JPS6121130A - Photosensitive heat-resistant material - Google Patents

Abstract

PURPOSE:A material, containing a reaction product of a polyimide-isoindoloquinazolinedione precursor with an aziridine compound, having improved storage stability, and preparable in a simple production process. CONSTITUTION:A photosensitive heat-resistant material containing a reaction product obtained by reacting (A) a polyimide-isoindoloquinazolinedione precursor prepared by reacting an aromatic diamine expressed by the formula H2N-R1- NH2 (R1 is bifunctional organic group) with an aromatic diaminoamide expressed by formula I (R2 is trifunctional organic group) and an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride expressed by formula II (R3 is tetrafunctional organic group) with (B) an aziridine compound expressed by formula III (R4 is a group having double bond capable of dimerizing or polymerizing with light or radiation). The component (B) in an amount of 0.2-2.0 equivalents based on carboxyl groups in the side chain of the component (A) is reacted therewith.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明に、新規な感光性耐熱材料に関する。[Detailed description of the invention] [Technical field of invention] The present invention relates to a novel photosensitive heat-resistant material.

〔従来技術〕[Prior art]

従来半導体工業において固体素子の絶縁層やパッシベー
ション層として、例えば酸化ケイ累などの無機材料が広
く使用さねている。Conventionally, in the semiconductor industry, inorganic materials such as silicon oxide have been widely used as insulating layers and passivation layers of solid-state devices.

−力、有機材料は無機材料に比較して低応力性、平滑性
に優れ、高純度であるなどの性質を保持しており、近年
絶縁軸やパッシベーション層ト（、テ使用する技術が開
発さｈ、一部の半導体素子に実用化さねている。- Compared to inorganic materials, organic materials have properties such as low stress, excellent smoothness, and high purity. h. It has not been put to practical use in some semiconductor devices.

有機材料を前記用途に用いる場合、グイボンディング等
のように加熱作業が多数含まｈるため、耐熱性の有機材
料を使用する必要がある。そのため、通常耐熱性に優れ
たポリイミドが広く検討さねている。When using an organic material for the above-mentioned purpose, it is necessary to use a heat-resistant organic material because it involves a lot of heating work such as bonding. Therefore, polyimide, which usually has excellent heat resistance, has been widely studied.

ポリイミドを固体素子の絶縁層やパッシベーション層と
して利用する場合、上下導体層の導通部や外部リード線
との接続のためのスルーホール孔など微細加工を飾す工
程で汀、一般に、フォトレジストを使用するポリイミド
の化学エツチング処理が行なわれている。即ち、例えば
、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸を基板にコーテ
ィングし、熱処理を行なってポリイミドに変換したのち
、そのポリイミド膜上にフォトレジストのレリーフパタ
ーンを形成させ、ヒビ２２フ条エツチング剤によりポリ
イミド膜を選択的に化学エツチングしてレリーフパター
ンをポリイミドに形成させている。When polyimide is used as an insulating layer or passivation layer of a solid-state device, photoresist is generally used in the process of decorating microfabrication such as conductive parts of upper and lower conductor layers and through holes for connection with external lead wires. Chemical etching treatment of polyimide is being carried out. That is, for example, after coating a substrate with polyamic acid, which is a polyimide precursor, and converting it into polyimide by heat treatment, a photoresist relief pattern is formed on the polyimide film, and the polyimide film is removed using a crack etching agent. A relief pattern is formed in the polyimide by selective chemical etching.

し力）し、上記工程におけるポリイミドのパターン化Ｋ
ｉ、フォトレジストの塗布や剥離などの工程を必要とし
、プロセス工程が全体として非常に煩雑となる。従って
微細加工工程の簡略化を図るため直接光でパターニング
可能な耐熱材料の１ノ目発が望呼ハていた。上記目的の
ための一つとして、特公昭４９−１＋７３７４′８′公
報に、ポリアミド酸と重クロム酸塩と力）らなる感光性
ｉ熱材料が提案された。patterning of polyimide in the above process
i. Processes such as photoresist coating and peeling are required, making the entire process extremely complicated. Therefore, in order to simplify the microfabrication process, there was a high demand for the first heat-resistant material that could be patterned with direct light. As one of the above objects, Japanese Patent Publication No. 49-1+7374'8' proposed a photosensitive i-thermal material consisting of polyamic acid, dichromate, and acetate.

