JPS61161718A - Exposure apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、マスクパターンをウェハへ転写するための半
導体焼付は装置に適用される露光装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to an exposure apparatus applied to a semiconductor printing apparatus for transferring a mask pattern to a wafer.
［発明の背１］
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を製造するために種々の型
式の半導体焼付は装置が使用されている。[Background of the Invention 1] Various types of semiconductor printing devices are used to manufacture semiconductor devices such as ICs and LSIs.
この半導体焼付は装置は装置に固有の露光光源を備え、
露光光源からでた光によって、マスクまたはレチクルに
描かれた回路パターンをフォトレジストを塗布されたウ
ェハへ焼付けるように構成されている。For this semiconductor printing, the equipment is equipped with its own exposure light source.
The exposure light source is configured to print a circuit pattern drawn on a mask or reticle onto a wafer coated with photoresist using light emitted from an exposure light source.
さらに半導体焼付は装置は、良く知られているとおり、
露光ステージへのウェハの搬入、マスクとウェハの相対
的な位置アライメント、露光、および露光ステージから
のウェハの搬送等の種々の作業工程を繰り返すことによ
って、パターンを焼付けたウェハを量産する。Furthermore, as is well known, semiconductor baking equipment is
Wafers with printed patterns are mass-produced by repeating various work steps such as loading the wafer to the exposure stage, relative positional alignment of the mask and wafer, exposure, and transporting the wafer from the exposure stage.
つまり、露光工程はウェハに回路パターンを焼付けるの
に必要な全作業工程の一部にすぎないわけである。しか
るに、現在の半導体焼付は装置においては各装置ごとに
露光光源を備え、露光用光を安定させるためにこの露光
光源を常時点灯しておき、前述したとおり位置アライメ
ント等の露光工程以外の工程においてはシャッタ等の遮
光部材を使用することによって露光用光が露光ステージ
上のウェハに達するのを防いでいた。In other words, the exposure process is only one part of the total process required to print circuit patterns onto a wafer. However, in current semiconductor printing, each device is equipped with an exposure light source, and this exposure light source is kept on at all times to stabilize the exposure light. The exposure light was prevented from reaching the wafer on the exposure stage by using a light shielding member such as a shutter.
そのため焼付は装置自体の装備が大がかりなものとなっ
てしまい、特に一般の半導体製造工場では焼付は装置が
複数台並べて使用されていることを考慮すれば占有する
空間が大きいのは好ましくない。これに加えて露光光源
が必要な露光工程以外においても点灯しているためエネ
ルギーの無駄が大きすぎる。For this reason, the equipment required for the burn-in process is large-scale, and it is undesirable that the burn-in process occupies a large space, especially considering that multiple devices are used side by side in general semiconductor manufacturing factories. In addition to this, the exposure light source is turned on even during non-required exposure steps, resulting in a large waste of energy.
さらに、最近では、エキシマレーザが大出力で、露光時
間の短縮が期待できることから露光光源として注目され
ている。しかし、このエキシマレーザは、装置が比較的
大型で重くかつ高価であるため、従来の露光装置に対し
て露光光源を単純にエキシマレーザに置き換えることは
大きさおよび重さの点から困難であり、たとえ置き換え
得たとしても、その露光装置はより大型かつ高価なもの
になってしまう。Furthermore, excimer lasers have recently attracted attention as exposure light sources because they have high output and can be expected to shorten exposure time. However, this excimer laser is a relatively large, heavy, and expensive device, so it is difficult to simply replace the exposure light source with an excimer laser in a conventional exposure device due to the size and weight. Even if it could be replaced, the exposure apparatus would be larger and more expensive.
「発明の目的」
本発明の目的は、半導体焼付は装置の軽装化並びに露光
用光の有効利用を可能とした露光装置を提供することに
ある。OBJECTS OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure apparatus for semiconductor printing that can be made lighter and that can effectively utilize exposure light.
