JPS61194887A - Semiconductor laser - Google Patents
Semiconductor laserInfo
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- JPS61194887A JPS61194887A JP3465285A JP3465285A JPS61194887A JP S61194887 A JPS61194887 A JP S61194887A JP 3465285 A JP3465285 A JP 3465285A JP 3465285 A JP3465285 A JP 3465285A JP S61194887 A JPS61194887 A JP S61194887A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、鉛錫テルル系の半導体レーザに於いて、活性
層とトップ層との界面に電流注入溝を有する絶縁膜を介
挿し、前記トップ層上の全面に密着して負側電極を形成
することに依り、負側電極を絶縁膜上に形成した場合の
ような欠点、即ち、剥離し易い旨の問題を解消したもの
である。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention provides a lead-tin-tellurium semiconductor laser in which an insulating film having a current injection groove is inserted at the interface between an active layer and a top layer, and By forming the negative electrode in close contact with the entire surface, the disadvantage of forming the negative electrode on an insulating film, that is, the problem of easy peeling, is overcome.
本発明は、ダブル・ヘテロ構造（ｄｏｕｂｌｅｈｅｔｅ
ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：ＤＨ）を有する鉛（Ｐｂ）錫
（Ｓｎ）テルル（Ｔｅ）系半導体レーザの改良に関する
。The present invention is directed to a double heterostructure.
The present invention relates to an improvement of a lead (Pb), tin (Sn), and tellurium (Te) based semiconductor laser having a structure: DH.
第２図は従来のＰｂ５ｎＴｅ系半導体レーザの要部切断
側面図である。FIG. 2 is a cross-sectional side view of a main part of a conventional Pb5nTe semiconductor laser.
図に於いて、１１はｐ型ＰｂＴｅ基板、１２はＰ ｂ
ｌ−Ｘ Ｓ ｎ ｗ Ｔ ｅ活性層、１３はＰ ｂ Ｓ
ｎＴｅクラッド層、１４は陽極酸化に依る絶縁膜、１
５は金（Ａｕ）からなる負側電極、１６はＡｕからなる
正側電極をそれぞれ示している。尚、クラッド層１３は
Ｐ ｂ Ｓ ｎ Ｔ ｅの外にＰ ｂ Ｔ ｅ或いはＰ
ｂＴｅセレン（Ｓｅ）に代替することが、できる。In the figure, 11 is a p-type PbTe substrate, 12 is a PbTe substrate, and 12 is a PbTe substrate.
l-X S n w T e active layer, 13 is P b S
nTe cladding layer; 14 is an insulating film formed by anodic oxidation; 1
Reference numeral 5 indicates a negative electrode made of gold (Au), and reference numeral 16 indicates a positive electrode made of Au. Incidentally, the cladding layer 13 is made of P b T e or P in addition to P b S n T e.
bTe can be replaced by selenium (Se).
図から明らかなように、この半導体レーザではメサ・ス
トライプ構造を採ることに依り活性領域に電流が集中さ
れるようにしてあり、また、負側電極１５は絶縁膜１４
の表面を含む全面に形成されている。As is clear from the figure, this semiconductor laser has a mesa-stripe structure so that current is concentrated in the active region, and the negative electrode 15 is connected to the insulating film 14.
It is formed on the entire surface including the surface.
第２図に見られる半導体レーザに於ける負側電極１５は
、通常、Ａｕを材料としているが、陽極酸化で生成され
た絶縁膜１４に対しては密着性が悪い為、レーザ光を発
生するストライプ部分の幅を狭くすると、容易に剥がれ
てしまう欠点を有している。The negative electrode 15 in the semiconductor laser shown in FIG. 2 is usually made of Au, but it has poor adhesion to the insulating film 14 produced by anodic oxidation, so it generates laser light. If the width of the striped portion is narrowed, it has the disadvantage that it easily peels off.
本発明一実施例を製造する場合について解説する為の図
である第１図を借りて説明すると、本発明の鉛錫テルル
系の半導体レーザでは、活性層３とトップ層５との間に
電流注入溝４Ａを有する絶縁膜４が介挿され、前記トッ
プ層５上には負側電極７が密着して形成されている。To explain with reference to FIG. 1, which is a diagram for explaining the case of manufacturing one embodiment of the present invention, in the lead-tin-tellurium semiconductor laser of the present invention, a current is generated between the active layer 3 and the top layer 5. An insulating film 4 having an injection groove 4A is interposed, and a negative electrode 7 is formed on the top layer 5 in close contact with it.
