸の酢酸エステルの脱酢酸反応
によっても同様の重合体が得られる。重合体の分子量は
１００〜４０００の範囲が、成膜性、膜物性の点から好
ましい。
脱水重縮合反応により行うことができる。縮合剤として
はオキシ塩化リン、ポリリン酸、トリフェニルホスフィ
ンジクロリド等のリン系縮合剤が優れている。反応溶媒
トシてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンな
どの芳香族炭化水素溶媒が優れている。重合反応として
は２−ヒドロキシ安息香酸の酢酸エステルの脱酢酸反応
によっても同様の重合体が得られる。重合体の分子量は
１００〜４０００の範囲が、成膜性、膜物性の点から好
ましい。
本発明の超薄膜は、ポリエステルの単分子膜が１層ない
し５０層程度積ＩＷＪされたものである。
し５０層程度積ＩＷＪされたものである。
これらの２−ヒドロキシ安息香酸誘導体ポリエステルは
、水面上に展開された単分子層を形成し、該単分子層を
適当な基板上に移し取ることにより、基板を損傷するこ
となく、高分子絶縁超薄膜を得ることができる。このＭ
ＩＭシッットキーダイオード等、各種デバイスへの広い
分野への適用が可能である。
、水面上に展開された単分子層を形成し、該単分子層を
適当な基板上に移し取ることにより、基板を損傷するこ
となく、高分子絶縁超薄膜を得ることができる。このＭ
ＩＭシッットキーダイオード等、各種デバイスへの広い
分野への適用が可能である。
以下、実施例を挙げて更に本発明の詳細な説明する。
１、 重合体の合成例
（１）２−ヒドロキシ安息香酸と２−ヒドロキシメチル
安息香酸の共重合体の合成 ２−ヒドロキシ安息香酸１．６６ｇ（１２ｍｍｏｌ）、
２−ヒドロキシ−３−メチル安息香酸１．８３ ｇ’（
１２ｍｍｏｌ ）、乾燥トルエン１５ｍ１ およびオ
キシ塩化リン３、４ ｍｌ （３６ｍｍｏｌ ）を１０
０ｍ１ ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下、１００℃で
４時間３０分加熱攪拌する。生成した沈殿をろ過し、５
％水酸化す） ＩＪウム水溶液、水で洗い、６０℃で真
空乾燥することにより、０．７７ ｇ （収率２５慢）
で共重合フラクション２を得た。反応液を５チ水酸化ナ
トリウム水溶液と激しく攪拌することにより、界面に沈
殿が析出した。
安息香酸の共重合体の合成 ２−ヒドロキシ安息香酸１．６６ｇ（１２ｍｍｏｌ）、
２−ヒドロキシ−３−メチル安息香酸１．８３ ｇ’（
１２ｍｍｏｌ ）、乾燥トルエン１５ｍ１ およびオ
キシ塩化リン３、４ ｍｌ （３６ｍｍｏｌ ）を１０
０ｍ１ ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下、１００℃で
４時間３０分加熱攪拌する。生成した沈殿をろ過し、５
％水酸化す） ＩＪウム水溶液、水で洗い、６０℃で真
空乾燥することにより、０．７７ ｇ （収率２５慢）
で共重合フラクション２を得た。反応液を５チ水酸化ナ
トリウム水溶液と激しく攪拌することにより、界面に沈
殿が析出した。
沈殿をろ過し、水で洗い、６０℃で真空乾燥することに
より０．４２ ｇ （収率１３％）で共重合体フラクシ
ョン１を得た。
より０．４２ ｇ （収率１３％）で共重合体フラクシ
ョン１を得た。
る液を冷食塩水で洗った後、トルエンを留去することに
より、１．０６ｇ（収率３４％）で共重合体アラクシ１
ン３を得た。
より、１．０６ｇ（収率３４％）で共重合体アラクシ１
ン３を得た。
共重合体フラクション１および３の
“Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重り四ロホルム中）から求め
たモノマー組成比（２−ヒドロキシ安息香酸と２−ヒド
ロキシ−３−メチル安息香酸の比）はそれぞれｉｇｌ：
１．０５と１：０．９５とほぼ仕込み比どおり、１：１
であった。共重合体フラクション２は溶解性が悪いため
、ＮＭＲが測定不能であったが、赤外吸収スペクトルは
他の共重合体フラクションと同様であった０ ゲルパーミェーションクロマトグラフィーによる分子量
（Ｍｎ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の測定では、
ポリスチレン換算分子量で、共重合体フラクション１が
Ｍｎ＝１．０×１０、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０、共重合体フ
ラクション２がＭｎ禦６．０Ｘ１０゜Ｍｗ／Ｍｎ＝１．
Ｌ共重合体フラクション３がＭｎ＝４．５Ｘ１０ 、
Ｒｔｗ／Ｍｎ−１，３であった。
たモノマー組成比（２−ヒドロキシ安息香酸と２−ヒド
ロキシ−３−メチル安息香酸の比）はそれぞれｉｇｌ：
１．０５と１：０．９５とほぼ仕込み比どおり、１：１
であった。共重合体フラクション２は溶解性が悪いため
、ＮＭＲが測定不能であったが、赤外吸収スペクトルは
他の共重合体フラクションと同様であった０ ゲルパーミェーションクロマトグラフィーによる分子量
（Ｍｎ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の測定では、
ポリスチレン換算分子量で、共重合体フラクション１が
Ｍｎ＝１．０×１０、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０、共重合体フ
ラクション２がＭｎ禦６．０Ｘ１０゜Ｍｗ／Ｍｎ＝１．
