JPS61163184A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS61163184A JPS61163184A JP537185A JP537185A JPS61163184A JP S61163184 A JPS61163184 A JP S61163184A JP 537185 A JP537185 A JP 537185A JP 537185 A JP537185 A JP 537185A JP S61163184 A JPS61163184 A JP S61163184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- y3fe5o12
- flux
- fe2o3
- bao
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＹ、Ｆ・、０８．単結晶の製造方法に関する。
ＹＨＦ ｅ Ｂ Ｏｌ！ （以下ＹｒＧと略す）は、酸
化物強磁性体であり、光アイソレータ等の光材機１目素
子として巾広い実用上の用途が見い出されている。
化物強磁性体であり、光アイソレータ等の光材機１目素
子として巾広い実用上の用途が見い出されている。
このＹＩＧ単結晶は、十数百度でペロブスカイト＜ＹＦ
・０．〉とＦ＠１０ｇとに分解するため、直接溶融法で
製造するのは困難である。そのため通常、フラックス法
による製造が用いられており、大型のものが製造、販売
されている。
・０．〉とＦ＠１０ｇとに分解するため、直接溶融法で
製造するのは困難である。そのため通常、フラックス法
による製造が用いられており、大型のものが製造、販売
されている。
しかし従来の７ラツクス法によるＹＩＧ単結晶の製造で
は、かなり大きい単結晶が製造できるようになった利点
はあるが、■大型単結晶を得るのに長期間かかる ■フ
ラックスが混入する ■単結晶育成後に方位決定をする
操作が必要になるという問題点があった。そこで本発明
は、このような問題点を解決するもので、その目的は、
高品質の大型ＹＩＧ単結晶を短時間に製造する方法を提
供することにある。
は、かなり大きい単結晶が製造できるようになった利点
はあるが、■大型単結晶を得るのに長期間かかる ■フ
ラックスが混入する ■単結晶育成後に方位決定をする
操作が必要になるという問題点があった。そこで本発明
は、このような問題点を解決するもので、その目的は、
高品質の大型ＹＩＧ単結晶を短時間に製造する方法を提
供することにある。
本発明は、ＹＩＧ単結晶の製造方法としてＢ＆０−Ｂ、
０３系を用いた７ラツクスひきあげ法を利用することを
特徴とする。
０３系を用いた７ラツクスひきあげ法を利用することを
特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、ＹＩＧ種結晶の方位を任
意に選ぶことにより望みの方向の単結晶が得られ、また
結晶径は、ひきあげ速度と降温速度の調整により望みの
大きさの単結晶が得られる。
意に選ぶことにより望みの方向の単結晶が得られ、また
結晶径は、ひきあげ速度と降温速度の調整により望みの
大きさの単結晶が得られる。
一般に７ラツクスひきあげ法では、ふたをすることかで
きないので、フラツクス法による蝋性酸化物単結晶の製
造に最も使用されているｐｂｏおよび（または）ＰｂＦ
！のように蒸気圧が高いフラックスは、不適である。ま
たＰｂ０−ＰｂＦ、系を用いたフラックス法の場合には
、Ｐｂイオンが１０８〜ＬＬ７２％も混入してしまい、
ＹＩＧ単結晶の光吸収系数を劣化してしまう。
きないので、フラツクス法による蝋性酸化物単結晶の製
造に最も使用されているｐｂｏおよび（または）ＰｂＦ
！のように蒸気圧が高いフラックスは、不適である。ま
たＰｂ０−ＰｂＦ、系を用いたフラックス法の場合には
、Ｐｂイオンが１０８〜ＬＬ７２％も混入してしまい、
ＹＩＧ単結晶の光吸収系数を劣化してしまう。
一方、不発明の上記の構成で用いる１１ａＯＢｔｕｓ系
７ラツクスは、ガーネットと比重差が小さく、また粘性
も大きい。その上不揮発性であるのでＹＩＧ単結晶の７
ラツクスひきあげ法による製造上鏝も適している。
７ラツクスは、ガーネットと比重差が小さく、また粘性
も大きい。その上不揮発性であるのでＹＩＧ単結晶の７
ラツクスひきあげ法による製造上鏝も適している。
Ｙ、Ｏ，、Ｆ・ＷａＳをＹ、Ｆ・、０□の組成比となる
よう秤量し、加剰Ｆ・、０３をＦ・ｔｏｓ ： Ｙ Ｉ
Ｇ＝＝１ ：５で加えたものを原料とした。フラック
スとしては、ＢａＯは水と反応して発熱したり、空気中
の炭酸ガスと化合したりするため、安定な１３ａｃｏ３
を用いてＢａＯ：Ｂ！０３”＝５ ： １となるよう秤
量した、これらをフラックス：原料−６０：４Ｑに十分
１合した後、順次溶融しつつ白金るつぼに充填し、種結
晶を液面真上につるした後に１２５００で２４時間保持
した。炉床部と炉上部で温度差を２５Ｃつけて徐冷し、
１１００ＣになったところでＹＩＧ橿結晶を６０ｒＰｍ
で回転しつつ、液面下はぼ５ｍの溶液中へ入れ、１−０
ｍ／ｄａｙで育成・ひきあげを行った。この時の成長固
液界面の温度は、はぼ１０８０Ｃであった。１０５０Ｃ
までの徐冷が終了したら単結晶を溶液から離し、熱衝撃
を緩和するために１００Ｃ／ｈの速度で室温まで徐冷し
た。この育成中に蒸発したフラックスの量は、はぼ８％
であった。育成されたＹＩＧ単結晶への７ラツクスの混
