JPS61168922A - プラズマ・エツチング装置 - Google Patents
プラズマ・エツチング装置Info
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- JPS61168922A JPS61168922A JP22793885A JP22793885A JPS61168922A JP S61168922 A JPS61168922 A JP S61168922A JP 22793885 A JP22793885 A JP 22793885A JP 22793885 A JP22793885 A JP 22793885A JP S61168922 A JPS61168922 A JP S61168922A
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- gas
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- electrode
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明はプラズマによって基板をエツチングするための
プラズマ・エッチング装置に関するものである。
プラズマ・エッチング装置に関するものである。
B、開示の概要
本発明は複数個の基板の主平面上の材料の予定部分をプ
ラズマ・エッチングするための装置を開示する。この装
置はプラズマ反応室と、電界により反応種(スペイシス
)に変換されるべきガスを連続的に導入するための設備
と、基板の1つ又はそれ以上のスルーホールを通ってガ
スが流れるようにするための設備と、ガスを連続的に排
出するための設備と、反応室及び基板に連結され反応室
内の予定径路に沿った逐次的な基板前進を容易化するた
めの自動輸送(駆動)機構と、各基板を反応室に出し入
れする間に反応室内の雰囲気を実質的に一定に維持する
ため反応室に連結された真空ロックとより成る。
ラズマ・エッチングするための装置を開示する。この装
置はプラズマ反応室と、電界により反応種(スペイシス
)に変換されるべきガスを連続的に導入するための設備
と、基板の1つ又はそれ以上のスルーホールを通ってガ
スが流れるようにするための設備と、ガスを連続的に排
出するための設備と、反応室及び基板に連結され反応室
内の予定径路に沿った逐次的な基板前進を容易化するた
めの自動輸送(駆動)機構と、各基板を反応室に出し入
れする間に反応室内の雰囲気を実質的に一定に維持する
ため反応室に連結された真空ロックとより成る。
C0従来技術
より均一なプラズマエツチングの結果を達成する従来の
1つの方法は、エツチング(蝕刻)速度を低くしたい場
合、フッ素置換を発生するように高い濃度のCF4を必
要とする。
1つの方法は、エツチング(蝕刻)速度を低くしたい場
合、フッ素置換を発生するように高い濃度のCF4を必
要とする。
プラズマ反応を起すために1通常、反対極性の電荷が与
えられた電極が真空室内に置かれる。そのような装置は
例えば、本出願人の先願米国特許第4508612号明
細書(特願昭59−243543号)に示されている。
えられた電極が真空室内に置かれる。そのような装置は
例えば、本出願人の先願米国特許第4508612号明
細書(特願昭59−243543号)に示されている。
米国特許第3757733号はプラズマ沈積用の円筒形
反応器を開示している。その反応器は内側領域に基板を
保持する保持体の外側領域から反応ガスを放射状に流す
ための手段を有する。更に保持体の内側領域からガスを
排出するための手段が設けられている。このような装置
は連続的又は半連続的な動作とは反対に、1度に1つの
基板主表面に対してのみ処理可能なバッチ処理にしか使
用できない。そればかりか多量の反応ガスを消費するの
で、プラズマ沈積の均一性は比較的小さい基板又はウェ
ハに対してのみ保証される。しかもこの装置はプラズマ
沈積用のものであってプラズマ・エッチングを意図した
ものではない。
反応器を開示している。その反応器は内側領域に基板を
保持する保持体の外側領域から反応ガスを放射状に流す
ための手段を有する。更に保持体の内側領域からガスを
排出するための手段が設けられている。このような装置
は連続的又は半連続的な動作とは反対に、1度に1つの
基板主表面に対してのみ処理可能なバッチ処理にしか使
用できない。そればかりか多量の反応ガスを消費するの
で、プラズマ沈積の均一性は比較的小さい基板又はウェ
ハに対してのみ保証される。しかもこの装置はプラズマ
沈積用のものであってプラズマ・エッチングを意図した
ものではない。
米国特許第4264393号はプラズマ・エッチング又
は沈積用の反応器を開示している。その反応器は内部に
2つの平行板を持つ。その一方はオリフィスの正規アレ
イを通って板間の高周波電界中に分配される反応ガスの
ためのマニホルドとして働らく。平行板構造体は容量を
増すために接地板及び高周波板を交互に並べたアレイ状
でもよい。反応ガスは一方向のみから導入され(即ち板
体の片側だけにオリフィスが並べられている)。
は沈積用の反応器を開示している。その反応器は内部に
2つの平行板を持つ。その一方はオリフィスの正規アレ
イを通って板間の高周波電界中に分配される反応ガスの
ためのマニホルドとして働らく。平行板構造体は容量を
増すために接地板及び高周波板を交互に並べたアレイ状
でもよい。反応ガスは一方向のみから導入され(即ち板
体の片側だけにオリフィスが並べられている)。
その結果として基板又はそのスルーホールの片側エツチ
ングしか出来ない。
ングしか出来ない。
D1発明が解決しようとする問題点
多岐にわたる電子素子、例えば集積回路のような電子素
子を製造する際に、基板上に金属の薄膜を沈積(dep
osit)する必要がある1例えば銅の如き材料がセラ
ミック又はガラス基板上に沈積され、そしてエッチされ
、若しくは電気回路又は電子素子に作られる。
子を製造する際に、基板上に金属の薄膜を沈積(dep
osit)する必要がある1例えば銅の如き材料がセラ
ミック又はガラス基板上に沈積され、そしてエッチされ
、若しくは電気回路又は電子素子に作られる。
プラズマデポジション、即ちプラズマ沈積の領域で、原
子はスパッタリング又はスパッタ沈積と称されるプロセ
スによって、陰極へ接続されたターゲットの表面から変
位される。このプロセスにおいて、ターゲットはしばし
ば銅などのような電気の良導電材料で構成される。ター
ゲットが取り付けられる陰極は、アルゴンのような不活
性ガスの環境の下で、直流か又は高周波の相対的に高い
電圧に差し向けられる。不活性ガスはイオン化し励起気
体状態(プラズマ)を形成する。このプラズマ状態から
正のイオンが脱出してターゲットの露出面に衝突する。
子はスパッタリング又はスパッタ沈積と称されるプロセ
スによって、陰極へ接続されたターゲットの表面から変
位される。このプロセスにおいて、ターゲットはしばし
ば銅などのような電気の良導電材料で構成される。ター
ゲットが取り付けられる陰極は、アルゴンのような不活