Ｌ共重合体フラクション３がＭｎ＝４．５Ｘ１０ 、
Ｒｔｗ／Ｍｎ−１，３であった。
（２）５−ブトキシ−２−ヒドロキシ安息香酸の重合体
の合成 ２．５−ジヒドロキシ安息香酸１５．４ｇ（９，１ｍｏ
ｌ）を６０ｍ１のエタノールに溶解し゛、水８０ｍ１に
８ｇの水酸化ナトリウムを溶解し九溶液を加える。この
溶液を還流加熱しながら、真北ブチル３２ｇ （０，２３ｍｏ ｌ ）を３０分間かかって滴下する。
の合成 ２．５−ジヒドロキシ安息香酸１５．４ｇ（９，１ｍｏ
ｌ）を６０ｍ１のエタノールに溶解し゛、水８０ｍ１に
８ｇの水酸化ナトリウムを溶解し九溶液を加える。この
溶液を還流加熱しながら、真北ブチル３２ｇ （０，２３ｍｏ ｌ ）を３０分間かかって滴下する。
滴下後、さらに３時間還流加熱を続ける。反応液を冷却
後、水１００ｍ１を加え、濃塩酸を徐々に加えてＰＨを
１にする。二相に分離した下相（有機相）を分離し、上
相（、水相）をエーテルで一度抽出し、エーテル溶液を
先の有機相に加える。エーテル溶液を無水硫酸ナトリウ
ムで脱水した後、濃縮し、冷蔵庫中で放置することによ
り、５−ブトキシ−２−ヒドロキシ安息香酸を１１ｇ（
収率５０チ）で得た。融点８６〜８７℃（文献値８７℃
）。
後、水１００ｍ１を加え、濃塩酸を徐々に加えてＰＨを
１にする。二相に分離した下相（有機相）を分離し、上
相（、水相）をエーテルで一度抽出し、エーテル溶液を
先の有機相に加える。エーテル溶液を無水硫酸ナトリウ
ムで脱水した後、濃縮し、冷蔵庫中で放置することによ
り、５−ブトキシ−２−ヒドロキシ安息香酸を１１ｇ（
収率５０チ）で得た。融点８６〜８７℃（文献値８７℃
）。
５−ブトキシ−２−ヒドロキシ安息香
酸０．８０ ｇ （３，８ｍｍｏ １ ）、乾燥トルエ
ン１０ｍ１．オキシ塩化リン１．０ｍ ｌ （１１ｍｍ
ｏ ｌ ）を５０ｍ１ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下
で４時間３０分間還流加熱攪拌する。
ン１０ｍ１．オキシ塩化リン１．０ｍ ｌ （１１ｍｍ
ｏ ｌ ）を５０ｍ１ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下
で４時間３０分間還流加熱攪拌する。
反応液をろ過後、５チ水酸化す） ＩＪウム水溶液、食
塩水で洗う。トルエン溶液を無水硫酸マグネシウム上で
乾燥した後、トルエンを留去することによｐ Ｏ，５５
ｇ（収率７５チ）で５−ブトキシ−２−ヒドロキシ安息
香酸の重合体を得た。
塩水で洗う。トルエン溶液を無水硫酸マグネシウム上で
乾燥した後、トルエンを留去することによｐ Ｏ，５５
ｇ（収率７５チ）で５−ブトキシ−２−ヒドロキシ安息
香酸の重合体を得た。
ゲルバーミエーシ冒ンクロマトグラフィーによる測定で
はポリスチレン換算分子量でＭｎ”７．２Ｘ １０ 、
Ｍｖｒ／Ｍｎ−１，３であった０ ２、超薄膜の形成例 超薄膜形成装置として、ジ箇イスレーベル社のラングミ
エア・プロジェット膜形成装置を用いた。
はポリスチレン換算分子量でＭｎ”７．２Ｘ １０ 、
Ｍｖｒ／Ｍｎ−１，３であった０ ２、超薄膜の形成例 超薄膜形成装置として、ジ箇イスレーベル社のラングミ
エア・プロジェット膜形成装置を用いた。
合成剤（１）で得られた２−ヒドロキシ安息香酸と２−
ヒドロキシ−３−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン１を０．２ｍｇ／ｍｌの濃度でクロロホルムに溶解し
、展開溶液をつくる。水相には再蒸留水を用い、水酸化
ナトリウム−塩酸でＰＨを５．６−５．７に調整する。
ヒドロキシ−３−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン１を０．２ｍｇ／ｍｌの濃度でクロロホルムに溶解し
、展開溶液をつくる。水相には再蒸留水を用い、水酸化
ナトリウム−塩酸でＰＨを５．６−５．７に調整する。
水温は２５℃に設定し、ガリウムリン基板上に超薄膜を
移し取る。
移し取る。
同様な方法で合成例（４で得られ九５−ブトキシー２−
ヒドロキシ安息香酸の重合体もガリウムリン基板上に超
薄膜を形成できた。
ヒドロキシ安息香酸の重合体もガリウムリン基板上に超
薄膜を形成できた。
３、高分子絶縁超薄膜の電気特性
電極を高分子絶縁超薄膜側は金を、ガリウムリン側はイ
ンジウムを蒸着したものを用い友。電気容量をＣ１バイ
アス電圧をＶとすると１／ＣとＶは直線関係となり、１
／Ｃ−０の外挿値からバリア値が求められた。第１図に
合成例（１）で得られた２−ヒドロキシ安息香酸と２−
ヒドロキシ−３−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン１４゜を絶縁膜とし九素子のＣ−７％性を示した。
ンジウムを蒸着したものを用い友。電気容量をＣ１バイ
アス電圧をＶとすると１／ＣとＶは直線関係となり、１
／Ｃ−０の外挿値からバリア値が求められた。第１図に
合成例（１）で得られた２−ヒドロキシ安息香酸と２−
ヒドロキシ−３−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン１４゜を絶縁膜とし九素子のＣ−７％性を示した。
第１図からバリア値は１．５７ｅＶである。ま （た
合成例（りで得られた５−ブトキシ−２−２ヒドロキシ
安息香酸の重合体を絶縁膜とし九素子のバリア値は１．
５０ ｅＶであった。
合成例（りで得られた５−ブトキシ−２−２ヒドロキシ
