JPS61188756A - 情報担体デイスクの製法 - Google Patents
情報担体デイスクの製法Info
- Publication number
- JPS61188756A JPS61188756A JP2888585A JP2888585A JPS61188756A JP S61188756 A JPS61188756 A JP S61188756A JP 2888585 A JP2888585 A JP 2888585A JP 2888585 A JP2888585 A JP 2888585A JP S61188756 A JPS61188756 A JP S61188756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information carrier
- glass substrate
- carrier disc
- film
- guide grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、高密度情報記録媒体として注目されている光
ディスク、ビデオディスク、デジタルオーディオディス
ク、光磁気ディスク等の担体又は場合によっては、それ
自体として使用される情報担体ディスクの製造方法に関
する。
ディスク、ビデオディスク、デジタルオーディオディス
ク、光磁気ディスク等の担体又は場合によっては、それ
自体として使用される情報担体ディスクの製造方法に関
する。
（発明の背景）
情報社会の進展に伴なって高密度でランダムアクセス可
能な情報記録媒体の要求が高まっている。
能な情報記録媒体の要求が高まっている。
そのため、既にビデオディスク、デジタルオーディオデ
ィスク、光ディスク等が実用化されている。
ィスク、光ディスク等が実用化されている。
そのうち、再生専用のもので光学式再生方式をとるもの
は、平担な表面を有する担体ディスクに、信号ピントと
呼ばれる「島状突起」又は「くぼみ」が同心円状又は渦
巻き状に形成されておシ、情報はこのピットの有無又は
ビット長によって記録されている。１つのピットは例え
ば幅０．５ミクロン×長さ０．９〜３ミクロン×深さく
又は高き）０．１ミクロンという微細な寸法を有するも
ので、トラック間隔も例えば１．６ミクロンと微細であ
る。
は、平担な表面を有する担体ディスクに、信号ピントと
呼ばれる「島状突起」又は「くぼみ」が同心円状又は渦
巻き状に形成されておシ、情報はこのピットの有無又は
ビット長によって記録されている。１つのピットは例え
ば幅０．５ミクロン×長さ０．９〜３ミクロン×深さく
又は高き）０．１ミクロンという微細な寸法を有するも
ので、トラック間隔も例えば１．６ミクロンと微細であ
る。
また、書換え可能な光磁気ディスクは、表面にトラッキ
ングのだめの「ガイド溝」と呼ばれる溝（又は突条）が
形成された担体ディスク（例えばＰＭＭＡＳＰＣ、ガラ
スなど作られたディスク）の上に、真空薄膜形成技術に
より磁性材料例えばＴｂＦｅｌＧｄＴｂＦｅ％ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏなどの非晶質垂直磁化膜を薄く積層したもので
あり、前記ガイド溝は例えば幅０．７ミクロン、深さく
又は高さ）７００ス、間隔２．５εクロンと微細なもの
である。
ングのだめの「ガイド溝」と呼ばれる溝（又は突条）が
形成された担体ディスク（例えばＰＭＭＡＳＰＣ、ガラ
スなど作られたディスク）の上に、真空薄膜形成技術に
より磁性材料例えばＴｂＦｅｌＧｄＴｂＦｅ％ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏなどの非晶質垂直磁化膜を薄く積層したもので
あり、前記ガイド溝は例えば幅０．７ミクロン、深さく
又は高さ）７００ス、間隔２．５εクロンと微細なもの
である。
信号ビットにせよガイド溝にせよ、いずれも微細なもの
であり、特に高さく又は深さ）に厳密な精度（サブミク
ロンのオーダー）が要求される。
であり、特に高さく又は深さ）に厳密な精度（サブミク
ロンのオーダー）が要求される。
従来、このような信号ビット又はガイド溝の形成された
担体ディスクは、■反転型の形成された鋳型を用い、Ｐ
ＭＭＡ、ＰＣ等の成形用樹脂で射出成形、プレス成形、
その他により天童生産する方法、■反転型の形成された