性ガスの環境の下で、直流か又は高周波の相対的に高い
電圧に差し向けられる。不活性ガスはイオン化し励起気
体状態(プラズマ)を形成する。このプラズマ状態から
正のイオンが脱出してターゲットの露出面に衝突する。
ターゲットの材料の原子又はクラスタ、即ち原子団は運
動のモーメントによって、追い出される。スパッタリン
グとして知られているのが、ターゲット原子のこの追い
出しである。このプロセスを繰返すことによって1元来
。
動のモーメントによって、追い出される。スパッタリン
グとして知られているのが、ターゲット原子のこの追い
出しである。このプロセスを繰返すことによって1元来
。
中性である多数のこれ等の原子が相対的に高い真空中で
、ターゲットの前の空間に移動する。これ等の原子は結
局、全体としてターゲットに近接して置かれた基板、即
ちサンプルと言われる受容体。
、ターゲットの前の空間に移動する。これ等の原子は結
局、全体としてターゲットに近接して置かれた基板、即
ちサンプルと言われる受容体。
即ちレシーバの表面を叩きそして凝結する。かくして、
原子の被覆即ちターゲット材料の分子層が基板上に設立
される。全体が1μmよりも薄いコーディングが薄膜(
thin fil+m)と称される。一般に、集積回路
の金属化にはこの厚さで充分である。
原子の被覆即ちターゲット材料の分子層が基板上に設立
される。全体が1μmよりも薄いコーディングが薄膜(
thin fil+m)と称される。一般に、集積回路
の金属化にはこの厚さで充分である。
一般にバイア(via)と言われている短絡孔又はスル
ーホールは、第ルベルの導電パターンと第2、即ち高次
レベルの導電パターンとの間の相互電気接続路である。
ーホールは、第ルベルの導電パターンと第2、即ち高次
レベルの導電パターンとの間の相互電気接続路である。
異なった基板レベル上の回路を相互に電気的に接続する
ために、貴金属(例えばパラジウム)の種入れ及び無電
解金属沈積がバイアの壁面を被覆するのに使われて来た
。(上述の被覆は、後で電気メッキされるのが通常であ
る。)然しなから、極く最近は、プラズマ技術がこの問
題に適用されて来ている。
ために、貴金属(例えばパラジウム)の種入れ及び無電
解金属沈積がバイアの壁面を被覆するのに使われて来た
。(上述の被覆は、後で電気メッキされるのが通常であ
る。)然しなから、極く最近は、プラズマ技術がこの問
題に適用されて来ている。
プリント回路板及びカードとして使用される基板のプラ
ズマ処理の分野において、不均一なプラズマ領域は不均
一なエツチング、不均一な沈積を生じ、そしてスルーホ
ール、又はバイア孔の不均一な清浄をもたらす。このス
ルーホールに関する清浄処理はデスミアリング(des
mearing)と称する。例えば、エツチングプロセ
スにおいて、基板の中心部分のより高濃度のプラズマ領
域は基板の中心部位でより高いエツチング速度をもたら
すのに反して、基板の周辺部分における相対的に希薄な
プラズマ濃度はこれ等の部分で比例的且つ予想通りの低
いエッチ速度を生ずる。電気的に浮遊状態にあるプリン
ト回路板に近接した不均一な電界は回路板の不均一なプ
ラズマ処理を起すことが見出されている。
ズマ処理の分野において、不均一なプラズマ領域は不均
一なエツチング、不均一な沈積を生じ、そしてスルーホ
ール、又はバイア孔の不均一な清浄をもたらす。このス
ルーホールに関する清浄処理はデスミアリング(des
mearing)と称する。例えば、エツチングプロセ
スにおいて、基板の中心部分のより高濃度のプラズマ領
域は基板の中心部位でより高いエツチング速度をもたら
すのに反して、基板の周辺部分における相対的に希薄な
プラズマ濃度はこれ等の部分で比例的且つ予想通りの低
いエッチ速度を生ずる。電気的に浮遊状態にあるプリン
ト回路板に近接した不均一な電界は回路板の不均一なプ
ラズマ処理を起すことが見出されている。
前記の刊行物に示された技術は、大きな基板の主平面を
エッチするためにも、また大きな面積にわたって均一な
プラズマ領域を発生するためにも適当でない0本発明の
目的は次の通りである。
エッチするためにも、また大きな面積にわたって均一な
プラズマ領域を発生するためにも適当でない0本発明の
目的は次の通りである。
均一なプラズマ領域を発生するためのプラズマ反応装置
を提供すること。
を提供すること。
大きな基板の主表面やバイア及びスルーホールを均一に
処理するプラズマ反応装置を提供すること。
処理するプラズマ反応装置を提供すること。
反応ガスの消費分を補充しつつ自動的又は半自動的に均
一なプラズマ及び電界中で基板を処理できるようにする
こと。
一なプラズマ及び電界中で基板を処理できるようにする
こと。
基板をエツチングし且つクリーニングするため連続的態
様でプラズマ反応器を使用できるようにすること。
様でプラズマ反応器を使用できるようにすること。
均−且つ効率的にプラズマ処理を行なうための基板に向
って、基板をめぐって、且つ基板を通過して両方向にプ
ラズマ・ガス流を当てるようにすること。
って、基板をめぐって、且つ基板を通過して両方向にプ
ラズマ・ガス流を当てるようにすること。
E0問題点を解決するための手段
本発明は複数個の基板の主表面上の物体の予定部分をプ
ラズマ・エッチング(食刻)するための装置を提案する
。この装置はプラズマ反応室と。
ラズマ・エッチング(食刻)するための装置を提案する
。この装置はプラズマ反応室と。
電界により反応種(スペイシス)に変換されるべきガス
を連続的に導入するための設備と、基板の1つ又はそれ
以上のスルーホールを通ってガスが流れるようにするた
めの設備と、ガスを連続的に排出するための設備と1反
応室及び基板に連結され反応室内の予定径路に沿った逐
次的な基板前進を容易化するための自動輸送(駆動)機
構と、各基板を反応室に出し入れする間に反応室内の雰
囲気を実質的に一定に維持するため反応室に連結された
真空ロックとより成る。
を連続的に導入するための設備と、基板の1つ又はそれ
以上のスルーホールを通ってガスが流れるようにするた
めの設備と、ガスを連続的に排出するための設備と1反
応室及び基板に連結され反応室内の予定径路に沿った逐
次的な基板前進を容易化するための自動輸送(駆動)機
構と、各基板を反応室に出し入れする間に反応室内の雰
囲気を実質的に一定に維持するため反応室に連結された
真空ロックとより成る。
E、実施例
第3図を参照すると、従来の技術で知られているような
通常の上部パネル電極10と下部パネル電極12との断
面図が示されている。電極10及び12は相互に平行な
主軸を持つ、この構造は平行板パネル電極と言われる。
通常の上部パネル電極10と下部パネル電極12との断
面図が示されている。電極10及び12は相互に平行な
主軸を持つ、この構造は平行板パネル電極と言われる。
電源は示されていないが夫々の電極10及び12に接続
される。第3図に示されたように、成る時間において、
正の電荷が上部電極10に印加され、そして負の電極が
下部電極12に印加される。
される。第3図に示されたように、成る時間において、
