JPS61174901A - プロセスガスを処理室に導入する装置 - Google Patents

プロセスガスを処理室に導入する装置

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JPS61174901A
JPS61174901A JP61009080A JP908086A JPS61174901A JP S61174901 A JPS61174901 A JP S61174901A JP 61009080 A JP61009080 A JP 61009080A JP 908086 A JP908086 A JP 908086A JP S61174901 A JPS61174901 A JP S61174901A
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subduct
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    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D1/00Evaporating
    • B01D1/16Evaporating by spraying
    • B01D1/20Sprayers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/10Mixing by creating a vortex flow, e.g. by tangential introduction of flow components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/20Mixing gases with liquids

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Nozzles (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、プロセスガスを処理室に導入する装置に係り
、特に液体を処理室内に噴霧するために配置した液体噴
霧装置を包囲する気液接触域内にプロセスガスを導入す
る装置に関するものである。
従来の技術 プロセスガスを処理室に導入して処理室内の液体に接触
させねばならない技術分野には、多くの応用例がある。
例えば、ミルクや食品スラリー等と接触されミルクや食
料品を乾燥して粉末が製造される。この種の噴霧乾燥機
は、粒状吸収剤スラリーを乾燥室内に噴霧してその中の
粒状スラリーを熱煙道ガスに接触せしめ、これによって
粒状吸収剤が煙道ガス中の汚染物質と反応し汚染物質を
乾燥塩としてそれから除去する熱煙道ガスからの汚染物
質の吸収にも利用されている。
かかる装置では、均質な溶液や懸濁した粒状物質のスラ
リーである液体は、処理槽によって画定される処理室の
中央に配置した噴霧装置、例えばノズルや霧化輪によっ
て霧化される。霧化された霧滴は、液体噴霧装置から気
液接触域内に傘状の霧滴雲の形で径方向外方に指向され
る。また、プロセスガスは、液体噴霧装置から径方向外
方に進む霧化した液体に接触するよう可及的均一に、気
液接触域内に液体噴霧装置のまわりを環状に導入されて
いる。一般に、プロセスガスは、液体噴霧装置のまわり
に同心配置され処理室内に開口する1個以上の円錐ダク
ト内に供給ダクトを通じて送られている。ガス供給ダク
ト内を進むにつれて、プロセスガスには回転運動が与え
られるため、プロセスガスは円錐入口ダクトを通じて処
理室内に旋回形態で進入することになる。この円錐入口
ダクトは、液体噴霧装置を包囲する気液接触域内にプロ
セスガスを案内するように設計しである。この型式の気
体分配装置は、例えば、米国特許第3.803,723
号、第4 、226 、603号、第4,227,89
6号および第4,481,171号の各明細書に記載さ
れている。
発明が解決しようとする問題点 しかして、ある応用例では、特に煙道ガス・スクラッピ
ング装置として利用する場合、噴霧乾燥機は広範囲なガ