［発明の概要および効果〕 上記目的を達成するため本発明の露光装置では。[Summary and effects of the invention] In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to the present invention provides an exposure apparatus.
複数の露光ステージを設け、これらの露光ステージのそ
れぞれに支持されてマスクパターンが転写される複数枚
のウェハを照射する露光光源を共有化するとともに、１
つの露光ステージ上のウェハを露光する期間中に他の露
光ステージについてはウェハの搬出入、ステップ送りま
たは位置合せ等の露光準備動作を行なわせるように制御
することを特徴とする。A plurality of exposure stages are provided, and an exposure light source that is supported by each of these exposure stages and irradiates a plurality of wafers onto which mask patterns are transferred is shared.
The present invention is characterized in that during a period in which a wafer on one exposure stage is exposed, the other exposure stages are controlled so that they perform exposure preparation operations such as wafer loading/unloading, step feeding, or alignment.
このように複数の露光ステージに関して露光光源を共有
化することにより、露光装置および焼付は装置が軽装化
される。また、露光光源の大きさ、重量および価格等の
露光ステージ当りの比重が軽くなり、共有部分の構成の
複雑化、占有面積の拡大やコストアップ等はある程度容
認し得るので、露光光源の大きさ、重量および価格さら
には設置場所等の制限も緩和され、露光光源の種類も比
較的自由に選択することができる。さらに、１つの露光
ステージ上のウェハに対する露光中に他の露光ステージ
に対しては露光準備動作を行なうため、露光光源から見
ると、露光準備動作のための待機時間が減少ないし皆無
となり、露光光源を極めて有効に利用することができる
。By sharing the exposure light source for a plurality of exposure stages in this way, the exposure apparatus and the printing apparatus can be made lighter. In addition, the size, weight, and price of the exposure light source per exposure stage are reduced, and the complexity of the configuration of shared parts, expansion of the occupied area, and cost increase can be tolerated to some extent. Restrictions on weight, price, and installation location are relaxed, and the type of exposure light source can be selected relatively freely. Furthermore, since the exposure preparation operation is performed for the other exposure stages while the wafer on one exposure stage is being exposed, from the perspective of the exposure light source, the waiting time for the exposure preparation operation is reduced or eliminated, and the exposure light source can be used extremely effectively.
［第１実施例］
第１図は本願発明の概要を示す図で、１はエキシマレー
ザ等の輝度の高い露光用光源である。２゜３．４は光源
１からの光束の光路を分岐する光路分岐部材である。図
においては矢印方向に回動するミラーが示されている。[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing an outline of the present invention, and numeral 1 indicates a high-brightness exposure light source such as an excimer laser. 2.3.4 is an optical path branching member that branches the optical path of the light beam from the light source 1. The figure shows a mirror that rotates in the direction of the arrow.
５も光路分岐部材としてのミラーである。このミラー５
は図においては固定されているが、他のミラー２．３．
４と同様可動にしてもよい。６，７．８．９は露光ステ
ージで不図示のマスク若しくはレチクルのパターンが転
写されるウェハが載置される。マスク若しくはレチクル
はウェハに密着若しくは極く近接して配置しても良く、
または、光源１とミラー２との間若しくはミラー２．３
，４．５の後に配しても良い。後者の場合はマスクの像
をウェハ上に投影 。5 is also a mirror as an optical path branching member. This mirror 5
are fixed in the figure, but the other mirrors 2.3.
It may be made movable like 4. 6, 7, 8, and 9 are exposure stages on which a wafer onto which a pattern of a mask or reticle (not shown) is transferred is placed. The mask or reticle may be placed closely or very close to the wafer;
Or between the light source 1 and mirror 2 or mirror 2.3
, 4.5. In the latter case, the image of the mask is projected onto the wafer.
するための結像系がマスクとウェハとの間に配される。An imaging system for imaging is placed between the mask and the wafer.
