JPS61194831A - Pattern forming method - Google Patents
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- JPS61194831A JPS61194831A JP3569285A JP3569285A JPS61194831A JP S61194831 A JPS61194831 A JP S61194831A JP 3569285 A JP3569285 A JP 3569285A JP 3569285 A JP3569285 A JP 3569285A JP S61194831 A JPS61194831 A JP S61194831A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路・臂タンなど微細で高密度なパタンを
高精度に形成する方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for forming fine, high-density patterns such as integrated circuits and arm tongues with high precision.
半導体集積回路などの一９タン形成は、半導体基板に光
、 Ｘｌ１ｌ、電子＋１ｇ！あるいはイオンビームなど
の高エネルギー線に感応するレジストを塗布し、これに
上記高エネルギー線を照射し、現像をおこなうことによ
って行なわれている。19Tan formation of semiconductor integrated circuits, etc. requires light, Xl1l, electrons +1g! on the semiconductor substrate! Alternatively, this is accomplished by applying a resist sensitive to high-energy rays such as ion beams, irradiating the resist with the high-energy rays, and performing development.
７９ンタンが微細化すると、光露光では回折現象や定在
波などにより、形成される・ぐ夕／の解像性が低下する
。それ故、電子線やＸ線などの高エネルギー線が有利と
なるが、これら高エネルギー線を用いた場合でも、後方
散乱現象あるいは二次電子の発生などにより解像性が低
下する。When the 79-n tanium becomes finer, the resolution of the formed particles decreases due to diffraction phenomena, standing waves, etc. during light exposure. Therefore, high-energy rays such as electron beams and X-rays are advantageous, but even when these high-energy rays are used, resolution deteriorates due to backscattering phenomena or the generation of secondary electrons.
上記問題点を解決した・臂タン形成方法を本発明者らは
、特願昭５９−７４６９０号として出願した。第１図（
、）〜（、）にこの方法を示す。すなわち、・母タンを
形成する場合、基板３に塗布されたレジスト（感応材料
）２に光、電子線、Ｘ線またはイオンビームなどの高エ
ネルギー線１を照射し、現像工程を通して該レノスト表
層に凹パタンを形成する。（第１図（ａ） ｅ （ｂ）
）該試料にレノスト２とエツチング選択比がとれる材
料、例えばシリコーン樹脂（付着材料）４を塗布し凹パ
タン部を平坦化する（第１図（Ｃ））。該シリコーン樹
脂を均一にエツチングして凹・母タン部にシリコーン樹
脂を残し、これをマスクにして０２ｊスによる反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ）によりレジストを除去する（
第１図（ｄ） ｊ （ｅ） ）。これにより、シリコー
ン樹脂の下にあるレジストは残シ、それ以外のレジスト
は除去されるため。The present inventors have filed an application for a method for forming an armpit tongue that solves the above problems as Japanese Patent Application No. 74690/1983. Figure 1 (
, ) to (,) illustrate this method. That is, when forming mother tongue, high-energy beam 1 such as light, electron beam, Form a concave pattern. (Figure 1 (a) e (b)
) A material having an etching selectivity with Renost 2, such as silicone resin (adhering material) 4, is applied to the sample to flatten the concave pattern (FIG. 1(C)). The silicone resin is uniformly etched to leave the silicone resin in the concave and mother tongue portions, and using this as a mask, the resist is removed by reactive ion etching (RIE) using 02J gas (
Figure 1(d)j(e)). As a result, the resist under the silicone resin remains, and the rest of the resist is removed.