ス流量にわたって稼動しなければならない。従って、プ
ロセスガスを広範囲なガス流量にわたり比較的一定の速
度で気液接触域に供給し、気液接触域内での霧化した粒
状吸収剤スラリーのプロセスガスとの適切な混合が確保
できるガス流分配装置を提供することは望ましいことで
ある。
従って、本発明の目的は、プロセスガスを処理室に導入
する装置であって、広範囲な負荷調整にわたり霧化した
液体の処理室内に導入されたプロセスガスとの適切な混
合を確保するよう、その速度を液体噴霧装置を包囲する
領域内で最底許容基準以上に維持することのできるプロ
セスガス導入装置を提供することである。
問題点を解決するための手段 本発明のプロセスガス導入装置は、液体噴霧装置を収容
支持するようにしだ内筒のまわりに配置され、プロセス
ガスを受け取る接線入口開口と、そこから延びる第1お
よび第2のガス入口ダクトに整合する出口開口とを有す
る水平うず巻ガス供給ダクトから成るものである。第1
のガス入口ダクトは、液体噴霧装置のまわりの中央に配
置されて、処理室内に液体噴霧装置のまわりに開口する
環状出口を有する内側環状導管を画定している。
また、第2のガス入口ダクトは、第1のガス入口ダクト
のまわりに同心配置され、かつそれから隔置されて、処
理室内に第1のガス入口ダクトのまわりに開口する環状
出口を有する外側環状導管を画定している。
本発明によれば、うず巻ガス供給ダクトを第1および第
2の水平ガス供給サブダクトに分割するよう、水平うず
巻ガス供給ダクト内に仕切り手段が配置しである。第1
のガス供給サブダクトは、第1のガス入口ダクトに整合
しそれに開口して、プロセスガスの第1部分を処理室内
に液体噴霧装置を包囲する気液接触域へ指向する内側流
路を第1のガス入口ダクトと共に形成している。また、
第2のガス供給サブダクトは、第2ガス入ロダクトに整
合しそれに開口して、プロセスガスの第2部分を処理室
内へ処理室内に導入されたプロセスガスの第1部分を包
囲する環状流れとして指向する外側流路を第2のガス入
口ダクトと共に形成している。第2のガス供給サブダク
ト内には、それに対する入口の近くに、第2のガス供給
サブダクトを通るプロセスガスの流れを制御するダンパ
手段が配置しである。このダンパ手段は、水平うず巻ガ
ス供給ダクトに対する入口と処理室に対する内側および
外側ガス入口ダクトの出口との間の差圧を制御するため
に、ガス供給ダクトの入口における流れ断面積を規制す
るよう、第2のガス供給サブダクトを横切って選択的に
位置決め可能である。
更に、本発明によれば、内筒に対してそのまわりに周方
向に間隔を置いて、概して垂直な羽根が内側環状導管内
に径方向に延びるように複数装着しである。これらの羽
根は、内筒の外壁に沿って概して垂直に延びて内側環状
導管の環状出口開口の面で終端し、かつ内筒から第1の
ガス入口ダクトに向けて限定した距離、好ましくはその
間の径方向距離の約半分を径方向外向きに延びている。
なお、これらの羽根は、内側環状導管から進むプロセス
ガスの旋回運動を排除し、或いは少なくとも実質的に低
減せしめて、これによって高度に旋回するガス流忙関連
した霧滴雲の持ち上がりを大意に低減し、或いは排除す
るために設けたものである。
実施例 以下、添付図面を参照して、本発明の好適な一実施例に
ついて詳細に説明する。
添付図面には、本発明に従って設計され、プロセスガス
を処理室に導入する装置10が図示しである。この装置
10は、処理槽4の天板に整合関係に据え付けられ、か
つ液体噴霧装置2を処理槽4の天板にある開口内の中央
に支持するよう液体噴霧装置2のまわりに同心配置され
て、霧化した液体霧滴を処理室40の気液接触域80に
導入できるよう処理室40内に延びている。液体噴霧装
置2は、周知の数多くの霧化噴霧手段、例えば機械式霧
化噴霧ノズル、音波式噴霧ノズル、或見・は図面に示す
ように回転輪型霧化器等のいずれを包含していてもよい
液体噴霧装置2は、装置10の長軸まわりの中央に配置
した装置10の内筒部分11内に挿入することによって
処理槽4の天板にある開口内中央に支持されている。内
筒11は、液体噴霧装置2が処理室40内に落下するこ
とのないように液体噴霧装置2を整合関係に受入れる形