七ねによると前記材料全基板に塗布し乾燥後、通常の光
学手法を用いて露光し、現像処理を経たのち、加熱処理
を行なうことにより、ポリイミドのレリーフパターンを
得ることが可能となる。しかし、該材料は暗反応を伴う
ため保存安定性に乏しく、重クロム酸塩を混合して感光
性耐熱材料として調製したのち直ちに使用しなければな
らず、さらに重クロム酸塩がその硬化物中に残存するた
め該硬化物が絶縁膜としての信頼性に劣るなどの欠点が
ある。According to Nanane, it is possible to obtain a polyimide relief pattern by applying the above material to the entire substrate, drying it, exposing it to light using a normal optical method, developing it, and then heating it. However, this material has poor storage stability because it involves a dark reaction, and must be used immediately after being prepared as a photosensitive heat-resistant material by mixing dichromate. The cured product has disadvantages such as poor reliability as an insulating film.

筐た、特開昭４９−１１５５４１号公報には、例えば一
般式 （式中、ＲけＣＨｚ＝Ｃｉ（Ｃ！Ｈｓ　）Ｃｏｏ（！Ｈ
２０Ｈ２−およびて示さねるピロメリット酸誘導体とジ
アミンと全反応させて得られる感光性耐熱材料が提案さ
７″ｌた。In JP-A-49-115541, for example, the general formula (where R ke CHz=Ci(C!Hs)Coo(!H
A photosensitive heat-resistant material obtained by completely reacting a pyromellitic acid derivative shown in 20H2- and a diamine was proposed.

し′Ｄ）シ、このピロメリット酸誘導体は粘ちょうな液
体であり、精製は困難であるため得られる樹脂は高価格
となる。D) Since this pyromellitic acid derivative is a viscous liquid and is difficult to purify, the resulting resin is expensive.

さらに、特開昭５５−４５７４６号公報に汀、ポリアミ
ド酸と、例えばメタクリル酸グリシジルなどの感光基を
有するモノエポキサイドと全反応させて感光性耐熱材料
が得られると記載されている。しρ）し、エポキサイド
とカルボン酸の反応は反応促進剤か必要であるなど非常
に複雑であり、さらに該反応後の保存安定性も極めて悪
いなどの欠点がある。Furthermore, JP-A-55-45746 describes that a photosensitive heat-resistant material can be obtained by completely reacting a polyamic acid with a monoepoxide having a photosensitive group such as glycidyl methacrylate. However, the reaction between epoxide and carboxylic acid is very complicated, requiring a reaction accelerator, and furthermore, there are drawbacks such as extremely poor storage stability after the reaction.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明げ、上記従来のものの欠点を除去するためにな
されたもので、一般式 ％式％（１） （式中、Ｒ１は２価の有機基を示す。）で示される芳香
族ジアミン、一般式 （式中、ＲｓＶｉ３価の有機基を示す。）で示される芳
香族ジアミノアミド、および一般式０式％ （式中、Ｒ３け４価の有機基を示す。）で示される芳香
族テトラカルボン峻二無水物を反応させてｆ４らノする
ポリイミド−イソインドロキナゾリンジオン１１１１駆
体（Ａ）　ｖｃ、一般式（式中、Ｒ４け光又は放射線で
２重化又Ｖ′ｉ重合可能な二重結合を有する基を示す。This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional products. An aromatic diaminoamide represented by the formula (in the formula, RsVi represents a trivalent organic group), and an aromatic tetracarboxylic acid represented by the general formula 0% (in the formula, R represents a tetravalent organic group) Polyimide-isoindoquinazolinedione 1111 precursor (A) vc, which is formed by reacting dianhydride with f4, and general formula (in the formula, Indicates a group having a double bond.

） で示されるアジリジン化合物（Ｂｌ　ｋ反応させて得ら
れるものを含有するものを用いることにより、保存安定
性に優れ、製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料全
提供することを目的とする。) By using an aziridine compound (obtained by Blk reaction), the purpose is to provide a novel photosensitive heat-resistant material with excellent storage stability and a simple manufacturing process. .

