JPS61195335A - 薄層の定量分析方法 - Google Patents

薄層の定量分析方法

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JPS61195335A
JPS61195335A JP3718785A JP3718785A JPS61195335A JP S61195335 A JPS61195335 A JP S61195335A JP 3718785 A JP3718785 A JP 3718785A JP 3718785 A JP3718785 A JP 3718785A JP S61195335 A JPS61195335 A JP S61195335A
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JP
Japan
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sample
layer thickness
measured
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rays
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JP3718785A
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Akio Hori
彰男 堀
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/076X-ray fluorescence

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明はメッキ層のような薄層の組成及び厚さを測定す
る方法に関する。
口。従来の技術 ゛ メッキ層の組成及び厚さを測定するのに、蛍光X線分析
法を利用する方法が提案されている(特公昭56−18
668号、特公昭52−26710号、特開昭55−2
4680号等)。薄層について観測される蛍光X線の強
度は層の厚さと層面に対する蛍光X線検出角度の関数で
あると共に、励起X線の試料に対する励起効率、成分他
元素による蛍光X線の吸収、成分他元素が発する蛍光X
線による励起作用の影響を受け、励起X線の励起効率も
共存化元素の影響も薄層の元素組成が判明しておれば成
程度理論的に計算できる。上述した従来提案の方法は、
測定された各元素の蛍光X線強度から上述した理論を利
用して、多元連立方程式を作って薄層の各成分元素の組
成比、厚さを計算することを原理としている。
しかし上述した理論は種々の仮定や現実の単純化を含ん
でおり、そのため上記従来方法は精度面で不満足なもの
であった。
ハ0発明が解決しようとする問題点 本発明は蛍光X線分析による薄層の定量分析と厚さ測定
において、上述した従来方法よりも精度の高い方法を提
案する。
二0問題点解決のための手段 成分元素の組成比及び厚さの異なる多種の標準試料につ
いての層面に対し異なる角度での蛍光X線の実測データ
によって、異なる角度における蛍光X線強度の組合わせ
と、その各組合わせに対する試料の組成と層厚のデータ
のファイルを作成しておき、被測定試料に対する異なる
角度の蛍光X線の実測値の組に対応する元素の組成比及
び厚さのデータを上記ファイルから索出することによっ
て、被測定試料の定量分析値及び層厚値を得るものであ
る。
ホ、作用 2元素系によって作用を説明する。薄層を形成する2元
素を特徴とする請求めるのは一方の元素Aの濃度或は両
元素の組成比と層厚である。AB2元素の、組成比及び
厚さの異なる標準試料を用いて層面に対して或角度αで
元素Aの特性X線の強度Iαを測定し、層厚を横軸、X
線強度を縦軸にとり、組成比をパラメータとして層厚と
X線 −強度の関係カーブをプロットすると第1図イの
ようなカーブ群が得られる。所が測定したい未知量は組
成比(A元素の濃度でも同じ)と層厚の二つであるから
、第1図のような図表一つだけでは例えば1測定試料に
ついて測定されたA元素の特性X線強度値a例えば0.
5に対してへ元素の濃度は100%から0%まで、層厚
はTからTo迄となり、濃度と層厚の組合わせは無数に
あって一つに決められない。そこで別な測定角度βで標
準試料の測定を行って第1図イと同様なカーブ群を作る
と、第1図口のカーブ群が得られ、同じ被測定試料につ
いてA元素の特性X線強度値すが得られる。この二つの
グラフから次のような操作によって組成比及び層厚が求
められることが見出され、この発見が本発明の内容であ
る。こ\で横軸に測定角度αにおけるX線強度Iα、縦
軸に測定角度βにおけるX線強度■βをとり、第1図イ
2口の曲線群から、一定の組成比において層厚がxl。
x2.・・・であるときのIα、!〆を求めて■α−■
β平面上にプロットすると第1図ハにVで示すようなカ
ーブが画ける。同様の操作を組成比を変えて行うとカー
ブ群Vができる。カーブ群V上で同じ層厚xn (n=
1.2・・・)に相当する点を連ねると点線で示すカー
ブ群Wが得られる。即ちIα−■β平面に組成比と層厚
を変数とする曲線座標が構成される。つまり■α−■β
平面上の一点が第1図イ2口で表される変換手段によっ
て組成比一層厚平面上の一点に写像される。そこで二つ
の測定角度における被測定試料のA元素の特性X線強度
がIα=a、Iβ=bと得られたとき、第1図ハのカー
ブ群v、Wから直ちに組成比と層厚が決定できる。
以上説明の便宜上第1図イ1口の曲線群から第1図ハの
曲線群を再プロットしたが、実際には標準試料について
の測定結果を直接■α−■β平面にプロットして曲線群
v、Wを作ればよい。要するに二つの角度におけるX線
測定値によって曲線座標v−W上の一点が決まるのであ
る。3元素系の場合同様にして三つの角度におけるX線
