JPS61156509A - Manufacture of coil of thin film magnetic head - Google Patents
Manufacture of coil of thin film magnetic headInfo
- Publication number
- JPS61156509A JPS61156509A JP27847884A JP27847884A JPS61156509A JP S61156509 A JPS61156509 A JP S61156509A JP 27847884 A JP27847884 A JP 27847884A JP 27847884 A JP27847884 A JP 27847884A JP S61156509 A JPS61156509 A JP S61156509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- insulating layer
- pattern
- layer
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法に関する。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a method for manufacturing a coil for a thin film magnetic head.
（従来技術）
−非磁性体製の基板上に絶縁層を介して、下部磁性層、
磁気空隙部、コイル、コイルの絶縁層、上部磁性層など
が所定のパターンで順次に成膜されることによって構成
される薄膜磁気ヘッドは従来から知られている。そして
、！＆近、前記した構成形態のｆ１Ｍ磁気ヘッドとして
、それのコイルを多層に形成させたものむ提案されてい
る。(Prior art) - A lower magnetic layer is formed on a non-magnetic substrate through an insulating layer.
2. Description of the Related Art Thin-film magnetic heads are conventionally known, which are constructed by sequentially forming a magnetic gap, a coil, an insulating layer of the coil, an upper magnetic layer, etc. in a predetermined pattern. and,! Recently, an f1M magnetic head having the above-mentioned configuration has been proposed in which the coils are formed in multiple layers.
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、ＷＩ膜磁気ヘッドのコイルは、従来例えば、
第２図及び第３図にそれぞれ示されているような工程を
経て製作されていたが、前記のような構成の薄膜磁気ヘ
ッドのコイルとしては、線巾が細く、かつ、充分に大き
な断面積を有するものが要求されているから、特に、コ
イルを多層化する場合にはそれの製作工程がどうしても
複雑なものになりがちである。(Problems to be Solved by the Invention) By the way, the coil of the WI film magnetic head has conventionally been, for example,
The coil for the thin-film magnetic head with the above configuration was manufactured through the steps shown in Figures 2 and 3, respectively, and had a thin wire width and a sufficiently large cross-sectional area. Therefore, the manufacturing process tends to be complicated, especially when the coil is multilayered.
すなわち、まず、第２図の（ａ）において、１は例えば
二酸化シリコンによって形成されている絶縁層、２は例
えば鋼あるいはアルミニウムのような金属層、３はフォ
トレジストによって形成された所定のコイルパターンで
あって、前記した第２図の（ａ）に示されている状態の
ものにおける金属Ｍ２は９次に前記したフォトレジスト
によって形成された所定のコイルパターンをマスクとし
て行なわれるエツチング処理によって、第２図の（ｂ）
に示すような状態にエツチング処理され１次いで。That is, first, in FIG. 2(a), 1 is an insulating layer formed of silicon dioxide, 2 is a metal layer such as steel or aluminum, and 3 is a predetermined coil pattern formed of photoresist. The metal M2 in the state shown in FIG. Figure 2 (b)
It was then etched to the state shown in Figure 1.
フォトレジストが除去されることによって、第２図の（
ｃ）に示されるように、絶縁層１上に所定のコイルパタ
ーンを有する一層のコイル２ａが構成される。By removing the photoresist, the (
As shown in c), a single layer coil 2a having a predetermined coil pattern is formed on the insulating layer 1.
第２図の（１）の４は、前記のように絶縁層１上に形成
された所定のコイルパターンを有する一層のコイル２ａ
上に、別のコイルの層を重ねるために、コイル２ａ上に
形成させた絶縁層４であるが、この絶縁層４の表面は絶
′Ｒ層１上に形成されている一層のコイル２ａの存在に
基づいて波状になっているから、この状態のままでは次
のコイルの層を形成させるために用いられる金Ｊ８ｃＷ
Ｉを絶縁層４上に蒸着させることはできない、それで、
第２図の（ｅ）に示されているように、前記した絶ＲＭ
４上にさらにスピンコードの手段などの適用によって絶
縁層５を付着させた後に、絶縁Ｐｓ５の表面をドライエ
ツチングなどの適用により第２図の（ｆ）に示されてい
るように表面を平坦にし、この第２図の（ｆ）の状態の
ものに対して、次のコイルの層を形成させるために用い
られる金属層を蒸着させるようにしていたので工程が複
雑になるという欠点があった。2 (1) 4 is a single layer coil 2a having a predetermined coil pattern formed on the insulating layer 1 as described above.
