JPS61222136A - 高分子絶縁超薄膜 - Google Patents
高分子絶縁超薄膜Info
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- JPS61222136A JPS61222136A JP60061828A JP6182885A JPS61222136A JP S61222136 A JPS61222136 A JP S61222136A JP 60061828 A JP60061828 A JP 60061828A JP 6182885 A JP6182885 A JP 6182885A JP S61222136 A JPS61222136 A JP S61222136A
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- Japan
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- thin film
- hydroxybenzoic acid
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的分野〕
本発明は電気素子用の高分子絶縁超薄膜に関する。
砒化ガリウム、窒化ガリウム、硫化亜鉛、ガリウムリン
、炭化シリコン等の化合物半導体においては、シリコン
のように熱酸化により形成した酸化シリコンに相当する
良好な絶縁超薄膜を形成するめが困難な状況にあり、ス
パッタリンで窒化シリコン薄膜を形成する方法等が実施
されているが、歪の発生等の問題が生じている。
、炭化シリコン等の化合物半導体においては、シリコン
のように熱酸化により形成した酸化シリコンに相当する
良好な絶縁超薄膜を形成するめが困難な状況にあり、ス
パッタリンで窒化シリコン薄膜を形成する方法等が実施
されているが、歪の発生等の問題が生じている。
このような状況のもとで、近年ラングミエア・プロジェ
ットの方法により、有機物の超薄膜を半導体表面に形成
し、絶縁膜として用いる試みが盛んに行なわれるように
なってきた。
ットの方法により、有機物の超薄膜を半導体表面に形成
し、絶縁膜として用いる試みが盛んに行なわれるように
なってきた。
金属−絶縁体一半導体(MIS)接合発光デバイスや金
属−絶縁体一金g(MIM)接合を利用し九ジ冒セ7ソ
ン素子において、いかに均一で、しかも薄い絶縁膜を得
るかが問題である。ラングミエア・プロジェットの方法
とはステアリン酸やアラキシン酸等の両親性分子、すな
わち疎水部分と親水性部分を持つ分子を水面上に展開し
て単分子層を形成させ、それを一定の表面圧で押しなが
ら適当な基板上に移しとる方法であるが、欠陥のない、
分子オーダーの極めて薄い膜を得ることができる。しか
しながら、この様な超薄膜を具体的なデバイスに応用す
るには、有機材料の耐熱性を改善することが必要であり
、重合膜や頑丈な骨格を含む分子からなる超薄膜を形成
することが開発の主流となっている。英国ターハム大学
のJ、J、ロバーツ教授らのフタロシアニン膜(Ele
ctronics Letters誌、第20巻、48
9ページ、1984年)、英国ランカスター大学のR,
H,トレッドゴールド教授のスチレン−無水マレイン酸
交互共重合体膜(I E E Proceeding
s誌、第130巻、256ページ、1983年)、新技
術開発事業団賭方プロジェクトの芳香族ポリシッフ塩基
膜などがその代表例である。
属−絶縁体一金g(MIM)接合を利用し九ジ冒セ7ソ
ン素子において、いかに均一で、しかも薄い絶縁膜を得
るかが問題である。ラングミエア・プロジェットの方法
とはステアリン酸やアラキシン酸等の両親性分子、すな
わち疎水部分と親水性部分を持つ分子を水面上に展開し
て単分子層を形成させ、それを一定の表面圧で押しなが
ら適当な基板上に移しとる方法であるが、欠陥のない、
分子オーダーの極めて薄い膜を得ることができる。しか
しながら、この様な超薄膜を具体的なデバイスに応用す
るには、有機材料の耐熱性を改善することが必要であり
、重合膜や頑丈な骨格を含む分子からなる超薄膜を形成
することが開発の主流となっている。英国ターハム大学
のJ、J、ロバーツ教授らのフタロシアニン膜(Ele
ctronics Letters誌、第20巻、48
9ページ、1984年)、英国ランカスター大学のR,