入量をスベワトル分析で調べたところ、１００１％以下
と高品質であった。また（１１０）面を鏡面研摩し、熱
リン酸および塩酸溶液による腐食ｆ象を観察した。熱リ
ン酸による腐食の場合には、１０μ程度のエッチピット
が偏在し、そのエッチピット濃度の平均値は１０３〜１
０４個／−であった。一方、塩酸溶液による腐食の場合
には１μ以下のエッチピットが１ａＳ〜１０４個／ｃｄ
の濃度で全体に平均して覗祭された。
よう秤量し、加剰Ｆ・、０３をＦ・ｔｏｓ ： Ｙ Ｉ
Ｇ＝＝１ ：５で加えたものを原料とした。フラック
スとしては、ＢａＯは水と反応して発熱したり、空気中
の炭酸ガスと化合したりするため、安定な１３ａｃｏ３
を用いてＢａＯ：Ｂ！０３”＝５ ： １となるよう秤
量した、これらをフラックス：原料−６０：４Ｑに十分
１合した後、順次溶融しつつ白金るつぼに充填し、種結
晶を液面真上につるした後に１２５００で２４時間保持
した。炉床部と炉上部で温度差を２５Ｃつけて徐冷し、
１１００ＣになったところでＹＩＧ橿結晶を６０ｒＰｍ
で回転しつつ、液面下はぼ５ｍの溶液中へ入れ、１−０
ｍ／ｄａｙで育成・ひきあげを行った。この時の成長固
液界面の温度は、はぼ１０８０Ｃであった。１０５０Ｃ
までの徐冷が終了したら単結晶を溶液から離し、熱衝撃
を緩和するために１００Ｃ／ｈの速度で室温まで徐冷し
た。この育成中に蒸発したフラックスの量は、はぼ８％
であった。育成されたＹＩＧ単結晶への７ラツクスの混
入量をスベワトル分析で調べたところ、１００１％以下
と高品質であった。また（１１０）面を鏡面研摩し、熱
リン酸および塩酸溶液による腐食ｆ象を観察した。熱リ
ン酸による腐食の場合には、１０μ程度のエッチピット
が偏在し、そのエッチピット濃度の平均値は１０３〜１
０４個／−であった。一方、塩酸溶液による腐食の場合
には１μ以下のエッチピットが１ａＳ〜１０４個／ｃｄ
の濃度で全体に平均して覗祭された。
樽られたＹＩＧ単債晶の強磁性をｏｆ１認するため、マ
イクロ表面磁力弾性波を用い反射法で室温における特性
を測定した。四角棒状に切り出されたＹｒＧ単結晶の磁
化された方向に対して、横断方向に、１２５０Ｍｈｚの
磁力弾性反射波が測定され、その減衰の遅延時間は、１
０ｄｂ／μｓｅｃ程度であり念。
イクロ表面磁力弾性波を用い反射法で室温における特性
を測定した。四角棒状に切り出されたＹｒＧ単結晶の磁
化された方向に対して、横断方向に、１２５０Ｍｈｚの
磁力弾性反射波が測定され、その減衰の遅延時間は、１
０ｄｂ／μｓｅｃ程度であり念。
また、強磁性共鳴の全半値幅を測定するためて、ポンド
法により球状試料を作成した。そのＸバンドの周波数（
９２ｏｏＭｈｚ）での強磁性共鳴の測定において、吸収
線の幅は、（Ｌ５ｆｉφの大きさの試料で五ＯＱｅエル
ステッドであった。
法により球状試料を作成した。そのＸバンドの周波数（
９２ｏｏＭｈｚ）での強磁性共鳴の測定において、吸収
線の幅は、（Ｌ５ｆｉφの大きさの試料で五ＯＱｅエル
ステッドであった。
以上述べたように本発明によれば、フラックスひきあげ
法においてフラックスとしてＢａＯＪ０８系を用いるこ
とにより、高品質強磁性体である大型ＹＩＧ単結晶が短
時間上製造できるという効果を有する。
法においてフラックスとしてＢａＯＪ０８系を用いるこ
とにより、高品質強磁性体である大型ＹＩＧ単結晶が短
時間上製造できるという効果を有する。
以上
Claims (1)
- フラツクスから種子結晶を使つて温度を下げながら単結
晶を育成・ひきあげるフラツクスひきあげ法において、
フラツクスとしてＢａＯ−Ｂ＿２Ｏ＿３系を用いること
を特徴とする単結晶の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP537185A JPS61163184A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP537185A JPS61163184A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163184A true JPS61163184A (ja) | 1986-07-23 |
Family
ID=11609307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP537185A Pending JPS61163184A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8132835B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-03-13 | Fanuc Ltd | Workpiece gripping device |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP537185A patent/JPS61163184A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8132835B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-03-13 | Fanuc Ltd | Workpiece gripping device |
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