第２図に見られる従来の鉛錫テルル系半導体レーザでは
、陽極酸化で形成された絶縁膜１４に対してＡｕを材料
とする負側電極１５の密着性が頗る悪かったが、本発明
に於ける前記手段では、例えばｎ型鉛錫テルル結晶その
ものであるトップ層５上に、例えばＡｕからなる負側電
極７を形成しであるので、その密着性は極めて良好であ
り、剥離するなどの虞は皆無である。In the conventional lead-tin-tellurium semiconductor laser shown in FIG. 2, the adhesion of the negative electrode 15 made of Au to the insulating film 14 formed by anodic oxidation was extremely poor. In this method, the negative electrode 7 made of, for example, Au is formed on the top layer 5, which is, for example, an n-type lead-tin-tellurium crystal itself, so its adhesion is extremely good, and there is no risk of peeling. There are none.
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明一実施例を製造する場
合を解説する為の工程要所に於ける半導体レーザの要部
切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明
する。Figures 1 (A) to (D) are cross-sectional side views of essential parts of a semiconductor laser at key points in the process for explaining the case of manufacturing an embodiment of the present invention, and these figures are referred to below. I will explain as I go along.
第１図（Ａ）参照
（ａ） ホット・ウオール・エピタキシャル（ｈｏｔ
ｗａｌＬ ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＷＥ）法を適用するこ
とに依り、ｐ型ＰｂＴｅ基板１上にｐ型ＰｂＴｅバッフ
ァ層２、Ｐｂｌ−Ｘ５ｎＸＴｅ活性層３を成長させる。See Figure 1 (A) (a) Hot wall epitaxial (hot
By applying the walL epitaxy (HWE) method, a p-type PbTe buffer layer 2 and a Pbl-X5nXTe active layer 3 are grown on a p-type PbTe substrate 1.
このときの各層のデータは次の通りである。The data for each layer at this time is as follows.
（１）ｐ型ＰｂＴｅバッファ層２
厚さ：約５〔μｍ〕程度
不純物濃度： Ｉ Ｘ １０Ｉ８（ｃｍ−’）不純物：
Ｔｅ
ｆ２） Ｐｂｌ−ｘ Ｓｎｘ Ｔｅ活性層３厚さ：約
２〔μｍ〕
Ｘ値：０．０２乃至０．３
尚、バッファ層２の材料としてはＰｂＴｅに限定される
ことはなく、例えばＰｂ１−ＸＳｎえＴｅ或いはＰｂ、
−、ＴｅｙＳｅに代替しても良いことは勿論である。(1) P-type PbTe buffer layer 2 Thickness: Approximately 5 [μm] Impurity concentration: I x 10I8 (cm-') Impurity:
Te f2) Pbl-x Snx Te active layer 3 thickness: approximately 2 [μm] X value: 0.02 to 0.3 Note that the material for the buffer layer 2 is not limited to PbTe; XSneTe or Pb,
-, TeySe may of course be substituted.
第１図（Ｂ）参照
（ｂ） ストライプ部分を画成する為の適当なマスク
（図示せず）を形成してから陽極酸化法を適用すること
に依り、絶縁膜４を厚さ約０．２〔μｍ〕程度に形成す
る。Refer to FIG. 1(B) (b) After forming a suitable mask (not shown) for defining the stripe portion, the insulating film 4 is formed to a thickness of about 0.0 mm by applying an anodic oxidation method. It is formed to a thickness of about 2 [μm].
（Ｃ） マスクを除去すると絶縁膜４に形成された電
流注入溝４Ａが現れる。(C) When the mask is removed, the current injection groove 4A formed in the insulating film 4 is exposed.
第１図（Ｃ）参照
（ｄ） 再度、ＨＷＥ法を適用することに依り、ｎ型
Ｐｂ５ｎＴｅ ）ツブ層５を成長させる。Refer to FIG. 1(C) (d) By applying the HWE method again, the n-type Pb5nTe) bulge layer 5 is grown.
ここで成長させたｎ型Ｐｂ５ｎＴｅ ）ツブ層５に関す
るデータは次の通りである。The data regarding the n-type Pb5nTe) tube layer 5 grown here are as follows.
厚さ：２ 〔μｍ〕
不純物濃度： ｌ Ｘ Ｉ Ｑ１０（ｃｍ−”）不純物
二Ｂｉ
尚、このトップ層５の材料もＰｂ５ｎＴｅの外にＰ ｂ
Ｔ ｅ−￥）ＰｂＴｅＳｅを用いることができる。Thickness: 2 [μm] Impurity concentration: I
Te-\)PbTeSe can be used.
第１図（Ｄ）参照
（ｅ）蒸着法、スパッタリング法など適宜の技法を適用
することに依り、Ａｕ膜をｐ型ＰｂＴｅ基板、ｌの裏面
及びｎ型Ｐｂ５ｎＴｅ トップ層５の表面に形成して正
側電極６及び負側電極７とする。See FIG. 1(D). (e) By applying an appropriate technique such as vapor deposition or sputtering, an Au film is formed on the back surface of the p-type PbTe substrate, l, and the surface of the n-type Pb5nTe top layer 5. A positive side electrode 6 and a negative side electrode 7 are used.