正の電荷が上部電極10に印加され、そして負の電極が
下部電極12に印加される。
平行電極10及び12の間で、参照番号14で識別され
る電界は中心領域で実質的に均一である。
る電界は中心領域で実質的に均一である。
然しながら、夫々参照番号16及び18により示されて
いるように、電極10及び12の両端での電界は、より
高密度である。従って、電界14も結果のプラズマ(図
示せず)も電極10及び12に近接したすべての場所で
均一ではない。
いるように、電極10及び12の両端での電界は、より
高密度である。従って、電界14も結果のプラズマ(図
示せず)も電極10及び12に近接したすべての場所で
均一ではない。
更に第4図を参照すると、間に挟まれた基板20を有す
る、同じ平行板パネル電極10及び12の断面図が示さ
れている。基板20は電極10及び12の主軸と実質的
に平行な主軸を持つ、任意の成る時間での電界は電極1
0及び12に近接する中心部22では相対的に低い強度
を有し、そして電極10及び12に近接した外縁部で相
対的に高い強度を有している。中間部に基板20を有す
る通常の平行板パネル電極10及び12は均一でない電
界を生ずることが分る。
る、同じ平行板パネル電極10及び12の断面図が示さ
れている。基板20は電極10及び12の主軸と実質的
に平行な主軸を持つ、任意の成る時間での電界は電極1
0及び12に近接する中心部22では相対的に低い強度
を有し、そして電極10及び12に近接した外縁部で相
対的に高い強度を有している。中間部に基板20を有す
る通常の平行板パネル電極10及び12は均一でない電
界を生ずることが分る。
第5図は、上記電極28とそれと平行な下部電極30を
有するプラズマ反応装置を示す、それ等2枚の電極28
及び30の中間に、その2枚の電極と実質的に平行に基
板32があり、基板は接地されるか、又はゼロ電位に保
たれる。
有するプラズマ反応装置を示す、それ等2枚の電極28
及び30の中間に、その2枚の電極と実質的に平行に基
板32があり、基板は接地されるか、又はゼロ電位に保
たれる。
例えばブランソン(Brangon) I P 0社で
製造されたモデル番号PM145のような高周波電源、
即ち高周波発生器34が上部電極28へ電気的に接続さ
れている。第2の高周波電源36が下部電極30に電気
的に接続される。インピーダンスを整合するために、イ
ンピーダンス整合回路38が上部電極28と直列に上部
高周波電源34へ接続される。インピーダンス整合回路
は固定容量と可変容量とを含む、第2のインピーダンス
整合回路40は下部電極30と直列に第2高周波電源3
6へ接続される。
製造されたモデル番号PM145のような高周波電源、
即ち高周波発生器34が上部電極28へ電気的に接続さ
れている。第2の高周波電源36が下部電極30に電気
的に接続される。インピーダンスを整合するために、イ
ンピーダンス整合回路38が上部電極28と直列に上部
高周波電源34へ接続される。インピーダンス整合回路
は固定容量と可変容量とを含む、第2のインピーダンス
整合回路40は下部電極30と直列に第2高周波電源3
6へ接続される。
交番電流位相波形42及び43は高周波電源34及び3
6の間の位相差を表わしている。高周波電源34及び3
6は常時、相互に180°位相がずれていることが分る
。また、上部及び下部電極夫々の間に発生された電界は
、部分46及び48を含んで基板の長さに沿って実質的
に均一であることが理解出来る。
6の間の位相差を表わしている。高周波電源34及び3
6は常時、相互に180°位相がずれていることが分る
。また、上部及び下部電極夫々の間に発生された電界は
、部分46及び48を含んで基板の長さに沿って実質的
に均一であることが理解出来る。
第6図はプラズマ処理に使用される高真空度に維持する
のに適する反応室50を示す0例えば、そのような室5
0はブランソン社のモデル番号7415により入手しう
る0反応室50は排気され、次にアルゴン及び酸素また
はCF4及び酸素が導入される。ハウジング52が反応
室50の中に置かれる。ハウジング52には、電界回路
を表面にプリントさせるのに適した複数枚のカード、即
ち基板54を装着する。基板54は母線56によって互
いに電気的に接続される。母線56は接地57される。
のに適する反応室50を示す0例えば、そのような室5
0はブランソン社のモデル番号7415により入手しう
る0反応室50は排気され、次にアルゴン及び酸素また
はCF4及び酸素が導入される。ハウジング52が反応
室50の中に置かれる。ハウジング52には、電界回路
を表面にプリントさせるのに適した複数枚のカード、即
ち基板54を装着する。基板54は母線56によって互
いに電気的に接続される。母線56は接地57される。
電極58及び60は基板54の両側に交互に設置される
。電極58は母線部62によって互に電気的に接続され
ている。母線部62は、良好な実施例では13.5メガ
ヘルツで動作するのに適する高周波電源へ電気的に接続
される。スルーホールの高い縦横比(即ち、スルーホー
ルの深さ対直径の比率が6:1よりも大きい場合)のた
めに極めて低い周波数(例えば50キロヘルツ)で動作
する高周波電源は供給、・ガスからポリマ種の生成を阻
止することが見出されている。例えば米国特許第442
5210号は相対的に低い周波数の高周波の意義を開示
している。イオン化プラズマ種の蝕刻物(ionic
plasma 5pecies etchants)は
高周波に応答して、スルーホールの内面に到達し、スル
ーホールの内面に均一なエッチを与える。位相図65は
成る任意の時間における高周波発生量64の位相を表わ
す。
。電極58は母線部62によって互に電気的に接続され
ている。母線部62は、良好な実施例では13.5メガ
ヘルツで動作するのに適する高周波電源へ電気的に接続
される。スルーホールの高い縦横比(即ち、スルーホー
ルの深さ対直径の比率が6:1よりも大きい場合)のた
めに極めて低い周波数(例えば50キロヘルツ)で動作
する高周波電源は供給、・ガスからポリマ種の生成を阻
止することが見出されている。例えば米国特許第442
5210号は相対的に低い周波数の高周波の意義を開示
している。イオン化プラズマ種の蝕刻物(ionic
plasma 5pecies etchants)は
高周波に応答して、スルーホールの内面に到達し、スル
ーホールの内面に均一なエッチを与える。位相図65は
成る任意の時間における高周波発生量64の位相を表わ
す。
同様に、残りの電極60は他の母線部66によって互に
接続されている。母線部66は絶縁部材66a及び66
bによって、物理的に保持されているが、その絶縁部材
によって母線部56から絶縁されている。この第2の母
線部66は第2高周波電源68へ電気的に接続されてお
り、これもまた13.5メガヘルツで動作するのに適し
ている。
接続されている。母線部66は絶縁部材66a及び66
bによって、物理的に保持されているが、その絶縁部材
によって母線部56から絶縁されている。この第2の母