基板上にレノストパタンが形成される。かかる工程で最
も重要となるのは、平坦化されたシリコーン樹脂をエツ
チングしてマスクを形成する工程にある。レノスト表層
に形成された凹パタンは、高エネルギー線のプロファイ
ルを反映しておシ、一般にテーノ平状あるいはサインカ
ーブ状になっている。したがって、シリコーン樹脂のエ
ツチングを停止する深さによってパタン寸法が広がった
）狭まったシするため、エツチングの終点判定を高精度
に行う必要がある。A Renost pattern is formed on the substrate. The most important step in these steps is the step of etching the planarized silicone resin to form a mask. The concave pattern formed on the surface layer of Renost reflects the profile of high-energy rays and is generally in the shape of a tenon or sine curve. Therefore, the end point of etching must be determined with high accuracy because the pattern size becomes wider (or narrower) depending on the depth at which etching of the silicone resin is stopped.
上記特願昭５９−７４６９０号の方法において、シリコ
ーン樹脂のエツチングはシリコーン樹脂の塗布膜厚とエ
ッチレートから算出されるエツチング時間によ）終点判
定をしていた。エッチレートは、ガス圧の変化や基板温
度の変化などにより変化するため、これらを高精度に制
御するのは困難であった。ＣＦ４ガスを用いてシリコー
ン樹脂をエツチングする場合、エッチレートの変化は、
約１０％にもなることがわかった。シリコーン樹脂の塗
布膜厚を２μｍとした場合同一エツチング時間で０．２
μｍのエツチング誤差が生じる。これは、パタン寸法誤
差に換算すると０．１〜０．１５μｍもの誤差となる。In the method disclosed in Japanese Patent Application No. 59-74690, the end point of silicone resin etching is determined based on the etching time calculated from the silicone resin coating thickness and etch rate. Since the etch rate changes due to changes in gas pressure, changes in substrate temperature, etc., it has been difficult to control these with high precision. When etching silicone resin using CF4 gas, the change in etch rate is as follows:
It was found that it was about 10%. When the coating thickness of silicone resin is 2μm, the etching time is 0.2μm.
An etching error of μm occurs. This becomes an error of 0.1 to 0.15 μm when converted into a pattern dimensional error.
このように上記パタン形成法は、マスク形成工程におけ
るマスク材のエツチング精度が・母タン寸法精度に直接
反映されるため、マスク材のエッチレートから算出した
エツチング時間による制御では不十分であった。As described above, in the pattern forming method described above, since the etching accuracy of the mask material in the mask forming process is directly reflected in the dimensional accuracy of the mother tongue, control using the etching time calculated from the etch rate of the mask material was insufficient.
本発明はこれらの欠点を解決するため、レノストとマス
ク材料の界面を検出する方法を与えるもので、その目的
は、マスク材のエツチングの終点判定を高精度に行うこ
とにより・チタン形成精度を向上させることにある。In order to solve these drawbacks, the present invention provides a method for detecting the interface between lenost and mask material.The purpose of this invention is to improve the accuracy of titanium formation by determining the end point of etching of mask material with high precision. It's about letting people know.
この発明によれば、上記問題点は、付着材料と感応材料
との界面を検出し、この検出に基づいて付着材料のエツ
チング終点を判定することＫよって解決される。According to the invention, the above problem is solved by detecting the interface between the deposited material and the sensitive material and determining the etching end point of the deposited material based on this detection.
第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｅ）は本発明の一実
施例である。FIGS. 2(a), (b), and (e) show an embodiment of the present invention.
