JPS61156052A - 光導電性像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ばて一般に、電子写真に関し、さらに詳細には、
新規な電子写真像形成部材およびこの像形成部材を用い
る方法に関する。

電子写真技術においては、光導電性絶縁層を含む電子写
真像形成部材を、該像形成部材の像形成表面を先ず均一
に静電気的に荷電することによって像形成させる。次い
で、像形成部材は光導電性絶縁層の照射領域内の電荷を
選択的に消散させ一方非照射領域中の静電潜像を残存さ
せる光のような活性化！磁放射のパターンに露出させる
。次に、この静電潜像を光導電性絶縁層の表面上へ微分
割顕電マーキング粒子を沈着させることによって現像し
可視像を形成させ得る。

静電複写に用いるための光導電性層はガラス質セレンの
ような単一材料の均一層であり得るかあるいは光導電体
と他の物質を含む複合層であり得る。静電複写に用いる
複合光導電性層の１つのタイプは米国特許第４，２６５
，９９０号に例示されており、該米国特許は少なくとも
２つの電気作動性層（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　ｏｐ
ｅｒａｔｉｖｅ　１ａｙｅｒ）を有する感光性部材を記
載している。１つの層は正札を光励起し、西励起した正
孔を連続した電荷移送層に注入し得る光導電性層である
。一般に、２つの電気作動性層が導伝性層に支持され、
正札を光励起し光励起した正札を注入し得る光導電性層
が連続電荷移送層と支持導伝性層間にはさまれている場
合、電荷移送層の他の表面ば負極性の均一な電荷で通常
帯電しており、支持電極をアノードとして用いる。明ら
かに、１１荷移送層が支持電極と光導電性層（ｉｌ子を
光励起し光励起した電子を電荷移送層に注入し得る）間
にはさまれている場合も、支持電極はアノードとして機
能し得る。このＪｌ［における電荷移送層は、もちろん
、光導電性層からの光励起電子の注入を支持し電子を！
荷移送層を通して移送できるものでなければならない。

電荷発生層とｉ＋を荷移送層用材料の種々の組合せが検
討されている。例えば、米国特許第４．２６５．９９０
号に記載の感光性部材はポリカーボネート樹脂と１種ま
たはそれ以上のある種の芳香族アミン化合物とからなる
電荷移送層と連続的に接触した電荷励起層を用いている
。正孔の光励起および正孔の電荷移送層への注入能力を
示す光導電性層からなる各種の励起層もまた検討されて
いる。励起層に用いる代表的な光導電性物質ハ無定形セ
レン、三方晶セレン、セレン−テルル、セレン−テルル
−ひ素、セレン−ひ素のようなセレン合金およびこれら
の混合物である。電荷励起層は均質光導電性物質または
バインダー中に分散させた粒状光導電性物質からなり得
る。均質なバインダー電荷励起層の他の例は米国特許第
４．２６５．９９０号に記載されている。ポリ（ヒドロ
キシエーテル）樹脂のようなバインダー物質の他の例は
米国特許第４，４３９，５０７号に教示されている。米
国特許第４，２６５．９９０号と第４．４３９，５０７
号の記載はそのすべてを本明細書に引用する。

例えば、米国特許第４，２６５．９９０号におけるよう
な上述した少なくとも２つの電気作動性層を有する。感
光性部材は、均一な負の静電荷で帯電さ廿、光像に露出
し、その後微細な現像静電マーキング粒子で現像したと
きすぐれた画像を与える。

しかしながら、電荷移送層がフィルム形成性樹脂と１種
またはそれ以上のある種のジアミン化合物からなるとき
は、これらの感光性部材にはこれら部材を複写機または
プリンター中である種の条件下で使用するときいくつか
の困難に遭遇する０例えば、画像の欠落バンドが、自動
静電複写像形成装置を長期のウィークエンド休日のよう
な長時間に亘って不使用状態においたときに複写像中の
欠落プリントのバンドの形でみられる。この問題の厳し
さは停止直前になされたコピーの回数および装置を休め
た期間の長さに比例しているようである。この像の欠落
バンドは装置を停止状態にしたときのコロトロン荷電装
置のすぐ下の受光体上の面に相当するようであるし、十
分な量の回復時間が与えられるときには回復し得る表面
現象であると信じられている。

高速装置に比し、コロトロン下の感光体の増大セグメン
トの残留時間が大きい収納型低速装置では、増大したサ
イクルダウンと低い初期電荷が不適切な換気条件下での
連続操作で観察される。サイクルダウンが生じるときは
、表面＠；ｆｉｉｔと電荷アクセプタンスは、暗減衰が
露光面で増大しまた良好画像用のコントラスト電位が低
下し消失した像を生じるにつれて減少する。暗減衰は均
−荷電後の暗中の感光体上の電荷のロス（損失）として
定義される。これは像形成サイクル中に維持することが
できず、正確さ、安定性および予想し得る感光体操作範
囲を必要とする自動電子写真複写機およびプリンターに
とって許容できない低い初期電荷をもたらす望ましくな
い疲労様問題である。コントラスト電位は光のような活
性化１ａｉａ放射のパターンに露光後の感光性部材の影
響即ち光投射領域と感光性部材の非露光Ｎ載量の電位差
として定義される。コントラスト電位の変化は、特に、
正値な操作窓に合致する感光体特性を必要とする現代の
コピー機、複写機およびプリンターにおいてコピー品質
に悪影響を及ぼし得る。コントラスト電位変化における
勾配はコピーを全く存在させないかあるいは薄いはっき
りしないものとする。さらに、収納型の低速装置におけ
るこの低下は永久的な性質であると考えられるみがけの
現像であるようである。感光性部材のコントラスト電位
と暗減衰の両方の制御は初期ばかりでなく部材の全操作
寿命を通して重要である。

上述した電子写真像形成部材は優れた像を形成するけれ
ども、ある条件下での使用はサイクルダウンおよび画像
の消失バンドを形成し得る。これはポリマーマトリック
ス中に分散させた芳香族ジアミン分子からなる電荷移送
層を含む電子写真像形成部材において特に顕著である。

即ち、導伝性層と少なくとも２つの電気作動性層とがら
なり、その電気作動性層の１つがフィルム形成層と１種
またはそれ以上の芳香族アミン化合物からなる電荷移送
層である感光性部材の特性は現代のコピー機、複写機お
よびプリンターにおいて望ましくない欠点を示している
。従って、周期的に操作を行う電子写真像形成装置によ
り大きい安定性を与える組成物および方法が要求されて
いる。

