JPS61163184A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS61163184A JPS61163184A JP537185A JP537185A JPS61163184A JP S61163184 A JPS61163184 A JP S61163184A JP 537185 A JP537185 A JP 537185A JP 537185 A JP537185 A JP 537185A JP S61163184 A JPS61163184 A JP S61163184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- y3fe5o12
- flux
- fe2o3
- bao
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はY、F・、08.単結晶の製造方法に関する。
YHF e B Ol! (以下YrGと略す)は、酸
化物強磁性体であり、光アイソレータ等の光材機1目素
子として巾広い実用上の用途が見い出されている。
化物強磁性体であり、光アイソレータ等の光材機1目素
子として巾広い実用上の用途が見い出されている。
このYIG単結晶は、十数百度でペロブスカイト<YF
・0.〉とF@10gとに分解するため、直接溶融法で
製造するのは困難である。そのため通常、フラックス法
による製造が用いられており、大型のものが製造、販売
されている。
・0.〉とF@10gとに分解するため、直接溶融法で
製造するのは困難である。そのため通常、フラックス法
による製造が用いられており、大型のものが製造、販売
されている。
しかし従来の7ラツクス法によるYIG単結晶の製造で
は、かなり大きい単結晶が製造できるようになった利点
はあるが、■大型単結晶を得るのに長期間かかる ■フ
ラックスが混入する ■単結晶育成後に方位決定をする
操作が必要になるという問題点があった。そこで本発明
は、このような問題点を解決するもので、その目的は、
高品質の大型YIG単結晶を短時間に製造する方法を提
供することにある。
は、かなり大きい単結晶が製造できるようになった利点
はあるが、■大型単結晶を得るのに長期間かかる ■フ
ラックスが混入する ■単結晶育成後に方位決定をする
操作が必要になるという問題点があった。そこで本発明
は、このような問題点を解決するもので、その目的は、
高品質の大型YIG単結晶を短時間に製造する方法を提
供することにある。
本発明は、YIG単結晶の製造方法としてB&0−B、
03系を用いた7ラツクスひきあげ法を利用することを
特徴とする。
03系を用いた7ラツクスひきあげ法を利用することを
特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、YIG種結晶の方位を任
意に選ぶことにより望みの方向の単結晶が得られ、また
結晶径は、ひきあげ速度と降温速度の調整により望みの
大きさの単結晶が得られる。
意に選ぶことにより望みの方向の単結晶が得られ、また
結晶径は、ひきあげ速度と降温速度の調整により望みの
大きさの単結晶が得られる。
一般に7ラツクスひきあげ法では、ふたをすることかで
きないので、フラツクス法による蝋性酸化物単結晶の製
造に最も使用されているpboおよび(または)PbF
!のように蒸気圧が高いフラックスは、不適である。ま
たPb0−PbF、系を用いたフラックス法の場合には
、Pbイオンが108〜LL72%も混入してしまい、
YIG単結晶の光吸収系数を劣化してしまう。
きないので、フラツクス法による蝋性酸化物単結晶の製
造に最も使用されているpboおよび(または)PbF
!のように蒸気圧が高いフラックスは、不適である。ま
たPb0−PbF、系を用いたフラックス法の場合には
、Pbイオンが108〜LL72%も混入してしまい、
YIG単結晶の光吸収系数を劣化してしまう。
一方、不発明の上記の構成で用いる11aOBtus系
7ラツクスは、ガーネットと比重差が小さく、また粘性
も大きい。その上不揮発性であるのでYIG単結晶の7
ラツクスひきあげ法による製造上鏝も適している。
7ラツクスは、ガーネットと比重差が小さく、また粘性
も大きい。その上不揮発性であるのでYIG単結晶の7
ラツクスひきあげ法による製造上鏝も適している。
Y、O,、F・WaSをY、F・、0□の組成比となる
よう秤量し、加剰F・、03をF・tos : Y I
G==1 :5で加えたものを原料とした。フラック
スとしては、BaOは水と反応して発熱したり、空気中
の炭酸ガスと化合したりするため、安定な13aco3
を用いてBaO:B!03”=5 : 1となるよう秤
量した、これらをフラックス:原料−60:4Qに十分
1合した後、順次溶融しつつ白金るつぼに充填し、種結
晶を液面真上につるした後に12500で24時間保持
した。炉床部と炉上部で温度差を25Cつけて徐冷し、
1100CになったところでYIG橿結晶を60rPm
で回転しつつ、液面下はぼ5mの溶液中へ入れ、1−0
m/dayで育成・ひきあげを行った。この時の成長固
液界面の温度は、はぼ1080Cであった。1050C
までの徐冷が終了したら単結晶を溶液から離し、熱衝撃
を緩和するために100C/hの速度で室温まで徐冷し
た。この育成中に蒸発したフラックスの量は、はぼ8%
であった。育成されたYIG単結晶への7ラツクスの混
入量をスベワトル分析で調べたところ、1001%以下