まず、基板３にラベル物質として５チのＺｎ８ｒを含有
したフェニールメガリレート／メタクリル酸共重合体（
φ−ＭＡＣ）レジスト５を１．５μｍ塗布する。これを
２００℃で一時間！リペークする。この試料に電子線を
照射後、１，４−ノオキサ７２５％とジイソデチルケト
ン７５チの混合液で現像し、レノスト表層に０．２〜０
．３４１深さの凹パタンを形成する。第２図（、）のご
とくこれにシリコーン樹脂４をスピンコートシテ基板全
体を平坦化する。シリコーン樹脂膜厚を３μｍ以上塗布
すれば基板全体を平坦化できる。つぎに、シリコーン樹
脂を反応性イオン二りチング装Ｗ／ｌＫよｐ ＣＦ４ガ
スを用いて反応性イオン１２によりエッチングする。エ
ツチングの状況は該反応性イオンエツチング装置１０に
接続しである質量分析装置１１でモニターした。シリコ
ーン樹脂のエツチングが進みレノストの平坦部が露出し
はじめるとレゾスト中に含まれているＺｎが質量分析装
置で質量スペクトルＭ／・＝３２．５のところに検出で
きた。この状態は第２図（ｂ）で示されるごとく、シリ
コーン樹脂４がレジスト平坦部でなくなり、凹パタン部
にのみ存在する状態となる。この後、シリコーン樹脂の
エッチレートと残存膜厚の百から算出されるエツチング
時間によりシリコーン樹脂のエツチングを続けると、第
２図（Ｃ）で示すごとくシリコーン樹脂４は凹・リンの
１の深さのところまで正確にエツチングできる。この場
合のシリコーン樹脂のエツチング精度は、２００〜３０
０Ｘであった。これは寸法精度に換算すると約１５０〜
２００Ｘとなり、極めて高精度な寸法制御が可能となっ
た。First, a phenyl megalylate/methacrylic acid copolymer (
φ-MAC) resist 5 is applied to a thickness of 1.5 μm. Do this at 200℃ for an hour! Repeat. After irradiating this sample with an electron beam, it was developed with a mixed solution of 725% 1,4-nooxa and 75% diisodecyl ketone, and 0.2 to 0
．． A concave pattern with a depth of 341 mm is formed. As shown in FIG. 2(, ), silicone resin 4 is spin-coated on this to flatten the entire substrate. By applying a silicone resin film with a thickness of 3 μm or more, the entire substrate can be flattened. Next, the silicone resin is etched with reactive ions 12 using a reactive ion etching device W/lK and CF4 gas. The etching status was monitored by a mass spectrometer 11 connected to the reactive ion etching device 10. As the etching of the silicone resin progressed and the flat part of the renost began to be exposed, Zn contained in the renost was detected by a mass spectrometer at a mass spectrum of M/·=32.5. In this state, as shown in FIG. 2(b), the silicone resin 4 is no longer present in the flat portions of the resist, but is present only in the concave pattern portions. After that, if the silicone resin is continued to be etched for an etching time calculated from the etch rate of the silicone resin and the remaining film thickness, the silicone resin 4 will be etched to a depth of 1 of the concave and phosphorus as shown in FIG. 2(C). It can be etched accurately up to the point. The etching accuracy of silicone resin in this case is 200 to 30
It was 0X. This is approximately 150~ when converted to dimensional accuracy.
200X, making it possible to control dimensions with extremely high precision.
第３図には、他の実施例を示す。基板３にポリメチルメ
タクリレート（ＰＭＭＡ）レジスト２を１．５１＃ｎ塗
布し、プリベーク後電子線を照射してメチルインジチル
ケトンとイソグロノ９ノールの混合液で現像する。ポス
トベーク後ラベル物質としてｚｎＢｒ ５％含有レしス
トφ−ＭＡＣ５を０．１μｍ程度塗布し、！リペーク後
、シリコーン樹脂４で凹・ｆタンを平坦化する。FIG. 3 shows another embodiment. 1.51 #n of polymethyl methacrylate (PMMA) resist 2 is applied to the substrate 3, and after prebaking, it is irradiated with an electron beam and developed with a mixed solution of methyl indithyl ketone and isoglono-9ol. After post-baking, apply Rest φ-MAC5 containing 5% znBr as a label material to a thickness of about 0.1 μm. After repair, the concave/f tongue is flattened with silicone resin 4.
これをＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエツチングによ
りエツチングする。シリコーン樹脂４のエツチングが進
みφ−ＭＡＣが露出すると、φ−ＭＡＣ中に含まれてい
るｚｎ２＋が質量分析装置によりＭ／ｅ＝３２．５のと
ころに検出され、シリコーン樹脂がレゾストの平坦部で
無くなったことがわかる。凹ノ々タンの中央深さまでシ
リコーン樹脂をエツチングするＫは、上述したごとくシ
リコーン樹脂のエッチレートと残存膜厚かも算出される
エツチング時間によりエツチングを続行すればよいとと
Ｋなる。この実施例の場合でも、寸法精度は０．０５μ
ｍ以下が達成できた。本実施例では、ＺｎＢｒ含有φ−
ＭＡＣをラベル物質として用いたが、ＰＭＭＡの代わり
にこれをレジストとして用いてもその効果は全く同じで
ある。This is etched by reactive ion etching using CF4 gas. As etching of the silicone resin 4 progresses and φ-MAC is exposed, zn2+ contained in φ-MAC is detected by the mass spectrometer at M/e=32.5, and the silicone resin is exposed at the flat part of the resist. I know it's gone. The K required to etch the silicone resin to the center depth of the concave notch is determined by continuing the etching according to the etching time calculated based on the etch rate of the silicone resin and the remaining film thickness as described above. Even in the case of this example, the dimensional accuracy is 0.05μ
I was able to achieve less than m. In this example, ZnBr-containing φ-
Although MAC was used as a label material, the effect is exactly the same even if it is used as a resist instead of PMMA.
第４図０− （ｂ） ａ （ｅ） −（ｄ） Ｋ他の実
施例を示す。FIG. 4 0-(b) a (e)-(d) K shows another embodiment.
基板３にＰＭＭＡレジスト２を１．５μｍ塗布し、プリ
ベークする。これに、ラベル物質として有機金属例えば
アルミニュウムターシャルブチレート（Ａｔ（ｏｃ４１
＋ｇ）５）を溶解した希薄ＰＭＭＡ５を５ｏｏｌ程度塗
布しグリベークする。さらに、この試料にＰＭＭＡを０
．１μｍ塗布しグリベークする。PMMA resist 2 is applied to the substrate 3 to a thickness of 1.5 μm and prebaked. In addition, an organic metal such as aluminum tertiary butyrate (At(OC41) is used as a label material.
+g) Approximately 5 oool of diluted PMMA5 in which 5) was dissolved is applied and baked. Furthermore, PMMA was added to this sample at 0
．． Apply 1 μm and bake.
第４図（＆）に示すようにラベル物質５はＰＭＭＡには
さまれ、た状態となる。これＫｍ子ビーム照射して現像
すると第４図（ｂ）に示すようにレジスト表層にビーム
形状を反映した深さ０．３μｍの凹パタンが形成できる
。凹パタン深さのほぼ中央部に存在するラベル物質は非
常に薄（ＰＭＭＡの現像過程でＰＭＭＡと同様に溶解さ
れる。この試料にシリコーン樹脂４を塗布し、平坦化す
ると第４図（ｅ）に示すようＫなる。これをＣ１ｉ’４
と０□ガスを用いた、反応性イオンエツチングによりエ
ッチする。この場合、 ＣＬ’４と０２の混合比、ガス
圧およびｌ（［ｉ’ ／母ワーを制御してシリコーン樹
脂とｐｍレジストのエッチレートを同じになるようなエ
ツチング条件で行なった。また、エツチング状態は、発
光スイクトル分析装置によりモニタした。シリコーン樹
脂のエツチングが進みラベル物質の表面が露出されると
、アルミニウムから波長、３０８２Ｘ、３０９３Ｘ、３
９４４Ｘおよび３９６２Ｘにシリコーン樹脂のエツチン
グから得られる発光強度の５倍程度のピークが検出でき
た。この状態でエツチングを停止すると第４図（ｄ）の
ごとく、シリコーン樹脂は現像工程後に得られた凹・リ
ン深さの１の深さまで工ツチングされておシ、ビーム寸
法を非常によく反映したマスクパタンが形成できた。As shown in FIG. 4 (&), the label material 5 is sandwiched between PMMA and left in a state. When this is irradiated with a Km beam and developed, a concave pattern with a depth of 0.3 μm reflecting the beam shape can be formed on the resist surface layer as shown in FIG. 4(b). The label substance present approximately at the center of the depth of the concave pattern is very thin (it dissolves in the same way as PMMA during the PMMA development process. When this sample is coated with silicone resin 4 and flattened, it becomes as shown in Fig. 4 (e). It becomes K as shown in .This is C1i'4