光ＩＲと１ａ 本発明の目的は、導伝性層、電荷励起層および連続電荷
移送層とからなり、該電荷移送層が連続高分子バインダ
ー相中の芳香族アミン電荷移送分子および次の諸化合物
からなる群から選ばれた化学安定剤とからなる電子写真
像形成部材を提供することである： Ｉ、構造式： ％式％ （式中、Ｒ，はフェニル基、融合環芳香族基および複素
環式基からなる群より選ばれた置換および未置換基から
なる群から選ばれ、Ｒｔは炭素数１〜２０個を含む直鎖
または枝分れアルキル基、フェニル基、融合環芳香族基
および複素環式基からなる群から選ばれた置換または未
置換基からなる群から選ばれるンを有するニトロン化合
物； ｎ、　ＩｊＩ造式： ％式％ （式中、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ％％Ｒ４、ＲｔおよびＲ，は、
個々に、炭素数１〜１ｏ個を含む置換または未置換アル
キル基、および置換または未置換フェニル基からなる群
から選ばれる）を有するイソベンゾフラン化合物；Ｉ［
１，（Ａ）構造式； （式中、Ｒ９、Ｒ１゜、ＲｏおよびＲｌｔは、個々に、
水素、ヒドロキシ基、炭素数１〜６個のアルコキシ基お
よび炭素数１〜６個のアルキル基からなる群より選ばれ
、Ｒ７、Ｒ１゜、Ｒ８およびＲＩ　２の少なくとも１つ
はヒドロキシ基であり、Ｒｔ３およびＲＨａは、個々に
、水素、炭素数２〜４０個のアルキレン基および炭素数
１〜４０個のアルキル基より選ばれる）を有する融合ヒ
ドロキシ芳香族化合物、（Ｂ）構造式： （式中、ＲＩＳ、ＲｔいＲ１？、Ｒ１１＋およびＲ１は
、個々に、水素；ヒドロキシ基；および炭素数１〜２０
個の直鎖アルキル基、炭素数１〜２０個の枝分れアルキ
ル基、炭素数１〜２０個のアルキレン基、炭素数１〜２
０個のエステル基、フェニル基、ナフチル基、エステル
基および炭素数１〜２０個のアルコキシ基からなる群よ
り選ばれる置換および未置換基から選ばれる） を有する単量体または重合体フェノール化合物〜および
（Ｃ）置換および未置換ナフトール化合物からなる群よ
り選ばれたヒドロキシ芳香族化合物； および、 これらの混合物。

この電子写真像形成部材は電子写真像形成方法に用い得
る。

一般に、本発明の安定剤化合物を含む電子導電性部材は
支持基体上の少な（とも２つの電気作動性層からなる。

基体は不透明または実質的に透明でもよ（所定の機械的
性質を有する多くの適当な材料からなり得る。

支持基体全体であり得るかあるいは下層部材上のコーテ
ィングとして存在し得る導伝性層即ち接地面（ｇｒｏｕ
ｎｄ　ｐｌａｎｅ）は任意の適当な材料、例えば、アル
ミニウム、チタン、ニッケル、クロム、黄銅、金、ステ
ンレススチール、カーボンブラック、グラファイト等で
あり得る。導伝性層は電子導電性部材の所望の用途によ
り実質的に広汎な範囲でその厚さが変化し得る。かくし
て、導伝性層は一般に約５０オングストローム単位から
数１までの厚さであり得る。可撓性の感光性像形成装置
が所望される場合には、その厚さは約１００オングスト
ローム単位から約７５０オングストローム単位であり得
る。下層部材は金属、プラスチック等を包含する任意の
通常の材料であり得る０代表°的な下層部材には、この
目的に公知の各種樹脂、例えば、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等からなる絶縁
性の非導伝性材料がある。コーティング型または非コー
テイング型の支持基体は軟質または硬質でもよく、任意
の多くの異なる形状例えば、プレート、円筒状Ｆラム、
スクロール、エンドレス可撓性ヘルド等であり得る。好
ましいのは、絶縁性基体がエンドレス可撓性ベルトの形
状であり、Ｅ、１．デュポン社より商業的に人手できる
マイラー（Ｍｙｌａｒ）として知られるポリエチレンテ
レフタレートポリエステルである。

必要ならば、任意の適当なブロッキング層を導伝性層と
電荷励起層との間に挿入してもよい。好ましいブロッキ
ング層は加水分解シランと導伝性アノードの金Ｓ酸化物
層との反応生成物であり得る。像形成部材は金属導伝性
アノード層の金属酸化物層上にｐＨ約４〜約１０での加
水分解シラン水溶液のコーティングを沈着させ、反応生
成物層を乾燥させてシロキサンフィルムを形成し、この
シロキサンフィルムに任意成分としての接着層、励起層
および電荷移送層を施すことによって調製する。代表的
な加水分解性シランには、３−７ミノプロビルトリエト
キシシラン、（Ｎ、Ｎ−ジメチル３−アミノ）プロピル
トリエトキシシラン、Ｎ。

Ｎ−ジメチルアミノフェニルトリエトキシシラン、Ｎ−
フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリエト
キシシリルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシ
リルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシリルプ
ロビルジエチレントリアミンおよびこれらの混合物があ
る。

一般に、希溶液が薄いコーティングを得るために好まし
い。満足できる反応生成物膜は溶液全重量当り約］、１
〜約１．５重量％のシランを含む溶液によって得ること
ができる。

任意の適当な方法を金属導伝性層の金属酸化物層に加水
分解シラン溶液を施こすのに用い得る。　　。

代表的な適用方法にはスプレー法、ディップコーティン
グ法、ロールコーティング法、針金巻き棒コーティング
法等がある。一般に、満足できる結果は加水分解シラン
と金属酸化物層との反応生成物が約２０オングストロー
ム〜約２，０００オングストロームの厚さを有する層を
形成したときに得られる。

金属酸化物層上の加水分解シランの乾燥即ち硬化はおよ
そ室温より高い温度で行い、より均一な電気的性質、加
水分解シランのシロキチンへのより完全な転換およびよ
り少ない未反応シラノールを有する反応生成物を与える
ことができる。一般に、約り００℃〜約１５℃の反応温
度が好ましく電気的性質の最大の安定化を与える−この
シロキサンコーティングは“マルチ−レイヤー　ホトレ
セプター　コーティング　シロキサン　オン　アメタル
　オキサイド　レイヤー（Ｍｕｌ　ｔｉ−１ａｙｅｒＰ
ｈｏｔｏｒｅｃｅｐｔｏｒ　Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　５
ｉｌｏｘａｎｅ　ｏｎ　ａ　ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅ　Ｌ
ａｙｅｒ）　”なる名称の米国特許第４．４６４，４５
０号に記載されており、該米国特許の記載は本明細書に
参考としてすべて引用する。