線部66は第2高周波電源68へ電気的に接続されてお
り、これもまた13.5メガヘルツで動作するのに適し
ている。
位相図69は第2高周波電源68の位相を表わす。
良好な実施例においては、第1高周波電源64からの電
気信号は、第2高周波電源68により発生される電気信
号の位相に比べ180°ずれている。
気信号は、第2高周波電源68により発生される電気信
号の位相に比べ180°ずれている。
交番電流位相図65及び69の比較はこの位相差関係を
表わす。
表わす。
高周波電源64及び68の間の位相差によって得られる
電界は、単独の高周波電源によって得られる電界、或は
すべてが同位相にある複数個の高周波電源によって得ら
れる電界の何れよりもよりよい均一性を有することが見
出されている。
電界は、単独の高周波電源によって得られる電界、或は
すべてが同位相にある複数個の高周波電源によって得ら
れる電界の何れよりもよりよい均一性を有することが見
出されている。
位相差は必ずしも180’である必要はない。
従って、高周波電源64及び68の間の任意の位相差は
本発明の範囲内にあることは理解されねばならない。他
の実施例として、ただ1個の高周波電源を反応室50と
関連して使用しうろことは注意を要する。ただし、この
場合、1個の高周波電源は互に位相がずれている2個又
はそれ以上の出力信号を発生することが条件となる。
本発明の範囲内にあることは理解されねばならない。他
の実施例として、ただ1個の高周波電源を反応室50と
関連して使用しうろことは注意を要する。ただし、この
場合、1個の高周波電源は互に位相がずれている2個又
はそれ以上の出力信号を発生することが条件となる。
図示されていないが、ガス導入パイプ及びガス排出パイ
プが、必要に応じて、ガスを導入し又は排出するよう反
応室50へ接続されている。動作時において、連続的に
ガスを導入しそして排出することが反応室50に接続さ
れた1本又はそれ以上のパイプによって達成しつる。
プが、必要に応じて、ガスを導入し又は排出するよう反
応室50へ接続されている。動作時において、連続的に
ガスを導入しそして排出することが反応室50に接続さ
れた1本又はそれ以上のパイプによって達成しつる。
第7図は空洞電極のプラズマ装置を示す、この空洞電極
プラズマシステムはプラズマ室(図示せず)によって囲
まれており、その内部はテフロン(イー・アイ・デュポ
ン社の登録商標)の如き非導電性材料で被覆され保護さ
れる。
プラズマシステムはプラズマ室(図示せず)によって囲
まれており、その内部はテフロン(イー・アイ・デュポ
ン社の登録商標)の如き非導電性材料で被覆され保護さ
れる。
第1の空洞電極70はその1つの主表面にドリル又はパ
ンチで穿たれた複数の開孔72を持つ。
ンチで穿たれた複数の開孔72を持つ。
その開孔は第7図で破線で示す。良好な実施例において
、開孔72は直線的で均一なマトリックスパターンとし
て示される6然しながら、均一なガス分布を妨げない任
意のパターンが使いうろことは理解されるべきである。
、開孔72は直線的で均一なマトリックスパターンとし
て示される6然しながら、均一なガス分布を妨げない任
意のパターンが使いうろことは理解されるべきである。
この第1空洞電極70と離隔関係で基板74が配置され
、基板の主軸は電極’70の主軸と平行である。電極7
0には高周波電源76が接続され、基板74は接地され
る。
、基板の主軸は電極’70の主軸と平行である。電極7
0には高周波電源76が接続され、基板74は接地され
る。
基板74に近接し且つ実施的に平行に第2空洞電極78
があり、それは電極の両主表面を通る、ドリル又はパン
チで穿された開孔(図示せず)を持つ、第2高周波電源
80はこの空洞電極78に電気的に接続される。同様に
、他の基板82が空洞電極78と実質的に平行に配置さ
れ、且つ接地される。
があり、それは電極の両主表面を通る、ドリル又はパン
チで穿された開孔(図示せず)を持つ、第2高周波電源
80はこの空洞電極78に電気的に接続される。同様に
、他の基板82が空洞電極78と実質的に平行に配置さ
れ、且つ接地される。
第3空洞電極84は基板82と実質的に平行に配置され
る。この電極84もまたドリル又はパンチで穿たれ、且
つ電極の両主表面を貫通する複数個の開孔(図示せず)
を持つ。他の高周波電源86がこの空洞電極84に接続
される。他の基板88が第3空洞電極84と実質的に平
行に配置され、且つ接地されている。
る。この電極84もまたドリル又はパンチで穿たれ、且
つ電極の両主表面を貫通する複数個の開孔(図示せず)
を持つ。他の高周波電源86がこの空洞電極84に接続
される。他の基板88が第3空洞電極84と実質的に平
行に配置され、且つ接地されている。
最後に、1つの主表面だけにドリル又はパンチで穿たれ
た開孔(図示せず)を有する第4空洞電極90は基板8
8と実質的に平行に配置され、そして最後の高周波電源
92へ電気的に接続される。
た開孔(図示せず)を有する第4空洞電極90は基板8
8と実質的に平行に配置され、そして最後の高周波電源
92へ電気的に接続される。
ガス導入パイプ94.96.98及び100が空洞電極
70.78.84及び90へ夫々接続される。操作バル
ブ94a、96a、98a及び100aが独立してガス
の流れを閉じるため、対応する導入パイプ94.96,
98及び100に設置される。導入多岐管即ち導入マニ
ホールド101が空洞電極70.78.84及び90へ
平均してガスを分配するために、導入パイプ94.96
.98及び100に接続されている。
70.78.84及び90へ夫々接続される。操作バル
ブ94a、96a、98a及び100aが独立してガス
の流れを閉じるため、対応する導入パイプ94.96,
98及び100に設置される。導入多岐管即ち導入マニ
ホールド101が空洞電極70.78.84及び90へ
平均してガスを分配するために、導入パイプ94.96
.98及び100に接続されている。
電極を挟んでガス人導マニホールド101と反対側にガ
ス排出パイプがあり、その1個は102で示されており
、各パイプに対応して、独立的に操作しうるバルブ10
2Aを持つ、空洞電極78゜84及び90に関連するガ
ス排出パイプは第7図には示されていない、すべてのガ
ス排出パイプはそれ等に関連する空洞電極と排出マニホ
−ルド104に接続されており、空洞電極からガスを均
一に排気させる。
ス排出パイプがあり、その1個は102で示されており
、各パイプに対応して、独立的に操作しうるバルブ10
2Aを持つ、空洞電極78゜84及び90に関連するガ
ス排出パイプは第7図には示されていない、すべてのガ
ス排出パイプはそれ等に関連する空洞電極と排出マニホ
−ルド104に接続されており、空洞電極からガスを均
一に排気させる。
ガス供給主パイプ106が導入マニホールド101へ接
続される。同様に、ガス排気主パイプ10Bが排出マニ
ホールド104へ接続される。
続される。同様に、ガス排気主パイプ10Bが排出マニ
ホールド104へ接続される。
若し望むならば、ガス導入パイプ106.94゜96.