この負側電極７は、第２図に関して説明した従来技術に
依る半導体レーザとは異なり、純然たる結晶である例え
ばｎ型Ｐｂ５ｎＴｅトップ層５上に形成されるので、そ
の密着性は極めて良好であり、剥離する１尺は皆無であ
る。Unlike the conventional semiconductor laser described with reference to FIG. 2, this negative electrode 7 is formed on a pure crystal, for example, n-type Pb5nTe top layer 5, so its adhesion is extremely good. , there is no single inch of peeling.
（ｆ） この後、通常のように、襞間に依り素子分離
してからマウントするなどして完成する。(f) After this, as usual, the elements are separated between the folds and then mounted to complete the process.
本発明に依るＰｂ５ｎＴｅ系の半導体レーザでは、活性
層とトップ層、との界面に介挿され電流注入溝を有する
絶縁膜と、前記トップ層上に密着して形成された電極と
を備えた構成になっている。The Pb5nTe semiconductor laser according to the present invention has a structure including an insulating film interposed at the interface between an active layer and a top layer and having a current injection groove, and an electrode formed in close contact with the top layer. It has become.
従って、−電極は結晶で構成されているトップ層上の全
面に形成されているので、その密着性は極めて良好であ
り、従来のように絶縁膜上に形成した場合のように剥離
を生ずるようなことはなく、また、本発明を実施する際
には何等の特殊技術も必要としない。Therefore, since the - electrode is formed on the entire surface of the top layer made of crystal, its adhesion is extremely good, and it does not peel off like when it is formed on an insulating film as in the past. No special techniques are required to implement the invention.
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明一実施例を製造する場
合について説明するのに必要な工程要所に於ける半導体
レーザの要部切断側面図、第２図は従来技術に依る半導
体レーザの要部切断側面図をそれぞれ表している。
図に於いて、１はｐ型ＰｂＴｅ基板、２はｐ型ＰｂＴｅ
バッファ層、３はＰｂ＋−ｘ Ｓｎｘ Ｔｅ活性層、４
は陽極酸化で形成した絶縁膜、４Ａは電流注入溝、５は
ｎ型Ｐｂ５ｎＴｅ）ツブ層、６は正側電極、７は負側電
極をそれぞれ示している。
特許出願人 冨士通株式会社
代理人弁理士 相 谷 昭 司
代理人弁理士 渡 邊 弘 −
（Ａ）
（Ｂ）
第１図
第１図
第１図1A to 1D are cross-sectional side views of essential parts of a semiconductor laser at important steps necessary to explain the manufacturing of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional side view of a semiconductor laser according to the prior art 2A and 2B each represent a cutaway side view of a main part of a semiconductor laser. In the figure, 1 is a p-type PbTe substrate, 2 is a p-type PbTe substrate
Buffer layer, 3 is Pb+-x Snx Te active layer, 4
4A is an insulating film formed by anodic oxidation, 4A is a current injection groove, 5 is an n-type (Pb5nTe) tube layer, 6 is a positive electrode, and 7 is a negative electrode. Patent Applicant: Fujitsu Co., Ltd. Representative Patent Attorney: Akira Aitani Representative Patent Attorney: Hiroshi Watanabe - (A) (B) Figure 1 Figure 1 Figure 1
Claims (1)
る絶縁膜と、前記トップ層上に密着して形成された電極
とを備えてなることを特徴とする鉛錫テルル系の半導体
レーザ。A lead-tin-tellurium semiconductor laser comprising: an insulating film interposed at the interface between an active layer and a top layer and having a current injection groove; and an electrode formed in close contact with the top layer. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3465285A JPS61194887A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3465285A JPS61194887A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194887A true JPS61194887A (en) | 1986-08-29 |
Family
ID=12420370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3465285A Pending JPS61194887A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194887A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4943971A (en) * | 1989-02-24 | 1990-07-24 | Spectra-Physics, Inc. | Low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays |
| US5119388A (en) * | 1989-02-24 | 1992-06-02 | Laser Photonics, Inc. | Low tuning rate PbTe/PbEuSeTe buried quantum well tunable diode lasers and arrays |
| JP2005142463A (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Sony Corp | Semiconductor light-emitting element and its manufacturing method |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP3465285A patent/JPS61194887A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4943971A (en) * | 1989-02-24 | 1990-07-24 | Spectra-Physics, Inc. | Low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays |
| US5119388A (en) * | 1989-02-24 | 1992-06-02 | Laser Photonics, Inc. | Low tuning rate PbTe/PbEuSeTe buried quantum well tunable diode lasers and arrays |
| JP2005142463A (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Sony Corp | Semiconductor light-emitting element and its manufacturing method |
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