ある場合には、ブロッキング層と隣近の電荷励起即ち光
励起層との間の中間層が接着性を改良するためにあるい
は電気的バリヤ一層として機能するために必要とする。

そのような層を使用するときには、それらの層は約０．
１マイクロメーターへ約５マイクロメーターの乾燥厚を
有することが好ましい。代表的な接着層にはポリエステ
ル、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリウレ
タン、ポリメチルメタクリレート等のフィルム形成性ポ
リマーであるつ 任意の適当な電荷励起即ち光励起物質を本発明方法によ
り調製した多層型光導電体中の２つの電気作動性層の１
つに用いることができる。光吸収性の光励起層は有機光
導電性顔料および／または無機光導電性顔料を含み得る
。代表的な有機光導電性顔料にはバナジルフタロシアニ
ン、米国特許第３，３５７，９８９号に記載された他の
フタロシアニン化１１ゝ、無金属フタロシアニン、銅フ
タロシアニンのような金属フタロシアニン、デュポン社
より商標名モナストラル（Ｍｏｎａｓｔｒａｌ　）　レ
ッド、モナストラルバイオレソト、モナストラルレソド
Ｙとして入手できるキナクリドン類、米国特許第３．４
４２，７８１号に開示されている置換２．４−ジアミノ
−トリアジン類、スクアライン顔料、アライドケミカル
社より商標名インドファースト（Ｉｎｄｏｆａｓｔ）ダ
ブルスカーレット、インドファースト　バイオレット　
レークＢ、インドファースト　ブリリアント　スカーレ
ノトおよびインドファースト　オレンジとして人手でき
る多環芳香族キノン類およびチオピリリウム顔料等があ
る。代表的な無機感光性顔料には無定形セレン、三方晶
セレン、第１Ａ族お°よび第■Ａ元素の混合物、Ａｓｚ
Ｓｅ３セレン合金、セレン化カドミウム、スルホセレン
化カドミウム、銅と塩素でドーピングした硫化カドニウ
ム、米国特許第４．２３２．１０２号および第４，２３
３，２８３号に記載されているような炭酸ナトリウムで
ドーピングした三方晶セレン等がある。電荷励起層の他
の例は、米国特許第４．２６５，９９０号、第４．２３
３，３８４号、第４．３０６，００８号、第４，２９９
，８９７号、第４．２３２，１０２号、第４．２３３．
３８３号、第４．４１５．６３９号および第４，４３９
，５０７号に記載されている。これらの米国特許の記載
は本明細書に参考としてすべて引用する。

任意の適当な樹脂バインダー物質が！荷励起層に用い得
る。代表的な樹脂バインダーにはポリカーボネート、ア
クリレートポリマー、ビニルポリマー、ポリビニルカル
バゾール、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド
、ポリウレタン、エポキシ等がある。必要ならば、有機
樹脂バインダーは他の適当な添加物を含み得る。多くの
有機樹脂バインダーは、例えば、米国特許第３．１２１
．００６号および第一４，４３９．５０７号に記載され
ており、これらの記載はすべて参考として本明細書に引
用する。有機樹脂バインダーはブロック、ランダムまた
は交互コポリマーであり得る。

光導電性化合物および／または顔料および樹脂バインダ
ー物質を含む光励起層は一般に約０．１マイクロメータ
ー〜約５．０マイクロメーターの厚さであり、好ましく
は約０．３マイクロメーター〜約３マイクロメーターの
厚さを有する。一般に、この厚の最大厚ば機械的考慮を
含む多くの要因に依存し、またこの層の最小厚は例えば
顔料粒径、光励起顔料の光学密度等に依存する。これら
の範囲外の厚さも本発明の目的が達成される限りにおい
て使用できる。

光励起化合物または顔料は樹脂バインダー中に種々の量
で存在するが、一般には約５〜８０重量％好ましくは約
１０−約５０重量％の量である。

従って、この実施態様においては、樹脂バインダーは約
９５〜約２０重量％の量好ましくは約９０　′〜５０重
置％重量％存在する。使用する特定の割合はある程度励
起層の厚さに依存する。

他の代表的な光導電性層には無定形セレンまたはセレン
−ひ素、セレン−テルル−ひ素およびセレン−テルルの
ようなセレン合金がある。

本発明方法により調製した多層型即ち複合光導電体の２
つの電気作動性層の１つに用いることのできる好ましい
電荷移送層は約２５〜７５重量％の少なくとも１つの電
荷移送芳香族アミン化合物またはヒドラゾン誘導体、約
７５〜約２５重量％の上記電荷移送化合物を均質に分散
させた高分子フィルム形成性樹脂、および任意成分とし
ての、上記電荷移送化合物の重量当り約１〜約１０，０
００ｐｐｍの塩化メチレンのような適当な溶媒に溶解性
のプロトン酸またはルイス酸（Ｌｅｗｉｓａｃｉｄ）と
からなる。電荷移送層は一般に約５〜約５０マイクロメ
ーターの範囲、好ましくは約１０〜約４０マイクロメー
ターの厚さを有する。

芳香族アミン化合物は次の一般式を有する１種またはそ
れ以上の化合物： （式中、Ｒ２，とＲｏは置換または未置換のフェニル基
、ナフチル基およびポリフェニル基からなる群から選ば
れる芳香族基であり、Ｒｏは置換または未置換の了り−
ル基、炭素数１〜１８個を有するアルキル基および炭素
数３〜１８個を有する脂環式化合物なる群から選ばれる
）、または、一般式： （式中、Ｒ２４、Ｒｚｓ、ＲｔａおよびＲ１’Ｊは水素
、置換または未置換のフェニル基、ナフチル基、カルバ
ゾイル基、ビフェニル基、ジフェニルエーテル虚、炭素
数１〜１８個を有するアルキル基および炭素数１〜１８
個を有する脂環式基からなる群より選ばれる） を有するヒドラゾン分子であり得る。

好ましい芳香族アミン化合物は、一般式：（式中、Ｒｚ
ｓは置換または未置換のフェニル基、ビフェニル基、ジ
フェニルエーテル基、炭素数１〜１８個を有するアルキ
ル基および炭素数３〜１２個を有する脂環式基からなる
群より選ばれ、Ｒ２９、Ｒ３゜、ＲｆｆｌおよびＲ３ｔ
は置換または未置換のフェニル基、ナフチル基およびポ
リフェニル基からなる群より選ばれる） を有する。置換基はＮＯｘ基、ＣＮ基等の電子払拭基ヲ
含ムべきでない、一般に、これらの芳香族アミンは約７
．７ｅ−ｖ、より低いイオン化電位を有している。

電荷励起層の光励起正札の注入を支持し正孔の電荷移送
層中の移送を行い得る電荷移送層用の上記構造式で示さ
れる電荷移送芳香族アミンの例ムこは、トリフヱニルメ
タン；ビス（４−ジエチルアミン−２−メチルフェニル
）フェニルメタン；４′、４“−ビス（ジエチルアミノ
）−２’。

２＃−ジメチルトリフェニル−メタン、Ｎ、Ｎ’−ビス
（アルキルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４
，４’−ジアミン（アルキルは例えばメチル、エチル、
プロピル、ｎ−ブチル等である）、Ｎ、Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ、Ｎ’−ビス（クロロフェニル）−（１，１’−
ビフェニル〕−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフヱ
ニルーＮ、Ｎ’−ビス（３＃−メチルフェニル）−（１
，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン等であり、
不活性樹脂バインダー中に分散されている。

暗減衰および背影電圧効果を調整するにおいてのすぐれ
た結果は、電荷励起層からなる本発明に従ってドーピン
グした像形成部材が光導電性物質の層と、上述の芳香族
ジアミン化合物の１種以上を約２５〜約７５重量％分散
して含む分子量約２０．０００〜約１２０，０００のポ
リカーボネート樹脂材料の連続電荷移送層とからなり、
光導電性層が正孔の光励起と正孔注入能力を示し、！荷
移送層が光導電性層が励起し光励起した正孔を注入する
スーベクトル領域では実質的に非吸収性であるが光導電
性層からの光励起正孔の注入を支持しこの正札を電荷移
送層を通して移送できるときに達成できる。

