JPS61205009A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS61205009A JPS61205009A JP4689985A JP4689985A JPS61205009A JP S61205009 A JPS61205009 A JP S61205009A JP 4689985 A JP4689985 A JP 4689985A JP 4689985 A JP4689985 A JP 4689985A JP S61205009 A JPS61205009 A JP S61205009A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stub
- line
- strip line
- microwave oscillator
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、誘電体共振器を用い、発振用半導体素子の
所定の端子に１／４波長開放端スタブが接続されたマイ
クロ波発振器に関するものである。
所定の端子に１／４波長開放端スタブが接続されたマイ
クロ波発振器に関するものである。
発明の概要
この発明は、Ｍ電体共振器とｊ！！振用牛用半導体素子
電体共振器に磁気的に結合しているストリップラインと
、発振用半導体素子の所定の端子に接続される１／４波
長開放端スタブとを備えるマイクロ波発ｆｆ！器におい
て、 １／４波長開放端スタブをストリップラインに近接して
形成することにより、 マイクロ波発揚器の小型化を図るとともに、このスタブ
とストリップラインとの間にも磁気的な結合を生じさせ
、発振出力レベルを向上させたものである。
電体共振器に磁気的に結合しているストリップラインと
、発振用半導体素子の所定の端子に接続される１／４波
長開放端スタブとを備えるマイクロ波発ｆｆ！器におい
て、 １／４波長開放端スタブをストリップラインに近接して
形成することにより、 マイクロ波発揚器の小型化を図るとともに、このスタブ
とストリップラインとの間にも磁気的な結合を生じさせ
、発振出力レベルを向上させたものである。
従来の技術
誘電体共ｔ！器を用いた従来のマイクロ波発振器として
、たとえば第３図に示すような回路構成を有するものが
ある。ここに示したマイクロ波発振器は、帯域反射型と
呼ばれるものである。第３図には、マイクロ波発振器を
構成する要素の電気的接続が明らか粂されているととも
に、機械的配置関係も表わされている。これらの要″素
は、図示しないが、たとえばアルミナのような誘電体基
板上に構成される。
、たとえば第３図に示すような回路構成を有するものが
ある。ここに示したマイクロ波発振器は、帯域反射型と
呼ばれるものである。第３図には、マイクロ波発振器を
構成する要素の電気的接続が明らか粂されているととも
に、機械的配置関係も表わされている。これらの要″素
は、図示しないが、たとえばアルミナのような誘電体基
板上に構成される。
まず、発振用半導体素子として、たとえばシリコンバイ
ポーラトランジスタのような発振用トランジスタ１が配
置され、そのベースにはストリップライン２が接続され
る。ストリップライン２には、さらに、ＤＣカットコン
デンサ３および終端抵抗５が順次接続される。ストリッ
プライン２の近傍には、誘電体共振器５が配置され、そ
れによって、ストリップライン２はこの誘電体共振器５
と磁気的に結合するようにされる。なお、前述の終端抵
抗４は、誘電体共振器５の共振周波数以外の不要発振を
除去する働きをする。
ポーラトランジスタのような発振用トランジスタ１が配
置され、そのベースにはストリップライン２が接続され
る。ストリップライン２には、さらに、ＤＣカットコン
デンサ３および終端抵抗５が順次接続される。ストリッ
プライン２の近傍には、誘電体共振器５が配置され、そ
れによって、ストリップライン２はこの誘電体共振器５
と磁気的に結合するようにされる。なお、前述の終端抵
抗４は、誘電体共振器５の共振周波数以外の不要発振を
除去する働きをする。
また、発振用トランジスタ１のコレクタには、高周波的
に接地するために、発振周波数の１／４波長の開放端の
ストリップラインすなわち１／４波長開放端スタブ６が
接続される。また、発振用トランジスタ１のエミッタに
は、バイアス回路７が接続される。
に接地するために、発振周波数の１／４波長の開放端の
ストリップラインすなわち１／４波長開放端スタブ６が
接続される。また、発振用トランジスタ１のエミッタに
は、バイアス回路７が接続される。
第４図は、第３図に示した発振用トランジスタ１、スト
リップライン２および１／４波長開放端スタブ６をパタ
ーンで置き換えて図示した拡大図である。第４図におい
て、８は発振用トランジスタ１のベース端子であり、９