１０はミラー２，３．４の回動を制御するための制御系
である。この制御系１０はステージ６上のウェハを露光
する際はミラー２を点線の位置にし、ステージ７上のウ
ェハを露光する際はミラー２を実線の位置に、かつミラ
ー３を点線の位置にし、ステージ８を露光する際はミラ
ー２，３を実線の位置に、かつミラー４を点線の位置に
し、ステージ９のウェハを露光する際にはミラー２，３
．４実線の位置にするように作用する。なお、これらの
ミラー２，３．４はシャッタの作用も兼ねているが、ミ
ラー２，３，４．５とステージ６．７゜８．９とのそれ
ぞれの間にミラー２．３．４と同期するシャッタを別に
設けても良い。これ等のミラーの回動動作によってステ
ージ６．７．８．９に順次光源からの光が向けられる。10 is a control system for controlling the rotation of the mirrors 2, 3.4. This control system 10 sets the mirror 2 at the dotted line position when exposing the wafer on the stage 6, and sets the mirror 2 at the solid line position and the mirror 3 at the dotted line position when exposing the wafer on the stage 7. When exposing the stage 8, mirrors 2 and 3 are set to the solid line position, and mirror 4 is set to the dotted line position, and when exposing the wafer on stage 9, the mirrors 2 and 3 are set to the position shown by the solid line.
．． 4 Acts to position the solid line. Note that these mirrors 2, 3.4 also serve as a shutter, but there are mirrors 2, 3, 4 and 4 between the mirrors 2, 3, 4.5 and the stage 6.7°8.9, respectively. A separate synchronized shutter may be provided. The rotational movement of these mirrors sequentially directs light from the light source onto the stage 6.7.8.9.
そして、これらステージ６．７，８．９の一つが露光さ
れている間、他のステージはウェハの搬入、搬出、プリ
アライメント、マスク・ウェハ間のファインアライメン
ト等の露光前および／若しくは露光後の工程が行なわれ
ている。従って、本実施例の露光装置は１つの光源を使
用して効率良くウェハの露光を行ない得る。While one of these stages 6.7 and 8.9 is being exposed, the other stage is used for carrying in and out of the wafer, pre-alignment, fine alignment between mask and wafer, etc. before and/or after exposure. The process is being carried out. Therefore, the exposure apparatus of this embodiment can efficiently expose a wafer using one light source.
以上の説明ではミラー２．３．４によって光源１からの
光を時間的に分割して各ステージ６．７゜８．９に向け
たが、これらのミラー２．３．４は光源光量の１／４だ
けをそれぞれ各ステージに反射する固定半透鏡であって
も良い。この場合、各ステージごとの光路中にシャッタ
を配置し、各ステージごとに独立してウェハの搬入、マ
スク・ウェハ間のアライメント、露光およびウェハの搬
出等の工程を行なわせることもできるが、各ステージを
不図示の制御器によって同期させてウェハの搬入、マス
ク・ウェハ間のアライメント、露光およびウェハの搬出
等の工程を同時に併行して行なわせるのが好ましい。こ
のようにすれば、シャッタを光源１とミラー２との間に
設けて各ステージで共有したり、光源１としてのエキシ
マレーザの発光タイミングを制御する等の方策を施して
シャッタを省略する等、装置の構成を簡略化することも
可能である。In the above explanation, the light from the light source 1 is temporally divided by the mirrors 2.3.4 and directed to each stage 6.7°8.9, but these mirrors 2.3.4 are A fixed semi-transparent mirror that reflects only /4 to each stage may also be used. In this case, it is also possible to arrange a shutter in the optical path of each stage and have each stage carry out processes such as loading the wafer, alignment between the mask and wafer, exposure, and unloading the wafer. Preferably, the stages are synchronized by a controller (not shown) so that steps such as wafer loading, mask-wafer alignment, exposure, and wafer unloading are performed simultaneously. In this way, a shutter can be provided between the light source 1 and the mirror 2 and shared by each stage, or the shutter can be omitted by taking measures such as controlling the emission timing of the excimer laser as the light source 1. It is also possible to simplify the configuration of the device.