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

この発明に係わる芳香族ジアミンけ、一般式（ＩＩで示
される構造ケ持っており、例えば、Ｐ−）ユニしンジア
ミン９ｍ−フェニレンジアミン、　４．４’−ジアミノ
ジフエニルエーテル、　４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、　４．４’−ベンジジン、　３．３’−ベンジ
ジン、　４．４’−ジ（４−アミノフェノキシ）ジフェ
ニルスルホン、　４．４’　−シ（３−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホンおよび１．５−ジアミノナフタ
レンの内の少なくとも一種が好１しく用いらｈる。The aromatic diamine according to the present invention has a structure represented by the general formula (II, for example, P-)unishindiamine, 9m-phenylenediamine, 4.4'-diaminodiphenyl ether, 4.4'- Diaminodiphenylmethane, 4.4'-benzidine, 3.3'-benzidine, 4.4'-di(4-aminophenoxy)diphenylsulfone, 4.4'-di(3-aminophenoxy)diphenylsulfone and 1.5 - At least one type of diamino naphthalene is preferably used.

この発明に係わる芳香族ジアミノアミドに、一般式（２
）で示される構造を持っており、例えは、２．５−ジア
ミノ安息香酸アミド、２．４−ジアミノ安息香酸アミド
、　４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−カル
ボン酸アミド、　４．４’−ジアミノジフェニルメタン
−３−カルボン酸アミドおよび４．４’−ジアミノジフ
ェニルスルホン−３−カルボ７　＋（１９アミドの内の
少なくとも一種が好ましく用いられる。The aromatic diaminoamide according to this invention has the general formula (2
), examples include 2.5-diaminobenzoic acid amide, 2.4-diaminobenzoic acid amide, 4.4'-diaminodiphenyl ether-3-carboxylic acid amide, 4.4'- At least one of diaminodiphenylmethane-3-carboxylic acid amide and 4,4'-diaminodiphenylsulfone-3-carbo7 + (19 amide) is preferably used.

この発明に係わる芳香族テトラカルボン酸二無水物は一
般式（３）で示さねる構造を持っており、例えば、ピロ
メリット酸二無水物、　３．３’、４．４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物およびビスフタル酸二
無水物の内の少なくとも一種が、最終硬化物として優れ
り！＃熱性を与えるので好プレいが、芳香族σ）もので
あれば、どのようなものを用いても何らさしつρ）えな
い。The aromatic tetracarboxylic dianhydride according to the present invention has a structure represented by the general formula (3), and includes, for example, pyromellitic dianhydride, 3.3',4.4'-benzophenonetetracarboxylic acid At least one of dianhydride and bisphthalic dianhydride is excellent as a final cured product! # It is a good play because it gives heat properties, but as long as it is aromatic σ), there is no harm in using any ρ).

また、上記芳香族ジアミン、芳香族ジアミノアミドおよ
び芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させて、ポリ
イミド−イソインドロキナゾリンジオン前駆体を得る場
合、上記反応物に不活性で、力）つ得られるポリイミド
−イソインドロキナゾリンジオン前駆体に対して良溶媒
中で〔（ジアミンのモル数）＋（ジアミノアミドのモル
ｆｆ）：）／（芳香族テトラカルボン酸二無水物のモル
ｍ）　＝１の配合比で反応させるのが好適である。In addition, when the above-mentioned aromatic diamine, aromatic diaminoamide and aromatic tetracarboxylic dianhydride are reacted to obtain a polyimide-isoindoloquinazolinedione precursor, it is inert to the above-mentioned reactants, [(Number of moles of diamine) + (Mole of diaminoamide ff): )/(Mole of aromatic tetracarboxylic dianhydride) = 1 It is preferable to carry out the reaction at a mixing ratio of .

溶媒として、例えばＮ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド、
　Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホ
アミドなどが好適に用いられる。As a solvent, for example, N,N'-dimethylacetamide,
N,N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoamide, and the like are preferably used.

また、これらの反応は、８０℃以下の温度で２〜ｌＯ時
間行なわねるのが好適である。８０℃以上では不溶性と
なり、２時間以下では反応が不充分である。Further, these reactions are preferably carried out at a temperature of 80° C. or lower for 2 to 10 hours. It becomes insoluble at temperatures above 80°C, and the reaction is insufficient at temperatures below 2 hours.

