JPS61150088A - メモリカ−ド - Google Patents

メモリカ−ド

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JPS61150088A
JPS61150088A JP59271693A JP27169384A JPS61150088A JP S61150088 A JPS61150088 A JP S61150088A JP 59271693 A JP59271693 A JP 59271693A JP 27169384 A JP27169384 A JP 27169384A JP S61150088 A JPS61150088 A JP S61150088A
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JP
Japan
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memory
memory card
battery
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data
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Application number
JP59271693A
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English (en)
Inventor
Ikuo Maeda
郁雄 前田
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、例えば各工場や家庭等に設けられている電
力メータ毎に設置され該電力メーカからの電力量データ
を逐次読み取るデータ収集制御装置に挿入接続されて使
用され、データ収集制御装置が読み取った電力ωデータ
等を所定期間累積記憶するとともに、所定期間累積記憶
した後にはデータ収集制御装置から抜き取られてデータ
処理装置に接続され所定期間累積記憶した電力データ等
をデータ処理装置に供給するメモリカードに関する。
〔発明の技術的背景および問題点〕
上述したように、例えば各工場や家庭等に設けられてい
る電力メータ毎に設置され該電力メータからの電力量デ
ータを逐次読み取り、この読み取ったデータをメモリカ
ードに記憶するデータ収集制御装置は、ロードサーベイ
メータとして知られている。このロードサーベイメータ
に挿入接続されるメモリカードは、所定期間、例えば1
ケ月の間、各家庭の電力メータ毎に設けられているロー
ドサーベイメータに接続されこの1ケ月の間の使用電力
量データを累積記憶した後、回収員によりロードサーベ
イメータから回収され、例えば中央の計算センタ等に設
置されているデータ処理用中央制御装置に接続される。
その結果、メモリカードに記憶された1ケ月間の使用電
力量データはデータ処理用中央制御装置に入力され、こ
のデータ処理用中央制御装置において各メモリカード毎
、すなわち各工場や家庭毎の電力使用量が調査されると
ともに、場合によってはその使用料が計算される。この
ようなシステムは電力用ロードサーベイシステムとして
知られている。
このようなロードサーベイシステムは、各工場や家庭等
における使用電力量だけでなく、ガス使用量、水道使用
量等の計算にも使用されるし、また各工場や家庭等にお
けるものだけでなく、分散した複数の支所や現場等を有
し、その各支所や現場等における所定期間にわたる種々
のデータを収集するために有効なものである。また、ロ
ードサーベイシステムに使用されるメモリカードは、所
定期間、ロードサーベイメータから供給されるデータを
一時的に累積記憶するのみでなく、ロードサーベイメー
タに例えば測定用のパラメータ等を設定するためにも使
用される。
ところで、上述したようなロードサーベイシステムに使
用されるメモリカードは、例えば各家庭のロードサーベ
イメータから供給されるデータを記憶するためにICメ
モリ、例えば0MO8I Cメモリを使用するとともに
、この0MO8I Cメモリを作動させるための電池も
備えている。また一方、メモリカードはロードサーベイ
メータから供給されるデータを所定期間記憶した後、回
収員により回収されるものであり、回収員は多数の家庭
等から多くのメモリカードを回収するものであるため、