［第２の実施例］
第２図は、本発明をステッパに適用した例である。１１
はエキシマレーザで、遠紫外のパルス光を発振する。こ
のレーザ１１は水平基準面に配置されている。レーザ１
１からの水平に進む光はミラー１２によって上方向に反
射される。上方向に反射されたレーザ光はミラー１３に
よって横方向に反射される。１４は横方向に反射された
レーザ光の光路中に配されたエキスパンダーである。こ
のエキスパンダー１４は出射光の断面形状がレーザ１１
からの光束の断面形状と異なることが望まれる場合はア
ナモフィックアフォーカルコンバータが使用される。[Second Embodiment] FIG. 2 is an example in which the present invention is applied to a stepper. 11
is an excimer laser that emits pulsed light in the far ultraviolet. This laser 11 is placed on a horizontal reference plane. Laser 1
The light traveling horizontally from 1 is reflected upward by mirror 12. The laser beam reflected upward is reflected laterally by mirror 13. 14 is an expander arranged in the optical path of the laser beam reflected in the lateral direction. In this expander 14, the cross-sectional shape of the emitted light is the laser 11.
An anamorphic afocal converter is used when it is desired that the cross-sectional shape of the light beam from the
１５、１６．１７は回動ミラーで第１図の２．３．４に
対応するものである。エキスパンダー１４でエキスバン
ドされた平行光はこれ等のミラー１５．１６．１７によ
ってステッパ露光機部分１８．１９．２０に向かうよう
に下方向に反射される。Reference numerals 15, 16, and 17 are rotating mirrors corresponding to 2.3.4 in FIG. The parallel light expanded by the expander 14 is reflected downwardly by these mirrors 15, 16, 17 towards the stepper exposer section 18, 19, 20.
第１〜第３露光１１１８．１９．２０は、それぞれ、レ
チクル２１．２２．２３を均一照明するための光インテ
グレータ２４．２５．２６およびコリメータレンズ２７
゜２８、２９からなる照明系、縮少投影レンズ３０．３
１゜３２、ウェハ３３．３４．３５が配置されるウェハ
チャック（不図示）、およびウェハチャックを基板（ま
たは定盤） ３６．３７．３８上でχ、ｙ方向にステッ
プ送りするＸＹステージ５０．５１．５２等から構成さ
れている。基板３６．３７．３８は基準水平面上に配さ
れている。The first to third exposures 1118, 19, 20 are performed by a light integrator 24, 25, 26 and a collimator lens 27 for uniformly illuminating the reticle 21, 22, 23, respectively.
Illumination system consisting of ゜28, 29, reduction projection lens 30.3
1.32, a wafer chuck (not shown) on which a wafer 33, 34. It is composed of 51, 52, etc. The substrates 36, 37, 38 are arranged on a reference horizontal plane.
３９、４０．４１は一対のアライメント検出系で、ダイ
バイダイアライメントの際は各露光ショット毎にレチク
ル２１．２２．２３とウェハ３３．３４．３５のアライ
メントマーク間の整合状態を検出し、不図示のレチクル
・ウェハ相対調整機構によってχ、ｙ。Reference numerals 39 and 40.41 denote a pair of alignment detection systems, which detect the alignment state between the alignment marks of the reticle 21, 22, 23 and the wafer 33, 34, 35 for each exposure shot during die-by-die alignment. χ, y by the reticle-wafer relative adjustment mechanism.
