JPS6120059B2 - - Google Patents
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- JPS6120059B2 JPS6120059B2 JP5920078A JP5920078A JPS6120059B2 JP S6120059 B2 JPS6120059 B2 JP S6120059B2 JP 5920078 A JP5920078 A JP 5920078A JP 5920078 A JP5920078 A JP 5920078A JP S6120059 B2 JPS6120059 B2 JP S6120059B2
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- signal recording
- recording medium
- silicon
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- Expired
Links
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光学方式ビデオデイスク等に用いる
信号記録媒体の改良と、その改良した信号記録媒
体を用いたビデオ信号等の記録方法に関するもの
である。
信号記録媒体の改良と、その改良した信号記録媒
体を用いたビデオ信号等の記録方法に関するもの
である。
従来、光学方式ビデオデイスク等に用いられる
信号記録媒体は、例えば、第１図Ａに示すよう
に、基板１の上に金属膜２およびレジスト３を塗
布して形成されている。このような信号記録媒体
にビデオ情報を記録する方法としては、ホトレジ
ストを使用する方法やヒート・モード法等が知ら
れている。
信号記録媒体は、例えば、第１図Ａに示すよう
に、基板１の上に金属膜２およびレジスト３を塗
布して形成されている。このような信号記録媒体
にビデオ情報を記録する方法としては、ホトレジ
ストを使用する方法やヒート・モード法等が知ら
れている。
上述の信号記録方法において、ホトレジストを
使用する方法は、第１図Ｂに示すように基板１に
塗布したレジストに対し、例えば記録する信号に
よつて変調した光または電子ビームを照射して露
光し、現像、エツチング（または金属メツキ）工
程を経て第１図Ｃに示すような信号を記録した原
盤を作成していた。また、ヒート・モード法は、
基板１に蒸着（またはスパツタ）された金属薄膜
へ、記録する信号によつて変調されたレーザビー
ムにより、溶融または蒸発せしめ、ビデオ情報を
記録し、既知の方法により読み出し光の1/4波長
の深さのピツトを作成していた。
使用する方法は、第１図Ｂに示すように基板１に
塗布したレジストに対し、例えば記録する信号に
よつて変調した光または電子ビームを照射して露
光し、現像、エツチング（または金属メツキ）工
程を経て第１図Ｃに示すような信号を記録した原
盤を作成していた。また、ヒート・モード法は、
基板１に蒸着（またはスパツタ）された金属薄膜
へ、記録する信号によつて変調されたレーザビー
ムにより、溶融または蒸発せしめ、ビデオ情報を
記録し、既知の方法により読み出し光の1/4波長
の深さのピツトを作成していた。
しかし、これらの従来の方法は次のような欠点
や問題点がある。すなわち、ホトレジストを使用
する方法の場合は、１μ程度の解像度を持つよう
に基板全面（例えばLPレコードの大きさ300φ）
に均一に塗布することは技術的には可能であるが
多くの困難さがあり、また塵埃の影響が大きく、
従つて、クリーン・ルーム等の大きな設備を必要
とする。更に、ヒート・モード法の場合は、溶
融、蒸発した金属がピツトの周辺に盛り上がりや
付着を生じ、記録した情報の読み出しの際にノイ
ズの原因の一つとなる。更に、ピツト周辺の盛り
上りや付着を少なくするために金属膜を薄くすれ
ば、読み出し光の1/4波長の深さにするために、
レジストを使用したりして多くの工程を必要とす
る欠点がある。
や問題点がある。すなわち、ホトレジストを使用
する方法の場合は、１μ程度の解像度を持つよう
に基板全面（例えばLPレコードの大きさ300φ）
に均一に塗布することは技術的には可能であるが
多くの困難さがあり、また塵埃の影響が大きく、
従つて、クリーン・ルーム等の大きな設備を必要
とする。更に、ヒート・モード法の場合は、溶
融、蒸発した金属がピツトの周辺に盛り上がりや
付着を生じ、記録した情報の読み出しの際にノイ
ズの原因の一つとなる。更に、ピツト周辺の盛り
上りや付着を少なくするために金属膜を薄くすれ
ば、読み出し光の1/4波長の深さにするために、
レジストを使用したりして多くの工程を必要とす
る欠点がある。
この発明は、上述したような従来技術の欠点、
問題点を除去した光学方式ビデオデイスク等に用
いる信号記録媒体およびその記録媒体を用いたビ