塩化メチレンまたは他の適当な溶媒に溶解し得る任意の
適当な不活性樹脂バインダーを本発明方法に用い得る。

この不活性高ｗＡ緑性樹脂バインダーは、不当な暗減衰
を防止する少なくとも約１０１ｚオーム−値の抵抗性を
有するものであり、必ずしも光励起層からの正孔の注入
を支持でき得ない物質である。塩化メチレンに溶解性の
代表的な不活性樹脂バインダーにはポリカーボネート樹
脂、ポリビニルカルバゾール、ポリエステル、ポリアク
リレート、ポリメタクリレート、ポリエーテル、ポリス
ルホン等である０分子量は約２０，０００〜約１．５０
０．０００で変化し得る。

本発明で有効な安定化物質は多活性、即ち、ある範囲の
劣下要因例えばフリーラジカル、酸化剤および酸素を不
活性化する能力を示す（約１より大きい総数で消滅させ
る）、一般に、本発明の電子写真像形成部材に用い得る
この活性を示す物質の例は次の群より選択される二 １、構造式： ％式％ （式中、Ｒ，はフェニル基、融合環芳香族基および複素
環式基からなる群より選ばれた置換および未置換基から
なる群から選ばれ、Ｒ２は炭素数１〜２０個を含む直鎖
または枝分れアルキル基、フェニル基、融合環芳香族基
および複素環式基からなる群から選ばれた置換または未
置換基からなる群から選ばれる）を有するニトロン化合
物； ■、構造式： （式中、Ｒｓ　、Ｒａ　、Ｒｓ　、Ｒａ　、Ｒ？および
Ｒ３は、個々に、炭素数１〜１０個を含む置換または未
置換アルキル基、および置換または未置換フェニル基か
らなる群から選ばれる）を有するイソベンゾフラン化合
物；ＩＩｌ、　　（Ａ）構造式： （式中、Ｒｑ　、Ｒ１（１％　Ｒ１１およびＲ，ｔは、
個々に、水素、ヒドロキシ基、炭素数１〜６個のアルコ
キシ基および炭素数１〜６個のアルキル基からなる群か
ら選ばれ、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ８およびＲ１□の少なくと
も１つはヒドロキシ基であり、Ｒ１３およびＲｏは、個
々に、水素、炭素数２〜４０個のアルキレン基および炭
素数１〜４０個のアルキル基より選ばれる）を有する融
合ヒドロキシ芳香族化合物、（Ｂ）構造式； （式中、Ｒ１ｓ％　Ｒ１４％　Ｒ＋ｙ、Ｒ１１１および
Ｒ１９は、個々に、水素；ヒドロキシ基；および炭素数
１〜２０個の直鎖ア火キル基、炭素数１〜２０個の枝分
れアルキル基、炭素数１〜２０個のアルキレン基、炭素
数１〜２０個のエステル基、フェニル基、ナフチル基、
エステル基および炭素数１〜２０個のアルコキシ基から
なる群より選ばれる置換および未置換基から選ばれる） を有する単量体または重合体フェノール化合物、および
（Ｃ）置換および未置換ナフトール化合物からなる群よ
り選ばれたヒドロキシ芳香族化合物； および、 これらの混合物。

代表的なニトロン類にはむ一ブチルフェニルニトロン（
また、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−α−フェニルニトロンと
も称せられる）、ｉ−プロピルフェニルニトロン、４−
メチルフェニルフェニルニトロン、ｔ−７’チル−４−
メチルフェニルニトロン等がある。

代表的なイソベンゾフラン類にはジフェニルイソベンゾ
フラン、ジメチルイソベンゾフラン、ジエチルイソベン
ゾフラン、ジプロピルイソベンゾフラン、ジイソプロピ
ルイソベンゾフラン、ジブチルイソベンゾフラン、ジイ
ソブチルイソベンゾフラン、ジフェニルイソヘンシフラ
ン、アルキル置換フェニルイソベンゾフラン（アルキル
基は１〜４個の炭素数を含むもの）、ジ（ｐ−クロロフ
ェニル）イソヘンシフラン、ジ（ｐ−シアノフェニル）
イソベンゾフラン等がある。

代表的な融合ヒドロキシ芳香族化合物にはα−トコフェ
ロール、（２，５，７，８−テトラメチル−１−（４’
、８’、１２’−）ジメチルトリデシル）−６−クロマ
ノールおよびその異性体；β−トコフェロール（３，４
−ジヒドロ−２，５゜８−トリメチル−２−（４，８，
１２−）ジメチルトリデシル）−２Ｈ−１−ベンゾピラ
ン−６−オール）、ｒ−）コフェロール〔３，４−ジヒ
ドロ−２，７，８−トリメチル−２−（４，８゜１２−
トリメチルトリデシル）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−６
−オール〕、δ−トコフェロール〔３，４−ジヒドロ−
２，８−ジメチル−２−（４，８，１２−トリメチルト
リデシル）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−６−オール〕、
ε−トコフェロール〔３，４−ジヒドロ−２，５，８−
テトラメチル−２−（４，８，１２−トリメチル−３゜
７．１１−トリデカトリエニル）−２Ｈ−１−ベンゾピ
ラン−６−オール〕、ζ、−トコフェロール〔３，４−
ジヒドロ−２，５，７，８−テトラメチル−２−（４，
８，１２−）ジメチル−３゜７．１１−トリデカトリエ
ニル）−２Ｈ−１−ペイプピラン−６−オール〕、ζ２
−トコフェロール〔３，４−ジヒドロ−２，５，７−ド
リメチルー２−　（４，８，１２−）ジメチルトリデシ
ル）−２Ｈ−１−ベンゾピラン−６−オール〕、η−ト
コフェロール、トコール（３，４−ジヒドロ−２−メチ
ル−２−（４，８，１２−トリメチルトリデシル）−２
Ｈ−１−ベンゾピラン−６−オール〕等およびこれらの
混合物がある。

代表的なフェノール化合物には２−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−メトキシフェノール、２．６−ジ−を一ブチルー４
−メトキシフェノール、ヒドロキノン、２．６−ジ−ｔ
ｅｒ　ｔ−ブチル−４−エトキシフェノール、２．６−
ジ−ｔｅｒ　ｔ−ブチルフェノール、２．５−ジ−ｔ−
ブチル−４−メトキシフエノール、２．６−ジ−Ｌ−ブ
チル−ｐ−クレゾール、２．４．６−トリフェニルフェ
ノール、エリスリチルテトラキス〔β−（４−ヒドロキ
シ３，５−ジ−も一ブチルフェニル）プロピオネート）
等およびこれらの混合物がある。