θのアライメントをする。グローパルアライメントの場
合は、レチクル・ウェハ間のアライメント状態をＸＹス
テージのステップ駆動に先立って検出し、アライメント
を行なう。′
４２、４３．４４は光量ディテクタで露光時間を算出す
る。アライメント検出系３９．４０．４１からのアライ
メント終了信号、光量ディテクタ４２．４３．４４から
の信号はステッパ制御用ＣＰＬＪ４５．４６．４７に送
られる。ＣＰＵ４５．４６．４７は、これ等の信号情報
を基にステージ５０．５１．５２およびアライメント検
出系３９．４０．４１を作動させたり、回動ミラー１５
゜１６を制御するミラー制御用ＣＰ Ｕ ６０や、アパ
ーチャー６１およびＵＤフィルタ６２等を制御する光量
制御用ＣＰ Ｕ ６３を制御する。Perform θ alignment. In the case of glow-pal alignment, the alignment state between the reticle and the wafer is detected prior to step driving of the XY stage, and alignment is performed. '42, 43.44 calculate the exposure time using a light amount detector. The alignment end signal from the alignment detection system 39.40.41 and the signal from the light amount detector 42.43.44 are sent to the stepper control CPLJ45.46.47. Based on these signal information, the CPU 45, 46, 47 operates the stage 50, 51, 52 and the alignment detection system 39, 40, 41, and operates the rotating mirror 15.
A mirror control CPU 60 that controls the angle 16, a light amount control CPU 63 that controls the aperture 61, the UD filter 62, and the like.
次いで、作動説明を第２．３図を使用して説明する。Next, the operation will be explained using FIG. 2.3.
ステッパ制御用ＣＰｔＪ４５．４６．４７においては、
レーザの光量を不図示の光量測定器によって測定し、そ
の結果に基づいてアパーチャー６１の大きさやＵＤフィ
ルタ６２を切換えて所定の光量のレーザ光を得る。今、
ミラー１５は点線の位置にあり、ウェハ３３は第１ショ
ット位置がレンズ３０の真下にあって既にマスク２１と
ウェハ３３のアライメントが完了しているものとする。In CPtJ45.46.47 for stepper control,
The amount of laser light is measured by a light amount measuring device (not shown), and based on the results, the size of the aperture 61 and the UD filter 62 are changed to obtain a predetermined amount of laser light. now,
It is assumed that the mirror 15 is at the position indicated by the dotted line, the first shot position of the wafer 33 is directly below the lens 30, and the alignment of the mask 21 and the wafer 33 has already been completed.
従ってウェハ３３の第１シヨツトは露光中の状態である
。この状態で光量ディテクタ４２によって積算された光
量が一定の値になった際、ＣＰ ｔＪ ４５からＣＰ
Ｕ ６０に対してミラー１５を原位置へ復帰する指示お
よびミラー１６が点線位置になるような指示を出すよう
信号が発せられる。これによって第１ステツパのウェハ
３３の第１シヨツトの露光は完了する。Therefore, the first shot of the wafer 33 is under exposure. In this state, when the light amount integrated by the light amount detector 42 reaches a certain value, CP tJ 45 to CP
A signal is issued to instruct U 60 to return mirror 15 to its original position and to direct mirror 16 to the dotted line position. This completes the exposure of the first shot of the wafer 33 in the first stepper.
一方、第２ステツパ１９は第１ステツパの露光動作中、
レチクル２２とウェハ３４の第１シヨツトのアライメン
トが行なわれている。従ってミラー１６が回動した際に
はアライメントが終了している。但し、第１ステツパの
露光が完了した信号のみではミラー１６を回動させた場
合に、第２ステツパのアライメントが終了していないこ
ともあるので、ここでは、アライメント検出系４０の完
了信号と第１ステツパの露光終了信号とのアンド（論理
積）でミラー１６を作動させている。これと同時に光量
検出器４３は光量積算を行なう。これ以降の動作は第１
ステツパ１８と同様である。この第２ステツパ１９の露
光動作の間、第１ステツパ１８のＸＹステージ５０はス
テップ駆動を行ない、第２シヨツトがレンズ３０の真下
に位置している。また、第２ステツパ１９の露光中、第
３ステツパ２０はアライメント動作を行なっている。On the other hand, during the exposure operation of the first stepper, the second stepper 19
Alignment of the reticle 22 and the first shot of the wafer 34 is being performed. Therefore, when the mirror 16 rotates, alignment has been completed. However, since the alignment of the second stepper may not be completed when the mirror 16 is rotated only by the signal indicating that the exposure of the first stepper has completed, we will use only the completion signal of the alignment detection system 40 and the second stepper. The mirror 16 is operated by AND (logical product) with the exposure end signal of one stepper. At the same time, the light amount detector 43 performs light amount integration. The following actions are the first
It is similar to the stepper 18. During the exposure operation of the second stepper 19, the XY stage 50 of the first stepper 18 is driven in steps, and the second shot is positioned directly below the lens 30. Further, while the second stepper 19 is performing exposure, the third stepper 20 is performing an alignment operation.