安息香酸の重合体を絶縁膜とし九素子のバリア値は１．
５０ ｅＶであった。
これらのバリア値は１２０℃までほとんど変化しなかっ
た。
た。
比較例１
ステアリン酸を５ ｘ １０ ｍｏｌ／ｌの濃度でク
ロロホルムに溶解し、展開溶液をつくる。水相には再蒸
留水を用い、５Ｘ１０ ’ｍ ｏ ｌ ／ ｌ の塩
化カドミウム溶液にする。水温を２５℃に設定し、ガリ
ウムリン基板上に超薄膜を移し取った。ステアリン酸側
には金をガリウムリン側にはインジウムを蒸着し、電気
容量Ｃとバイアス電圧Ｖの関係を調べた。室温では１／
ＣとＶは直線関係が得られたが、１００℃まで可熱する
と短絡が起こってしまった。
ロロホルムに溶解し、展開溶液をつくる。水相には再蒸
留水を用い、５Ｘ１０ ’ｍ ｏ ｌ ／ ｌ の塩
化カドミウム溶液にする。水温を２５℃に設定し、ガリ
ウムリン基板上に超薄膜を移し取った。ステアリン酸側
には金をガリウムリン側にはインジウムを蒸着し、電気
容量Ｃとバイアス電圧Ｖの関係を調べた。室温では１／
ＣとＶは直線関係が得られたが、１００℃まで可熱する
と短絡が起こってしまった。
Claims (2)
- （１）共重合もしくは置換基を導入することにより有機
溶媒に可溶化された２−ヒドロキン安息香酸誘導体ポリ
エステルからなる高分子絶縁超薄膜。 - （２）上記高分子絶縁超薄膜が、上記ポリエステル分子
を水面上に展開させた後、それを適当な基板上に移し取
ることにより得られる絶縁超薄膜である特許請求の範囲
第１項記載の高分子絶縁超薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061828A JPS61222136A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 高分子絶縁超薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061828A JPS61222136A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 高分子絶縁超薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222136A true JPS61222136A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13182342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061828A Pending JPS61222136A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 高分子絶縁超薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222136A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5312776A (en) * | 1991-11-18 | 1994-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of preventing the corrosion of metallic wirings |
| DE10214210A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60061828A patent/JPS61222136A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5312776A (en) * | 1991-11-18 | 1994-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of preventing the corrosion of metallic wirings |
| DE10214210A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6927425B2 (en) | 2002-03-28 | 2005-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescent diode chip that is flip-chip mounted on a carrier, and method for production thereof |
| US7663155B2 (en) | 2002-03-28 | 2010-02-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescent diode chip that is flip-chip mounted on a carrier, and method for production thereof |
| DE10214210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2011-02-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung |
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