状とした端部開放型の室を内部に画定している。一般的
な液体噴霧装置は、円筒状本体がそこから延びる円錐状
先端部分を備えていることから、その内筒11は、液体
噴霧装置を受入れる大きさとした上部円筒状フランジと
、液体噴霧装置の噴霧手段8が内筒11の円錐状筒部分
の開放下端部を通じて処理室40内に延びるように、そ
の円錐状先端を受入れるようにした下部円錐状筒体から
成るのが好ましい。
一般に、プロセスガスは処理室40内で液体噴霧装置2
の先端6のまわりに位置した気液接触域内に別々の共同
環状流れとして液体噴霧装置2のまわりに同心状に導入
することが望ましい。この目的のために、本発明の装置
1oは、処理槽4の壁にある開口を通じてその内部に画
定された処理室40内に延びる2個のガス入口ダクトを
有している。第1のガス入口ダクト12は、液体噴霧装
置2を収容している内筒11のまわりで中央に配置され
て、処理室40内へ液体噴霧装置2の先端6のまわりに
開口する環状出口16を有する内側環状導管14を画定
している。また、第2のガス入口ダクト22は、第1ガ
ス入ロダクト12のまわりに同心配置されかつそれから
径方向外方に隔置されて、処理室40内へ第1のガス入
口ダクト12のまわりに開口する環状出口26を有する
外側環状導管24を画定している。好ましくは、第1お
よび第2のガス入口ダクトは、両者とも、上方に配置さ
れる水平なうず巻ガス供給ダク)30に整合するようK
した上部円筒状フランジと、処理室40内で液体噴霧装
置2の先端6のまわりに形成される気液接触域80内へ
それぞれの導管内を進むプロセスガスを指向させるよう
にした下部円錐状スカート部分から構成される。
また、本発明のガス導入装置10は、液体噴霧装置2の
上端部のまわりに配置され、プロセスガスを受取る入口
開口31と第1および第2のガス人ロダク)12,22
に整合する出口開口を有する水平なガス供給ダクト30
を包含している。この水平ガス供給ダク)30は、プロ
セスガスな処理ダクト12および22に入る前に水平ガ
ス供給ダク)30によって画定されたうず巻流路を進む
につれて、流れの回転分力をプロセスガスに与えてもい
る。
本発明によれば、水平ガス供給ダクト30内には、この
水平ガス供給ダクトを第1の水平ガス供給サブダクト3
4とこれに側行関係に配置される第2の水平ガス供給サ
ブダクト36とに分割するため仕切り手段32が配置し
てあり、また第2のガス供給サブダクト36内にはその
入口に、プロセスガスの第2ガス供給サブダクト36を
通る流れを制御するダンパ手段70が配置しである。第
1のガス供給サブダクト34は、第1のガス入口ダクト
12に整合し開口して、プロセスガスの第1部分5を処
理室40内に指向する内側流路44を第1のガス入口ダ
クトと共に形成している。第2のガス供給サブダクト3
6は、第2のガス入口ダクト24に整合し開口して、プ
ロセスガスの第2部分7を処理室40内に指向する外側
流路46を第2のガス入口ダクトと共に形成している。
また、ダンパ手段70は、第2のガス供給サブダクト3
6および第2のガス入口ダクト24を経て処理室40に
通じる外側流路460入口における流れ断面積を規制す
るよう、第2のガス供給サブダクト36を横切って選択
的に位置決め可能である。
更に、本発明によれば、内筒11の外壁の下側部分に対
し周方向に隔間な置いてそのまわりに、概して垂直な羽
根50が内側導管14内を径方向外向きに延びるように
複数装着されている。羽根50の下縁部は、内側導管1
4の出口16の面で終っている。また、羽根50は内側
導管14の環状出口16を横切っである限定した距離を
径方向に延びている。即ち、羽根50は出口16全体を
横切って第1のガス入口ダクト12に接するほどは延び
てはいない。羽根50は、内側導管14の環状出口16
を横切る距離の約50係外向きに延びているのが好まし
い。
内側導管14内にその出口16の近くに延びる羽根50
は、霧化した霧滴の近傍に強力な低圧域が形成するのを
防ぐのに必要である。内側および外側導管14.24の
接線方向の入口特性とうす巻き特性によって、本発明の
装置10はその装置内を進むプロセスガス流に大きな旋