代表的な置換および未置換ナフトール化合物には、１−
ヒドロキシ−４−メチル−８−ｔｅｒｔ−ブチルナフタ
レン、１−ヒドロキシ−４−エチル−８−Ｌｅｒｔ−ブ
チルナフタレン、１−ヒドロキシ−４−プロピル−８−
ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン、１−ヒドロキシ−４−ブ
チル−８ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン、ｌ−ヒドロキシ
−４−メトキシ−８−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン、■
−ヒドロキシー４−エトキシー８−ｔｅｒｔ−ブチルナ
フタレン、１−ヒドロキシ−４−プロポキシ−８−ｔｅ
ｒｔ−ブチルナフタレン、１−ヒドロキシ−４−ブトキ
シ−８−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン、１−ヒドロキシ
−２−ｔｅｒ　ｔ−ブチル−４−メチルナフタレン、１
−ヒドロキシ−２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルナフ
タレン、１−ヒドロキシ−２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
プロピルナフタレン、１−ヒドロキシ−２−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ブチルナフタレン、１−ヒドロキシ２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−メトキシナフタレン、１−ヒドロ
キシ−２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エトキシナフタレン
、１−ヒドロキシ−２−ｔｅｒｔ−ブチ／Ｉ／−４−ヒ
ロポキシナフタレン、１−ヒドロキシ２−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−ブトキシナフタレン、１−ヒドロキシ−２，
８−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルー４−メチルナフタレン、１
−ヒドロキシ−２，８−ジ−ｔｅｒ　ｔ−ブチル−４−
エチルナフタレン、■−ヒドロキシー２．８−ジ−ｔｅ
ｒ　ｔ−ブチル−４〜プロピルナフタレン、１−ヒドロ
キシ−２，８−ジ−ｔｅｒｔ−４−ブチルナフタレン、
ｌ−ヒドロキシ−２，８−ジ−ターシャリ−ブチル−４
−メトキシナフタレン、１−ヒドロキシ−２，８−ジ−
ｔｅｒ　ｔ−ブチル−４−エトキシナフタレン、１−ヒ
ドロキシ−２，８−ジ−ｔｅｒ　ｔ−ブチル−４−プロ
ポキシナフタレン、１−ヒドロキシ−２，８−ジ−　ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ブトキシナフタレン等およびこれ
らの混合物がある。

ジフェニルイソベンゼンフラン、アルファトコフェロー
ル、テトラキス〔β−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−
ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート〕　（イルガノッ
クス１０１０）、およびｔｅｒ　を−ブチルフェニルニ
トロンが好ましい安定剤である。なぜならば、これらは
非毒性であり、感光体製造中に通常用いる温度で安定で
あり、また容易に人手でき安価である好ましい透明バイ
ンダー中に可溶性であるからである。

満足できる結果は移送層が連続バインダー相中に溶解し
た移送層の総重量基準で約０．０１〜約５重量％の安定
剤を含むときに得られる。約０．０１重量％より少なく
用いるときには、最終コピーにプリントの消失と乏しい
コントラストがコロトロン下での感光体の休止露出しそ
の後像形成操作を行った後あるいはコロトロン下で移動
する感光体の長期の露出後に像形成したときに観察され
る。

増大したサイクルアンプに基づく残留電圧蓄積およびよ
り多量の背影トナー沈着は安定剤含有量が移送層の総重
量基準で約５重量％の安定剤を越えるとき生ずる。（好
ましいのは、移送層は移送層の総重量当り約０．０５〜
約２重量％の安定剤を含む。

これらの安定剤は移送層バインダーおよび移送層バイン
ダー溶媒に溶解性であるべきである。また、安定剤は電
子写真像形成部材の電気的および物理的性質に悪影響を
及ぼすべきでない。即ち、そのような安定剤はそれ自体
移送層物質または電子写真像形成部材に存在する他のい
ずれの層の電気的性質を変化させるべきでない。さらに
、本発明の安定剤を使用するときには、これらの物質が
あらゆる化学反応の結果として層中に導伝性状態を導入
しないことが重要である。また、本発明の安定剤添加物
は電子写真像形成部材中の他の成分と反応しないように
使用すべきである。さらにまた、安定剤は感光体に電荷
キャリヤートラップを何ら導入しないようにすべきであ
る。そのような導入は、感光特性の劣下を引起すからで
ある。

プリント消失バンドは、感光体表面領域と反応し該領域
を導伝性にするコロトロン副生成物により生ずると信じ
られている。導伝性領域はプリント欠落のバンドまた電
子写真装置中の感光体の表面上の不鮮明画像を引き起す
。ある装置においては、このハンドはコロナ荷電装置下
でパークする感光体のその領域で特に顕著である。これ
らの荷電装置は恐らく感光性装置と破壊的に反応する化
学物質を発生させる。この電導性領域は恐らくジアミン
化合物と負の対向電荷との副生成物である遊離の正帯電
物質を含む。欠落ハンドを含む装置を正電荷で荷電する
ときには、劣化表面領域からの遊離の正電荷は電子写真
像形成部材に注入され、それに・よって影響を受けた領
域の電荷アクセプタンスを低下せしめる。一方、電子写
真像形成部材を負電荷で荷電するときには、表面は導伝
性となリスントラスト電位のロス（不鮮明画像）または
接地片即ち接地面への横方向の導伝性を生じる。

比較試験において、ジコロトロン荷電装置は等価の数千
のゼログラフコピーで操作する・ことによって予め状態
調節を行った。本発明の安定剤を含むまたは含まない多
層型電子写真像形成部材を休止中のジコロトロン荷電装
置によって各部材の像形成表面の中心で露出させた。本
発明の安定剤を含まない像形成部材の露光部分は正電荷
を保持することができず、一方、安定化した電子写真像
形成部材は明らかに正電荷を保持し消失なしのプリント
を与える程度に、化学−電気劣下によって影響されなか
った。しかも、露光後の７０時間で、安定化しなかった
対照の電子写真部材は激しく劣下したま−であり確実に
回復しなかった。即ち、そのような安定化しない感光体
は自動複写機またはプリンターにおいてこれらの条件下
で操作中の装置で感光体をしばしば取換える必要がある
ために望ましいものではない。同じような結果はピン荷
電装置のような他のコロナ荷電装置でも得られた。

コロナ装置によって明らかに生じた物質の化学作用はコ
ロナ装置ハウジング中の空気を移動させることによって
軽減できるけれども、そのような部分的解決は多くの不
利益を伴う。例えば、その空気流は汚染問題を悪化させ
それに伴うメンテナンスの必要が生じる。さらに、この
タイプの空気流はコロトロン操作中の装置から噴出する
空気のオゾン濾過を必要とする。空気流動を行う装置は
また動力消費および熱発生を増大させ望ましくない。さ
らに、コロトロン荷電装置のハウジングを通して空気を
吹き込むための外部装置と制御は装置の寸法、複雑性お
よび費用を増大させる。また、加えた装置は複写装置に
より発生したそう昔の量の増大に貢献する。さらに、空
気流動は残念なことに最大使用寿命を達成させるための
感光体上へのコロナ化学作用を総体的に減少させる。即
ち、化学劣下作用に抵抗性の電子写真像形成部材が要求
される。本発明の電子写真像形成部材を用いることはコ
ロナ荷電装置により誘起される劣下を最小にする。