測定値によって3次元曲面座標上の一点が決まる。この
曲面座標の変数は層厚と、第1元素の濃度と、第2、第
3元素の相互比率の三個である。更に多元素系に対して
も以上と同様に考え方を拡張して行くことができる。
なお第1図イ2口は鉄板上の鉄亜鉛合金メッキについて
の実測例であってA元素を亜鉛、8元素を鉄としたもの
でメッキ層の厚さは1−当たりの層重量をダラムで表し
たものでT、=50g/nrであり、測定したのはZn
Kα線であり、X線強度とはZnlOO%層厚50 g
 / ofのメッキ層のZnKα線強度を1とした相対
強度、測定角度はα=5° (第1図イ)、n=60°
 (第1図口)である。
へ、実施例 第2図は三元素系に対する実施例におけるX線分光系の
構成を示す。1はX線管、2は試料で、C1,C2は分
光結晶、DI、D2はX線検出器で、C1,Diが一つ
のX線分光器を構成し、C2,D2がもう一つのX線分
光器を構成していて、両者は共に同じ波長、例えば、試
料がFe−Zn合金メッキならZnKα線の波長に設定
してあり、試料をα、βの角度で望んでいる。
第3図は実施例におけるデータ処理回路を示す。3は制
御回路でコンピュータが用いられる。
4はデータ処理用メモリ、Mlは二つのX線強度Iα、
Iβの多数の組合わせに対応する試料の二成分元素の比
率が格納しであるファイル、M2は同じく層厚の値が格
納しであるファイル、5は求まった元素比率及び層厚を
打出すプリンタである。メモリM1.M2の内部構成は
同じで、X線強度(相対強度)Iα、!βを夫々32ラ
ンクに分け、第4図に示すようにメモリ内を32アドレ
スを一区画とし、−区画内で先頭から終端までを順次■
βの1〜32の各ランクに対応させ、このような区画を
メモリの先頭から順に■αの第1〜第32のランクに対
応させる。このようにしてIα、Iβの一つの組合わせ
に対してメモリ内の一つのアドレスが決まる。メモリM
l、M2は夫々IKバイトのメモリを用い、元素比率9
層厚とも8ビツトのデータにして記憶させである。
第5図は上述装置の動作のフローチャートである。まず
三元素の一方Aのみよりなる基準層厚の標準試料につき
、その元素の測定角α、βにおける特性X線強度■αo
、Iβ0をメモリ4に格納する(イ)。次に1測定試料
につき測定角α、βにおける元素Aの特性X線強度Iα
゛、■β°を測定メモリ4に格納する(口)。次に相対
強度■α=Ia’/Iao及びIβ=Iβ’/Iβ0を
算しくハ)、このIα、Iβに基づいてメモリMl、M
2の対応アドレスを決定(ニ)し、決定されたアドレス
によってメモリMl、M2のデータを読出しくホ)、プ
リンタ5にそのデータを送って打出す(へ)。
メモリMl、M2に格納しであるデータは、色々な組成
比2層厚の標準試料について実測により求めたIα、I
βとそれに対応する組成比と層厚の値から補間法によっ
て■α、Iβの各32ランクの値に対応する組成比2層
厚を計算し、その結果をMl、M2に格納するのである
。この補間計算の方法は任意で筆算で行ってもよいが労
力が大変である。層厚=w < rα、Iβ)及び組成
比=V(Iα、■β)の関数形を夫々Iα、■βの2係 次式とし各6個の計数を最小自乗法で決める演算をコン
ピュータで実行すればよい。このためには最低7種の標
準試料が必要である。このようにして決定されたV(I
α、Iβ)およびW(Iα。
■β)に32ランクのIα、lβの値を入れて組成比及
び層厚を算出し、メモリM1.M2に格納して行くであ
る。なお前述実施例で用いたファイルMl、M2を用い
ず、上のようにして決定された関数W(Iα、Iβ)、
V(1(Z、Iβ)を用いて、Iα、■βから直接層厚
及び組成比を算出するようプログラムを構成してもよい
ことは言うまでもない。
ト、効果 本発明は上述したような内容で、単一成分の濃度を測定
するような一変数問題のとき用いられる検量線法を多変
数問題に拡張したものであり、従来の理論計算による方
法が理論に仮定と対象の単純化が含まれているため現実
と良く合わず精度が得られなかったのと異なり、方法の
中に仮定も単純化も含まれず実測データのみに立脚して
いるので、精度が良く、検量線に相当する■α、Iβと
層厚2組成比の関係データがもとまれば、後の試料測定
結果が出力される迄の動作はきわめて簡単であり、短時
間で結果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図イ1口、ハは本発明の成立理由を説明する三つ−
と組のグラフ、第2図は本発明の一実施例装置のX線光
学系部分の側面略図、第3図は同実施例のデータ処理回
路のブロック図、第4図はメモリM1.M2の内部構成
を示す図、第5図は上記装置の動作のフローチャートで
ある。 第1図 (イ)                  (ロ)(
ハ) 第2図 第3因

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. X線等の励起線で試料を励起し、試料から発せられる特
    性X線を測定する分析法であって、層厚及び成分元素の
    組成比の異なる多種の標準試料について、試料面に対し
    て異なる複数の角度において特性X線の強度を測定し、
    補間演算によって、複数の測定角度における特性X線の
    強度の多数の組合わせに対応する層厚値及び元素組成比
    を算出して、このデータを複数の測定角度における特性
    X線強度をデータ索出の引数としてメモリに格納し、被
    測定試料の上記複数の測定角度における特性X線の強度
    を測定し、その測定値を索出引数として上記メモリ内の
    データを読出し、その試料の層厚及び成分元素の濃度と
    する薄層の定量分析法。
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