Etch by reactive ion etching using 0□ gas. In this case, the etching conditions were such that the mixing ratio of CL'4 and 02, gas pressure, and l([i'/mother power) were controlled so that the etch rates of the silicone resin and the pm resist were the same. The condition was monitored by a luminescence spectral analyzer.As the etching of the silicone resin progressed and the surface of the label material was exposed, the wavelengths 3082X, 3093X, 3
At 944X and 3962X, peaks about 5 times the luminescence intensity obtained from silicone resin etching could be detected. When etching is stopped in this state, as shown in Figure 4(d), the silicone resin is etched to a depth of 1 of the concavity and phosphor depth obtained after the development process, which reflects the beam dimensions very well. A mask pattern has been formed.
本実施例で示したラベル物質のほかにアルミニウムアセ
チルアセトネート、Ａｔ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２−ＣＯＣＨ
３）３やポリメチルアルミノキサン（ＣＨｓ Ａｔ蜘な
どの有機金属を用いても全く同様の効果が得られた。In addition to the label substances shown in this example, aluminum acetylacetonate, At(CH2COCH2-COCH
3) Exactly the same effect was obtained using organic metals such as 3 and polymethylaluminoxane (CHs At).
これまでの実施例ではラベル物質をレゾスト層に混入さ
せたものであるが、マスク材に混入させた実施例につい
て示す。リグロインにシリと
コーン樹脂よポリアルミノキサンを１０：１の割合で溶
かし、これをマスク材として用いた。In the examples so far, the label substance was mixed in the resist layer, but an example in which the label substance was mixed in the mask material will be described. Silicon, corn resin, and polyaluminoxane were dissolved in ligroin at a ratio of 10:1, and this was used as a mask material.
ＰＭＭＬｋに形成した凹パタンを該マスク材で平坦化す
る。これをＣＦ４．ｆスを用いて反応性イオンエツチン
グ装置により該マスク材をエツチングすると、ポリアル
ミノキサン中のＡｔ原子から３０８２〜３９６２１波長
の強い発光スペクトルが得られた。エツチングを約２０
分間続けるとマスク材からの発光強度が１／３以下に減
少しＰＭＭＡ平坦部におけるマスク材が無くなったこと
が検出できた。さらにエツチングを２分間行うとＰＭＭ
Ａの表層に形成した凹パタンのほぼ中央までマスク材は
エツチングされておシ高精度な）４タン寸法制御が可能
であった。The concave pattern formed on PMMLk is flattened using the mask material. This is CF4. When the mask material was etched with a reactive ion etching device using f-sulfur, a strong emission spectrum of 3082 to 39621 wavelengths was obtained from the At atoms in the polyaluminoxane. Approximately 20 etchings
After continuing for a minute, the intensity of light emitted from the mask material decreased to 1/3 or less, and it was possible to detect that the mask material in the PMMA flat area was gone. If etching is further performed for 2 minutes, PMM
The mask material was etched almost to the center of the concave pattern formed on the surface layer of A, making it possible to control the dimensions with high precision.
ラベル物質を用いない実施例を示す。φ−ＭＡＣレゾス
トに電子ビームで凹パタンを形成し、この試料にシリコ
ーン樹脂をスピンコーティングし、平坦化した。これを
ＣＦ４と２０％の０２ガスを用いて反応性エツチング装
置によりエツチングした。質量分析装置で質量スペクト
ルを観察すると、エツチング開始から約２０分間Ｍ／−
＝８５のところにピークが観測された。これは、シリコ
ーン樹脂中のＳｔとＣＦ４ガス中のＦとが反応して５ｔ
ｒｉを形成したためである。エツチング時間２０分を過
ぎるとｇ／ａ ＝ ８５の強度が１／４に減少し、シリ
コーン樹脂が無くなったことが検出できた。この試料を
さらに５分間エツチングしたところ、寸法精度のよいマ
スク／４タンが形成できた。An example in which no label substance is used is shown. A concave pattern was formed on the φ-MAC resist using an electron beam, and this sample was spin-coated with silicone resin and flattened. This was etched using a reactive etching device using CF4 and 20% 02 gas. Observation of the mass spectrum using a mass spectrometer reveals that M/- for about 20 minutes from the start of etching.
A peak was observed at =85. This is due to the reaction between St in the silicone resin and F in the CF4 gas.
This is because ri was formed. After 20 minutes of etching time, the strength of g/a = 85 decreased to 1/4, and it was possible to detect that the silicone resin had disappeared. When this sample was etched for an additional 5 minutes, a mask/4 tan with good dimensional accuracy was formed.
なお、感応材料としては各実施例で用いたものに限らな
い。例えば電子線照射だけで高分子が分解し、現像液を
用いる現像をせずに凹状／４Ｐタン形成が可能な材料と
しては第１のモノマ群から選ばれｈ＜／す＝もしくは−
ポリー、または第１のモノマ群と第２のモノマ群の組合
せからなるコポリマを用いることができ、第１のモノマ
群としてはα、α−ジメチルペンツルメタクリレート、
α−メチルペンツルメタクリレート、ノフェニルメタク
リレート、トリフェニルメタクリレート、フェニルメタ
クリレートなどのアリールメタクリレートおよび第三ブ
チルメタクリレート、第２のモノマ群としては、ＣＨ２
＝ Ｃ（ＣＨ３）Ｃ０ＯＲで表わされ、アルキル基また
は−・ロγルキル基Ｒが炭素数５以下であるアルキルメ
タクリレートおよびハロアルキルメタクリレートがある
。Note that the sensitive material is not limited to those used in each example. For example, a material selected from the first monomer group whose polymer is decomposed by electron beam irradiation and which can form a concave/4P tan without development using a developer is selected from the first monomer group.
or a copolymer consisting of a combination of a first monomer group and a second monomer group, the first monomer group being α,α-dimethylpentyl methacrylate;
Aryl methacrylate and tert-butyl methacrylate such as α-methylpentyl methacrylate, nophenyl methacrylate, triphenyl methacrylate, phenyl methacrylate, the second monomer group is CH2
There are alkyl methacrylates and haloalkyl methacrylates represented by =C(CH3)C0OR, in which the alkyl group or -.roγalkyl group R has 5 or less carbon atoms.
以上説明したように本発明によれば、マスク材料のエツ
チングの終点判定をラベル物質または、レゾストとマス
ク材との質量または発光スペクトルによって行っている
ため、エツチング条件の変化には依存せず高精度な終点
判定ができ、パタン形成精度を向上させる利点がある。As explained above, according to the present invention, the end point of etching of the mask material is determined based on the mass or emission spectrum of the label substance or the resist and the mask material, so that high precision is achieved without depending on changes in etching conditions. This method has the advantage of enabling accurate end point determination and improving pattern formation accuracy.
第１図は特願昭５９−７４６９０号のパタン形成工程図
、第２図〜第４図は本発明の実施例の７４タン形成工程
図。
１・・・高エネルギー線、２・・・レゾスト、３・・・
基板、４・・・シリコーン樹脂、５・・・ラベル物質。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図
第３図
第４図
第４図FIG. 1 is a pattern forming process diagram of Japanese Patent Application No. 59-74690, and FIGS. 2 to 4 are pattern forming process diagrams of 74 tongues according to an embodiment of the present invention. 1...High energy ray, 2...Resist, 3...
Substrate, 4...Silicone resin, 5...Label substance. Applicant's Representative Patent Attorney Takehiko Suzue Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 4
Claims (1)
ネルギー線を、これに感応する感応材料に照射して、該
感応材料の上層部に凹状のパタン形成を行い、該パタン
形成部に該感応材料とのエッチング選択比がとれる材料
を付着せしめ、該付着材料を均一にエッチングした後、
上記凹部に残存する該付着材料をマスクとして該感応材
料の下層部にパタンを転写するパタン形成法であって、
上記付着材料と該感応材料との界面を検出し、該付着材
料のエッチングを終点判定することを特徴とするパタン
形成方法。 ２、上記付着材料のエッチング終点判定を該付着材料も
しくは感応材料の質量または、発光スペクトル強度の変
化にもとづいて行うことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のパタン形成方法。 ３、上記感応材料または付着材料を構成する元素とは異
なる元素を含むラベル物質を該感応材料または該付着材
料に混入させておき、該ラベル物質の質量または発光ス
ペクトル強度の変化により付着材料のエッチング終点判
定をすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
パタン形成方法。 ４、上記感応材料と付着材料との界面にラベル物質層を
設け、これを検出することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のパタン形成方法。 ５、上記ラベル物質層が形成した凹パタン深さの中央に
くるようにあらかじめ感応材料とラベル物質層をサンド
ウィッチ構造にしておくことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のパタン形成方法。 ６、上記ラベル物質として有機金属を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第３項、第４項または第５項記載
のパタン形成方法。[Scope of Claims] 1. Forming a concave pattern in the upper layer of the sensitive material by irradiating a sensitive material sensitive to the high-energy rays such as light, electron beams, X-rays, or ion beams; After depositing a material that has an etching selectivity with the sensitive material on the pattern forming portion and uniformly etching the deposited material,
A pattern forming method in which a pattern is transferred to a lower layer of the sensitive material using the adhesion material remaining in the recess as a mask,
A pattern forming method characterized by detecting an interface between the deposited material and the sensitive material and determining the end point of etching of the deposited material. 2. The pattern forming method according to claim 1, wherein the etching end point of the deposited material is determined based on the mass of the deposited material or the sensitive material or a change in the intensity of the emission spectrum. 3. A label substance containing an element different from the elements constituting the sensitive material or the adhesion material is mixed into the sensitive material or the adhesion material, and the adhesion material is etched by changes in the mass or emission spectrum intensity of the label substance. The pattern forming method according to claim 1, characterized in that an end point is determined. 4. The pattern forming method according to claim 1, characterized in that a label substance layer is provided at the interface between the sensitive material and the adhesion material, and this is detected. 5. The pattern forming method according to claim 1, wherein the sensitive material and the label material layer are formed into a sandwich structure in advance so that the label material layer is located at the center of the depth of the concave pattern formed. 6. The pattern forming method according to claim 3, 4 or 5, characterized in that an organic metal is used as the label substance.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3569285A JPS61194831A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Pattern forming method |
| US06/721,306 US4634645A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-09 | Method of forming resist micropattern |
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Family Applications (1)
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| JP3569285A Granted JPS61194831A (en) | 1984-04-13 | 1985-02-25 | Pattern forming method |
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| Country | Link |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6209699B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-04-03 | Denso Corporation | Electromagnetic clutch |
| KR100640640B1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | Method of forming fine pattern of semiconductor device using fine pitch hardmask |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP3569285A patent/JPS61194831A/en active Granted
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| US6209699B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-04-03 | Denso Corporation | Electromagnetic clutch |
| KR100640640B1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | Method of forming fine pattern of semiconductor device using fine pitch hardmask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455328B2 (en) | 1992-09-03 |
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