98.100及びマニホールド101の機能と、ガス排
出パイプ108.102及びマニホールド104の機能
とは反転することが出来ることは理解されるべきである
。つまり、必要に応じて、ガスは主ガス排出パイプ10
8によって導入し、主ガス供給パイプ106によって排
出することが出来る。
98.100及びマニホールド101の機能と、ガス排
出パイプ108.102及びマニホールド104の機能
とは反転することが出来ることは理解されるべきである
。つまり、必要に応じて、ガスは主ガス排出パイプ10
8によって導入し、主ガス供給パイプ106によって排
出することが出来る。
空洞電極と直接に結合した導入及び排出パイプの使用は
基板の間のガスの配分及びガスの流れを最大にするので
、ガスの流れの均−化及び電界の均一化を確実にする。
基板の間のガスの配分及びガスの流れを最大にするので
、ガスの流れの均−化及び電界の均一化を確実にする。
これ等の均一化の組み合せの利益は、プラズマ処理中で
より正確でより均一なエツチング又は沈積が生ずること
である。
より正確でより均一なエツチング又は沈積が生ずること
である。
空洞電極プラズマシステムを良く理解するために操作バ
ルブ94A、96A、98A、100A、102A及び
図示されていない操作バルブについて説明する6圧力を
加えられたガスが導入マニホールド101を経てガス供
給主パイプ106から導入された時、バルブ94A、9
6A、98A及び100Aはガスを空洞電極70.78
.84及び90へ到達させ導入させる。排出パイプの弁
102A及び示されていない他のバルブが閉位置にされ
ていると、ガスは空洞電極の開孔72を通るよう強制さ
れる。このようにして、対応するガス導入口94.96
.98及び100により圧力を加えられて空洞電極70
.78,84及び90中に導入されたガスは実質的に均
一な態様で基板74.82及び88をエツチングするた
め電極の開孔72を経て配分される。
ルブ94A、96A、98A、100A、102A及び
図示されていない操作バルブについて説明する6圧力を
加えられたガスが導入マニホールド101を経てガス供
給主パイプ106から導入された時、バルブ94A、9
6A、98A及び100Aはガスを空洞電極70.78
.84及び90へ到達させ導入させる。排出パイプの弁
102A及び示されていない他のバルブが閉位置にされ
ていると、ガスは空洞電極の開孔72を通るよう強制さ
れる。このようにして、対応するガス導入口94.96
.98及び100により圧力を加えられて空洞電極70
.78,84及び90中に導入されたガスは実質的に均
一な態様で基板74.82及び88をエツチングするた
め電極の開孔72を経て配分される。
導入バルブ94A、96A、98A及び100Aと、排
出バルブ102A及び図示されていない他の排出バルブ
とを適当に設定することにより、空洞電極70.78,
84.90を通るガス流を幾つかのガス流のパターンの
うちの1つにすることが出来る。個々の基板又は基板の
群は導入及び排出バルブを適当に設定することにより、
そしてガス供給主パイプ106及びガス排気主パイプ1
08を選択することによって処理することが出来る。本
発明に従って、空洞電極及び基板の数は任意に選択しう
ろことは理解されるべきである。
出バルブ102A及び図示されていない他の排出バルブ
とを適当に設定することにより、空洞電極70.78,
84.90を通るガス流を幾つかのガス流のパターンの
うちの1つにすることが出来る。個々の基板又は基板の
群は導入及び排出バルブを適当に設定することにより、
そしてガス供給主パイプ106及びガス排気主パイプ1
08を選択することによって処理することが出来る。本
発明に従って、空洞電極及び基板の数は任意に選択しう
ろことは理解されるべきである。
ガス導入パイプ94.96.98及び100はプラズマ
反応が維持されるガスを導入するのに使われる。そのよ
うなガスは通常、CFい酸素。
反応が維持されるガスを導入するのに使われる。そのよ
うなガスは通常、CFい酸素。
アンモニア、フレオンなどである。上述のガスの任意の
混合気体を含むガス組成もまた使用出来る。
混合気体を含むガス組成もまた使用出来る。
更にまた、既に述べたように、アルゴン及び酸素の混合
気体は高い縦横比を持つスルーホールを清浄するために
、相対的に低い周波数の高周波電源で使用することが出
来る。
気体は高い縦横比を持つスルーホールを清浄するために
、相対的に低い周波数の高周波電源で使用することが出
来る。
良好な実施例において、高周波電源間の位相の相違は以
下の通りである。高周波電源76及び86は互に同位相
である。高周波電源80及び92は互に同位相であるけ
れども、上述の高周波電源76及び86に対しては18
0’、位相がずれている。代表的な周波数は50キロヘ
ルツ乃至13゜5メガヘルツ範囲にある。
下の通りである。高周波電源76及び86は互に同位相
である。高周波電源80及び92は互に同位相であるけ
れども、上述の高周波電源76及び86に対しては18
0’、位相がずれている。代表的な周波数は50キロヘ
ルツ乃至13゜5メガヘルツ範囲にある。
第8図は空洞電極70及び78と、その間に挟まれた基
板74とが第7図の線6−6に沿って切断された断面を
示す、空洞電極70は2つの壁を有し、左の壁109は
開孔がなく、右の壁110は多数の開孔72がある。電
極7oの右側110の開孔72は、反応室50(第6図
)の左部分から右部分へガスを分散させるようにテーパ
が付されている。従って、電極70の開孔72は壁11
0の左側で小さな直径を有し、電極70の壁110の右
側では大きな直径を有する。
板74とが第7図の線6−6に沿って切断された断面を
示す、空洞電極70は2つの壁を有し、左の壁109は
開孔がなく、右の壁110は多数の開孔72がある。電
極7oの右側110の開孔72は、反応室50(第6図
)の左部分から右部分へガスを分散させるようにテーパ
が付されている。従って、電極70の開孔72は壁11
0の左側で小さな直径を有し、電極70の壁110の右
側では大きな直径を有する。
テーパの付された孔72の方向は基板74の右側の主平
面へ均一にガスを配分させるように、空洞電極78の左
側壁112では逆向きにされる。
面へ均一にガスを配分させるように、空洞電極78の左
側壁112では逆向きにされる。
図示のような開孔72のテーパは、2個の空洞電極70
及び78の中間に1個の基体74が置かれた図示の例に
有用であることは注意を要する。他の配列及び電極の開
孔72の方向は、ガス流の方向や同時に処理される基板
の数によって、容易にデザインしうる。
及び78の中間に1個の基体74が置かれた図示の例に
有用であることは注意を要する。他の配列及び電極の開
孔72の方向は、ガス流の方向や同時に処理される基板
の数によって、容易にデザインしうる。
第1図は本発明の均一なガス流と均一な電界を有する連
続プラズマ処理プロセスに適した装置の平面図が示され
る。真空ロック114がリニヤ反応室115へ接続され
る。真空ロック114は。
続プラズマ処理プロセスに適した装置の平面図が示され
る。真空ロック114がリニヤ反応室115へ接続され
る。真空ロック114は。
反応室内の環境又は真空状態に影響することなく、基板
122A、122B、122C又は他の基体を反応室1
15へ搬入し且つ輸送路123に沿って移動するのに用
いられる。
122A、122B、122C又は他の基体を反応室1
15へ搬入し且つ輸送路123に沿って移動するのに用
いられる。
反応室115内であってその中心線の一方の側に、高周
波電源、RFlに電気的に接続されている3個の空洞電
極116がある。これ等3個の電極116は互に同位相
にある。
波電源、RFlに電気的に接続されている3個の空洞電
極116がある。これ等3個の電極116は互に同位相
にある。
他の3個の空洞電極118が反応室の中心線の反対側に
配置されており、各々は上述の電極116の1つに対応
する。電極118は第2の高周波電源RF2に電気的に
接続されており、互に同位相にあるが、電極116に関
しては180”位相がずれている。
配置されており、各々は上述の電極116の1つに対応
する。電極118は第2の高周波電源RF2に電気的に
接続されており、互に同位相にあるが、電極116に関
しては180”位相がずれている。
第1の真空ロック114の反対側に、第2の真空ロック
120が反応室115に設けられている。
120が反応室115に設けられている。
真空ロック120は反応室115の環境又は真空状態に
影響を与えることなく1反応室115から基板122A
、122B、122Cを取り出すのに使われる。
影響を与えることなく1反応室115から基板122A
、122B、122Cを取り出すのに使われる。
第1図において、基板122A、122B、122Gは
水平配列で示されている。電極116及び118全体の
方向的配列は同様に、互に平行であり1個々の電極板の
配列は第4図に示された模式的な配列と同様に垂直配列
されていることは注意を要する。基板122A、122
B、122Cは良好な実施例では接地されているが、プ
ラズマ処理の間では一定の電位に維持される。
水平配列で示されている。電極116及び118全体の
方向的配列は同様に、互に平行であり1個々の電極板の
配列は第4図に示された模式的な配列と同様に垂直配列
されていることは注意を要する。基板122A、122
B、122Cは良好な実施例では接地されているが、プ
ラズマ処理の間では一定の電位に維持される。
動作について説明すると基体122A、122B、12
2Gは第1の真空ロック114から輸送路123に沿っ
て、空洞電極116及び118の間の反応室115を通
り、第2の真空ロック120へ進められる。図示されて
いない駆動装置が輸送路123上の各基板を反応室の1
つの位置から他の位置へ、逐次直線的に、空続的に進め
る。第1の真空ロック114内に設置された加熱素子1
24はプラズマエツチング又はプラズマ沈積が起る前に
、基板122A、122B、122Cを予備加熱するの
に使われる。
2Gは第1の真空ロック114から輸送路123に沿っ
て、空洞電極116及び118の間の反応室115を通
り、第2の真空ロック120へ進められる。図示されて
いない駆動装置が輸送路123上の各基板を反応室の1
つの位置から他の位置へ、逐次直線的に、空続的に進め
る。第1の真空ロック114内に設置された加熱素子1
24はプラズマエツチング又はプラズマ沈積が起る前に
、基板122A、122B、122Cを予備加熱するの
に使われる。
図示されていないが、第7図に関連して説明した記載に
基づいて、空洞電極116及び118を介してプラズマ
処理に使われるガス供給及び排出装置が設けられる。空
洞電極116及び118を通って流れるガス流と、基板
122A、122B。
基づいて、空洞電極116及び118を介してプラズマ
処理に使われるガス供給及び排出装置が設けられる。空
洞電極116及び118を通って流れるガス流と、基板
122A、122B。
122Cを通り且つ取りまくガス流が第7図の矢印で示
されている。空洞電極116及び118は両側に開孔を
有し、且つ基板122A、122B。
されている。空洞電極116及び118は両側に開孔を
有し、且つ基板122A、122B。
122Cと対面する中間壁に中央溝を形成する一連の開
孔を持っている。
孔を持っている。
図示しないが、他の実施例として、反応室115は2以
上の部分に分割して、各部分を互に隔離し、夫々の部分
が異なった気体組成で基板を処理するようにすることが
出来る。他の実施例として、1個又はそれ以上の第2の
反応室を第1反応室115及び真空ロック120の間に
設置して、夫々はお互に独立させて、各反応室毎に異な
ったプラズマ処理を行うことが出来る。このような一連
のプラズマ処理段は1例えば、エツチング、ホールの清
浄化、基板処理及び沈積、又はそれ等の組み合せのため
に有用である。
上の部分に分割して、各部分を互に隔離し、夫々の部分
が異なった気体組成で基板を処理するようにすることが
出来る。他の実施例として、1個又はそれ以上の第2の
反応室を第1反応室115及び真空ロック120の間に
設置して、夫々はお互に独立させて、各反応室毎に異な
ったプラズマ処理を行うことが出来る。このような一連
のプラズマ処理段は1例えば、エツチング、ホールの清
浄化、基板処理及び沈積、又はそれ等の組み合せのため
に有用である。
第2図を参照すると、連続的若しくは準連続的のプラズ
マ処理を行うための円形状反応室の平面図が示されてい
る。この装置は基本的には2個のシリンダ(円筒状素子
)130及び132を含み、その上端及び下端には上部
及び下部密閉板(図示せず)が取り付けられている。
マ処理を行うための円形状反応室の平面図が示されてい
る。この装置は基本的には2個のシリンダ(円筒状素子
)130及び132を含み、その上端及び下端には上部
及び下部密閉板(図示せず)が取り付けられている。
内側シリンダ132は中央真空ポンプへ連結するための
真空マニホールドを形成する。
真空マニホールドを形成する。
外側シリンダ130及び内側シリンダ132との間に、
全体として放射状になっている136及び138など多
数の適当な放射状隔壁組立体が設けられ、列理装置を1
40乃至154の如き数個の独立した処理領域即ち、処
理室に分割する。これ等の隔離室は、リング状の台(図
示せず)が基板を運搬するため適当に回転し、基板が隔
室内を通過するように構成されている。
全体として放射状になっている136及び138など多
数の適当な放射状隔壁組立体が設けられ、列理装置を1
40乃至154の如き数個の独立した処理領域即ち、処
理室に分割する。これ等の隔離室は、リング状の台(図
示せず)が基板を運搬するため適当に回転し、基板が隔
室内を通過するように構成されている。
月並なエアロツク即ち真空ロック素子156が1つの処
理室140に連結されており9回転リング台で運搬され
る基体を差し入れ、即ちロードしたり、取り出し、即ち
アンロードしたりず・る、ロード及びアンロード処理室
140を装置の他のすべての部分と隔離する制御は基本
的には真空ロッキング装置で行う、真空処理室140乃
至154の隔離は、基体運搬台と、独立して排気される
隔室141との間に極めて高い気密性を与えることによ
って達成される。
理室140に連結されており9回転リング台で運搬され
る基体を差し入れ、即ちロードしたり、取り出し、即ち
アンロードしたりず・る、ロード及びアンロード処理室
140を装置の他のすべての部分と隔離する制御は基本
的には真空ロッキング装置で行う、真空処理室140乃
至154の隔離は、基体運搬台と、独立して排気される
隔室141との間に極めて高い気密性を与えることによ
って達成される。
運搬台は142のような1つの室から隣りの室144へ
通過するように作られており、放射状に配列された隔室
の部材136及び138に設けられた開口を通る。これ
らの開口は右へ角度を付されたダクト状の一連の素子1
58を使った長方形に構成され、運搬台が通過する頂部
及び側部の両方の所に制御された漏洩路を備えている。
通過するように作られており、放射状に配列された隔室
の部材136及び138に設けられた開口を通る。これ
らの開口は右へ角度を付されたダクト状の一連の素子1
58を使った長方形に構成され、運搬台が通過する頂部
及び側部の両方の所に制御された漏洩路を備えている。
角度を付された素子158の一方の側は隔壁136に固
定されているが、他方の側は気密にするため溶接又は半
田づけされている境界部の連結を除いて開放されている
。この制御された漏洩路は一方の処理環境を他方の処理
環境から充分に隔離する。
定されているが、他方の側は気密にするため溶接又は半
田づけされている境界部の連結を除いて開放されている
。この制御された漏洩路は一方の処理環境を他方の処理
環境から充分に隔離する。
リング台はモータのような任意の原動機及び歯車(図示
せず)で駆動されうる。リング台の外縁は1例えば5回
転が容易に達成出来るように、駆動ピニオンの歯型と合
致する歯型に形成してもよい、摩擦機構のような他の駆
動方式を利用することは言うまでもない、ここに記載さ
れたことは単なる参考に過ぎない。
せず)で駆動されうる。リング台の外縁は1例えば5回
転が容易に達成出来るように、駆動ピニオンの歯型と合
致する歯型に形成してもよい、摩擦機構のような他の駆
動方式を利用することは言うまでもない、ここに記載さ
れたことは単なる参考に過ぎない。
第2図に示された装置から、中央の真空マニホールド1
34は処理室140乃至154のすべてに共通であるこ
とが理解出来る。
34は処理室140乃至154のすべてに共通であるこ
とが理解出来る。
バタフライ型のバルブ素子160は夫々に形成された処
理室をこの中央マニホールド134へ連結する。バルブ
160を適当に回転することによって、特定の処理室は
マニホールド134へ開放することが出来、又はマニホ
ールド134から閉鎖することが出来る。このようにし
て、拡散又はターボポンプのような単一の高速真空ポン
プシステムが真空マニホールド134へ連結された時、
必要な真空を別個に形成された処理室及び放射状隔室組
立体のすべてに与えることが出来る。ポンプシステムは
所望の真空レベルを確立するために、種々の機械的ポン
プへ更に連結することが出来る。
理室をこの中央マニホールド134へ連結する。バルブ
160を適当に回転することによって、特定の処理室は
マニホールド134へ開放することが出来、又はマニホ
ールド134から閉鎖することが出来る。このようにし
て、拡散又はターボポンプのような単一の高速真空ポン
プシステムが真空マニホールド134へ連結された時、
必要な真空を別個に形成された処理室及び放射状隔室組
立体のすべてに与えることが出来る。ポンプシステムは
所望の真空レベルを確立するために、種々の機械的ポン
プへ更に連結することが出来る。
円筒状の内壁に支持されている独立した夫々のバルブ1
60は給排気制御素子を構成する。従って、夫々の放射
状隔室組立体は中央真空マニホールド134から分離し
ているので、複数個の異なった排気処理室を持つことが
可能である。
60は給排気制御素子を構成する。従って、夫々の放射
状隔室組立体は中央真空マニホールド134から分離し
ているので、複数個の異なった排気処理室を持つことが
可能である。
144及び148の如き分離した室の間の放射状隔壁へ
の真空マニホールドの連絡は、136゜138の如き隔
壁の間の対応する隔室へ接続されている固定又は可変の
気体誘導口162によって与えられているので、放射状
隔室組立体内の圧力は真空ポンプへ連結しているマニホ
ールド134内の圧力と殆ど同じ位に低い。しかし、実
際は漏洩などのため、この隔離領域即ち隔室は通常、真
空マニホールド134の圧力よりも僅かに高い。
の真空マニホールドの連絡は、136゜138の如き隔
壁の間の対応する隔室へ接続されている固定又は可変の
気体誘導口162によって与えられているので、放射状
隔室組立体内の圧力は真空ポンプへ連結しているマニホ
ールド134内の圧力と殆ど同じ位に低い。しかし、実
際は漏洩などのため、この隔離領域即ち隔室は通常、真
空マニホールド134の圧力よりも僅かに高い。
システム中の最高の圧力は勿論、処理室140゜142
.144,148等の中に生じている。これ等の領域又
は隔室は種々の処理素子の量を決める。
.144,148等の中に生じている。これ等の領域又
は隔室は種々の処理素子の量を決める。
リング状の処理台は順次に処理室内を移動し。
この移動が起きると、任意所望の態様で設定された適宜
の環境内に置かれた基体は種々の処理室内に置かれたス
パッタリング陰極素子164を高周波励起によってスパ
ッタ処理が行われるか、若しくは他の真空処理が施され
る。夫々の処理室中の相対的な圧力は別個に制御可能で
あるため2月並な機構によって示したバルブの操作は自
動的に行えることは明らかである。放射状隔室組立体1
36.138に設けられた、直接排気の漏洩スロットが
一つの処理室から隣りの処理室への汚染を除去する。
の環境内に置かれた基体は種々の処理室内に置かれたス
パッタリング陰極素子164を高周波励起によってスパ
ッタ処理が行われるか、若しくは他の真空処理が施され
る。夫々の処理室中の相対的な圧力は別個に制御可能で
あるため2月並な機構によって示したバルブの操作は自
動的に行えることは明らかである。放射状隔室組立体1
36.138に設けられた、直接排気の漏洩スロットが
一つの処理室から隣りの処理室への汚染を除去する。
運転中に、基体運搬台は真空異境に閉じ込められる。こ
れはガスの流出を減少する。既に触れたように、直接排
気放射状隔室組立体は隔室の汚染を除去する。
れはガスの流出を減少する。既に触れたように、直接排
気放射状隔室組立体は隔室の汚染を除去する。
約1.2メートルの直径の円筒形処理装置は3゜3メー
トルの長さのインライン型即ち直線型装置と等価である
0円形処理システムは基体のローディング及びアンロー
ディングを隣りの領域で行うのに反し、リニヤ型システ
ムは、既に説明したように、ローディング及びアンロー
ディングはシステムの両端で行う必要がある。
トルの長さのインライン型即ち直線型装置と等価である
0円形処理システムは基体のローディング及びアンロー
ディングを隣りの領域で行うのに反し、リニヤ型システ
ムは、既に説明したように、ローディング及びアンロー
ディングはシステムの両端で行う必要がある。
加えて、処理室の下に配置された中央ポンプシステムを
有する円形配列(第2図)は単一のポンプ装置のみが必
要とされる場合に使われる。
有する円形配列(第2図)は単一のポンプ装置のみが必
要とされる場合に使われる。
円形状の処理室の配列によって、基板をロード゛ し
且つアンロードすることは、任意の簡単な自動化の方法
を達成しうるし、且つ異境を変化することなしに、連続
的又は半連続的動作が可能となる。
且つアンロードすることは、任意の簡単な自動化の方法
を達成しうるし、且つ異境を変化することなしに、連続
的又は半連続的動作が可能となる。
また、これは異なったタイプの処理をコンピュータによ
り容易に制御しうるし、自動化が容易となる。
り容易に制御しうるし、自動化が容易となる。
円形状の反応装置及び第1図に示された直線状の反応装
置は基板即ち基体を垂直方向又は水平方向の何れにも移
送する装置にも利用しうろことが理解される。
置は基板即ち基体を垂直方向又は水平方向の何れにも移
送する装置にも利用しうろことが理解される。
酸素プラズマは、銅及び通常普通に使われる導電体と、
エポキシ樹脂などの電気の不良導体との接着を向上する
ために、上述の連続的プラズマ装置を使うことが出来る
。更にまた、NH,及びアミンから成るプラズマは将来
の種入れ処理用のボードを備準するのに使うことが出来
る。
エポキシ樹脂などの電気の不良導体との接着を向上する
ために、上述の連続的プラズマ装置を使うことが出来る
。更にまた、NH,及びアミンから成るプラズマは将来
の種入れ処理用のボードを備準するのに使うことが出来
る。
F0発明の詳細
な説明したように、本発明の装置は被処理基板の広い領
域にわたって均一にプラズマ・エッチングすることがで
きるので、プラズマ・エッチングによる製品の質の改善
を計るばかりでなく、プラズマ処理工程の連続化及び自
動化を容易にするなどの効果を有する。
域にわたって均一にプラズマ・エッチングすることがで
きるので、プラズマ・エッチングによる製品の質の改善
を計るばかりでなく、プラズマ処理工程の連続化及び自
動化を容易にするなどの効果を有する。
第1図は本発明のプラズマ連続エツチング装置の図、第
2図はプラズマ連続エツチング装置の他の実施例を示す
図、第3図はプラズマ領域を発生する従来装置を示す図
、第4図は基板を取り囲んでプラズマ領域を発生する従
来装置の模式図、第5図は均一なプラズマ領域を発生す
る装置を示す図、第6図は反応室の模式断面図、第7図
はガスの流れを説明するための複数個の基体と空洞電極
の斜視図、第8図は第7図の416−6に沿って切断し
た空洞電極の断面図である。 10.12.28.30.58.60・・・・電極。 34.36.64.68.76.80.86.92、R
FI、RF2・・・・高周波電源、32.54゜74.
82.122A、122B、122G・・・・基板、7
0.78.84.90,116,118・・・・空洞電
極。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 復代理人 弁理士 篠 1) 文 雄50−反
応I室 灰化・室の11図 72−・・内孔 No−・−イヨの壁 空洞電極の断面図
2図はプラズマ連続エツチング装置の他の実施例を示す
図、第3図はプラズマ領域を発生する従来装置を示す図
、第4図は基板を取り囲んでプラズマ領域を発生する従
来装置の模式図、第5図は均一なプラズマ領域を発生す
る装置を示す図、第6図は反応室の模式断面図、第7図
はガスの流れを説明するための複数個の基体と空洞電極
の斜視図、第8図は第7図の416−6に沿って切断し
た空洞電極の断面図である。 10.12.28.30.58.60・・・・電極。 34.36.64.68.76.80.86.92、R
FI、RF2・・・・高周波電源、32.54゜74.
82.122A、122B、122G・・・・基板、7
0.78.84.90,116,118・・・・空洞電
極。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 復代理人 弁理士 篠 1) 文 雄50−反
応I室 灰化・室の11図 72−・・内孔 No−・−イヨの壁 空洞電極の断面図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数個の基板の主表面上にある材料の予定部分をエッチ
ングするためのプラズマ・エッチング装置であつて、 プラズマ反応室と、 電界により反応種に変換されるべきガスを連続的に上記
プラズマ反応室へ導入するための接続手段と、 上記反応室からガスを連続的に排出するため上記反応室
へ接続する手段と、 上記反応室内の予定径路に沿つて上記基板を逐次的に前
進させるための駆動手段と、 上記各基板を上記反応室内に出し入れする間に実質的に
均一な雰囲気を維持するため上記反応室へ接続される真
空ロックとを含むことを特徴とするプラズマ・エッチン
グ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US69214485A | 1985-01-17 | 1985-01-17 | |
US692144 | 1985-01-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61168922A true JPS61168922A (ja) | 1986-07-30 |
JPH0439222B2 JPH0439222B2 (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=24779433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22793885A Granted JPS61168922A (ja) | 1985-01-17 | 1985-10-15 | プラズマ・エツチング装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0188208B2 (ja) |
JP (1) | JPS61168922A (ja) |
DE (1) | DE3671482D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5074456A (en) | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
JP3215643B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2001-10-09 | ワイエイシイ株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2005081592A1 (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | The University Of Sydney | An apparatus for plasma treatment |
US8770142B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-07-08 | Veeco Ald Inc. | Electrode for generating plasma and plasma generator |
US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
KR101172147B1 (ko) | 2009-02-23 | 2012-08-07 | 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 | 플라즈마에 의한 라디칼을 이용한 박막 형성 방법 |
US8758512B2 (en) | 2009-06-08 | 2014-06-24 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor and method for forming thin film |
US8771791B2 (en) | 2010-10-18 | 2014-07-08 | Veeco Ald Inc. | Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor |
WO2012061278A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Synos Technology, Inc. | Radical reactor with multiple plasma chambers |
US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5571027A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Continuous surface treatment apparatus |
JPS56152973A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-26 | Tokuda Seisakusho Ltd | Sputter etching device |
JPS59225524A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ反応方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4013532A (en) | 1975-03-03 | 1977-03-22 | Airco, Inc. | Method for coating a substrate |
US4264393A (en) * | 1977-10-31 | 1981-04-28 | Motorola, Inc. | Reactor apparatus for plasma etching or deposition |
US4289598A (en) * | 1980-05-03 | 1981-09-15 | Technics, Inc. | Plasma reactor and method therefor |
US4282077A (en) * | 1980-07-03 | 1981-08-04 | General Dynamics, Pomona Division | Uniform plasma etching system |
DE3107914A1 (de) | 1981-03-02 | 1982-09-16 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von formteilen durch katodenzerstaeubung |
JPS5970766A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Ulvac Corp | プラズマcvd装置 |
JPS59157281A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-06 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパツタリング装置 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP22793885A patent/JPS61168922A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-07 EP EP19860100109 patent/EP0188208B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-07 DE DE8686100109T patent/DE3671482D1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5291650A (en) * | 1976-01-29 | 1977-08-02 | Toshiba Corp | Continuous gas plasma etching apparatus |
JPS5571027A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Continuous surface treatment apparatus |
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JPS59225524A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ反応方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3671482D1 (de) | 1990-06-28 |
JPH0439222B2 (ja) | 1992-06-26 |
EP0188208B2 (en) | 1994-01-12 |
EP0188208A2 (en) | 1986-07-23 |
EP0188208B1 (en) | 1990-05-23 |
EP0188208A3 (en) | 1987-09-30 |
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