鋳型を用い、その上に放射線硬化型樹脂ラッカーを塗布
した後、放射線例えば紫外線、電子線、ｒ線等を照射し
て硬化させることにより、信号ピント又はガイド溝の形
成された薄い樹脂膜を作り、これを金属ＡＩ、プラスチ
ック、ガラスその他の基板に貼り合わせる方法（例えば
特開昭５８−１０８０４２、同５８−１５９２０２参照
）、■ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、所定パ
ターンを投影露光し、現像してレジストパターンを形成
しくこれにより、基板の所定領域が露出する）、その後
プラズマエツチングすることによりガラス基板を腐食し
、所定のガイド溝が得られたならば、残ったレジストパ
ターンを溶解除去する方法（第７図及び昭和５９年春季
応用物理学会 講演Ｎａ２ａ−Ａ−４参照）などで工業
的に又は実験室的に製造されてきた。
担体ディスクは、■反転型の形成された鋳型を用い、Ｐ
ＭＭＡ、ＰＣ等の成形用樹脂で射出成形、プレス成形、
その他により天童生産する方法、■反転型の形成された
鋳型を用い、その上に放射線硬化型樹脂ラッカーを塗布
した後、放射線例えば紫外線、電子線、ｒ線等を照射し
て硬化させることにより、信号ピント又はガイド溝の形
成された薄い樹脂膜を作り、これを金属ＡＩ、プラスチ
ック、ガラスその他の基板に貼り合わせる方法（例えば
特開昭５８−１０８０４２、同５８−１５９２０２参照
）、■ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、所定パ
ターンを投影露光し、現像してレジストパターンを形成
しくこれにより、基板の所定領域が露出する）、その後
プラズマエツチングすることによりガラス基板を腐食し
、所定のガイド溝が得られたならば、残ったレジストパ
ターンを溶解除去する方法（第７図及び昭和５９年春季
応用物理学会 講演Ｎａ２ａ−Ａ−４参照）などで工業
的に又は実験室的に製造されてきた。
しかしながら、■及び■の方法は、ピット又はガイド溝
を構成する部分が有機樹脂であるため、吸水率が大きい
、熱変形温度が低い、傷つき易い、鋳型から剥離する際
変形する、形状の転写性が悪い等の欠点を有しておシ、
得られるディスクの耐久性及び信頼性が劣っている。一
方、■の方法はガラスであるので有機樹脂の如き欠点は
ないが、今度は（イ）ガラスは多成分なので腐食されに
くい、（ロ）プラズマエツチングのための好適なエツチ
ングガスが今のところなく、そのためレジストパターン
も相当に腐食されるので、レジストパターンを相当に厚
く形成しなければならない、（ハ）基板の場所によって
、エツチングの速さが異なるので、溝の深さがディスク
内でバラツキが出る、に）エツチングの再現性が悪いの
で溝の深さがディスク間でバラツキが出る、（ホ）プラ
ズマエツチングの装置は機構上大型化が難しいので、処
理できる枚数に限りがあり、Ｉ産性が悪い、などの欠点
を有している。
を構成する部分が有機樹脂であるため、吸水率が大きい
、熱変形温度が低い、傷つき易い、鋳型から剥離する際
変形する、形状の転写性が悪い等の欠点を有しておシ、
得られるディスクの耐久性及び信頼性が劣っている。一
方、■の方法はガラスであるので有機樹脂の如き欠点は
ないが、今度は（イ）ガラスは多成分なので腐食されに
くい、（ロ）プラズマエツチングのための好適なエツチ
ングガスが今のところなく、そのためレジストパターン
も相当に腐食されるので、レジストパターンを相当に厚
く形成しなければならない、（ハ）基板の場所によって
、エツチングの速さが異なるので、溝の深さがディスク
内でバラツキが出る、に）エツチングの再現性が悪いの
で溝の深さがディスク間でバラツキが出る、（ホ）プラ
ズマエツチングの装置は機構上大型化が難しいので、処
理できる枚数に限りがあり、Ｉ産性が悪い、などの欠点
を有している。
（発明の目的）
本発明の目的は、耐久性及び信頼性の劣る有機樹脂を使
用せずに、ガラスその他の無機質だけで、深さく又は高
さ）がディスク内及びディスク間でバラツキの少ない信
号ビット又はガイド溝の形成された情報担体ディスクを
製造することにある。
用せずに、ガラスその他の無機質だけで、深さく又は高
さ）がディスク内及びディスク間でバラツキの少ない信
号ビット又はガイド溝の形成された情報担体ディスクを
製造することにある。
（発明の概要）
本発明は、