回運動を与えている。この運動を抑制しないでいれば、
内側ガス流内の強力な旋回運動によって、ガス流が液体
噴霧装置2のまわりを旋回するにつれて、その噴霧先端
を包囲する領域には強力な低圧域が形成されることにな
る。かかる低圧域は、次いで、霧滴を上昇させがちな上
向きの速度傾向を誘因する。従つて、ある状態の下では
、霧化器本体を逆に、或いは内側導管内にまでその霧滴
を押し上げるため、これらの表面では、全く望ましくな
い物質沈着が起こることもある。
羽根50が概して垂直である性質によって、内側導管1
4を出て行くガス流は下向きに指向されるので、内側導
管14を出て行くガス流の旋回運動はほとんど消滅する
ことになる。なお、羽根50は、約15°までは垂直か
ら傾けてもよいのは、それでも液体霧滴雲の著しい上昇
が起こらない程度にガス流の旋回運動を低減するよう働
くからである。
稼動中、処理槽4に供給すべきプロセスガスは、水平う
ず巻ガス供給ダクト30をその入口31を経て進行する
。プロセスガスは、入口31を経て水平ガス供給ダク)
30を進むにつれて、仕切り手段32の先縁部に遭遇し
、プロセスガスの第1部分5が仕切り手段32の内側を
進み、内側流路44を流れ、一方プロセスガスの第2部
分7が仕切り手段32の外側を進み、外側流路46を通
つて処理室40に流れて行く。仕切り手段32は、全負
荷運転のためには水平ガス供給ダクト30に進入する流
れに対し直線に位置決めされるダンパ手段と共に、水平
ガス供給ダクト30を適当な寸法とした第1および第2
のガス供給サブダクト34゜36に分割するように水平
ガス供給ダク)30内に配置されている。本態様では、
第1および第2のガス供給サブダクト34.36は、処
理室40に対する設計容積流量の下で内側流路44およ
び外側流路46を通じ適当な流量と所望の速度が得られ
るような寸法となっている。
しかしながら、ガス導入装置10用の設計容積流量より
著しく低く続く広範囲な容積流量にわたって装置を運転
する必要がしばしばある。負荷調整範囲は、4:1或い
はそれ以上が望ましい。本発明によれば、内側流路44
を通って処理室40に向かう容積流量は、第2流路46
に対する入口を横切ってその入口における流れ断面積を
低減するようにダンパ手段を選択的に位置決めすること
によって1本装置10用の設計容積流量以下の広範囲な
容積流量にわたって内側流路44内に許容し得る速度を
維持するよう、段底規準以上に維持することができる。
即ち、ダンパ手段を閉じることによって、うず巻ガス供
給ダク)30に対する入口と処理室40に対する第1お
よび第2のガス人ロダク)12.22の出口との間の圧
力降下は、気液接触域80内で最適な気液混合を得るう
えで必要な内側流路44内の適切な設計容積流量と速度
を与えるはずの当該圧力降下に対応する予め選択された
設定規準に維持されるように制御することができる。
好ましい運転形態では、水平うず巻ガス供給ダクト30
に対する入口と第1ガス人ロダクト12“の出口開口と
の間の感知されたガス差圧P、−P。
を許容し得る段底速度或いはそれ以上の速度に対応する
予め選択した設定差圧ΔP8..と比較できるよう、ダ
ンパ手段70に組合された制御手段60が設けである。
従って、各種用途の気液接触プロセスを最適化するうえ
で、正確な設定差圧、即ち対応する段底許容速度を場合
に応じて選択できる。
水平ガス供給ダクト:(00Å口には、入口圧力P1を
感知しその指示信号を制御手段60に送るために圧力感
知装置62が配置してあり、また処理室、10の上部区
域には、第1ガス入口ダクト12の出口の圧力を感知し
その指示信号を制御手段60に送るために圧力感知装置
64が配置しである。
これらの圧力指示信号を受け増ったとき、制御手段60
は、感知差圧P■−Poを計算し、当該感知差圧を設定
差圧と比較する。仮に、感知差圧が設定差圧から逸脱し
ていたとすれば、制御手段60はダンパ手段70に組合
されたダンパ駆動手段72に信号65を送ることになる
。この制御信号65に応答して、ダンパ駆動手段72は
、ダンパ手段を第2の水平うず巻ガス供給サブダクト3
6を横切って選択的に位置決めし第2のガス供給サブダ