任意の適当な通常の方法を、電荷移送層コーティング混
合物を混合しその後ｉ荷励起層に施すのに用いることが
できる。代表的な適用方法にはスフレ−法、ティップコ
ーティング法、ロールコーティング会、針金巻棒コーテ
ィング法等がある。

沈着させたコーティングの乾燥はオーブン乾燥、赤外線
照射乾燥、空乾性等の任意の適当な方法でｊテい得る。

一般に、移送層の厚さは約５〜約１００ミクロンの間で
あるが、この範囲以外の厚さも使用できる。

電荷移送層は電荷移送層上に生じた静電荷を層上の静電
潜像の形成と保持を妨げるのに十分な速度では照射なし
で伝導しない程度に絶縁体でなければならない。一般に
、電荷励起層に対する電荷移送層の厚さの比は好ましく
は約２：ｌ〜２００：１にある場合には４００　：　１
程の大きさに維持する。代表的な移送層形成用組成物は
約８．５重量％の電荷移送芳香族アミン、約８．５重量
％の高分子バインダー、約０．１５重量％の安定剤およ
び約８３重量％の塩化メチレンである。

ある場合には、ブロッキング層または導伝性層と隣接の
励起体移送層の間に中間層が接着性を改良するためある
いは電気バリヤ一層として作用させるために要求される
。そのような屑を用いるときは、それらの層は約０−１
〜約５ミクロンの乾燥厚を有することが好ましい。代表
的な接着層にはポリエステル、ポリビニルブチラール、
ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレ
ート等のフィルム形成性ポリマーがある。

必要ならば、オーバーコート層も摩耗抵抗性を改良する
ために使用してもよい。これらのオーバーコーテイング
層は電気絶縁性またはわずかに半導電性である有機重合
体または無機重合体であり得る。

以下、いくつかの実施例を示し本発明を実施するのに用
いることができる種々の組成および条件を具体的に説明
する。すべての割合は特に断わらない限り重量による。

しかしながら、本発明は多くのタイプの組成物によって
実施でき上記の記載によってまた後述するようにして多
くの異なる使用があることは明らかである。

大範炭上 感光性装置を、厚さ３ミル（０，０７６・ＩＩ＋１）を
有するアルミニウム処理ポリエステル基体（マイラー、
Ｅ、１．デュポン社より人手できる）を用意し、この基
体に、バードアプリケーターを用いて、２、５９２　ｇ
の３−アミノプロピルトリエトキシシラン、０．７８４
　ｇの酢酸、１８０ｇの１９０プルーフ変性アルコール
および？’１３ｇのへブタンとを含む溶液を施すことに
より調製した０次いで、この層を室温で５分間、強制送
風炉中で１３５°Ｃ１１０分間乾燥せしめた。得られた
ブロッキング層は０．０１マイクロメーターの乾燥厚を
有していた。

その後、このブロッキング層をポリエステル（デュポン
４９，０００、Ｅ−１デュポン社より人手できる）接着
層で０．０５マイクロメーターの乾燥厚にコーティング
した。接着層コーティング溶液は０．５ｇのポリエステ
ル、６０ｇのテトラヒドロフランおよび３９．５ｇのシ
クロヘキサンとから調製し、０．５ミル（０，０１３ミ
リ）のバードアプリケーターで施した。７．５容量％の
三方晶セレン、２５容量％のＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１．１’−ビフェ
ニル−４，４′−ジアミンおよび６７．５容量％のポリ
ビニルカルバゾールを含む光励起層を、０．８ｇのポリ
ビニルカルバゾールと１４−ｌの１：１容量比のテトラ
ヒドロフラン／トルエン混合物を２オンスこはくビンに
導入することにより調製した。

この溶液に０．８ｇの三方晶セレンと１００ｇの１ノ８
インチ（３，１７５ｍｍ）径ステンレススチール球を加
えた−次いで、この混合物を７２〜９６時間ボールミル
処理した。続いて、得られたスラリー５ｇを０．３６ｇ
のポリビニルカルバゾールと０、２０　ｇのＮ、Ｎ’−
ジフヱニルーＮ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１
．１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのｌ：１容量
比テトラヒドロフラン／トル工ン’１５ｍｆｆ中溶液に
加えた０次に、このスラリーを１０分間シェーカーで処
理した。得られたスラリーをハードアプリケーターで上
記接着層上に施して０．５ミルの湿潤厚を有する層を形
成した。この層を強制送風炉中で１３５℃、５分間乾燥
させて２．０ミクロンの厚さを有する乾燥光励起層を形
成させた。

この光励起層を電荷移送層でオーバーコーテイングした
。電荷移送層はこはくガラスビン中に１：ｌの重量比で
Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフ
ェニル）１．Ｌ’−ビフェニル−４，４１−ジアミンと
マクロロン（ＭａＫｒｏｌｏｎ（登録商標）、約５０．
０００〜１００．ＱＯＯの分子量を有するポリカーボネ
ート樹脂（バイエル社より入手できる）〕とを導入する
ことにより調製した。得られた混合物は１５重量％の未
処理塩化メチレン中に溶解させた。この溶液を上記光励
起層上にバードアプリケーターを用いて施し、乾燥時に
２５ミクロンの厚さを有するコーティングを形成した。

上記の各層すべてを含む得られた感光体装置を強制送風
炉中で６分間、１３５℃で焼成した。安定剤の添加を除
いては、本実施例に記載した手順を用いて以下の実施例
において示す感光体を調製した。

大隻炭主 実施例１で記載したような２つの電気作動性層を有する
多層型電子写真感光体を同じ手順および材料を用いて調
製した。ただし、電荷移送層の総重量基準で約１．０重
量％のα−トコフェロールをこはくガラスビンに加えた
。

大施炭１ 実施例１で記載したような２つの電気作動性層を存する
感光体を同じ手順および材料を用いて調製した。ただし
、電荷移送層の総重量基準で約１．０１１％のジフェニ
ルイソヘンシフランをこはくガラスビンに加えた。

実施例４ 実施例１で記載したような２つの電気作動性層を有する
感光体を同し手順および材料を用いて調製した。ただし
、電＠移送層の総重量基準で約１．０重量％のｔ−ブチ
ルフェニルニトロンをこはくガラスビンに加えた。

人施炎上 ゼロックス１０７５　（登録商標）コピー機からのジコ
ロトロン荷電装置を正プレートバイアスで２８マイクロ
アンペア、６０００ボルトで操作することによって８時
間予め状態調節した・。そのあと、ジコロトロンを停止
し、実施例１．２および３の静置多層型電子写真像形成
部材をジコロトロン荷電装置を各電子写真像形成部材に
接触させて置くことによって中心領域で露光させた。こ
の露光領域の各側面は電子写真像形成部材の非露光部分
であった。ジコロトロンへの露光２８時間後に、実施例
１の感光体の露光部分は約＋１７８ボルトに帯電しただ
けであったが、実施例２および３の安定化電子写真像形
成部材は約＋８００ボルトに帯電させることができ、消
失なしのプリントを与えるもので化学および電気的劣下
により本質的に影響を受けなかった。