極力小型で例えばバンクカードのような形状のようなも
のが好ましい。しかしながら、このようにメモリカード
をバンクカードのように小型で薄型にすると、使用して
いる電池も非常に小型にする必要があるが、このため、
その電池容量も非常に小さくなり、電池消耗時間が早く
なって電池交換を頻繁に行なわなければならないという
問題がある。
〔発明の目的〕
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、電池の消耗を低減し、小型の電池でも長
期間交換なしで使用し得る小型のメモリカードを提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、データを記憶するためのメモ
リ部および前記メモリ部に作動電圧を供給するための電
池を有し、制御装置からのデータを受けて前記メモリ部
に記憶すると共に前記メモリ部に記憶した情報を制御装
置に供給するように制御装置に接続されて使用されるメ
モリカードにおいて、この発明は、制御装置に接続され
た場合には制御装置の電源装置からのみ前記メモリ部に
作動電圧を供給し前記電池からは前記メモリ部に作動電
圧を供給せず、制御装置から外された場合には制御装置
に接続されていた場合に制御装置から供給された制御信
号に基づいて前記電池から前記メモリ部への作動電圧の
供給を制御するスイッチ手段を有することを要旨とする
(発明の実施例) 以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示すメモリカードの回路
図であり、第2図は第1図のメモリカードの構造図であ
る。このメモリカード10は、0MO8NOR回路、抵
抗、コンデンサ等からなるスイッチ回路部1と、情報を
記憶するための0MO8ICメモリからなるメモリ部3
と、スイッチ回路部1およびメモリ部3に電力を供給す
るための電池5とを有し、M2図の構造図からもわかる
ように、薄いフレキシブル回路基板等に実装された上、
基板上の要所にスペーサ7を配設され、その上からフィ
ルム9で覆われて3IllIIl程度の薄いカード状に
形成され、更に一端側にコネクタ11を有している。
このように、構成されるメモリカード10は、第3図に
示ずようなロードサーベイシステムに使用される。図に
示すロードサーベイシステムは、例えば、各工場や家庭
等で使用される電力量を計測し、その使用実態を調査す
るためのシステムとして使用されている。このロードサ
ーベイシステムは、各工場や家庭等の使用電力量を測定
すべく各工場や家庭等の電力線に接続された電力■計1
3に並列にそれぞれ設けられ、電力線15を介して流れ
る電流を検知して使用電力量を計測するロードサーベイ
、メータ17を有し、このロードサーベイメータ17に
前記メモリカード10を接続することによりロードサー
ベイメータ17で計測した電力量の単位時間毎の計測値
が逐次メモリカード10の前記メモリ蔀3に記憶される
ようになっている。メモリカード10はロードサーベイ
メータ17に所定期間、例えば1ケ月間接続されてこの
1ケ月間の電力量データをメモリ部3に記憶すると、回
収員により回収され、例えば中央の計算センタ等に設置
されているロードサーベイシステムの一部を構成するデ
ータ処理装置19に接続される。メモリカード10はこ
のデータ処理装置19によりメモリ部3に記憶されたデ
ータが読み出され、データ処理装置19により使用電力
量等が計算されるのである。また、所定期間データを記
憶してメモリカード10が回収されると、ロードサーベ
イメータ17には新しいメモリカード10が接続され、
この新しいメモリカード10に次の期間の計測データが
記憶される。
次に第1図に示すメモリカード10の回路構成を詳細に
説明する。
メモリカード10は、前記コネクタ11を介してロード
サーベイメータ17およびデータ処理装置19と接続さ
れる各種端子として電源端子V、セット端子S、リセッ
ト端子R、データ入出力端子DATA、アドレス端子A
DR、ライト/リード制御端子WR等を有する。
スイッチ回路部1は、交差接続された2つのCMO8型
NCR回路21.23からなるRSフリップ70ツブを
有している。すなわち、一方のNOR回路21の一方の
入力は他方のNORrgJ路23の出力に接続され、他
方のNOR回路23の一方の入力は一方のNOR回路2
1の出力に接続されている。、また、NOR回路21.