この発明に係わる一般式（４）で示されるアジリジン化
合物としては、例えば Ｈ２ などの内の少なくとも一種が用いらねる。As the aziridine compound represented by the general formula (4) according to the present invention, at least one of, for example, H2 can be used.

なお、こねらアジリジン化合物とイミド−イソインドロ
キナゾリンジオン前駆体の反応けｓｏ’ｃｐｔ下、好ま
しくけ室温付近で行なわね、８０″ｃ以玉では不溶化が
おこる。該反応は塩類、＃化物、塩基等の反応促進剤を
用いなくとも速や’Ｉ））Ｋ進行し、不純物を含着ない
ため、この発明の感光性耐熱材料は極めて４＆ねた保存
安定性を有する。又、上記反応において、上記アジリジ
ン化合物全上記イミド−イソインドロキナゾリンジオン
前駆体中の側鎖のカルボキシル基に対して０．２〜２．
０当量、好捷しくに０・８〜１．５当量の範囲内で反応
させるのが良い。０．２当量以下であると露光による架
橋反応が充分に起らず、レリーフパターン形成能に劣る
。また、２．０当量を越えると最終工程での熱処理後の
硬化物の熱安定性が劣る。Note that the reaction between the Konera aziridine compound and the imido-isoindoroquinazolinedione precursor is carried out under SO'CPT, preferably near room temperature, as insolubilization occurs at temperatures above 80"C. The photosensitive heat-resistant material of the present invention has extremely high storage stability because it progresses quickly without using a reaction accelerator such as a base and does not contain impurities. , 0.2 to 2.0% relative to the side chain carboxyl group in all of the above imido-isoindoquinazolinedione precursors of the aziridine compound.
It is preferable to react within a range of 0 equivalent, preferably 0.8 to 1.5 equivalent. If the amount is less than 0.2 equivalent, the crosslinking reaction upon exposure will not occur sufficiently, resulting in poor relief pattern forming ability. Moreover, if the amount exceeds 2.0 equivalents, the thermal stability of the cured product after heat treatment in the final step will be poor.

即ち、この発明の感光性耐熱材料は、イミド−イソイン
ドロキナゾリンジオン前駆体にアジリジン化合物を反応
させて得らｔ′またものを主成分とするものであり、こ
のものだけを用いて露光しても鮮明なレリーフパターン
が得らｈるが、例えば光増感剤を０．０１〜ｌＯＮ量係
含有すねは、著るしい光増感効果を得ることができる。That is, the photosensitive heat-resistant material of the present invention has as its main component a compound obtained by reacting an imido-isoindoroquinazolinedione precursor with an aziridine compound. However, for example, when containing a photosensitizer in an amount of 0.01 to 1ON, a remarkable photosensitizing effect can be obtained.

そのような光増感剤として、例えばベンゾイン、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンツインメチルエーテル、ベン
ゾインイソブチルエーテル、アントラキノン、ベンゾキ
ノン、β−メチルアントラキノン、ナフトキノン、ジフ
ェニルスルフィド、アセトフェノン。Such photosensitizers include, for example, benzoin, benzoin ethyl ether, benzine methyl ether, benzoin isobutyl ether, anthraquinone, benzoquinone, β-methylanthraquinone, naphthoquinone, diphenyl sulfide, acetophenone.

ベンゾフェノンおよび４，４′−テトラメチルジアミノ
ベンゾフェノンなどの内の少なくとも一種ヲ用いること
ができる。At least one of benzophenone and 4,4'-tetramethyldiaminobenzophenone can be used.

この発明の感光性耐熱材料金例オばガラス敏捷たけシリ
コンウェハー上に回転塗布し、５０〜９０℃で乾燥した
のち、所定のパターンマスクを通して露光し、次いでＮ
−メチル−２−ピロリドン。The photosensitive heat-resistant material of this invention is spin-coated onto a silicon wafer, dried at 50 to 90°C, exposed to light through a predetermined pattern mask, and then N
-Methyl-2-pyrrolidone.

Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの溶剤で現像するこ
とにより未露光部は洗い流さｈて端面のシャープなレリ
ーフパターンが得られる。５０℃以下でげ、溶媒の揮発
が不充分で粘性が残り、９０℃以上では不溶化かおこる
。さらに、その後、２００〜４００℃の熱処理を行なう
ことにより、耐熱性、耐薬品性、および電気的性質の優
ｔ′また、良好なパターンを有する硬化物が得られる。By developing with a solvent such as N,N-dimethylacetamide, the unexposed areas are washed away and a sharp relief pattern on the end surface is obtained. At temperatures below 50°C, viscosity remains due to insufficient volatilization of the solvent, and at temperatures above 90°C, insolubilization occurs. Furthermore, by subsequently performing heat treatment at 200 to 400°C, a cured product having excellent heat resistance, chemical resistance, and electrical properties and a good pattern can be obtained.

この発明の感光性耐熱材料は、室温遮光下で数ケ月間安
定に保存できる。The photosensitive heat-resistant material of the present invention can be stably stored at room temperature and protected from light for several months.

以下この発明を実櫂例に基づいて、さらに詳しく説明す
るが、この発明は力）かる実施例のみに限定されるもの
でげない。The present invention will be explained in more detail below based on actual paddle examples, but the present invention is not limited to these examples.

実姉例１ 温度計、攪拌機、チッ素導入管、塩化カルシウム管を備
えたｓｏｏｍＡの４つ目フラスコに、４．４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル８ｇ　（０，０４モル）ト礼５−
ジアミノ安息香酸アミド１．５１ｇ（０，０１モル）と
乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略
す）　１５０ｇとを入れ溶解させた。この溶液にピロメ
リット酸二無水物１０．９ｇ　（ｏ、ｏ５モル）を一度
に加え、２０°Ｃ″？ｌ”２時間、８０°Ｃで２時間反
応させてイミド−イソインドロキナゾリンジオン前躯体
を得た。Actual example 1 Into the fourth flask of SOOMA equipped with a thermometer, stirrer, nitrogen introduction tube, and calcium chloride tube, 8 g (0.04 mol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether was added.
1.51 g (0.01 mol) of diaminobenzoic acid amide and 150 g of dried N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter abbreviated as NMP) were added and dissolved. To this solution, 10.9 g (o, o 5 mol) of pyromellitic dianhydride was added at once, and the reaction was carried out at 20°C for 2 hours and at 80°C for 2 hours to prepare the imido-isoindoquinazolinedione. I got the body.

さらに、２−（ｌ−アジリジニル）エチルメタ１５．５
ｇ（０，１モｘ　）　ｆ加え４０°Ｃで３時間反応させ
たのち、得られたポリマー溶液にβ−メチルアントラキ
ノン０．４ｇｉ加え均一に混合させ、この発明の一実細
例の感光性耐熱材料を得た。Furthermore, 2-(l-aziridinyl)ethyl meta 15.5
g (0,1 mo A heat-resistant material was obtained.

こ′ｈをガラス板上にスピンコートシ、８０℃テ１５分
間乾燥させたのち、所定のマスクを通して３０秒間紫外
線露光を行なった（超高圧水銀灯５００Ｗ　３０ｃｍ）
。This was spin-coated onto a glass plate, dried at 80°C for 15 minutes, and then exposed to ultraviolet light for 30 seconds through a prescribed mask (ultra-high pressure mercury lamp 500W, 30cm).
.

結党後、ＮＭＰ中に６０〜１２０秒間浸漬することによ
り良好なレリーフパターンが４らｔ１＊。After formation, a good relief pattern was obtained by dipping in NMP for 60-120 seconds.

別に、上記この発明の一実姉例の感光性耐熱材料を銅板
に塗布し、上記と同様の露光装置を用いて３０秒間、全
面に露光した。その後、２００’Ｃ１時間、チッ素雰囲
気下、３００°Ｃで１時間、４００℃で３０分間加熱し
た。Separately, the photosensitive heat-resistant material of the sister example of the present invention was applied to a copper plate, and the entire surface was exposed to light for 30 seconds using the same exposure device as above. Thereafter, it was heated at 200'C for 1 hour, at 300°C for 1 hour, and at 400°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere.