は同じくコレクタ端子であり、１０は同じくエミッタ端
子である。その他の部分については、相当の部分に第３
図で示したのと同様の参照番号が付されている。
リップライン２および１／４波長開放端スタブ６をパタ
ーンで置き換えて図示した拡大図である。第４図におい
て、８は発振用トランジスタ１のベース端子であり、９
は同じくコレクタ端子であり、１０は同じくエミッタ端
子である。その他の部分については、相当の部分に第３
図で示したのと同様の参照番号が付されている。
発明が解決しようとする問題点
第３図および第４図に示すように、従来のマイクロ波発
振器においては、スタブ６は、発振用トランジスタ１を
介して、ストリップライン２とは反対方向に配置されて
いた。したがって、このスタブ６が延びる長さだけ誘電
体基板（図示せず）が大きくならざるを得ず、結果とし
て、マイクロ波発振器の小型化を妨げていた。
振器においては、スタブ６は、発振用トランジスタ１を
介して、ストリップライン２とは反対方向に配置されて
いた。したがって、このスタブ６が延びる長さだけ誘電
体基板（図示せず）が大きくならざるを得ず、結果とし
て、マイクロ波発振器の小型化を妨げていた。
そこで、この発明の目的は、小型化が可能なマイクロ波
発振器を提供することである。
発振器を提供することである。
問題点を解決するための手段
誘電体共振器と、発振用半導体素子と、誘電体共振器に
磁気的に結合しているストリップラインと、発振用半導
体素子の所定の端子に接続される１／４波長開放端スタ
ブとを備えるマイクロ波発振器において、この発明では
、１／４波長開放端スタブをストリップラインに近接し
て形成したことを特徴としている。
磁気的に結合しているストリップラインと、発振用半導
体素子の所定の端子に接続される１／４波長開放端スタ
ブとを備えるマイクロ波発振器において、この発明では
、１／４波長開放端スタブをストリップラインに近接し
て形成したことを特徴としている。
発明の作用効果
この発明によれば、１／４波長間放端スタブを誘電体共
振器に磁気的に結合しているストリップラインに近接さ
せることにより、このスタブを、発振用半導体素子に対
して上述のストリップラインと同じ側に延びるように形
成することができる。
振器に磁気的に結合しているストリップラインに近接さ
せることにより、このスタブを、発振用半導体素子に対
して上述のストリップラインと同じ側に延びるように形
成することができる。
そのため、発振用半導体素子を介して、ストリップライ
ンとは反対側にスタブが延びるために必要としていた誘
電体基板の領域は切り捨てることができ、結果として、
マイクロ波発振器の小型化を図ることができる。
ンとは反対側にスタブが延びるために必要としていた誘
電体基板の領域は切り捨てることができ、結果として、
マイクロ波発振器の小型化を図ることができる。
また、１ｌｔ１１体共撮器と結合しているストリップラ
インにスタブが近接することにより、このスタブをもス
トリップラインと磁気的に結合させることが可能となり
、発振出力の増加も期待することができる。
インにスタブが近接することにより、このスタブをもス
トリップラインと磁気的に結合させることが可能となり
、発振出力の増加も期待することができる。
実施例
第１図は、この発明の一実施例の回路構成を示していて
、第３図と同様の図法により描かれている。第１図に示
したマイクロ波発振器は、第３図と比較すれば明らかな
ように、第３図と同じ形式の帯域反射型のマイクロ波発
振器であり、共通する！素には、同様の参照番号が付さ
れている。
、第３図と同様の図法により描かれている。第１図に示
したマイクロ波発振器は、第３図と比較すれば明らかな
ように、第３図と同じ形式の帯域反射型のマイクロ波発
振器であり、共通する！素には、同様の参照番号が付さ
れている。
第１図のマイクロ波発振器は、その１／４波長開放端ス
タブ６が折曲げられて、その一部がストリップライン２
と並行する位置までストリップライン２に近接して形成
されている。
タブ６が折曲げられて、その一部がストリップライン２
と並行する位置までストリップライン２に近接して形成
されている。
第２図は、第４図と同様、第１図の発振用トランジスタ
１付近の構成をパターンで置き換えて示したものである
。この図かられかるように、スタブ６は、発振用トラン
ジスタ１のコレクタ端子９と直交するように形成され、
途中で、直角に折曲げられ、ストリップライン２に近接
する方向に導かれる。このスタブ６が、ストリップライ
ン２と並行する部分の間隔は、０．４１１１１程度とさ
れる。
１付近の構成をパターンで置き換えて示したものである
。この図かられかるように、スタブ６は、発振用トラン
ジスタ１のコレクタ端子９と直交するように形成され、
途中で、直角に折曲げられ、ストリップライン２に近接
する方向に導かれる。このスタブ６が、ストリップライ