クト;36を適当に閉じて、即ちその入口における流れ
断面積を減少するように運転されるので、水平うず巻ガ
ス供給ダクト30に対する入口と処理室40に対する第
1入口ダクトの出口との間の圧力降下を適当に増加せし
めて感知ガス差圧を予め選択された設定差圧に等しく維
持し、これによって内側流路を進むプロセスガスの第1
部分の速度が許容最低速度以上に維持されろ。
ダンパ手段70を操作して、第2の水平うず巻ガス供給
サブダクト36に対する入口を更に閉塞すれば、サブダ
クト36の入口における断面積が減少するので、外側流
路46を進むプロセスガスの第2部分7の容積流量は次
いで低減し、かつ内側流路44を進むプロセスガスの第
1部分5の容積流量は増大されることになる。この方法
によれば、内側流路44を通る容積流量を所望の規準に
維持して内側流路内の速度を許容最低規準以上に維持す
るように、ダンノく手段70を選択的に位置決めするこ
とができる。
内側流路4A内の速度を許容最低規準以上に維持するこ
とによって、プロセスガスの全容積流量が低減したとし
ても、ノズル先端6からの径方向外向きに指向された液
体霧滴は気液接触域80内でプロセスガスの第1部分5
と最適状態で接触し混合されることが確実となる。従っ
て、本発明(ま、液体噴霧装置2の先端6を包囲する気
液接触域80内にプロセスガスを導入する装置であって
、全容積流量が本装置10用の設計流量以下であったと
しても、充分に高い速度で充分な容積のプロセスガスが
、先端6を去る霧化した液体霧滴と気液接触域80内で
、本装置にとっては広範囲な全容積流量にわたって最適
状態で接触するようにプロセスガスを導入する装置を提
供し得たわけである。
発明の詳細 な説明してきたように、本発明によるプロセスガス導入
装置は、広範囲な負荷調整にわたり、霧化した液体と処
理室内に導入されたプロセスガスとの適切な混合を確保
するように、その速度を液体噴霧装置を包囲する気液接
触域内で最低基準以上に維持することができるので、食
料品スラリーの噴霧乾燥機或いは煙道ガスのスクラッピ
ング装置等各種用途に広く利用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のプロセスガス導入装置の一例を示す
部分断面立面図である。 第2図は、第1図の線2−2から見た断面平面図である
。 第3図は、第1図の線3−3から見た断面平面図である
。 2・・液体噴霧装置、4・・処理槽、5・・プロセスガ
スの第1部分、6・・噴霧装置の先端、7・・プロセス
ガスの第2部分、8・・噴霧手段、10・・プロセスガ
ス導入装置、11・・内筒、12・・第1のガス入口ダ
クト、14・・内側履口、30・・水平うず巻ガス供給
ダクト、31・・入口間0.32・・仕切り手段、34
・・第1の水平ガス供給サブダクト、36・・第2の水
平ガス供給サブダクト、40・・処理室、44・・内側
流路、46・・外側流路、50・・羽根、60・・制御
手段、62.64・・圧力感知装置、65・・信号、7
0・・ダン/<手段、72・・ダンノく駆動手段、80
・・気液接触域。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 処理液を処理室内に噴霧するために配置した液体噴
    霧装置を包囲する気液接触域にプロセスガスを導入する
    装置において、 a、前記液体噴霧装置を収容するようにした端部開放型
    の内筒であつて、前記液体噴霧装置の噴霧手段が前記内
    筒の開放端部を通じて前記処理室内に延びる位置に前記
    液体噴霧装置を支持するようにした端部開放型内筒と、 b、前記液体噴霧装置を支持する前記内筒のまわりで中
    央に配置され、前記処理室内へ前記液体噴霧装置のまわ
    りに開口する環状出口を有する内側環状導管を画定する
    第1のガス入口ダクトと、 c、前記第1のガス入口ダクトのまわりに同心配置され
    、かつ当該第1のガス入口ダクトから径方向に隔置され
    ていて、前記処理室内へ前記第1のガス入口ダクトのま
    わりに開口する環状出口を有する外側環状導管を画定す