かぐして得らｈだ硬化物の電気特性を測定した結果、絶
縁耐圧３００ｋＶ／ｍｍ　、誘電率２．９　（１ｋＨ２
）　。As a result of measuring the electrical properties of the cured product obtained by smelting, it was found that the dielectric strength voltage was 300 kV/mm, and the dielectric constant was 2.9 (1 kH2).
).

体積抵抗率４Ｘ１０１５Ω・ａｍの値が得らｈ、通常の
ポリイミドと同程度の゛電気特性を示すことが解った。A volume resistivity of 4×10 15 Ω·am was obtained, and it was found that it exhibited electrical properties comparable to those of ordinary polyimide.

また、空気中５°Ｃ／分の条件で熱重量減少を測定した
結果、初期分解開始温度ｌｌ″ｊ４６０°Ｃであり、熱
安定性に優れていることが解った。Furthermore, as a result of measuring the thermal weight loss under the condition of 5°C/min in air, it was found that the initial decomposition initiation temperature was 460°C, indicating excellent thermal stability.

実姉例２〜１１ 表ＩＫ示す各成分の自己含量に従って、実施例１と同様
の操作を行ない、この発明の実姉例の感光性耐熱材料を
得た。Sister Examples 2 to 11 According to the self-content of each component shown in Table IK, the same operations as in Example 1 were carried out to obtain photosensitive heat-resistant materials of sister examples of the present invention.

得られた材料をガラス板に塗布し、実姉例１と同様の画
像形成処理を行ない、結果を表２に示し従来のものと同
程度の感光性を示すものを良としたＯ 一方、銅板に塗布し、１００°Ｃ３０分、２００°Ｃ１
時間、チッ素気流中３５０’Ｃ１時間熱処理を行なった
ものの電気特性、耐熱性を測定した。これらの結果も表
２、に示した。The obtained material was applied to a glass plate and subjected to the same image forming process as in Example 1. The results are shown in Table 2. Apply, 100°C 30 minutes, 200°C1
After heat treatment at 350'C in a nitrogen stream for 1 hour, the electrical properties and heat resistance were measured. These results are also shown in Table 2.

それによると、従来のポリイミドと同程度の電気特性を
示し、又、熱安定性に優れていることが解る。According to the results, it can be seen that it exhibits electrical properties comparable to those of conventional polyimide, and also has excellent thermal stability.

また、室温遮光下で３ケ月間放置したのち、実姉例１と
同様の画像形成処理を行ない、パターニング性を調べ、
その結果を表２に合せて示す。それによると、従来のも
ののバターニング可能な保存期間が室温遮光下で１ケ月
間であるのに対し、保存安定性にも優れているあが解る
。In addition, after leaving it for 3 months at room temperature and shielded from light, the same image forming process as in Example 1 was performed to examine patterning properties.
The results are also shown in Table 2. According to the results, the storage period for conventional products that can be buttered is one month at room temperature and shielded from light, whereas it can be seen that the product has excellent storage stability.

々お、表１で用いた化合物は以下の様に略した。The compounds used in Table 1 are abbreviated as follows.

ジアミン ＰＤＳ ジアミノアミド 芳香族テトラカルボン酸二無水物 アジリジン化合物 Ｈ２ Ｈ２ 〔発明の効果〕 以上説明したとおり、この発明け、一般式０式％ （式中、Ｒｘｎ２価の有機基を示す。）で示される芳香
族ジアミン、一般式 ０式％（２） （式中、Ｒ２Ｈ３価の有機基金示す。）で示される芳香
族ジアミノアミド、および一般式０式％ （式中、Ｒ３は４価の有機基を示す。）で示される芳香
族テトラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリ
イミド−イソインドロキナゾリンジオン前駆体（Ａ）Ｖ
Ｃｌ一般式（式中、Ｒ４は光又は放射線で２量化又は重
合可能な二重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させて得らね
るものを含有するものを用いることにより、保存安定性
に優れ、製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料を得
ることができ、直接光により微細加工できる絶縁材料と
して有用であり、例えば半導体等の固体素子の層間絶縁
材料やパンシベーシヨ７材Ｆ）、又は磁気ヘッドおよび
サーマルヘッドの絶縁膜、さらにはプリント回路の半田
レジスト。Diamine PDS Diaminoamide Aromatic Tetracarboxylic Dianhydride Aziridine Compound H2 H2 [Effects of the Invention] As explained above, this invention has the following properties: aromatic diamine represented by the general formula 0% (2) (in which R2H represents a trivalent organic group); Polyimide-isoindoquinazolinedione precursor (A) V obtained by reacting the aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by
Cl general formula (wherein R4 represents a group having a double bond that can be dimerized or polymerized by light or radiation) By using this material, it is possible to obtain a new photosensitive heat-resistant material that has excellent storage stability and a simple manufacturing process, and is useful as an insulating material that can be microfabricated by direct light, for example, for interlayer insulation of solid-state devices such as semiconductors. Materials, pansibase 7 materials F), insulating films for magnetic heads and thermal heads, and even solder resists for printed circuits.