ン２と並行する部分の間隔は、０．４１１１１程度とさ
れる。
また、スタブ６がストリップライン２と並行している部
分の距離ｔは、スタブ６とストリップライン２との磁気
的な結合の度合を変えるファクタとなるもので、この距
１ｔを変えることにより、マイクロ波発振器の出力レベ
ルを変えることができる。すなわち、この距離℃を長く
すると、スタブ６とストリップライン２との結合度が増
し、発振出力は増加する。但し、発振用トランジスタ１
のコレクタ端子９は、高周波的に接地する必要があるた
め、スタブ６の長さは１／４波長間放端とならなければ
ならない。したがって、スタブ６とストリップライン２
とが並行している距ｗｉ１は、自ずと最大寸法が決定さ
れることになる。
分の距離ｔは、スタブ６とストリップライン２との磁気
的な結合の度合を変えるファクタとなるもので、この距
１ｔを変えることにより、マイクロ波発振器の出力レベ
ルを変えることができる。すなわち、この距離℃を長く
すると、スタブ６とストリップライン２との結合度が増
し、発振出力は増加する。但し、発振用トランジスタ１
のコレクタ端子９は、高周波的に接地する必要があるた
め、スタブ６の長さは１／４波長間放端とならなければ
ならない。したがって、スタブ６とストリップライン２
とが並行している距ｗｉ１は、自ずと最大寸法が決定さ
れることになる。
たとえば、発振周波数５ＧＨｚ 、誘電体基板材質ａｒ
＝９．６、基板厚み１１１１ＩＩｌの場合、スタブ６
の特性インピーダンスを５０Ωとすれば、その幅は１１
となり、また、１波長の長さは約２４ＩＩｌｌとなる。
＝９．６、基板厚み１１１１ＩＩｌの場合、スタブ６
の特性インピーダンスを５０Ωとすれば、その幅は１１
となり、また、１波長の長さは約２４ＩＩｌｌとなる。
したがって、１／４波長は約６１１Ｉｍ程度になる。今
、発振用トランジスタ１の外形寸法を３ｍ１（直径）と
すれば、ストリップライン２とスタブ６とが並行する距
離ｔは、１．５ｍｍ程度が最大寸法となる。
、発振用トランジスタ１の外形寸法を３ｍ１（直径）と
すれば、ストリップライン２とスタブ６とが並行する距
離ｔは、１．５ｍｍ程度が最大寸法となる。
第２図に示した実施例に基づき、上述の距１１ｔの変化
による発振出力の変化を調べる実験を行なったところ次
のような結果が得られた。
による発振出力の変化を調べる実験を行なったところ次
のような結果が得られた。
Ｌ＝Ｏｍｍ１発振出力は十〇 ｄＢ
ｔ ＝０．５ｍｍテ発掘出力は＋２ ｄＢｔ＝１゜５
ｎ＋ｍで発振出力は＋６ ｄＢすなわち、距離ｔを０〜
１．５ｍｍの範囲で変化させることにより、６ ｄＢの
出力変化が得られた。
ｎ＋ｍで発振出力は＋６ ｄＢすなわち、距離ｔを０〜
１．５ｍｍの範囲で変化させることにより、６ ｄＢの
出力変化が得られた。
なお、第２図に示づような発振用トランジスタ１の端子
配列のように、ベース端子８とコレクタ端子９とが対向
している場合、この発明を適用すると、スタブ６のパタ
ーンを折曲げることになり、パターンの集積度が向上し
、このことも、マイクロ波発振器の小型化に寄与するこ
とになる。
配列のように、ベース端子８とコレクタ端子９とが対向
している場合、この発明を適用すると、スタブ６のパタ
ーンを折曲げることになり、パターンの集積度が向上し
、このことも、マイクロ波発振器の小型化に寄与するこ
とになる。
１／４波長開放端スタブ６がストリップライン２に近接
するように延びる態様は、用いられる発振用半導体素子
の端子配列によって任意に変更され得る。たとえば、第
２図に示す発振用トランジスタ１のエミッタ端子１ｏの
位置にコレクタ端子が設けられている場合には、第２図
に想像線で示すように、１／４波長開放端スタブ６ａを
形成することにより、ストリップライン２に近接させる
ことができる また、１／４波長間放端スタブ６または６ａがストリッ
プライン２と並行する部分において、スタブは、必ずし
もストリップライン２に対して幾何学的に平行でなくて
もよい。
するように延びる態様は、用いられる発振用半導体素子
の端子配列によって任意に変更され得る。たとえば、第
２図に示す発振用トランジスタ１のエミッタ端子１ｏの
位置にコレクタ端子が設けられている場合には、第２図
に想像線で示すように、１／４波長開放端スタブ６ａを
形成することにより、ストリップライン２に近接させる
ことができる また、１／４波長間放端スタブ６または６ａがストリッ
プライン２と並行する部分において、スタブは、必ずし
もストリップライン２に対して幾何学的に平行でなくて
もよい。
また、この発明の実施例を、帯域反射型のマイクロ波発
振器について説明したが、その他、たとえば帯域阻止型
、反射型、帰還型等のマイクロ波発振器に対しても、こ
の発明を等しく適用することができる。
振器について説明したが、その他、たとえば帯域阻止型
、反射型、帰還型等のマイクロ波発振器に対しても、こ
の発明を等しく適用することができる。
また、発振用半導体素子としては、前述したバイポーラ
トランジスタのほか、たとえば１周知のようにＧａ Ａ
ｓ −ＦＥＴを用いることもできる。
トランジスタのほか、たとえば１周知のようにＧａ Ａ
ｓ −ＦＥＴを用いることもできる。
第１図は、この発明の一実施例となる帯域反射型のマイ
クロ波発振器の回路構成を示す。第２図は、第１図に示
した発条用トランジスタ１、ストリップライン２および
１／４波長関放端スタブ６をパターンで置き換えて示し
た拡大図である。第３図は、従来の帯域反射型のマイク
ロ波発振器の回路構成を示寸。第４図は、第３図に示し
た発振用トランジスタ１、ストリップライン２および１
／４波艮開放端スタブ６をパターンで置き換えて示した
拡大図である。 図において、１は発撮用トランジスタ、２はストリップ
ライン、５は誘電体共振器、６，６ａは１／４波長間放
端スタブ、９はコレクタ端子である。 （ほか２６ン 第３図 第１図 第４図 第２図
クロ波発振器の回路構成を示す。第２図は、第１図に示
した発条用トランジスタ１、ストリップライン２および
１／４波長関放端スタブ６をパターンで置き換えて示し
た拡大図である。第３図は、従来の帯域反射型のマイク
ロ波発振器の回路構成を示寸。第４図は、第３図に示し
た発振用トランジスタ１、ストリップライン２および１
／４波艮開放端スタブ６をパターンで置き換えて示した
拡大図である。 図において、１は発撮用トランジスタ、２はストリップ
ライン、５は誘電体共振器、６，６ａは１／４波長間放
端スタブ、９はコレクタ端子である。 （ほか２６ン 第３図 第１図 第４図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 誘電体共振器と、発振用半導体素子と、誘電体共振器
に磁気的に結合しているストリップラインと、発振用半
導体素子の所定の端子に接続される１／４波長開放端ス
タブとを備えるマイクロ波発振器において、 前記ストリップラインに前記１／４波長開放端スタブが
近接して形成されたことを特徴とする、マイクロ波発振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4689985A JPS61205009A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4689985A JPS61205009A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205009A true JPS61205009A (ja) | 1986-09-11 |
Family
ID=12760212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4689985A Pending JPS61205009A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259332B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-07-10 | Nec Corporation | Microwave oscillator for obtaining the low phase noise characteristic |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035807A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | オシレ−タの負荷特性の向上方法 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4689985A patent/JPS61205009A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035807A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | オシレ−タの負荷特性の向上方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259332B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-07-10 | Nec Corporation | Microwave oscillator for obtaining the low phase noise characteristic |
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