    る第2のガス入口ダクトと、 d、前記液体噴霧装置のまわりに配置され、前記プロセ
    スガスを受け取る入口開口と、前記第1および第2のガ
    ス入口ダクトに整合する出口開口を有する水平なうず巻
    ガス供給ダクトと、e、前記水平うず巻ガス供給ダクト
    を第1および第2の水平うず巻ガス供給サブダクトに分
    割するように前記水平うず巻ガス供給ダクト内に配置さ
    れた仕切り手段であつて、前記第1のガス供給サブダク
    トが前記第1のガス入口ダクトに整合しかつ開口して前
    記プロセスガスの第1部分を前記処理室内に指向する内
    側流路を当該第1のガス入口ダクトと共に形成し、かつ
    前記第2のガス供給サブダクトが前記第2のガス入口ダ
    クトに整合しかつ開口して前記プロセスガスの第2部分
    を前記処理室内に指向する外側流路を当該第2のガス入
    口ダクトと共に形成している仕切り手段と、 f、前記プロセスガスの前記第2のガス供給サブダクト
    を通る流れを制御するために、前記第2のガス供給サブ
    ダクト内で当該第2のガス供給サブダクトの入口に配置
    されたダンパ手段であつて、前記第2のガス供給サブダ
    クトと前記第2のガス入口ダクトによつて画定された前
    記外側流路の入口における流れ断面積を規制するよう、
    前記第2のガス供給サブダクトを横切つて選択的に位置
    決め可能なダンパ手段と、g、前記内筒に対し当該内筒
    の周囲に間隔を置いて装着された複数の羽根手段であつ
    て、それぞれが概して垂直に配置されかつ前記内側環状
    導管内に前記内筒から外向きに延びている羽根手段と、 から成ることを特徴とするプロセスガス導入装置。 2a、前記ダンパ手段に組合わされ、前記水平うず巻ガ
    ス供給ダクトに対する入口と前記処理室の上側部分との
    間のガス差圧を予め選択した設定差圧と比較する制御手
    段と、 b、前記ダンパ手段に組合わされ、前記感知ガス差圧を
    前記の予め選択した設定差圧に等しく維持し、これによ
    つて前記内側流路を通る前記プロセスガスの第1部分の
    速度を一定速度に維持するように、前記差圧比較手段に
    応答して前記ダンパ手段を前記第2の水平うず巻ガス供
    給サブダクトを横切つて選択的に位置決めするダンパ駆
    動手段と、 を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    装置。 3 前記羽根手段が、それぞれ、前記内筒に沿つて概し
    て垂直に延びて、前記内側環状導管の前記環状出口開口
    の面で終端することを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の装置。 4 前記羽根手段が、それぞれ、前記内筒から前記第1
    のガス入口ダクトに向かつて径方向外方に延びて、前記
    内側環状導管の前記環状出口開口の面で前記内側環状導
    管を横切る径方向距離の約半分の距離で終端することを
    特徴とする特許請求の範囲第3項記載の装置。
JP61009080A 1985-01-22 1986-01-21 プロセスガスを処理室に導入する装置 Granted JPS61174901A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US693406 1985-01-22
US06/693,406 US4571311A (en) 1985-01-22 1985-01-22 Apparatus for introducing a process gas into a treatment chamber

Publications (2)

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JPS61174901A true JPS61174901A (ja) 1986-08-06
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