高耐熱材のフォトレジスト、リフトオフ材などにも適用
できる。It can also be applied to highly heat-resistant materials such as photoresists and lift-off materials.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）一般式 Ｈ＿２Ｎ−Ｒ＿１−ＮＨ＿２・・・・・・（１） （式中、Ｒ＿１は２価の有機基を示す。） で示される芳香族ジアミン、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（２） （式中、Ｒ＿２は３価の有機基を示す。） で示される芳香族ジアミノアミド、および一般式▲数式
、化学式、表等があります▼・・・・・・（３） （式中、Ｒ＿３は４価の有機基を示す。） で示される芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させ
て得られるポリイミド−イソインドロキナゾリンジオン
前駆体（Ａ）に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（４） （式中、Ｒ＿４は光又は放射線で２量化又は重合可能な
二重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させて得られ
るものを含有する感光性耐熱材料。(1) Aromatic diamine represented by the general formula H_2N-R_1-NH_2 (1) (in the formula, R_1 represents a divalent organic group), general formula ▲ mathematical formula, chemical formula, table, etc. There is an aromatic diaminoamide represented by ▼・・・・・・(2) (In the formula, R_2 represents a trivalent organic group) and a general formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼・・...(3) (In the formula, R_3 represents a tetravalent organic group.) A polyimide-isoindoquinazolinedione precursor (A ), there are general formulas ▲numerical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・・・・(4) (In the formula, R_4 represents a group having a double bond that can be dimerized or polymerized by light or radiation.) A photosensitive heat-resistant material containing a compound obtained by reacting an aziridine compound (B) represented by: （２）アジリジン化合物（Ｂ）をポリイミド−イソイン
ドロキナゾリンジオン前駆体（Ａ）の側鎖のカルボキシ
ル基に対して０．２〜２．０当量反応させたものを含有
する特許請求の範囲第１項記載の感光性耐熱熱材料。(2) Claims containing 0.2 to 2.0 equivalents of the aziridine compound (B) reacted with the side chain carboxyl group of the polyimide-isoindoroquinazolinedione precursor (A) The photosensitive heat-resistant material according to item 1. （３）２価の有機基は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼ の内の一種である特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の感光性耐熱材料。(3) Divalent organic groups have ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
The photosensitive heat-resistant material according to claim 1 or 2 is one of the following: ▼ There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ . （４）３価の有機基は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種で
ある特許請求の範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱
材料。(4) Trivalent organic groups have ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
The photosensitive heat-resistant material according to claim 1 or 2, which is one of the following: ▼ Contains tables, etc. and ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼. （５）４価の有機基は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種である特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱材料。(5) Tetravalent organic groups have ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲mathematical formulas, chemical formulas,
The photosensitive heat-resistant material according to claim 1 or 2, which is one of the following: ▼ Contains tables, etc. and ▲ Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼. （６）Ｒ＿４はＨ＿２Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ＿２ＣＨ＿２
−、Ｈ＿２Ｃ＝（ＣＨ＿３）ＣＯＯＣＨ＿２ＣＨ＿２−
、▲数式、化学式、表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種である特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱材料。(6) R_4 is H_2C=CHCOOCH_2CH_2
-, H_2C=(CH_3)COOCH_2CH_2-
, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ and ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ The photosensitive heat-resistant material according to claim 1 or 2, which is one of the following.