An insulating layer 4 is formed on the coil 2a in order to overlay another coil layer on top of the coil 2a. Since it has a wavy shape based on the presence of gold, if it remains in this state, the gold J8cW used to form the next coil layer
I cannot be deposited on the insulating layer 4, so
As shown in FIG. 2(e), the above-mentioned absolute RM
After further depositing an insulating layer 5 on the insulating layer 5 by means of a spin cord or the like, the surface of the insulating Ps5 is flattened as shown in FIG. 2(f) by dry etching or the like. However, since the metal layer used to form the next coil layer was deposited on the state shown in FIG. 2(f), the process was complicated.
第３図は、第２図を参照して説明したコイルの製作法に
おけるような欠点が生じないようにするために、まず、
第３図の（Ｊｌ）に示しであるように。In order to avoid the drawbacks of the coil manufacturing method described with reference to FIG. 2, FIG.
As shown at (Jl) in FIG.
合成樹脂による絶縁層６の表面にモリブデンによる薄１
１１７を付着形成させ１次に、第３図の（ｂ）に示され
ているように、モリブデンによる薄膜７上にフォトレジ
ストによるコイルパターン８を形成してから、エツチン
グ手段によってモリブデンによる薄膜７をエツチングし
、第３図の（Ｃ）に示されているようなマスクパターン
フａを作り１次いで前記したモリブデンによる薄膜７の
マスクパターン７ａを用いて１合成樹脂による絶縁Ｗ６
にドライエツチング手段によって、第３図の（ｄ）に示
すようにコイルの厚さと対応する深さの溝６８を形成さ
せる。A thin layer 1 made of molybdenum is applied to the surface of the insulating layer 6 made of synthetic resin.
Next, as shown in FIG. 3(b), a coil pattern 8 made of photoresist is formed on the thin film 7 made of molybdenum, and then the thin film 7 made of molybdenum is etched by etching means. Etching is performed to form a mask pattern a as shown in FIG.
A groove 68 having a depth corresponding to the thickness of the coil is formed by dry etching means as shown in FIG. 3(d).
次に、前記した第３図の（ｄ）に示されている状態のも
のにおける合成樹脂による絶縁層６に形成された＠６ａ
に、ＩＷＩ着によって第°３図の（６）のように導電材
料゛９を充填し１次いで、前記したモリブデンによる￥
’ＩＩＩ［１７のマスクパターン７ａを電解エツチング
手段の適用によって除去することにより。Next, @6a formed on the insulating layer 6 made of synthetic resin in the state shown in FIG. 3(d) described above.
Then, the conductive material 9 was filled with IWI as shown in (6) in Figure 3, and then the above-mentioned molybdenum was added.
'III [17 by removing the mask pattern 7a by applying electrolytic etching means.
第３図の（ｆ）にさ九ているように２合成樹脂による絶
縁ＷＩｃ中に一層のコイルが形成されている状態のもの
を得るのである。As shown in FIG. 3(f), one is obtained in which one layer of coils is formed in the insulation WIc made of two synthetic resins.
この第３図を参照して説明したコイルの製作法のように
、合成樹脂による絶ａＪｆｆ６の表面に形成させたモリ
ブデンによる薄膜７のマスクパターンフａを用いて１合
成樹脂による絶ＲＭ！１６中にコイルの厚さに対応する
深さの溝を形成させ、リフトオフ法の適用によって合成
樹脂による＃８８Ｍ５中に一層のフィルを形成させるよ
うにした場合には。As in the coil manufacturing method explained with reference to FIG. 3, using the mask pattern a of the thin film 7 of molybdenum formed on the surface of the synthetic resin aJff6, one synthetic resin absolute RM! In the case where a groove with a depth corresponding to the thickness of the coil is formed in No. 16, and a single layer of fill is formed in No. 88M5 made of synthetic resin by applying the lift-off method.
