JPS6118934A - 光波長変換装置 - Google Patents
光波長変換装置Info
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- JPS6118934A JPS6118934A JP13988984A JP13988984A JPS6118934A JP S6118934 A JPS6118934 A JP S6118934A JP 13988984 A JP13988984 A JP 13988984A JP 13988984 A JP13988984 A JP 13988984A JP S6118934 A JPS6118934 A JP S6118934A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
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- Nonlinear Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザ光源用の波長変換器に関するも
のであり、利用分野としては、光メモリ装置、レーザプ
リンタ等の光情報処理装置あるいはレーザテレビ等のデ
ィスプレイ装置等のレーザ応用分野が考えられる。
のであり、利用分野としては、光メモリ装置、レーザプ
リンタ等の光情報処理装置あるいはレーザテレビ等のデ
ィスプレイ装置等のレーザ応用分野が考えられる。
従来例の構成とその問題点
非線形光学効果を応用する光波長変換器として、第１図
に示すように、ニオブ酸リチウム単結晶（Ｌ ｚ Ｎｂ
Ｏ５） １０表面にチタン（Ｔｉ）を熱拡散することに
よシ形成した光導波路２の端面に基本波Ｐ１を入射し、
他端面よシ高調波Ｐ２を出射させる構成が既に提案され
ているが、屈折率の温度変化を用いた位相整合法である
ために、±０・１℃程度の温度制御が必要になる点が実
用上の難点である。また、光導波路２に、上記Ｔｉ熱拡
散法に加え、イオン交換法を重畳することにより、位相
整合温度を制御する報告もなされているが、温度に対し
不安定であることは同様である。
に示すように、ニオブ酸リチウム単結晶（Ｌ ｚ Ｎｂ
Ｏ５） １０表面にチタン（Ｔｉ）を熱拡散することに
よシ形成した光導波路２の端面に基本波Ｐ１を入射し、
他端面よシ高調波Ｐ２を出射させる構成が既に提案され
ているが、屈折率の温度変化を用いた位相整合法である
ために、±０・１℃程度の温度制御が必要になる点が実
用上の難点である。また、光導波路２に、上記Ｔｉ熱拡
散法に加え、イオン交換法を重畳することにより、位相
整合温度を制御する報告もなされているが、温度に対し
不安定であることは同様である。
発明の目的
本発明の目的は、高効率で温度安定性が良い、実用性の
高い光波長変換器を提供することにある。
高い光波長変換器を提供することにある。
発明の構成
本発明の光波長変換器は、ニオブ酸リチウム単結晶基板
中にイオン交換法を用いて形成された光導波路の一端面
に基本波を入射し、上記基板中に放射する高周波をとり
出すことを特徴とするものである。
中にイオン交換法を用いて形成された光導波路の一端面
に基本波を入射し、上記基板中に放射する高周波をとり
出すことを特徴とするものである。
実施例の説明
従来例のもつ欠点を克服するために、本発明では次の工
夫を加えた。
夫を加えた。
（１）位相整合法として、基本波の導波モードと高調波
の基板モードの実効屈折率を一致させる方法を採用した
。（実効屈折率とは位相速度／真空中の波数） （１１）光導波路の形成法として、１８０℃〜２６０℃
の安息香酸中でＬ ｉＮ ｂ Ｏ３を熱処理するイオン
交換法を採用した。
の基板モードの実効屈折率を一致させる方法を採用した
。（実効屈折率とは位相速度／真空中の波数） （１１）光導波路の形成法として、１８０℃〜２６０℃
の安息香酸中でＬ ｉＮ ｂ Ｏ３を熱処理するイオン
交換法を採用した。
（ｉｉｉ） 光導波路の両端面に、反射率ｒ＝ｏ、ｓ
〜ｏ、９９の反射膜を装着し、変換効率の向上を図った
。
〜ｏ、９９の反射膜を装着し、変換効率の向上を図った
。
第２図は、本発明の光波長変換部分の構成図（側断面図
）であり、Ｌ ｉＮ ｂ Ｏ３基板３０表面にイオン交
換法で形成された光導波路４の端面に基本波Ｐ１を入射
し、ＬｉＮｂｏ３基板中に高調波Ｐ２を放射させる点が
従来と異なる。
）であり、Ｌ ｉＮ ｂ Ｏ３基板３０表面にイオン交
換法で形成された光導波路４の端面に基本波Ｐ１を入射
し、ＬｉＮｂｏ３基板中に高調波Ｐ２を放射させる点が
従来と異なる。
本発明の動作原理を以下に説明する。
波長λ 、光パワーＰ１の基本波を光導波路４に入射さ
せると、Ｌ Ｉ Ｎ ｂ Ｏａのもつ非線形光学効果に
より、波長λ２（λ２＝λ１／２）の高調波が基板モー
ド７となり基板中に放射される。実験的検討の結果、次
の条件に近い時に高効率で波長変換が行なわれた。
せると、Ｌ Ｉ Ｎ ｂ Ｏａのもつ非線形光学効果に
より、波長λ２（λ２＝λ１／２）の高調波が基板モー
ド７となり基板中に放射される。実験的検討の結果、次
の条件に近い時に高効率で波長変換が行なわれた。
（ｉ）ＬｉＮｂＯ２にＸ板（結晶のＺ軸に垂直に切断し
たもの）を使用し、光導波路４をＹ軸方向伝搬とした。
たもの）を使用し、光導波路４をＹ軸方向伝搬とした。
（ｉＤ 光導波路４の寸法は、導波路幅（Ｗμｍ）。
導波路厚（Ｄμｍ）、基本波長（１１μｍ）とすると次
表の関係があった。
表の関係があった。
６ ・
第３図は、温度による高調波出力Ｐ２の変化であり、±
１０℃程度の温度範囲で安定であることが分かる。この
点が従来例と大きく異なる点であり、従来の屈折率の温
度変化を用いた位相整合法ではなく、導波モードと基板
モードの位相整合を利用する利点である。この方式の波
長変換は、他の材料では試みられているが、低損失で良
好な光導波路の形成が困難であり充分な結果が得られて
いない。本発明は、ＬｉＮｂＯ２に対する光導波路形成
法として、イオン交換法を応用し基板中に高調波を放射
させる点が新規な点である。
１０℃程度の温度範囲で安定であることが分かる。この
点が従来例と大きく異なる点であり、従来の屈折率の温
度変化を用いた位相整合法ではなく、導波モードと基板
モードの位相整合を利用する利点である。この方式の波
長変換は、他の材料では試みられているが、低損失で良
好な光導波路の形成が困難であり充分な結果が得られて
いない。本発明は、ＬｉＮｂＯ２に対する光導波路形成
法として、イオン交換法を応用し基板中に高調波を放射
させる点が新規な点である。
イオン交換法によるＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏｓに対する光導
波路形成は、上記２板以外に、Ｘ板、Ｙ板においても同
様に可能であり、多少変換効率に差が出るが、光波長変
換器として使用可能であることは確認している。
波路形成は、上記２板以外に、Ｘ板、Ｙ板においても同
様に可能であり、多少変換効率に差が出るが、光波長変
換器として使用可能であることは確認している。
６ ”−
第４図は、基本波長λ１＝１．０６μｍにおける光導波
路厚りと高調波出力Ｐ２の関係を示し、がなシ急峻な特
性を示すことが分かる。
路厚りと高調波出力Ｐ２の関係を示し、がなシ急峻な特
性を示すことが分かる。
また、第５図における光導波路の両端の反射膜８．８′
は基本波長においてファプリーベロー共振器となるよう
に形成したもので、共振器内の光パワー密度が増加する
ために光波長変換効率が増大させる効果をもっている。
は基本波長においてファプリーベロー共振器となるよう
に形成したもので、共振器内の光パワー密度が増加する
ために光波長変換効率が増大させる効果をもっている。
反射膜８，８′の最適反射率は、光導波路の伝搬損失α
に依存し、α−ｏ、１ｄＢ／ｃ、ｍの時に最適反射率は
γ１＝０．９．γ２−０．９９となり、この時の光パワ
ー密度は、反射膜８，８′のない時に比べほぼ９倍大き
くなる。
に依存し、α−ｏ、１ｄＢ／ｃ、ｍの時に最適反射率は
γ１＝０．９．γ２−０．９９となり、この時の光パワ
ー密度は、反射膜８，８′のない時に比べほぼ９倍大き
くなる。
第６図は、本発明の第１実施例の光波長変換器を示すも
のであり、半導体レーザ９を基本波光源に用いて波長変
換を行う構成である。光導波路４と半導体レーザ９の結
合はレンズ１０を介し、光導波路４の両端には結合効率
を向上させるために反射防止膜１１．１１’を装着した
ものである。
のであり、半導体レーザ９を基本波光源に用いて波長変
換を行う構成である。光導波路４と半導体レーザ９の結
合はレンズ１０を介し、光導波路４の両端には結合効率
を向上させるために反射防止膜１１．１１’を装着した
ものである。
第７図は、本発明の第２実施例であり、基板３の下面を
上面に対し傾斜させることにより、基板中に放射する高
調波を反射させてから出射させる構成である。第１実施
例と同様に、光導波路４の両端には反射防止膜１１．１
１ ’を装着することにより結合効率を上げている。
上面に対し傾斜させることにより、基板中に放射する高
調波を反射させてから出射させる構成である。第１実施
例と同様に、光導波路４の両端には反射防止膜１１．１
１ ’を装着することにより結合効率を上げている。
第８図は、本発明の第３実施例であり、光導波路４の両
端に基本波長に対する反射率が０．８〜０．９９の反射
膜８，８′を装着することにより、光導波路４をファプ
リーペロー共振器としたもので、光導波路内の基本波光
パワーの増大を図った結果、Ｐ１＝１００ｍＷ、ｒ１＝
０．９５．ｒ２＝０．９９．ａ＝０．２ｃｌＢ７ｃｍ
において変換効率η−１０％が得られた。本実施例で
は光導波路４の上部にクラッド層１２を装着しており、
クラッド層１２の厚み、あるいは長さにより共振状態と
なるように調整できるように工夫したものである０ 第９図は、上記第３実施例において、光導波路４の上部
に印加電極１３．１３’を装着したもので、Ｌ ｉＮ
ｂ Ｏ３のもつ電気光学効果により最適共振状態となる
ように調整できるように工夫した光波長変換器である〇 第１０図は、第８図における反射膜８，８′の代りにグ
レーティング反射器１４．１４’を用いた構成であり、
基本波に対する実効屈折率をＮ１とすると、グレーティ
ングの周期Ｇは次式になる。
端に基本波長に対する反射率が０．８〜０．９９の反射
膜８，８′を装着することにより、光導波路４をファプ
リーペロー共振器としたもので、光導波路内の基本波光
パワーの増大を図った結果、Ｐ１＝１００ｍＷ、ｒ１＝
０．９５．ｒ２＝０．９９．ａ＝０．２ｃｌＢ７ｃｍ
において変換効率η−１０％が得られた。本実施例で
は光導波路４の上部にクラッド層１２を装着しており、
クラッド層１２の厚み、あるいは長さにより共振状態と
なるように調整できるように工夫したものである０ 第９図は、上記第３実施例において、光導波路４の上部
に印加電極１３．１３’を装着したもので、Ｌ ｉＮ
ｂ Ｏ３のもつ電気光学効果により最適共振状態となる
ように調整できるように工夫した光波長変換器である〇 第１０図は、第８図における反射膜８，８′の代りにグ
レーティング反射器１４．１４’を用いた構成であり、
基本波に対する実効屈折率をＮ１とすると、グレーティ
ングの周期Ｇは次式になる。
λ ＝０．８４ μｍ 、 Ｎ１＝ ２．２０の時Ｇ＝
＝１．１９μｍとなる。
＝１．１９μｍとなる。
第１１図は、本発明の第６実施例であり、半導体レーザ
９と光導波路４を同一共振器内に構成したものであり、
基本波に対する反射膜は、半導体レーザ９の一端面１５
と、光導波路４の出射面１６に、基本波に対する反射防
止膜を半導体レーザ９の他端面１７と、光波長変換器の
入射面１８に装着したものである。ここで、高調波に対
して、１８は完全反射、１６は完全透過となるように設
計されており、高調波は１６を通して取り出すことがで
きる。
９と光導波路４を同一共振器内に構成したものであり、
基本波に対する反射膜は、半導体レーザ９の一端面１５
と、光導波路４の出射面１６に、基本波に対する反射防
止膜を半導体レーザ９の他端面１７と、光波長変換器の
入射面１８に装着したものである。ここで、高調波に対
して、１８は完全反射、１６は完全透過となるように設
計されており、高調波は１６を通して取り出すことがで
きる。
発明の効果
従来、Ｌ ｉＮ ｂ Ｏｓを用いた光導波路形波長変換
９ ′・ 器が±０．１℃以下の微妙な温度制御を必要としている
のに対し、本発明にかかるイオン交換法にょる光導波路
を用いて、基板中へ高調波を取り出すという新規な構成
では、±１０℃程度の温度範囲で安定であり実用性がき
わめて高い。これは、位相整合法が本質的に異なるため
である。
９ ′・ 器が±０．１℃以下の微妙な温度制御を必要としている
のに対し、本発明にかかるイオン交換法にょる光導波路
を用いて、基板中へ高調波を取り出すという新規な構成
では、±１０℃程度の温度範囲で安定であり実用性がき
わめて高い。これは、位相整合法が本質的に異なるため
である。
また、高効率化のために光導波路の両端に反射膜を装着
し、ファプリーペロー共振器として動作させることによ
り６〜１０倍の効率向上が図れ、高効率で同時に温度安
定性が良いという太きた利点をもっている。
し、ファプリーペロー共振器として動作させることによ
り６〜１０倍の効率向上が図れ、高効率で同時に温度安
定性が良いという太きた利点をもっている。
第１図は従来の光波長変換器の概略構成図、第は本発明
の変換器の他の概略構成図、第６図〜第１１図は本発明
の第１〜６実施例の光波長変換器の概略構成図である。 ３・・・・・・ＬｉＮｂｏ３単結晶、４・・・・・・光
導波路、７・・・・・・高調波、８．８’、１５．１６
・・・・・・反射膜、９・・・１ｏ ・・ ・・・半導体レーザ、１０・・・・・・レンズ、１１，
１１’。 １７．１Ｂ・・・・・・反射防止膜、１２・・・・・・
クラッド層、１３．１３’・・・・・・印加電極、１４
．１４’・・・・・・グレーティング反射器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
の変換器の他の概略構成図、第６図〜第１１図は本発明
の第１〜６実施例の光波長変換器の概略構成図である。 ３・・・・・・ＬｉＮｂｏ３単結晶、４・・・・・・光
導波路、７・・・・・・高調波、８．８’、１５．１６
・・・・・・反射膜、９・・・１ｏ ・・ ・・・半導体レーザ、１０・・・・・・レンズ、１１，
１１’。 １７．１Ｂ・・・・・・反射防止膜、１２・・・・・・
クラッド層、１３．１３’・・・・・・印加電極、１４
．１４’・・・・・・グレーティング反射器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
Claims (5)
- （１）ニオブ酸リチウム単結晶基板中にイオン交換法を
用いて形成された光導波路の一端面に基本波を入射し、
上記基板中に放射する高調波を取り出すことを特徴とす
る光波長変換器。 - （２）光導波路の両端部に、基本波長に対する反射率が
０．８〜０．９９の反射器を装着することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光波長変換器。 - （３）光導波路上に、基本波が共振状態となるように選
んだクラッド層を装着することを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載の光波長変換器。 - （４）光導波路上に、基本波が共振状態となるように調
整する制御用電極を装着することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の光波長変換器。 - （５）基板の下面を、光導波路が形成されている上面に
対し傾斜させ、高調波の反射面とすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光波長変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13988984A JPS6118934A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 光波長変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13988984A JPS6118934A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 光波長変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118934A true JPS6118934A (ja) | 1986-01-27 |
| JPH0523410B2 JPH0523410B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=15255956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13988984A Granted JPS6118934A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 光波長変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118934A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263026A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Nec Corp | 導波路型波長変換素子 |
| JPH0281035A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Hitachi Ltd | 第２高調波発生装置 |
| JPH02105117A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-17 | Pioneer Electron Corp | ファイバー型光波長変換素子 |
| JPH02186327A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Toshiba Corp | 波長変換光学素子 |
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| EP0395451A2 (en) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wavelength converting device |
| EP0416935A2 (en) * | 1989-09-07 | 1991-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | A light wavelength converter |
| JPH03251826A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-11-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 第２高調波発生素子 |
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| JPH07190713A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 高精度レーザ干渉計測法 |
| CN1035405C (zh) * | 1992-08-13 | 1997-07-09 | 菲利浦光灯制造公司 | 提高电磁辐射频率用的光学组件和光电子部件 |
| CN1041864C (zh) * | 1992-09-07 | 1999-01-27 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 提高电磁辐射频率用的光元件和光电子器件 |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP13988984A patent/JPS6118934A/ja active Granted
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| JP2525879B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1996-08-21 | パイオニア株式会社 | ファイバ―型光波長変換素子 |
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| US5082340A (en) * | 1989-04-28 | 1992-01-21 | Hamamatsu Photonics K. K. | Wavelength converting device |
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| JPH07190713A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 高精度レーザ干渉計測法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523410B2 (ja) | 1993-04-02 |
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