第２ステツパ１９の露光動作が終了すると、次は、上述
と同様に第３ステツパ２０の露光動作と、第１ステツパ
１８のアライメント動作と、第２ステツパ１９のＸＹス
テージのステップ駆動とが併行して行なわれる
以後、上記動作を繰返すことにより、各ステッパ１８．
１９．２０のウェハ３３．３４．３５上に各ショットの
露光が実行され、それぞれのステッパｉａ、 １９゜２
０で、所定のショツト数を露光した後、ウェハ３３゜３
４、３５はステージ５０．５１．５２から搬出される。When the exposure operation of the second stepper 19 is completed, next, the exposure operation of the third stepper 20, the alignment operation of the first stepper 18, and the step drive of the XY stage of the second stepper 19 are performed in parallel as described above. By repeating the above operations, each stepper 18.
Each shot exposure is performed on a wafer 33.34.35 of 19.20, each stepper ia, 19°2
After exposing the predetermined number of shots at
4, 35 are carried out from stage 50.51.52.
なお、以上の説明では第１〜第３ステツパをショット番
号について同期的に動作させたが、例えば第１ステツパ
が第１シヨツト露光を行なっている際、第２ステツパは
真中のショットをアライメントしており、また、第３ス
テツパは最終ショットへのステップ駆動を行なっている
というように、ショット番号には無関係に動作させても
良い。この場合、他のステッパが露光若しくはアライメ
ントを行なっている場合、１つのステッパではウェハの
搬入若しくは搬出を行なわせることができる。In the above explanation, the first to third steppers are operated synchronously with respect to the shot numbers, but for example, when the first stepper is exposing the first shot, the second stepper aligns the shot in the middle. Alternatively, the third stepper may be operated independently of the shot number, such as by performing step drive to the final shot. In this case, if another stepper is performing exposure or alignment, one stepper can be used to load or unload the wafer.
また、以上の説明ではウェハのダイ露光毎にステッパを
切換えていたが、第１のステッパのウェハのすべてのダ
イを露光した後筒２のステッパのウェハの露光に移行す
るモードで行なっても良い。Furthermore, in the above explanation, the stepper is switched every time the die of the wafer is exposed, but it may be performed in a mode in which after exposing all the dies on the wafer of the first stepper, the stepper shifts to exposure of the wafer of the stepper of the second tube. .
この場合ミラー１５．１６．１７の作動はＣＰ ｊＪ
３９．４０゜４１のウェハ全面の露光終了信号によって
行なわれる。また、グローバルアライメントの場合は１
つのステッパで露光が行なわれている際、他のステッパ
ではウェハのステップ送り、若しくはウェハの搬入量が
行なわれている。In this case, the operation of mirrors 15, 16, and 17 is CP jJ
This is done in response to an exposure completion signal for the entire wafer at 39.40°41. In addition, in the case of global alignment, 1
While one stepper is performing exposure, other steppers are performing wafer step feeding or wafer loading.
さらに第３図の動作説明図においては、操作パネルの選
択スイッチによって操作者からの同時露光か、順次露光
かの支持信号によって２つのモードが選択される。同時
モードの場合、第２図の回動ミラー１５．１６．１７の
代りに半透鏡からの位置に配され同時モードで各ステッ
パーが作動する。Further, in the operation explanatory diagram of FIG. 3, two modes are selected by a selection switch on the operation panel in response to a support signal from the operator indicating whether to perform simultaneous exposure or sequential exposure. In the case of the simultaneous mode, the rotating mirrors 15, 16, and 17 of FIG. 2 are placed at a position from the semi-transparent mirror, and each stepper operates in the simultaneous mode.