線巾が繍＜、シかも断面積の大きなコイルを容易に製作
できる、というリフトオフ法の利点とともに１合成樹脂
による絶縁Ｍ６の表面の平坦化も同時に達成できるとい
う利点も得られるが、モリブデンによる簿膜７のマスク
パターンフａを用いてり゛フトオフ法を行なうようにし
ているために５モリブデンによる薄ｌｌｌ７のマスクパ
ターン７ａの剥離を行なうのに電解エツチング手段の適
用が必要とされるなど工程が複雑化されるという欠点が
あった。The lift-off method has the advantage of being able to easily produce a coil with a large cross-sectional area even if the wire width is embroidered.It also has the advantage of simultaneously achieving flattening of the surface of the insulation M6 using synthetic resin. Since the lift-off method is performed using the mask pattern 7a of the film 7, it is necessary to apply an electrolytic etching means to remove the thin mask pattern 7a made of 5 molybdenum. The drawback was that it was complicated.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、非磁性体製の基板上に絶Ｒ層を介して、下部
磁性層、磁気空隙部、コイル、コイルの絶縁層、上部磁
性層などが所定のパターンで順次に成膜されることによ
って構成される薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法であっ
て、コイルを形成させるべき領域における絶＃ｌ’？上
に、所定のコイルパターンとなるように形成させたポジ
型のフォトレジストパターンの表面を炭化させる工程と
、前記の工程によって表面が炭化されたポジ型のフォト
レジストパターンをマスクとして、絶縁層にドライエツ
チングを施こし、絶＃層にコイルの厚さと略々対応する
深さの溝を形成させる工程と、コイルの厚さに略々等し
い厚さの蒸着膜を形成させて絶縁層の溝を蒸着膜によっ
て充填させる工程と。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a method for forming a lower magnetic layer, a magnetic gap, a coil, an insulating layer of the coil, an upper magnetic layer, etc. on a substrate made of a non-magnetic material via an absolutely R layer. A method of manufacturing a coil for a thin film magnetic head, which is constructed by sequentially forming films in a pattern of #l'? There is then a step of carbonizing the surface of a positive photoresist pattern formed to form a predetermined coil pattern, and using the positive photoresist pattern whose surface has been carbonized in the above step as a mask, an insulating layer is formed. Dry etching is performed to form grooves in the insulating layer with a depth approximately corresponding to the thickness of the coil, and a step of forming a vapor deposited film with a thickness approximately equal to the thickness of the coil to form grooves in the insulating layer. and a step of filling with a vapor deposited film.
表面が炭化されたポジ型のフォトレジストパターンを除
去する工程とからなる薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法
を提供するものである。The present invention provides a method for manufacturing a coil for a thin film magnetic head, which comprises a step of removing a positive type photoresist pattern whose surface is carbonized.
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の薄膜磁気ヘッドのコ
イルの製作法の具体的な内容を詳細に説明する。第１図
は１本発明の薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法、すなわ
ち、非磁性体製の基板上に絶縁層を介して、下部磁性層
、磁気空隙部、コイル、コイルの絶縁層、上部磁性層な
どが所定のパターンで順次に成膜されることによって構
成される薄膜磁気ヘッドにおけるコイルの製作法の工程
の概略を図示説明したものである。(Example) Hereinafter, specific details of a method for manufacturing a coil for a thin-film magnetic head of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a method of manufacturing a coil for a thin-film magnetic head according to the present invention, in which a lower magnetic layer, a magnetic gap, a coil, an insulating layer of the coil, an upper magnetic 1 is a diagram illustrating and explaining the outline of a method for manufacturing a coil in a thin-film magnetic head constructed by sequentially forming layers in a predetermined pattern.
本発明の薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法は。The method for manufacturing the coil of the thin film magnetic head of the present invention is as follows.
コイルを形成させるべき領域における絶＃層上に。on the absolute layer in the area where the coil is to be formed.
所定のコイルパターンとなるように形成させたポジ型の
フォトレジストパターンの表面を炭化させる工程と、前
記の工程によって表面が炭化されたポジ型のフォトレジ
ストパターンをマスクとして。A step of carbonizing the surface of a positive photoresist pattern formed to form a predetermined coil pattern, and using the positive photoresist pattern whose surface has been carbonized in the above step as a mask.