H,トレッドゴールド教授のスチレン−無水マレイン酸
交互共重合体膜(I E E Proceeding
s誌、第130巻、256ページ、1983年)、新技
術開発事業団賭方プロジェクトの芳香族ポリシッフ塩基
膜などがその代表例である。
一方、全芳香族のポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ルは耐熱性高分子として知られ、機械的強度も大きく、
優秀な絶縁膜として知られている。しかし、これらがラ
ングミエア・プロジェット膜はどの超薄膜を形成したと
いう例はない。化合物が超薄膜として水面上に広がる丸
めには、疎水部と親水部のパ2ンスがとれていることが
必要であり、かつ展開有機溶媒に対する溶解性が必要で
ある。
ルは耐熱性高分子として知られ、機械的強度も大きく、
優秀な絶縁膜として知られている。しかし、これらがラ
ングミエア・プロジェット膜はどの超薄膜を形成したと
いう例はない。化合物が超薄膜として水面上に広がる丸
めには、疎水部と親水部のパ2ンスがとれていることが
必要であり、かつ展開有機溶媒に対する溶解性が必要で
ある。
2−ヒドロキシ安息香酸の重縮合反応により得られるポ
リエステル(II状重重合体が環の片側にベンゼン3j
l(疎水部)が配向し、カルボニル酸素(親水部〕がも
う片側に配向した分子構造を有することは既に知られて
いる。
リエステル(II状重重合体が環の片側にベンゼン3j
l(疎水部)が配向し、カルボニル酸素(親水部〕がも
う片側に配向した分子構造を有することは既に知られて
いる。
分子構造の上ではこれらが水面上に超薄膜を形成するこ
とは可能と考えられる。しかし、2−ヒドロキシ安息香
酸の単独重合体は一般に有機溶媒に不溶なため、水面上
に超薄膜を展開できない。
とは可能と考えられる。しかし、2−ヒドロキシ安息香
酸の単独重合体は一般に有機溶媒に不溶なため、水面上
に超薄膜を展開できない。
以上の様に従来は、電子素子の絶縁体とに応用するのに
適した有機物超薄膜を得ることは困難であった。
適した有機物超薄膜を得ることは困難であった。
本発明は耐熱性に優れ九芳香族ポリエステルからなる高
分子絶縁超薄膜を得ることを目的とする。
分子絶縁超薄膜を得ることを目的とする。
本発明の高分子絶縁超薄膜は、共重合もしくは置換基を
導入することにより有機溶媒に可溶化された2−ヒドロ
キシ安息香酸誘導体ポリエステルからなることを特徴と
するものである。
導入することにより有機溶媒に可溶化された2−ヒドロ
キシ安息香酸誘導体ポリエステルからなることを特徴と
するものである。
このような有機溶媒に可溶化された2−ヒドロキシ安息
香酸誘導体ポリエステルとしては、具体的には、例えば
2−ヒドロキシ安息香酸、4−メチル−2−ヒドロキシ
安息香酸、5−メチル−2−ヒドロキシ安息香酸、4−
エチル−2−ヒドロキシ安息香酸、5−エチル−2−ヒ
ドロキシ安息香酸、4−プロピル−2−ヒドロキシ安息
香酸、5−10ビル−2−ヒドロキシ安息香酸、4−メ
トキシ−2−ヒドロキシ安息香酸、5−メトキシ−2−
ヒドロキシ安息香酸、4−エトキシ−2−ヒドロキシ安
息香酸、5−エトキシ−2−ヒドロキシ安息香酸、4,
5−ジメチル−2−ヒドロキシ安息香酸、4.5−ジエ
チル−2−ヒドロキシ安息香酸、4.5−ジプロピル−
2−ヒドロキシ安息香酸、4−エチル−5−メチル−2
−ヒドロキシ安息香酸、4−エチル−5−グロヒ0ルー
2−ヒドロキシ安息香酸、4−ニトキシー5−メチル−
2−ヒドロキシ安息香酸等の二種類以上の組み合わせに
よる共重合体を挙げることができる。共重合体の組成は
任意であるが、有機溶媒に対する可溶性から等モルずっ
が望ましい。
香酸誘導体ポリエステルとしては、具体的には、例えば
2−ヒドロキシ安息香酸、4−メチル−2−ヒドロキシ
安息香酸、5−メチル−2−ヒドロキシ安息香酸、4−
エチル−2−ヒドロキシ安息香酸、5−エチル−2−ヒ
ドロキシ安息香酸、4−プロピル−2−ヒドロキシ安息
香酸、5−10ビル−2−ヒドロキシ安息香酸、4−メ
トキシ−2−ヒドロキシ安息香酸、5−メトキシ−2−
ヒドロキシ安息香酸、4−エトキシ−2−ヒドロキシ安
息香酸、5−エトキシ−2−ヒドロキシ安息香酸、4,
5−ジメチル−2−ヒドロキシ安息香酸、4.5−ジエ
チル−2−ヒドロキシ安息香酸、4.5−ジプロピル−
2−ヒドロキシ安息香酸、4−エチル−5−メチル−2