第１工程ニガラス基板上に、所望の信号ピア）ないしガ
イド溝のパターン（又はその反転パターン）を有するレ
ジストパターンを形成する工程、第２工程：信号ビット
ないしガイド溝の深さく又は高さ）に相当する厚さの誘
電体膜を、真空薄膜形成技術により形成する工程、 第３工程ニレジストパターン及びその上に形成された誘
電体膜をリフトオフ法により除去する工程、 よりなることを特徴とする信号ビットないしガイド溝の
形成された情報担体ディスクの製法を提供する。
イド溝のパターン（又はその反転パターン）を有するレ
ジストパターンを形成する工程、第２工程：信号ビット
ないしガイド溝の深さく又は高さ）に相当する厚さの誘
電体膜を、真空薄膜形成技術により形成する工程、 第３工程ニレジストパターン及びその上に形成された誘
電体膜をリフトオフ法により除去する工程、 よりなることを特徴とする信号ビットないしガイド溝の
形成された情報担体ディスクの製法を提供する。
本発明で使用する誘電体膜の材料としては、例えばＳｉ
Ｏ□、５ｉＯ１Ａ１２０３、ＴｉＯ□、ＺｒＯ２、Ｔａ
２Ｏ３などの金属酸化物、Ｓ ｉ ３Ｎ４． ＡＩＮ、
ＧｅＮ などの窒化物、ＭｇＦ２その他の金属弗化
物、ＺｎＳその他の硫化物、ＳｉＣその他の炭化物が使
用され、これらは多層膜構造でもよい。
Ｏ□、５ｉＯ１Ａ１２０３、ＴｉＯ□、ＺｒＯ２、Ｔａ
２Ｏ３などの金属酸化物、Ｓ ｉ ３Ｎ４． ＡＩＮ、
ＧｅＮ などの窒化物、ＭｇＦ２その他の金属弗化
物、ＺｎＳその他の硫化物、ＳｉＣその他の炭化物が使
用され、これらは多層膜構造でもよい。
これらの誘電体膜は、真空薄膜形成技術例えば真空蒸着
、イオンブレーティング、スパフタリング、ＣＶＤで形
成されるが、これらの真空薄膜形成技術によれば、±（
５〜１０）％の精度で膜厚を局所的なバラツキなしに制
御することが可能で、その結果、ビット又はガイド溝の
深さく又は高さ）が正確でかつディスク内でバラツキが
出ない。また、再現性にもすぐれているので、ディスク
間のバラツキも極めて少ない。
、イオンブレーティング、スパフタリング、ＣＶＤで形
成されるが、これらの真空薄膜形成技術によれば、±（
５〜１０）％の精度で膜厚を局所的なバラツキなしに制
御することが可能で、その結果、ビット又はガイド溝の
深さく又は高さ）が正確でかつディスク内でバラツキが
出ない。また、再現性にもすぐれているので、ディスク
間のバラツキも極めて少ない。
それに対して従来の方法でガラス基板自体にエツチング
によりビット又はガイド溝を形成すると、深さく又は高
さ）は局所的なバラツキが±（１５〜２０）％以上量て
しまい、かつ所望の値に正確に制御することが難しい。
によりビット又はガイド溝を形成すると、深さく又は高
さ）は局所的なバラツキが±（１５〜２０）％以上量て
しまい、かつ所望の値に正確に制御することが難しい。
また、再現性にも劣るので、ディスク間のバラツキも多
い。
い。
以下、図面を引用して実施例により本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれに限られるものではない。
明するが、本発明はこれに限られるものではない。
（実施例１）
第１工程：直径２００ ｍ ＋厚さ１．２ ｍのガラス
基板（１）にフォトレジストとして、シップレイ社製ｏ
Ａｚ１３５ｏｔ−５０００ＡＣ）厚さＫｍｌ’ｆｆＬ、
乾燥させた。
基板（１）にフォトレジストとして、シップレイ社製ｏ
Ａｚ１３５ｏｔ−５０００ＡＣ）厚さＫｍｌ’ｆｆＬ、
乾燥させた。
次にスポット径０．８μｍ（レジスト面で）に絞ったＡ
ｒレーザービームを渦巻きを描くように移動させながら
レジストに照射して露光し、現像、水洗、ベーキングを
経て、幅０．８μｍ１ ピッチｌ、６μの渦巻き状のレ
ジストパターン（２）を形成させた（第１図（＋＞参照
）。
ｒレーザービームを渦巻きを描くように移動させながら
レジストに照射して露光し、現像、水洗、ベーキングを
経て、幅０．８μｍ１ ピッチｌ、６μの渦巻き状のレ
ジストパターン（２）を形成させた（第１図（＋＞参照
）。
第２工程：次に誘電体Ｍ （３）として５ｊＯ２を真空
蒸着法により７１０Ｘの厚さに形成させた（第１図（２
）参照）。この膜厚は光学的膜厚に換算すると、記録・
再生用のレーザービームの波長（８３゜ｎｍ）の１／８
に相当する。
蒸着法により７１０Ｘの厚さに形成させた（第１図（２