人施桝ｉ ジコロトロン荷電装置を正プレートバイアスで２８マイ
クロアンペア、６０００ボルトで操作することによって
１．５日間状態鋼節し、接地したアルミニウムプレート
からｏ、ｚｍａして置いた。実施例１．２．３および４
の多層型電子写真像形成部材の各々をこれら電子写真像
形成部材表面の上０．２鶴に置いたジコロトロン荷電装
置により２．５日間中心領域で露光した。この露光領域
の各側面は電子写真像形成部材の非露光部分であった。

試験装置を交互に１．５日間操作し、試験中２．５日間
停止した（ジコロトロンを止め、像形成部材を止めた）
。次いで、各露光電子写真像形成部材を電位計を装えた
往復運動するゼログラフイーフラットプレートスキャン
チー上においた。前方向走査回復値は荷電直後に測った
次の表に示すような電荷アクセプタンス測定に基づき、
逆方向走査回復値は、次の表に示すように、荷電後２．
６秒の残留電荷に基づく。試験開始後Ｏ１２，２４およ
び７ｏ時間後の電荷アクセプタンスを各感光体の露光お
よび非露光領域で測定し、各回復値はジコロトロンへの
露光領域の電荷アクセプタンス値をジコロトロンへ露光
しなかった領域の電荷アクセプタンス値で割り、次いで
１００を掛けて計算したパーセントで表わした。結果は
次表の通りである。

パーセント前方向走査回復値 （荷電直後に行った測定） 時５　（ｈｒ、）　　　　０　　　２　　２４　　７０
実施例１　（対照）　　０　　２．２　　２４　　７０
実施例２　　　　６９　　７７　　９１　　９５実施例
３　　　　７９　　８２　　８１　　９７実施例１　　
　５８　　６６　　８５　　９６バ一セント逆方向走査
回復値 （荷電後２．６秒で行った測定） 実施例１　（対照）００８２９ 実施例２　　　　３５　　５０　　７５　　８７実施例
３　　　　３２　　５２　　６６　　８６実施例４　　
　　１８　　２８　　５９　　８３上記表の結果は、明
らかに、各ジコロトロン劣下電子写真像形成部材の回復
速度を示している。

これらのデータは、露光後７０時間においてさえも、未
安定化の対照電子写真像形成部材は激しく劣下したまま
で適切に回復していない。

Ｊ３（粗り 新しい多層型電子写真像形成部材を実施例１．２および
３のようにして調製した。実施例２と３の安定剤の効果
を適正な時間で示唆するために、各部材をコロナ化学物
への電子写真像形成部材の露出を最小にしたストレス条
件下で操作した。即ち、荷電装置下での長滞留時間で約
５インチ／秒（１２，７ｃｓ＋／秒）の低速を荷電装置
および全試験装備を通して空気流動なしに用いて殆んど
または全く空気交換を行なわなかった。用いたコロナ荷
電装置は一定電圧方式での−６，３Ｋ　Ｖで操作した。

実施例１．２および３に記載したようにして調製した各
多層型電子写真像形成部材を５インチ／秒（１２，７ｃ
ｍ／秒）の処理速度で静電複写的に繰返し操作した。各
電子写真像形成部材サンプルを静電プローブで操作の間
モニターし、データを集め、コンピューターで処理した
。この条件は低容量、低価格複写機の環境を刺激する。

コント・ラスト電位を操作回数の関数として比較した。

これらのデータは３回の５０００サイクル破壊その後の
最終１０．０００サイクル破壊を含む試験で得た〔試験
中、４０％相対湿度での２１．１’Ｃ（７０°Ｆ）〕。

最終の１０，０００サイクル破壊の初めで、実施例１　
（対照）、２および３の部材のコントラスト電位は、そ
れぞれ、４７５．４８０および５０５であった。最終１
０，０００サイクル破壊の最後では、実施例１　（対照
）、２および３のコントラスト電位は、それぞれ、３１
０．４５０および４４５であった。これらの試験は、明
らかに、本発明の安定化電子写真像形成部材が対照の電
子写真像形成部材よりもはるかに大きいコントラスト電
位を有していることを示している。さらに、本発明の安
定化電子写真像形成部材は初期に対照の部材より高い電
位を受は入れ試験中も高い荷電電位を維持していた。

天ＪｉｌＬ影 実施例７の試験手順を実施例１．２および３で記載した
ようにして調製した新しい多層型電子写真像形成部材で
繰返し、光誘起放電特性を最終の１０．０００サイクル
で測定した。実施例１で記載したようにして調製した多
層型電子写真像形成部材（対照）と実施例２と３で記載
したようにして調製した多層型電子写真像形成部材との
光誘起放電特性の比較において、実施例１の光誘起放電
曲線は非重ね合せ性（ｎｏｎ−ｓｕｐｅｒｉｍｐｏｓａ
ｂｌｅ）の放電曲線で示されるようなゆっくりした電荷
アクセプタンスの減少を示した。実施例２および３で記
載したようにして調製した電子写真像形成部材はいずれ
も初期に良好な電荷アクセプタンスを示したばかりでな
く初期に得られた電荷アクセプタンスからのその後の放
電曲線の小さな偏差によって示されるような電荷アクセ
プタンスにおけるわずかな変化を示した。これらの結果
は、明らかに、本発明の安定化電子写真像形成部材が対
照の部材よりもはるかに少なくしかサイクルダウンして
いないことを示した。

去旌炭ユ 実施例１および４に記載したようにして新しい多層型電
子写真像形成部材を調製した。適正な時間で実施例４の
安定剤の効果を示すために、各部材をコロナ化学物への
電子写真像形成部材露出を最小にしたストレス条件下で
繰返し操作した。即ち、荷電装置下での長滞留時間で約
５インチ／秒（１２，７ｃｍ／秒）の低速を荷電装置お
よび全試験装置の囲いを通して空気流動なしに用い空気
交換を殆んどまたは全くさせなかった。用いたコロナ荷
電装置は一定電圧方式での−６，３Ｋ　Ｖで操作した。

実施例１および４に記載されたようにして調製した各多
層型電子写真像形成部材を静電複写的に操作した。各電
子写真像形成部材サンプルを操作中静電プローブでモニ
ターし、データを集め、コンピューターで処理した。こ
の種の条件は低容量、低価格複写機の環境を刺激する。

コントラスト電位を操作回数の関数として比較した。こ
れらのデータは４回の５．０００サイクル破壊引き続く
最終の１０．０００サイクル破壊を含む試験で得たく試
験中、１０〜１５％相対湿度２１．１’Ｃ）。最終の１
０，０００サイクル破壊の初めでは、実施例１　（対照
）と４の部材のコントラスト電位は、それぞれ、４２５
と５１５であった。最終１０，０００すイクル破壊の最
後では、実施例１　（対照）と４の部材のコントラスト
電位は、それぞれ、２４０と３７０であった。これらの
試験は、明らかに、本発明の安定化電子写真像形成部材
は対照の電子写真像形成部材よりもはるかに大きいコン
トラスト電位を有することを示している。さらに、本発
明の安定化電子写真像形成部材は対照部材よりも高い初
期電荷を受は入れ試験中も高い荷電電位を維持していた
。