絶縁層にドライエツチングを施こし、絶縁層にコイルの
厚さと略々対応する深さの溝を形成させる工程と、コイ
ルの厚さに略々等しい厚さの蒸着膜を形成させて絶縁層
の溝を蒸着膜によって充填させる工程と１表面が炭化さ
れたポジ型のフォトレジストパターンを除去する工程と
からなるものであり、以下、第１図を参照しながら順次
の工程について説明して行く。A step of dry etching the insulating layer to form a groove in the insulating layer with a depth approximately corresponding to the thickness of the coil, and a step of forming a vapor deposited film with a thickness approximately equal to the thickness of the coil. This process consists of a step of filling the groove with a deposited film and a step of removing a positive photoresist pattern with one surface being carbonized, and the steps will be explained in sequence with reference to FIG. 1 below.
第１図の（ａ）にはコイルを形成させるべき領域の絶縁
層１０上にポジ型のフォトレジスト！１１が付着形成さ
せて状態のものが示されている。そして。In FIG. 1(a), a positive photoresist is applied on the insulating layer 10 in the area where the coil is to be formed! 11 is shown in the state in which it is adhered and formed. and.
以下の実施例の説明において前記の絶縁層１０の結成材
料としては二酸化シリコンが用いられているものとされ
ている。In the following description of the embodiments, it is assumed that silicon dioxide is used as the material for forming the insulating layer 10.
次に、前記した第１図の（ａ）に示されているポジ型の
フォトレジスト層１１には、所定のコイルパターンを有
するマスクを用いた露光と現像処理とを施こすことによ
って、第１ｖ！ｉの（ｂ）に示されているようにポジ型
のフォトレジストによる所定のコイルパターンｌｌａが
形成されている状態のものが得られる。Next, the positive photoresist layer 11 shown in FIG. ! As shown in (b) of i, a predetermined coil pattern lla formed of positive photoresist is obtained.
次に、前記の工程によって二酸化シリコンによる＃ｉ！
１ａｊｆｆｌｏ上に、第１図の（ｂ）に示されているよ
うに形成されたポジ型のフォトレジストによる所定のコ
イルパターンｌｌａの表面には、第１図の（Ｃ）に示す
ように薄い炭化Ｍｌｌａｃを形成させる。前記のように
ポジ型のフォトレジストによる所定のコイルパターンｌ
ｌａの表面に薄い炭化７Ｊ１１ａｃを形成させるのには
１例えば、第１図の（ｂ）の状態のものを、四弗化炭素
（ＣＦ４）とヘリウム（Ｈｅ）との混合ガスのプラズマ
中に所定の短時間だけ置くことによって実現できるが、
ポジ型のフォトレジストによる所定のコイルパターンｌ
ｌａの表面に形成される炭化層１１ａｃの厚みは、四弗
化炭素（ＣＦ４）とヘリウム（Ｈｅ）との混合ガスのプ
ラズマ中になかれている時間のｍ節によって制御できる
。Next, #i! by silicon dioxide according to the above process!
On the surface of a predetermined coil pattern lla made of positive type photoresist formed on 1ajfflo as shown in FIG. 1(b), a thin carbonized layer is formed as shown in FIG. Form Mllac. As mentioned above, a predetermined coil pattern l is formed using a positive photoresist.
To form a thin carbide 7J11ac on the surface of la, 1. For example, the material in the state shown in FIG. This can be achieved by leaving it for a short period of time, but
Predetermined coil pattern l using positive photoresist
The thickness of the carbonized layer 11ac formed on the surface of la can be controlled by the time m of the time the carbonized layer 11ac is kept in the plasma of a mixed gas of carbon tetrafluoride (CF4) and helium (He).
第１図の（ｅ）に示されるように、ポジ型のフォトレジ
ストによる所定のコイルパターンｌｌａの表面に薄い炭
化層１１ａｃが形成されたものは、四部化炭１（ＣＦ４
）ガスのプラズマを用いて行なわれる二酸化シリコンに
よる絶＃Ｍ１０に対するドライエツチング処理に際して
も損傷されることがないから、前記のようにポジ型のフ
ォトレジストによる所定のコイルパターンｌｌａの表面
に、簿い炭化層１１ａｃが形成されたものは、四弗化炭
素（ＣＦ４）ガスのプラズマを用いて行なわれる二酸化
シリコンによる絶縁層ｌＯに対するドライエツチング処
理に際して用いられるマスクパターンとすることができ
る。As shown in FIG. 1(e), a thin carbonized layer 11ac is formed on the surface of a predetermined coil pattern lla made of positive photoresist.