と高品質であった。また(110)面を鏡面研摩し、熱
リン酸および塩酸溶液による腐食f象を観察した。熱リ
ン酸による腐食の場合には、10μ程度のエッチピット
が偏在し、そのエッチピット濃度の平均値は103〜1
04個/−であった。一方、塩酸溶液による腐食の場合
には1μ以下のエッチピットが1aS〜104個/cd
の濃度で全体に平均して覗祭された。
よう秤量し、加剰F・、03をF・tos : Y I
G==1 :5で加えたものを原料とした。フラック
スとしては、BaOは水と反応して発熱したり、空気中
の炭酸ガスと化合したりするため、安定な13aco3
を用いてBaO:B!03”=5 : 1となるよう秤
量した、これらをフラックス:原料−60:4Qに十分
1合した後、順次溶融しつつ白金るつぼに充填し、種結
晶を液面真上につるした後に12500で24時間保持
した。炉床部と炉上部で温度差を25Cつけて徐冷し、
1100CになったところでYIG橿結晶を60rPm
で回転しつつ、液面下はぼ5mの溶液中へ入れ、1−0
m/dayで育成・ひきあげを行った。この時の成長固
液界面の温度は、はぼ1080Cであった。1050C
までの徐冷が終了したら単結晶を溶液から離し、熱衝撃
を緩和するために100C/hの速度で室温まで徐冷し
た。この育成中に蒸発したフラックスの量は、はぼ8%
であった。育成されたYIG単結晶への7ラツクスの混
入量をスベワトル分析で調べたところ、1001%以下
と高品質であった。また(110)面を鏡面研摩し、熱
リン酸および塩酸溶液による腐食f象を観察した。熱リ
ン酸による腐食の場合には、10μ程度のエッチピット
が偏在し、そのエッチピット濃度の平均値は103〜1
04個/−であった。一方、塩酸溶液による腐食の場合
には1μ以下のエッチピットが1aS〜104個/cd
の濃度で全体に平均して覗祭された。
樽られたYIG単債晶の強磁性をof1認するため、マ
イクロ表面磁力弾性波を用い反射法で室温における特性
を測定した。四角棒状に切り出されたYrG単結晶の磁
化された方向に対して、横断方向に、1250Mhzの
磁力弾性反射波が測定され、その減衰の遅延時間は、1
0db/μsec程度であり念。
イクロ表面磁力弾性波を用い反射法で室温における特性
を測定した。四角棒状に切り出されたYrG単結晶の磁
化された方向に対して、横断方向に、1250Mhzの
磁力弾性反射波が測定され、その減衰の遅延時間は、1
0db/μsec程度であり念。
また、強磁性共鳴の全半値幅を測定するためて、ポンド
法により球状試料を作成した。そのXバンドの周波数(
92ooMhz)での強磁性共鳴の測定において、吸収
線の幅は、(L5fiφの大きさの試料で五OQeエル
ステッドであった。
法により球状試料を作成した。そのXバンドの周波数(
92ooMhz)での強磁性共鳴の測定において、吸収
線の幅は、(L5fiφの大きさの試料で五OQeエル
ステッドであった。
以上述べたように本発明によれば、フラックスひきあげ
法においてフラックスとしてBaOJ08系を用いるこ
とにより、高品質強磁性体である大型YIG単結晶が短
時間上製造できるという効果を有する。
法においてフラックスとしてBaOJ08系を用いるこ
とにより、高品質強磁性体である大型YIG単結晶が短
時間上製造できるという効果を有する。
以上
Claims (1)
- フラツクスから種子結晶を使つて温度を下げながら単結
晶を育成・ひきあげるフラツクスひきあげ法において、
フラツクスとしてBaO−B_2O_3系を用いること
を特徴とする単結晶の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP537185A JPS61163184A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP537185A JPS61163184A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61163184A true JPS61163184A (ja) | 1986-07-23 |
Family
ID=11609307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP537185A Pending JPS61163184A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61163184A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8132835B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-03-13 | Fanuc Ltd | Workpiece gripping device |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP537185A patent/JPS61163184A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8132835B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-03-13 | Fanuc Ltd | Workpiece gripping device |
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