デオ信号等の記録方法を提供することを目的とす
るものである。
問題点を除去した光学方式ビデオデイスク等に用
いる信号記録媒体およびその記録媒体を用いたビ
デオ信号等の記録方法を提供することを目的とす
るものである。
以下図面に基づき、この発明に係る信号記録媒
体および信号記録方法の実施例を説明する。
体および信号記録方法の実施例を説明する。
第２図に示す信号記録媒体は、この発明の第一
の実施例を示す断面側面図で、基板１の表面にシ
リコン層４を設けるとともにそのシリコン層の表
面に膜厚が数百オングストロームの一酸化シリコ
ン層５を設け、このシリコン層４と一酸化シリコ
ン層５の二層構造の膜厚を情報の読み出し光の1/
４波長程度に設定して形成している。
の実施例を示す断面側面図で、基板１の表面にシ
リコン層４を設けるとともにそのシリコン層の表
面に膜厚が数百オングストロームの一酸化シリコ
ン層５を設け、このシリコン層４と一酸化シリコ
ン層５の二層構造の膜厚を情報の読み出し光の1/
４波長程度に設定して形成している。
第４図に示す信号記録媒体は、この発明の第二
の実施例を示す断面側面図で、基板１の表面に金
属膜６、シリコン層４、一酸化シリコン層５の３
層が形成され、この場合ピツトの深さのコントロ
ールは金属膜６で行なうことができる。
の実施例を示す断面側面図で、基板１の表面に金
属膜６、シリコン層４、一酸化シリコン層５の３
層が形成され、この場合ピツトの深さのコントロ
ールは金属膜６で行なうことができる。
この発明の信号記録媒体に用いた一酸化シリコ
ンは、蒸発し易い物質ではあるが、膜厚が薄く透
明なために、光の吸収が少なく、またこのような
シリコン物質の代りに他の金属を使用した場合、
金属の部分が先に溶融して一酸化シリコンと金属
とは剥離してしまうおそれがあるが、シリコン層
と一酸化シリコンの２層膜は、接着性が極めて良
く、良好な結果が得られた。更に、一酸化シリコ
ンは金属に比較して熱伝導率が小さくスポツト径
も小さくすることが可能となる特長がある。
ンは、蒸発し易い物質ではあるが、膜厚が薄く透
明なために、光の吸収が少なく、またこのような
シリコン物質の代りに他の金属を使用した場合、
金属の部分が先に溶融して一酸化シリコンと金属
とは剥離してしまうおそれがあるが、シリコン層
と一酸化シリコンの２層膜は、接着性が極めて良
く、良好な結果が得られた。更に、一酸化シリコ
ンは金属に比較して熱伝導率が小さくスポツト径
も小さくすることが可能となる特長がある。
次に第２図に示すこの発明の第一の実施例にお
いて述べた信号記録媒体を用いてビデオ情報等を
記録する場合の一例を第３図に基づき説明する。
いて述べた信号記録媒体を用いてビデオ情報等を
記録する場合の一例を第３図に基づき説明する。
まず、第３図Ａに示すシリコン層４および一酸
化シリコン層５の２層膜からなる信号記録媒体の
一酸化シリコン層５に対して第３図Ｂで示すよう
光変調器で変調されたレーザービーム８を照射し
一酸化シリコン層５を溶融、蒸発して情報の書き
込みを行なう。この場合、一酸化シリコンは蒸発
しやすい物質であるから昇華する。次に第３図Ｃ
に示すように一酸化シリコン層５が溶融、蒸発し
た部分に対応するシリコン層４を、例えば水酸化
カリウム溶液などを用いてエツチングを行なう。
この時、ピツト周辺の多少の盛り上がりや付着物
も同時に溶解される。更に、第３図Ｄで示すよう
に、エレクトロホーミング法でレプリカのとれる
例えば、ニツケル、クロムなどの金属膜７を表面
に薄く蒸着して形成し、これをマスター盤とする
ことができる。
化シリコン層５の２層膜からなる信号記録媒体の
一酸化シリコン層５に対して第３図Ｂで示すよう
光変調器で変調されたレーザービーム８を照射し
一酸化シリコン層５を溶融、蒸発して情報の書き
込みを行なう。この場合、一酸化シリコンは蒸発
しやすい物質であるから昇華する。次に第３図Ｃ
に示すように一酸化シリコン層５が溶融、蒸発し
た部分に対応するシリコン層４を、例えば水酸化
カリウム溶液などを用いてエツチングを行なう。
この時、ピツト周辺の多少の盛り上がりや付着物
も同時に溶解される。更に、第３図Ｄで示すよう
に、エレクトロホーミング法でレプリカのとれる
例えば、ニツケル、クロムなどの金属膜７を表面
に薄く蒸着して形成し、これをマスター盤とする
ことができる。
したがつて、この発明に係る記録方法によれ
ば、(1)ピツト周辺の盛り上がりや付着物を除去で
きる、(2)ピツトの深さのコンロールが容易であ
る、(3)工程が削減できる、(4)ホトレジストを使用
しないために大きな設備を必要としないという特
長がある。
ば、(1)ピツト周辺の盛り上がりや付着物を除去で
きる、(2)ピツトの深さのコンロールが容易であ
る、(3)工程が削減できる、(4)ホトレジストを使用
しないために大きな設備を必要としないという特
長がある。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは従来の光学方式ビデオデイ
スク等に用いる信号記録媒体の構造を示す断面側
面図である。第２図はこの発明に係る信号記録媒
体の第一の実施例を示す断面側面図、第３図Ａ〜
Ｄは第２図に示す信号記録媒体を用いてビデオ情
報等を記録する工程を示す断面側面図、第４図は
この発明に係る信号記録媒体の第二の実施例を示
す断面側面図である。 １…基板、４…シリコン層、５…一酸化シリコ
ン層、６…金属膜、７…金属膜。
スク等に用いる信号記録媒体の構造を示す断面側
面図である。第２図はこの発明に係る信号記録媒
体の第一の実施例を示す断面側面図、第３図Ａ〜
Ｄは第２図に示す信号記録媒体を用いてビデオ情
報等を記録する工程を示す断面側面図、第４図は
この発明に係る信号記録媒体の第二の実施例を示
す断面側面図である。 １…基板、４…シリコン層、５…一酸化シリコ
ン層、６…金属膜、７…金属膜。
Claims (1)
- １ レーザー光等の光ビームを酸化シリコン層と
シリコン層との二層膜を有する信号記録媒体に照
射して上記酸化シリコン層を蒸発せしめる過程
と、前記蒸発した酸化シリコン層に対応する位置
の上記シリコン層をエツチングする過程とからな
るこことを特徴とする信号記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5920078A JPS54151006A (en) | 1978-05-18 | 1978-05-18 | Signal recording medium and signal recording method for optical video disk or like |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5920078A JPS54151006A (en) | 1978-05-18 | 1978-05-18 | Signal recording medium and signal recording method for optical video disk or like |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209581A Division JPS61105742A (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 | 信号記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54151006A JPS54151006A (en) | 1979-11-27 |
| JPS6120059B2 true JPS6120059B2 (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=13106538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5920078A Granted JPS54151006A (en) | 1978-05-18 | 1978-05-18 | Signal recording medium and signal recording method for optical video disk or like |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54151006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312964A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH05206314A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-08-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1978
- 1978-05-18 JP JP5920078A patent/JPS54151006A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312964A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH05206314A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-08-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54151006A (en) | 1979-11-27 |
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