) Since it is not damaged during the dry etching treatment of #M10 using silicon dioxide using gas plasma, the surface of the predetermined coil pattern lla made of positive type photoresist is not damaged as described above. The carbonized layer 11ac formed thereon can be used as a mask pattern for use in dry etching of the insulating layer 1O of silicon dioxide, which is performed using plasma of carbon tetrafluoride (CF4) gas.
第１図の（ｄ）は、前記のようにポジ型のフォトレジス
トによる所定のコイルパターンｌｌａの表面に薄い炭化
層１１ａｃが形成された状態のものをマスクパターンと
し、四部化炭Ｊ（Ｃ：Ｆ４）ガスのプラズマを用いて二
酸化シリコンによるＭｌ１層ＩＯに対してドライエツチ
ング処理を行なうことにより。In FIG. 1(d), a thin carbonized layer 11ac is formed on the surface of a predetermined coil pattern lla made of positive photoresist as a mask pattern, and tetracarbonized carbon J (C: F4) By dry etching the Ml1 layer IO of silicon dioxide using gas plasma.
二酸化シリコンによる絶１１＃ＷＩＯにコイルの厚さと
対応する深さの溝１０ａが形成された状態の中間製品を
示している。This figure shows an intermediate product in which a groove 10a having a depth corresponding to the thickness of the coil is formed in a 11#WIO made of silicon dioxide.
次に、前記した第１図の（ｄ）に示されている状態のも
のの絶縁層ｌＯに形成されている溝１０ａに。Next, in the groove 10a formed in the insulating layer IO in the state shown in FIG. 1(d) described above.
導電性材料の蒸着によって第１図の（ｅ）のように導電
材料１２を充填し１次いで前記したように表面に炭化Ｍ
１１ａｃが形成されているポジ型のフォトレジストによ
るマスクパターンを、その上に積層されている状態の導
電材料１２とともに除去すると、第１図の（ｆ）に示さ
れているように、二酸化シリコンによる絶縁層１０中に
一層のコイルが形成されている状態のものが得られる。The conductive material 12 is filled by vapor deposition of the conductive material as shown in FIG.
When the mask pattern made of positive photoresist in which 11ac is formed is removed together with the conductive material 12 laminated thereon, as shown in FIG. A structure in which one layer of coils is formed in the insulating layer 10 is obtained.
第１図の（ｆ）に示されている状態のものは、ポジ型の
フォトレジストによる所定のコイルパターンｌｌａの表
面に薄い炭化Ｐｓ１１ａｃが形成された状態のものをマ
スクパターンとし、四弗化炭素（ＣＦ４）ガスのプラズ
マを用いて二酸化シリコンによる絶ｇｌｔｏに対してド
ライエツチング処理を行なって。In the state shown in FIG. 1(f), the mask pattern is one in which thin carbide Ps11ac is formed on the surface of a predetermined coil pattern lla made of positive photoresist, and carbon tetrafluoride is used as a mask pattern. (CF4) gas plasma is used to perform dry etching treatment on the ablated GLTO formed by silicon dioxide.
二酸化シリコンによる絶縁層ｌＯにコイルの厚さと対応
する深さの溝１０８が形成させ、リフトオフ法の適用に
よって二酸化シリコンによる絶縁層１０にコイルを形成
させるものであるから、線巾が繕＜。A groove 108 having a depth corresponding to the thickness of the coil is formed in the insulating layer 10 made of silicon dioxide, and the coil is formed in the insulating layer 10 made of silicon dioxide by applying the lift-off method, so that the wire width can be reduced.