）参照）。この膜厚は光学的膜厚に換算すると、記録・
再生用のレーザービームの波長（８３゜ｎｍ）の１／８
に相当する。
コノ場合、誘電体膜のバラツキは±５係以内であった。
第３工程：アセトン中に浸漬して、レジストパターン（
２）を溶解させて、その上に形成されたＳｉＯ□層をリ
フトオフした。こうして第１図（３）に示す溝付きの情
報担体ディスクが得られた。
２）を溶解させて、その上に形成されたＳｉＯ□層をリ
フトオフした。こうして第１図（３）に示す溝付きの情
報担体ディスクが得られた。
このディスクの溝付き面側に光磁気記録用の垂直磁化膜
例えばＧｄＣｏ１ＧｄＦｅ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣ
。
例えばＧｄＣｏ１ＧｄＦｅ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣ
。
などをスパッタリングで形成すれば光磁気ディスクが得
られる。
られる。
尚、本発明のディスクの上に酸化物以外の誘電体例えば
Ｓｉ３Ｎ４． ＡＩＮ、 ＧｅＮ、 ＭｇＦ２、ＺｎＳ
、ＳｉＣ等からなる保護層（４）を形成した後（第２図
参照）、垂直磁化膜を形成すると、垂直磁化膜の耐久性
はより向上する。酸化物と垂直磁化膜との直接接触が耐
久性を低下させるからである。
Ｓｉ３Ｎ４． ＡＩＮ、 ＧｅＮ、 ＭｇＦ２、ＺｎＳ
、ＳｉＣ等からなる保護層（４）を形成した後（第２図
参照）、垂直磁化膜を形成すると、垂直磁化膜の耐久性
はより向上する。酸化物と垂直磁化膜との直接接触が耐
久性を低下させるからである。
（実施例２）
実施例１に於いて、ＳｉＯ□Ｏ代りに５ｉ３Ｎ４ｉ用い
て同様の工程で情報担体ディスクを製造した。
て同様の工程で情報担体ディスクを製造した。
本実施例で得られたディスクの上に直接垂直磁化膜を形
成させても、突条部分をトランク（記録ゾーン）とすれ
ば、垂直磁化膜の耐久性は向上する。
成させても、突条部分をトランク（記録ゾーン）とすれ
ば、垂直磁化膜の耐久性は向上する。
（実施例３）
はじめに実施例１と同じガラス基板（１）の上に、５ｉ
３Ｎ４１１！（５）ヲスパンタリングにより１００ＯＡ
の厚さに形成させた（第３図（１）参照）。このＳｉ３
Ｎ４膜（５）は、光磁気記録再生におけるＫｅｒｒ回転
角の向上及び垂直磁化膜の保護を目的としており、Ｓｉ
３Ｎ４の外Ｋ ＡＩＮ 、 ＧｅＮ 、 ＭｇＦ２．
ＺｎＳ 、 Ｓ ｉＣ等を用いてもよい。
３Ｎ４１１！（５）ヲスパンタリングにより１００ＯＡ
の厚さに形成させた（第３図（１）参照）。このＳｉ３
Ｎ４膜（５）は、光磁気記録再生におけるＫｅｒｒ回転
角の向上及び垂直磁化膜の保護を目的としており、Ｓｉ
３Ｎ４の外Ｋ ＡＩＮ 、 ＧｅＮ 、 ＭｇＦ２．
ＺｎＳ 、 Ｓ ｉＣ等を用いてもよい。
第１工程： Ｓｉ３Ｎ４膜（５）の形成されたガラス基
板（１）の上にフォトレジストを５００ＯＡの厚さＫＪ
布し、乾燥させた後、実施例１のＫｌ工程と同様に行な
ってレジストパターン（２）を形成させた（第３図（２
）参照）。
板（１）の上にフォトレジストを５００ＯＡの厚さＫＪ
布し、乾燥させた後、実施例１のＫｌ工程と同様に行な
ってレジストパターン（２）を形成させた（第３図（２
）参照）。
第２工程：実施例１のそれと同一（第３図（３）参照）
。
。
第３工程：実施例１のそれと同一
こうして第３図（４）に示す溝付き情報担体ディスクが
製造された。このディスクの上に垂直磁化膜を形成し、
溝の部分をトランクとすれば、垂直磁化膜の耐久性を向
上させる。
製造された。このディスクの上に垂直磁化膜を形成し、
溝の部分をトランクとすれば、垂直磁化膜の耐久性を向
上させる。
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば、信号ビットまたはガイド
溝の深さく又は高さ）が同一ディスク内及びディスク間
で極めて揃っており、信頼性、耐久性の高い情報担体デ
ィスクが得られ、また工程も簡単で量産性が高い。
溝の深さく又は高さ）が同一ディスク内及びディスク間
で極めて揃っており、信頼性、耐久性の高い情報担体デ
ィスクが得られ、また工程も簡単で量産性が高い。
第１図は、本発明の実施例１に従い情報担体ディスクを
製造した際の、各工程に於ける半製品又は完成品の概略
縦断面図である。 第２図は、実施例１で製造した情報担体ディスクの上に