本発明の特定の好ましい実施態様に関連して来たけれど
も、本発明をこれらの実施態様に限定する積りはなく、
むしろ当業者ならば、本発明の精神および特許請求の範
囲内での変形および修正がなされ得ることは理解される
であろう。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）導伝性層、電荷励起層および電荷移送層とからな
   り、該電荷移送層が連続高分子バインダー相中の芳香族
   アミン電荷移送分子、と次の諸化合物からなる群から選
   ばれた化学安定剤とからなる電子写真像形成部材： I 、構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１はフェニル基、融合環芳香族基および複
   素環式基からなる群より選ばれた置換および未置換基か
   らなる群から選ばれ、Ｒ＿２は炭素数１〜２０個を含む
   直鎖または枝分れアルキル基、フェニル基、融合環芳香
   族基および複素環式基からなる群から選ばれた置換また
   は未置換基からなる群から選ばれる） を有するニトロン化合物； II、構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７およ
   びＲ＿８は、個々に、炭素数１〜１０個を含む置換また
   は未置換アルキル基、および置換または未置換フェニル
   基からなる群から選ばれる）を有するイソベンゾフラン
   化合物； III、（Ａ）構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１およびＲ＿１
   ＿２は、個々に、水素、ヒドロキシ基、炭素数１〜６個
   のアルコキシ基および炭素数１〜６個のアルキル基から
   なる群より選ばれ、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１お
   よびＲ＿１＿２の少なくとも１つはヒドロキシ基であり
   、Ｒ＿１＿３およびＲ＿１＿４は、個々に、水素、炭素
   数２〜４０個のアルキレン基および炭素数１〜４０個の
   アルキル基より選ばれる）を有する融合ヒドロキシ芳香
   族化合物、 （Ｂ）構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１＿５、Ｒ＿１＿６、Ｒ＿１＿７、Ｒ＿１
   ＿８およびＲ＿１＿９は、個々に、水素；ヒドロキシ基
   ；および炭素数１〜２０個の直鎖アルキル基、炭素数１
   〜２０個の枝分れアルキル基、炭素数１〜 ２０個のアルキレン基、炭素数１〜２０個のエステル基
   、フェニル基、ナフチル基、エステル基および炭素数１
   〜２０個のアルコキシ基からなる群より選ばれる置換お
   よび未置換基から選ばれる） を有する単量体または重合体フェノール化合物、および
   （Ｃ）置換および未置換ナフトール化合物からなる群よ
   り選ばれたヒドロキシ芳香族化合物； および、これらの混合物。
2. （２）前記安定剤がｔ−ブチルフェニルニトロンである
   特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真像形成部材。
3. （３）前記安定剤がジフェニルイソベンゾフランである
   特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真像形成部材。
4. （４）前記融合ヒドロキシ芳香族化合物がアルファート
   コフェロールである特許請求の範囲第（１）項記載の電
   子写真像形成部材。
5. （５）前記フェノール化合物が２，６−ジ−ｔ−ブチル
   フェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフ
   ェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノ
   ール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、ヒド
   ロキノン、エリスリチルテトラキス〔ベータ−（４−ヒ
   ドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオ
   ネート〕およびこれらの混合物からなる群より選ばれる
   特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真像形成部材。
6. （６）前記移送層がその総重量基準で約０．０１重量％
   〜約５重量％の前記安定剤を含む特許請求の範囲第（１
   ）項記載の電子写真像形成部材。
7. （７）前記移送層がその総重量基準で約０．０５重量％
   〜約２重量％の前記安定剤を含む特許請求の範囲第（１
   ）項記載の電子写真像形成部材。
8. （８）前記芳香族アミン電荷移送分子が一般式：▲数式
   、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿２＿１およびＲ＿２は、置換または未置換
   のフェニル基、ナフチル基、およびポリフェニル基から
   なる群から選ばれた芳香族基であり、Ｒ＿２＿３は置換
   または未置換アリール基、炭素数１〜１８個のアルキル
   基および炭素数３〜１８個の脂環式化合物からなる群か
   ら選ばれる） を有する特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真像形
   成部材。
9. （９）電荷励起層と電荷移送層とからなる電子写真像形
   成部材を調整し、上記移送層が連続相中の電荷移送分子
   からなり、上記電荷移送層または上記移送層がさらに次
   の諸化合物： I 、構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１はフェニル基、融合環芳香族基および複
   素環式基からなる群より選ばれた置換および未置換基か
   らなる群から選ばれ、Ｒ＿２は炭素数１〜２０個を含む
   直鎖または枝分れアルキル基、フェニル基、融合環芳香
   族基および複素環式基からなる群から選ばれた置換また
   は未置換基からなる群から選ばれる） を有するニトロン化合物； II、構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７およ
   びＲ＿８は、個々に、炭素数１〜１０個を含む置換また
   は未置換アルキル基、および置換または未置換フェニル
   基からなる群から選ばれる）を有するイソベンゾフラン
   化合物； III、（Ａ）構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１およびＲ＿１
   ＿２は、個々に、水素、ヒドロキシ基、炭素数１〜６個
   のアルコキシ基および炭素数１〜６個のアルキル基から
   なる群より選ばれ、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１お
   よびＲ＿１＿２の少なくとも１つはヒドロキシ基であり
   、Ｒ＿１＿３およびＲ＿１＿４は、個々に、水素、炭素
   数２〜４０個のアルキレン基および炭素数１〜４０個の
   アルキル基より選ばれる）を有する融合ヒドロキシ芳香
   族化合物、 （Ｂ）構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１＿５、Ｒ＿１＿６、Ｒ＿１＿７、Ｒ＿１
   ＿８およびＲ＿１＿９は、個々に、水素；ヒドロキシ基
   ；および炭素数１〜２０個の直鎖アルキル基、炭素数１
   〜２０個の枝分れアルキル基、炭素数１〜 ２０個のアルキレン基、炭素数１〜２０個のエステル基
   、フェニル基、ナフチル基、エステル基および炭素数１
   〜２０個のアルコキシ基からなる群より選ばれる置換お
   よび未置換基から選ばれる） を有する単量体または重合体フェノール化合物、および
   （Ｃ）置換および未置換ナフトール化合物からなる群よ
   り選ばれたヒドロキシ芳香族化合物； および これらの混合物。 からなる群から選択され、この電子写真像形成部材上に
   静電潜像を形成し、この静電潜像を静電的に引付け得る
   トナー粒子と接触させて像形状に沈着したトナー像を形
   成し、このトナー像を受け入れ部材へ転写することから
   なる電子写真像形成方法。
10. （１０）前記静電潜像形成工程、トナー粒子接触工程お
    よびトナー像転写工程をコロナ励起種、リッチの環境で
    繰返すことからなる特許請求の範囲第（９）項記載の電
    子写真像形成方法。