しかも断面積の大きなコイルを容易に製作できるととも
に、二酸化シリコンによる絶縁Ｍ１０に設けたコイルの
厚さと対応する深さのＦｆＩｔｌｏａに充填する導電材
料の蒸着量の調節によって、二酸化シリコンによる絶縁
層１０の表面−の平坦化も同時に達成できる。Moreover, it is possible to easily manufacture a coil with a large cross-sectional area, and by adjusting the amount of evaporated conductive material filled in FfItloa at a depth corresponding to the thickness of the coil provided in the silicon dioxide insulation layer 10, the silicon dioxide insulation layer 10 can be easily fabricated. Surface flattening can also be achieved at the same time.
また、コイルを多層構成のものとして構成する場合には
、まず、第１図の（ｆ）に示されている状態のものの上
面に、−二酸化シリコンによる新らしい絶縁層を蒸着に
よって形成させた後に、その新らしい絶縁層上にポジ型
のフォトレジスト層を形成させることによって第１図の
（ａ）の状態のものを得、以下、第１図の（ｂ）〜第１
図の（ｆ）を参照して既述したと同様な工程によって次
の新らしい−Ｎのコイルを構成する。以下、同様にして
次々の一層のコイルを構成することによって、多層のコ
イルを容易に製作できるのである。In addition, when constructing the coil as a multilayer structure, first, a new insulating layer of -silicon dioxide is formed by vapor deposition on the upper surface of the coil in the state shown in FIG. 1(f). By forming a positive photoresist layer on the new insulating layer, the state shown in FIG. 1(a) was obtained.
The next new -N coil is constructed by a process similar to that already described with reference to (f) of the figure. Thereafter, a multilayer coil can be easily manufactured by configuring one layer of the coil one after another in the same manner.
（効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明の薄ｎｉ！気ヘッドのコイルの製作法は、非磁性体製
の基板上に絶縁層を介して、下部磁性層、磁気空隙部、
コイル、コイルの絶縁層、上部磁性層などが所定のパタ
ーンで順次に成膜されることによって構成される薄膜磁
気ヘラｐのコイルの製作法として、コイルを形成させる
べき領域における絶［１上に、所定のコイルパターンと
なるように形成させたポジ型のフォトレジストパターン
の表面を炭化させる工程と、前記の工程によって表面が
炭化されたポジ型のフォトレジストパターンをマスクと
して、絶縁層にドライエツチングを施こし、絶縁層にコ
イルの厚さと略々対応する深さの溝を形成させる工程と
、コイルの厚さに略々等しい厚さの蒸着膜を形成させて
絶縁層の溝を蒸着膜によって充填させる工程と１表面が
炭化されたポジ型のフォトレジストパターンを除去する
工程とからなる薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法である
から、本発明の４８磁気ヘツドのコイルの製作法におい
ては、既述したような従来技術のように、特にモリブデ
ンによるマスクパターンを構成させることもなく、ポジ
型のフォトレジストによる所定のコイルパターンｌ１ｍ
の表面に薄い炭化Ｊｌｌｌｌａｃが形成された状態のも
のをマスクパターンとして、四部化炭１（ＣＦ４）ガス
のプラズマを用いて二酸化シリコンによる絶縁層１０に
対し、ＲＩＥなどによりドライエツチング処理を行なっ
て。(Effects) As is clear from the detailed explanation above, the thin ni! The method for manufacturing the magnetic head coil is to place a lower magnetic layer, magnetic gap, and
As a method for manufacturing a coil for a thin film magnetic spatula P, which is constructed by sequentially depositing a coil, an insulating layer of the coil, an upper magnetic layer, etc. in a predetermined pattern, it is possible to , a step of carbonizing the surface of a positive photoresist pattern formed to form a predetermined coil pattern, and dry etching the insulating layer using the positive photoresist pattern whose surface has been carbonized in the above step as a mask. A process of forming grooves in the insulating layer with a depth approximately corresponding to the thickness of the coil, and forming a vapor deposited film with a thickness approximately equal to the thickness of the coil, and forming grooves in the insulating layer with the vapor deposited film. Since this method of manufacturing a coil for a thin film magnetic head consists of a filling step and a step of removing a positive type photoresist pattern with one surface being carbonized, the method for manufacturing a coil for a 48 magnetic head of the present invention is similar to the existing method. Unlike the prior art described above, there is no need to construct a mask pattern using molybdenum, and a predetermined coil pattern l1m is formed using a positive photoresist.
Using a thin Jllllac carbide layer formed on the surface as a mask pattern, the insulating layer 10 made of silicon dioxide is subjected to a dry etching process by RIE or the like using plasma of carbon tetrameride (CF4) gas.
二酸化シリコンによる絶縁１ｔｏにコイルの厚さと対応
する深さの溝１０８を形成させ、リフトオフ法の適用に
よって二酸化シリコンによる絶縁層１０にコイルを形成
できるのであり、また、前記のりフトオフ法の実施に際
して行なわれるフォトレジストの除去は、ケトンのよう
な溶媒によって極めて簡単に実現でき、さらに１本発明
によれば線巾が綱＜、シかも断面積の大きなコイルを容
易に製作できるとともに、二酸化シリコンによるＭ縁！
１０に設けたコイルの厚さと対応する深さの溝１０ａに
充填する導電材料の蒸着量の調節によって、二酸化シリ
コンによる絶縁層ｌＯの表面の平坦化も同時に達成でき
、さらにまた、コイルを多層構成のものとして構成する
場合には、まず、第１図の（ｆ＞に示されている状態の
ものの上面に、二酸化シリコンによる新らしい絶縁層を
蒸着によって形成させた後に、その新らしい絶縁層上に
ポジ型のフォトレジスト層を形成させることによって第
１図の（ａ）の状態のものを得て、以下、第１図の（ｂ
）〜第！図の（ｆ）を参照して既述したと同様な工程に
よって次の新らしい一層のコイルを構成し、以下。A coil can be formed in the silicon dioxide insulating layer 10 by forming a trench 108 with a depth corresponding to the thickness of the coil in the silicon dioxide insulation layer 10 and applying a lift-off method. Removal of the photoresist can be very easily achieved using a solvent such as ketone, and furthermore, according to the present invention, a coil with a large cross-sectional area can be easily fabricated, and the removal of the photoresist using silicon dioxide can be easily accomplished using a solvent such as ketone. edge!
By adjusting the amount of evaporated conductive material filled in the groove 10a having a depth corresponding to the thickness of the coil provided in 10, it is possible to simultaneously achieve flattening of the surface of the insulating layer 10 by silicon dioxide, and furthermore, the coil can be formed into a multilayer structure. When constructing a new insulating layer as shown in FIG. By forming a positive photoresist layer, the state shown in FIG. 1(a) is obtained.
)～th! The next new layer of coils is constructed by a process similar to that already described with reference to Figure (f), and the following.
同様にして次々の一層のコイルを構成することによって
、多層のコイルも容易に製作することができるなどの諸
利点が得られる。By constructing one layer of coils in succession in the same manner, various advantages such as the ability to easily manufacture multilayer coils can be obtained.
第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法にお
ける順次の工程の説明図、第２図及び第３図は従来の薄
膜磁気ヘッドのコイルの製作法における順次の工程の説
明図である。
１．４，５，６．１０・・・絶縁層、２・・・金属層。
７・・・モリブデンによるＨＨ，１０ａ・・・溝、 １
１・・・ポジ型のフォトレジストｆｉ、１１ａｃ・・・
炭化層、１２・・・導電材料。FIG. 1 is an explanatory diagram of sequential steps in a method for manufacturing a coil for a thin-film magnetic head according to the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams for explaining sequential steps in a conventional method for manufacturing a coil for a thin-film magnetic head. . 1.4, 5, 6.10... Insulating layer, 2... Metal layer. 7... HH by molybdenum, 10a... Groove, 1
1...Positive photoresist fi, 11ac...
Carbonized layer, 12... conductive material.