保護層を設けたものの概略縦断面図である。 第３図は、実施例３に従い情報担体ディスクを製造した
際の、各工程に於ける半製品又は完成品の概略縦断面図
である。 第４図は、従来の製造方法に基づいて情報ディスクを製
造した際の、各工程に於ける半製品又は完成品の概略縦
断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・フォトレジストまたはレジストパターン３・
：・・・・誘電体膜
製造した際の、各工程に於ける半製品又は完成品の概略
縦断面図である。 第２図は、実施例１で製造した情報担体ディスクの上に
保護層を設けたものの概略縦断面図である。 第３図は、実施例３に従い情報担体ディスクを製造した
際の、各工程に於ける半製品又は完成品の概略縦断面図
である。 第４図は、従来の製造方法に基づいて情報ディスクを製
造した際の、各工程に於ける半製品又は完成品の概略縦
断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・フォトレジストまたはレジストパターン３・
：・・・・誘電体膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１工程：ガラス基板上に、所望の信号ピットないしガ
イド溝のパターン（又はその反転パターン）を有するレ
ジストパターンを形成する工程、 第２工程：信号ピットないしガイド溝の深さ（又は高さ
）に相当する厚さの誘電体膜を、真空薄膜形成技術によ
り形成する工程、 第３工程：レジストパターン及びその上に形成された誘
電体膜をリフトオフ法により除去する工程、 よりなることを特徴とする信号ピットないしガイド溝の
形成された情報担体ディスクの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2888585A JPS61188756A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 情報担体デイスクの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2888585A JPS61188756A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 情報担体デイスクの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188756A true JPS61188756A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=12260849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2888585A Pending JPS61188756A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 情報担体デイスクの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060220A (en) * | 1995-07-10 | 2000-05-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method for producing an optical information carrier having a variable relief structure |
-
1985
- 1985-02-16 JP JP2888585A patent/JPS61188756A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060220A (en) * | 1995-07-10 | 2000-05-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method for producing an optical information carrier having a variable relief structure |
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