−ヒドロキシ安息香酸、4−エチル−5−グロヒ0ルー
2−ヒドロキシ安息香酸、4−ニトキシー5−メチル−
2−ヒドロキシ安息香酸等の二種類以上の組み合わせに
よる共重合体を挙げることができる。共重合体の組成は
任意であるが、有機溶媒に対する可溶性から等モルずっ
が望ましい。
置換基を導入することにより、単独重合体で有機溶媒に
可溶化されたポリエステルとしてハ、例えば、5−ブト
キシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、5−へキ
シルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、5
−ペンチルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステ
ル、5−オクチルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリ
エステル、5−ノニルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸
ポリエステル、4−メチル−5−ブトキシ−2−ヒドロ
キシ安息香酸、4−メール−5−へキシルオキシ−2−
ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、4−)fルー5−ペ
ンチルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、
4−メチル−5−オクチルオキシ−2−ヒドロキシ安息
香酸ポリエステル、4−メチル−5−ノニルオキシ−2
−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル等を挙げることがで
きる。
可溶化されたポリエステルとしてハ、例えば、5−ブト
キシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、5−へキ
シルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、5
−ペンチルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステ
ル、5−オクチルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリ
エステル、5−ノニルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸
ポリエステル、4−メチル−5−ブトキシ−2−ヒドロ
キシ安息香酸、4−メール−5−へキシルオキシ−2−
ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、4−)fルー5−ペ
ンチルオキシ−2−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル、
4−メチル−5−オクチルオキシ−2−ヒドロキシ安息
香酸ポリエステル、4−メチル−5−ノニルオキシ−2
−ヒドロキシ安息香酸ポリエステル等を挙げることがで
きる。
重合体の合成は、対応するヒドロキシ安息香酸誘導体の
脱水重縮合反応により行うことができる。縮合剤として
はオキシ塩化リン、ポリリン酸、トリフェニルホスフィ
ンジクロリド等のリン系縮合剤が優れている。反応溶媒
トシてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンな
どの芳香族炭化水素溶媒が優れている。重合反応として
は2−ヒドロキシ安息香酸の酢酸エステルの脱酢酸反応
によっても同様の重合体が得られる。重合体の分子量は
100〜4000の範囲が、成膜性、膜物性の点から好
ましい。
脱水重縮合反応により行うことができる。縮合剤として
はオキシ塩化リン、ポリリン酸、トリフェニルホスフィ
ンジクロリド等のリン系縮合剤が優れている。反応溶媒
トシてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンな
どの芳香族炭化水素溶媒が優れている。重合反応として
は2−ヒドロキシ安息香酸の酢酸エステルの脱酢酸反応
によっても同様の重合体が得られる。重合体の分子量は
100〜4000の範囲が、成膜性、膜物性の点から好
ましい。
本発明の超薄膜は、ポリエステルの単分子膜が1層ない
し50層程度積IWJされたものである。
し50層程度積IWJされたものである。
これらの2−ヒドロキシ安息香酸誘導体ポリエステルは
、水面上に展開された単分子層を形成し、該単分子層を
適当な基板上に移し取ることにより、基板を損傷するこ
となく、高分子絶縁超薄膜を得ることができる。このM
IMシッットキーダイオード等、各種デバイスへの広い
分野への適用が可能である。
、水面上に展開された単分子層を形成し、該単分子層を
適当な基板上に移し取ることにより、基板を損傷するこ
となく、高分子絶縁超薄膜を得ることができる。このM
IMシッットキーダイオード等、各種デバイスへの広い
分野への適用が可能である。
以下、実施例を挙げて更に本発明の詳細な説明する。
1、 重合体の合成例
(1)2−ヒドロキシ安息香酸と2−ヒドロキシメチル
安息香酸の共重合体の合成 2−ヒドロキシ安息香酸1.66g(12mmol)、
2−ヒドロキシ−3−メチル安息香酸1.83 g’(
12mmol )、乾燥トルエン15m1 およびオ
キシ塩化リン3、4 ml (36mmol )を10
0m1 ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下、100℃で
4時間30分加熱攪拌する。生成した沈殿をろ過し、5
%水酸化す) IJウム水溶液、水で洗い、60℃で真
空乾燥することにより、0.77 g (収率25慢)
で共重合フラクション2を得た。反応液を5チ水酸化ナ
トリウム水溶液と激しく攪拌することにより、界面に沈
殿が析出した。
安息香酸の共重合体の合成 2−ヒドロキシ安息香酸1.66g(12mmol)、
2−ヒドロキシ−3−メチル安息香酸1.83 g’(
12mmol )、乾燥トルエン15m1 およびオ
キシ塩化リン3、4 ml (36mmol )を10
0m1 ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下、100℃で
4時間30分加熱攪拌する。生成した沈殿をろ過し、5
%水酸化す) IJウム水溶液、水で洗い、60℃で真
空乾燥することにより、0.77 g (収率25慢)
で共重合フラクション2を得た。反応液を5チ水酸化ナ
トリウム水溶液と激しく攪拌することにより、界面に沈
殿が析出した。
沈殿をろ過し、水で洗い、60℃で真空乾燥することに
より0.42 g (収率13%)で共重合体フラクシ
ョン1を得た。
より0.42 g (収率13%)で共重合体フラクシ
ョン1を得た。
る液を冷食塩水で洗った後、トルエンを留去することに
より、1.06g(収率34%)で共重合体アラクシ1
ン3を得た。
より、1.06g(収率34%)で共重合体アラクシ1
ン3を得た。
共重合体フラクション1および3の
“H−NMRスペクトル(重り四ロホルム中)から求め
たモノマー組成比(2−ヒドロキシ安息香酸と2−ヒド
ロキシ−3−メチル安息香酸の比)はそれぞれigl:
1.05と1:0.95とほぼ仕込み比どおり、1:1
であった。共重合体フラクション2は溶解性が悪いため
、NMRが測定不能であったが、赤外吸収スペクトルは
他の共重合体フラクションと同様であった0 ゲルパーミェーションクロマトグラフィーによる分子量
(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)の測定では、
ポリスチレン換算分子量で、共重合体フラクション1が
Mn=1.0×10、Mw/Mn=2.0、共重合体フ
ラクション2がMn禦6.0X10゜Mw/Mn=1.
L共重合体フラクション3がMn=4.5X10 、
Rtw/Mn−1,3であった。
たモノマー組成比(2−ヒドロキシ安息香酸と2−ヒド
ロキシ−3−メチル安息香酸の比)はそれぞれigl:
1.05と1:0.95とほぼ仕込み比どおり、1:1
であった。共重合体フラクション2は溶解性が悪いため
、NMRが測定不能であったが、赤外吸収スペクトルは
他の共重合体フラクションと同様であった0 ゲルパーミェーションクロマトグラフィーによる分子量
(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)の測定では、
ポリスチレン換算分子量で、共重合体フラクション1が
Mn=1.0×10、Mw/Mn=2.0、共重合体フ
ラクション2がMn禦6.0X10゜Mw/Mn=1.
L共重合体フラクション3がMn=4.5X10 、
Rtw/Mn−1,3であった。
(2)5−ブトキシ−2−ヒドロキシ安息香酸の重合体
の合成 2.5−ジヒドロキシ安息香酸15.4g(9,1mo
l)を60m1のエタノールに溶解し゛、水80m1に
8gの水酸化ナトリウムを溶解し九溶液を加える。この
溶液を還流加熱しながら、真北ブチル32g (0,23mo l )を30分間かかって滴下する。
の合成 2.5−ジヒドロキシ安息香酸15.4g(9,1mo
l)を60m1のエタノールに溶解し゛、水80m1に
8gの水酸化ナトリウムを溶解し九溶液を加える。この
溶液を還流加熱しながら、真北ブチル32g (0,23mo l )を30分間かかって滴下する。
滴下後、さらに3時間還流加熱を続ける。反応液を冷却
後、水100m1を加え、濃塩酸を徐々に加えてPHを
1にする。二相に分離した下相(有機相)を分離し、上
相(、水相)をエーテルで一度抽出し、エーテル溶液を
先の有機相に加える。エーテル溶液を無水硫酸ナトリウ
ムで脱水した後、濃縮し、冷蔵庫中で放置することによ
り、5−ブトキシ−2−ヒドロキシ安息香酸を11g(
収率50チ)で得た。融点86〜87℃(文献値87℃
)。
後、水100m1を加え、濃塩酸を徐々に加えてPHを
1にする。二相に分離した下相(有機相)を分離し、上
相(、水相)をエーテルで一度抽出し、エーテル溶液を
先の有機相に加える。エーテル溶液を無水硫酸ナトリウ
ムで脱水した後、濃縮し、冷蔵庫中で放置することによ
り、5−ブトキシ−2−ヒドロキシ安息香酸を11g(
収率50チ)で得た。融点86〜87℃(文献値87℃
)。
5−ブトキシ−2−ヒドロキシ安息香
酸0.80 g (3,8mmo 1 )、乾燥トルエ
ン10m1.オキシ塩化リン1.0m l (11mm
o l )を50m1ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下
で4時間30分間還流加熱攪拌する。
ン10m1.オキシ塩化リン1.0m l (11mm
o l )を50m1ナスフラスコに入れ、乾燥窒素下
で4時間30分間還流加熱攪拌する。
反応液をろ過後、5チ水酸化す) IJウム水溶液、食
塩水で洗う。トルエン溶液を無水硫酸マグネシウム上で
乾燥した後、トルエンを留去することによp O,55
g(収率75チ)で5−ブトキシ−2−ヒドロキシ安息
香酸の重合体を得た。
塩水で洗う。トルエン溶液を無水硫酸マグネシウム上で
乾燥した後、トルエンを留去することによp O,55
g(収率75チ)で5−ブトキシ−2−ヒドロキシ安息
香酸の重合体を得た。
ゲルバーミエーシ冒ンクロマトグラフィーによる測定で
はポリスチレン換算分子量でMn”7.2X 10 、
Mvr/Mn−1,3であった0 2、超薄膜の形成例 超薄膜形成装置として、ジ箇イスレーベル社のラングミ
エア・プロジェット膜形成装置を用いた。
はポリスチレン換算分子量でMn”7.2X 10 、
Mvr/Mn−1,3であった0 2、超薄膜の形成例 超薄膜形成装置として、ジ箇イスレーベル社のラングミ
エア・プロジェット膜形成装置を用いた。
合成剤(1)で得られた2−ヒドロキシ安息香酸と2−
ヒドロキシ−3−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン1を0.2mg/mlの濃度でクロロホルムに溶解し
、展開溶液をつくる。水相には再蒸留水を用い、水酸化
ナトリウム−塩酸でPHを5.6−5.7に調整する。
ヒドロキシ−3−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン1を0.2mg/mlの濃度でクロロホルムに溶解し
、展開溶液をつくる。水相には再蒸留水を用い、水酸化
ナトリウム−塩酸でPHを5.6−5.7に調整する。
水温は25℃に設定し、ガリウムリン基板上に超薄膜を
移し取る。
移し取る。
同様な方法で合成例(4で得られ九5−ブトキシー2−
ヒドロキシ安息香酸の重合体もガリウムリン基板上に超
薄膜を形成できた。
ヒドロキシ安息香酸の重合体もガリウムリン基板上に超
薄膜を形成できた。
3、高分子絶縁超薄膜の電気特性
電極を高分子絶縁超薄膜側は金を、ガリウムリン側はイ
ンジウムを蒸着したものを用い友。電気容量をC1バイ
アス電圧をVとすると1/CとVは直線関係となり、1
/C−0の外挿値からバリア値が求められた。第1図に
合成例(1)で得られた2−ヒドロキシ安息香酸と2−
ヒドロキシ−3−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン14゜を絶縁膜とし九素子のC−7%性を示した。
ンジウムを蒸着したものを用い友。電気容量をC1バイ
アス電圧をVとすると1/CとVは直線関係となり、1
/C−0の外挿値からバリア値が求められた。第1図に
合成例(1)で得られた2−ヒドロキシ安息香酸と2−
ヒドロキシ−3−メチル安息香酸の共重合体フラクシ冒
ン14゜を絶縁膜とし九素子のC−7%性を示した。
第1図からバリア値は1.57eVである。ま (た
合成例(りで得られた5−ブトキシ−2−2ヒドロキシ
安息香酸の重合体を絶縁膜とし九素子のバリア値は1.
50 eVであった。
合成例(りで得られた5−ブトキシ−2−2ヒドロキシ
安息香酸の重合体を絶縁膜とし九素子のバリア値は1.
50 eVであった。
これらのバリア値は120℃までほとんど変化しなかっ
た。
た。
比較例1
ステアリン酸を5 x 10 mol/lの濃度でク
ロロホルムに溶解し、展開溶液をつくる。水相には再蒸
留水を用い、5X10 ’m o l / l の塩
化カドミウム溶液にする。水温を25℃に設定し、ガリ
ウムリン基板上に超薄膜を移し取った。ステアリン酸側
には金をガリウムリン側にはインジウムを蒸着し、電気
容量Cとバイアス電圧Vの関係を調べた。室温では1/
CとVは直線関係が得られたが、100℃まで可熱する
と短絡が起こってしまった。
ロロホルムに溶解し、展開溶液をつくる。水相には再蒸
留水を用い、5X10 ’m o l / l の塩
化カドミウム溶液にする。水温を25℃に設定し、ガリ
ウムリン基板上に超薄膜を移し取った。ステアリン酸側
には金をガリウムリン側にはインジウムを蒸着し、電気
容量Cとバイアス電圧Vの関係を調べた。室温では1/
CとVは直線関係が得られたが、100℃まで可熱する
と短絡が起こってしまった。
Claims (2)
- (1)共重合もしくは置換基を導入することにより有機
溶媒に可溶化された2−ヒドロキン安息香酸誘導体ポリ
エステルからなる高分子絶縁超薄膜。 - (2)上記高分子絶縁超薄膜が、上記ポリエステル分子
を水面上に展開させた後、それを適当な基板上に移し取
ることにより得られる絶縁超薄膜である特許請求の範囲
第1項記載の高分子絶縁超薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60061828A JPS61222136A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 高分子絶縁超薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60061828A JPS61222136A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 高分子絶縁超薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61222136A true JPS61222136A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13182342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60061828A Pending JPS61222136A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 高分子絶縁超薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61222136A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312776A (en) * | 1991-11-18 | 1994-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of preventing the corrosion of metallic wirings |
DE10214210A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60061828A patent/JPS61222136A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312776A (en) * | 1991-11-18 | 1994-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of preventing the corrosion of metallic wirings |
DE10214210A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6927425B2 (en) | 2002-03-28 | 2005-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescent diode chip that is flip-chip mounted on a carrier, and method for production thereof |
US7663155B2 (en) | 2002-03-28 | 2010-02-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescent diode chip that is flip-chip mounted on a carrier, and method for production thereof |
DE10214210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2011-02-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung |
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