Claims (1)
気空隙部、コイル、コイルの絶縁層、上部磁性層などが
所定のパターンで順次に成膜されることによって構成さ
れる薄膜磁気ヘッドのコイルの製作法であって、コイル
を形成させるべき領域における絶縁層上に、所定のコイ
ルパターンとなるように形成させたポジ型のフォトレジ
ストパターンの表面を炭化させる工程と、前記の工程に
よって表面が炭化されたポジ型のフォトレジストパター
ンをマスクとして、絶縁層にドライエッチングを施こし
、絶縁層にコイルの厚さと略々対応する深さの溝を形成
させる工程と、コイルの厚さに略々等しい厚さの蒸着膜
を形成させて絶縁層の溝を蒸着膜によって充填させる工
程と、表面が炭化されたポジ型のフォトレジストパター
ンを除去する工程とからなる薄膜磁気ヘッドのコイルの
製作法A thin film formed by sequentially forming a lower magnetic layer, magnetic gap, coil, coil insulating layer, upper magnetic layer, etc. in a predetermined pattern on a non-magnetic substrate with an insulating layer interposed therebetween. A method for manufacturing a coil for a magnetic head, which includes a step of carbonizing the surface of a positive photoresist pattern formed on an insulating layer in a region where a coil is to be formed so as to form a predetermined coil pattern; Using a positive photoresist pattern whose surface has been carbonized during the process as a mask, dry etching is performed on the insulating layer to form a groove in the insulating layer with a depth that approximately corresponds to the thickness of the coil. A coil for a thin film magnetic head, which consists of a process of forming a vapor deposited film with a thickness approximately equal to that of the insulating layer and filling the grooves of the insulating layer with the vapor deposited film, and a process of removing a positive type photoresist pattern whose surface is carbonized. manufacturing method
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27847884A JPS61156509A (en) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Manufacture of coil of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27847884A JPS61156509A (en) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Manufacture of coil of thin film magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156509A true JPS61156509A (en) | 1986-07-16 |
Family
ID=17597885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27847884A Pending JPS61156509A (en) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Manufacture of coil of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156509A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113812A (en) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Hitachi Ltd | Manufacture of thin film magnetic head |
| JPS63152010A (en) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | Production of thin film magnetic head |
| US6901653B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-06-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Process for manufacturing a magnetic head coil structure |
| US7275306B2 (en) | 2003-12-12 | 2007-10-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Damascene method for forming write coils of magnetic heads |
| JP2012515912A (en) * | 2009-01-27 | 2012-07-12 | レニショウ パブリック リミテッド カンパニー | Magnetic encoder scale |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27847884A patent/JPS61156509A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113812A (en) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Hitachi Ltd | Manufacture of thin film magnetic head |
| JPS63152010A (en) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | Production of thin film magnetic head |
| US6901653B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-06-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Process for manufacturing a magnetic head coil structure |
| US7275306B2 (en) | 2003-12-12 | 2007-10-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Damascene method for forming write coils of magnetic heads |
| JP2012515912A (en) * | 2009-01-27 | 2012-07-12 | レニショウ パブリック リミテッド カンパニー | Magnetic encoder scale |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4816946A (en) | Method of manufacturing thin film magnetic head | |
| US4662985A (en) | Method of smoothing out an irregular surface of an electronic device | |
| JPS61156509A (en) | Manufacture of coil of thin film magnetic head | |
| JPH0580140B2 (en) | ||
| JPS5877016A (en) | Production of thin film magnetic head | |
| JPH04281205A (en) | Etching method | |
| JPS61227183A (en) | Flattening method | |
| JPS61222010A (en) | Flattening method | |
| JPS61131215A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPS59104718A (en) | Production of thin film magnetic head | |
| JP2517479B2 (en) | Method of manufacturing thin film magnetic head | |
| JPH087222A (en) | Thin film magnetic head and its production | |
| JPH07130568A (en) | Manufacture of thin film coil | |
| JPH09198624A (en) | Combined magnetic head and its production | |
| JPS61210508A (en) | Manufacture of thin-film magnetic head | |
| JPS60143414A (en) | Manufacture of thin-film magnetic head | |
| JPH05182135A (en) | Thin-film magnetic head and production thereof | |
| JPS62149135A (en) | Method of pattern formation | |
| JPS6284519A (en) | Forming method for mask for ion etching | |
| JPH07182620A (en) | Horizontal type thin film magnetic head and its manufacture | |
| JPH04341910A (en) | Recording/reproduction separate type thin film head | |
| JPS58224422A (en) | Manufacture of thin film magnetic head | |
| JPH01125996A (en) | Pattern formation | |
| JPS5885547A (en) | Forming method for conductive pattern | |
| JPH04281204A (en) | Etching method |