第１図は本願発明の詳細な説明する図である。
第２図は本願発明をステッパに適用した図である。
第３図は第２図の装置の動作説明のためのフローチャー
トである。
１：光源、 ２，３．４：光路分岐部材、５、１５．１
６．１７：ミラー、
６．７．８．９：露光ステージ、
１１：エキシマレーザ、 １４：エキスパンダ、３９、
４０．４１．４５．４６．４７．６０．６３： ＣＰＩ
Ｊ 。
１８、１９．２０：露光機、 ２１．２２．２３ニレチ
クル、２４、２５．２６：光インテグレータ、２７、２
８．２９：コリメータレンズ、３０、３１．３２：縮少
投影レンズ、
３３、３４．３５：ウェハチャック、
３６、３７．３８：基板、
４２、４３．４４：光量ディテクタ、
６１ニアパーチヤー、 ６２：ＵＤフィルタ。FIG. 1 is a diagram illustrating details of the present invention. FIG. 2 is a diagram in which the present invention is applied to a stepper. FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the apparatus shown in FIG. 1: Light source, 2, 3.4: Optical path branching member, 5, 15.1
6.17: Mirror, 6.7.8.9: Exposure stage, 11: Excimer laser, 14: Expander, 39,
40.41.45.46.47.60.63: CPI
J. 18, 19.20: Exposure machine, 21.22.23 Nireticle, 24, 25.26: Optical integrator, 27, 2
8.29: Collimator lens, 30, 31.32: Reduction projection lens, 33, 34.35: Wafer chuck, 36, 37.38: Substrate, 42, 43.44: Light amount detector, 61 Near perch, 62: UD filter.
Claims (1)
影する光学系とウェハをステップ送りするステージとを
有する複数のステッパと、 これらのステッパに共通の露光用光源と、 前記各ステッパのマスクに前記光源からの光を順次向け
る光分配器と、 前記各ステッパに順次露光動作を行なわせるとともに、
１のステッパの露光動作期間中、他のステッパに露光準
備動作を行なわせる制御系と、を具備することを特徴と
する露光装置。[Claims] 1. A plurality of steppers having a member that supports a mask, an optical system that projects an image of the mask onto a wafer, and a stage that feeds the wafer in steps, and an exposure light source that is common to these steppers. , a light distributor that sequentially directs light from the light source to the mask of each of the steppers, and causing each of the steppers to sequentially perform an exposure operation;
An exposure apparatus comprising: a control system that causes another stepper to perform an exposure preparation operation during an exposure operation period of one stepper.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002203A JPH065660B2 (en) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | Exposure equipment |
| US06/690,940 US4653903A (en) | 1984-01-24 | 1985-01-14 | Exposure apparatus |
| GB08501765A GB2155648B (en) | 1984-01-24 | 1985-01-24 | An exposure apparatus |
| GB08723949A GB2195031A (en) | 1984-01-24 | 1987-10-12 | Exposing wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002203A JPH065660B2 (en) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | Exposure equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161718A true JPS61161718A (en) | 1986-07-22 |
| JPH065660B2 JPH065660B2 (en) | 1994-01-19 |
Family
ID=11522795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60002203A Expired - Lifetime JPH065660B2 (en) | 1984-01-24 | 1985-01-11 | Exposure equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065660B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754302B2 (en) | 2001-04-02 | 2004-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| WO2007100087A1 (en) | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2007235041A (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Nikon Corp | Exposure device and device manufacturing method |
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| JPS54113557U (en) * | 1978-01-30 | 1979-08-09 | ||
| JPS5583232A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method and apparatus for x ray exposure |
| JPS607723A (en) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma x-ray exposing device |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60002203A patent/JPH065660B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US7916270B2 (en) | 2006-03-03 | 2011-03-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065660B2 (en) | 1994-01-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |