JPS61163198A - 単結晶ＢｉＳＢｒの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光伝導性をもつ強＃ｆｊ１１１体であり、光
メモリ、光スィッチ等に利用可能な単結晶５ｂＳＩに製
造法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来は、石英アングルにＢ１．　Ｓ、Ｂｒの化合物等を
封じ込め、ブリッジマン法により、径が２〜５１ＩＩＩ
１１長さが２〜６Ｉ＋ＩＩｌ程度の製造されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述の従来技術では、例えば光デバイスとして必要な結
晶の大きさ、径にして数インチのものを得ることはでき
ず、又、品質に於ても不純物、欠陥の混入は避けられな
いという問題があった。

本発明は、この様な問題点を解決するもので、その目的
とするところは、デバイスとして利用可能なサイズ及び
品質を有する単結晶ｎ１ｓｎｒを提供することにある。

〔問題を解決する手段〕

本発明の単結晶ＢｉＳＢｒの製造法は、臭化ビスマス（
ＢｉＢｒｇ）、硫化ビスマス（ＢｉＳ）をモル比にして
１対１から３の割合で原料とし、加圧型ＬＥＣ法により
、単結晶ＢｉＳＢｒの製造をすることを特徴とする。

〔作用〕

本発明の作用を述べれば　（１）数インチの単結晶Ｂｉ
ＳＢｒが得られる。　（１）加圧型ＬＥＣ法により、化
学量論的組成比がＤＩ、Ｓ、Ｂｒに対して１：１：１に
近いものが得られる　（ｉｉｉ）欠陥が少ない単結晶Ｂ
ｉＳＢｒが得られることである。

〔実施例〕

第１図は、本発明に用いた加圧型ＬＥＣ法の模式図であ
る。まず、るつぼ■に原料である旧Ｂｒｌ、ＢＩＳを各
１モルずつ入れ、次に表面皮覆材として例えば酸化ホウ
素（Ｂ！　Ｏｓ　）を適当量大れる。次に、回転軸■に
種結晶Ｂ１５Ｂｒ■をセットとし、−■の炉内に、不活
性ガスを数気圧から数十気圧に加圧していれる。次に、
高周波コイル■に電流を流し、ルツボ内の原料及び表面
被覆材を溶融し、のぞき窓■から、結晶の成長状況を見
ながら、単結晶の育成を行なう。回転軸の速度を２０〜
４０ｒＰｍ、不活性ガスとしてＡｒを５気圧まで加圧し
、成長速度を１〜５　ｍ／　ｈ　ｒＸ特に２ｍ／ｈｒで
育成したところ、結晶径が２インチの単結晶ＢｉＳＢｒ
が得られた。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明の単結晶製造法によれば、従来の製
造法では、不可能であった大きさ及び品質の良い単結晶
５ｂＳＩを得ることができ、光メモリ、光スチツチ材料
である単結晶Ｂ　Ｉ　ＳＢｒを安価に供給できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の加圧型ＬＫＣ法の模式図である。■
は炉内、■は、のぞき窓、■は、種結晶、■は、表面被
覆材、■は、原料、■けルツボ、■は、高周波コイル、
■は、回転軸でｄる。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 臭化ビスマス（ＢｉＢｒ＿３）、硫化ビスマス（ＢｉＳ
   ）をモル比にして１対１から３の割合で混合したものを
   原料とし、種結晶としてＢｉＳＢｒを用いて単結晶Ｂｉ
   ＳＢｒを加圧型ＬＥＣ法により製造することを特徴とす
   る単結晶ＢｉＳＢｒの製造法。