23の他方の入力は、それぞれ抵抗R1,R3,R5、
コンデンサC1および抵抗R2,R4,R6、コンデン
サC2からなるノイズフィルタ回路を介してセット端子
Sおよびリセット端子Rに接続されている。
セット端子Sおよびリセット端子Rはロードサーベイメ
ータ17またはデータ処理装置19にメモリカード10
が接続された場合、ロードサーベイメータ17またはデ
ータ処理装置19からセット端子Sには論理ルベルのセ
ットパルスが供給されたり、またはリセット端子Rには
論理ルベルのリセットパルスが供給される。セット端子
Sにルベルのセットパルスが供給されると、このセット
パルスは前記ノイズフィルタ回路を介してNOR回路2
1の他方の入力に供給され、NOR回路21の出力をO
レベルにし、NOR回路23の出力をルベルにセットす
る(この状態をスイッチ回路部1が「オン状態」にセッ
トされた状態とする)。また、リセット端子Rにルベル
のリセットパルスが供給されると、このリセットパルス
は前記ノイズフィルタ回路を介してNOR回路23の他
方の入力に供給され、NOR回路21の出力をルベルに
し、NOR回路23の出力をOレベルにリセットする(
この状態をスイッチ回路部1が「オフ状態」にリセット
された状態とする)。
また、電源端子■は、メモリカード10がロードサーベ
イメータ17またはデータ処理袋@1つに接続された場
合、ロードサーベイメータ17またはデータ処理装置1
9からの電源電圧■0が供給されるようになっており、
この供給される電源電圧VoはダイオードD1を介して
メモリ部3を構成する0MO8ICメモリ25.27.
29゜31の作動電圧Vddとして供給されるとともに
、またダイオードD2を介してスイッチ回路部1に作動
電圧Vddを供給するようになっている。メモリ部3は
、0MO8ICメモリ25,27.29゜31の他にア
ドレスデコーダ33を有している。
各CMO8I Cメモリにはデータ入出力端子DATA
、アドレス端子ADR,ライト/リード制御端子WRか
らの信号がそれぞれ並列に供給されるとともに、アドレ
スデコーダ33はアドレス端子ADRからのアドレス信
号をデコードして各CM○SICメモリにチップ選択信
号を供給している。
電池5は、その正極側がダイオードD3を介して前記ダ
イオードD2のカソードおよびスイッチ回路部1の作動
電圧■dd供給点に接続されていて、メモリカード10
がロードサーベイメータ17またはデータ処理装置19
から外されて接続されていない場合ダイオードD3を介
してスイッチ回路部1に作動電圧Vddを供給するとと
もに、この場合において後述するようにスイッチ回路部
1のRSフリップフロップを構成するNOR回路23の
出力がルベルの状態にセットされている場合には°、N
OR回路23の出力に接続されたダイオードD4を介し
て電池5の電圧がメモリ部3に作動電圧として供給され
るのである。なお、詳細には、NOR回路23の出力が
ルベルにある場合、電池5からダイオードD3を介して
スイッチ回路部1に電源電圧Vddとして供給されてい
る電圧はルベルにあるNOR回路23のオン状態にある
0MO8I CのPチャンネルトランジスタ側を介し、
更にダイオードD4を介してメモリ部3の0MO8IC
メモリに作動電圧として、またはメモリ保持電圧として
供給されるのである。なお、ロードサーベイメータ17
またはデータ処理装置19が接続されている場合には、
ロードサーベイメータ17またはデータ処理装置19か
ら供給される電源電圧VOのダイオードD2を介した作
動電圧■ddにより、ダイオードD3が逆バイアスされ
るので、電池5の電力は消費されることがないようにな
っている。すなわち、メモリカード10がロードサーベ
イメータ17または゛データ処理装置19に接続されて
いる場合には、メモリカード10はロードサーベイメー
タ17またはデータ処理装置19からの電源電圧VOで
作動して電池5の消耗を防止し、また後述するようにス
イッチ回路部1をオン状態に制御することによりロード
サーベイメータ17から外されて回収されデータ処理装
置19に接続されるまでの間のみメモリ部3に記憶され
たデータを保持するために電池5の電圧で作動し、更に
データ処理装置19でデータを読み取られて再びロード
サーベイメータ17に接続されるまでの間はスイッチ回
路部1をオフ状態に制御して電池5の消耗を防止してい
るのである。
次に、以上のように構成されたメモリカード10の作用
を第3図のロードサーベイシステムの作用と合せて説明
する。
まず、ロードサーベイメータ17で計測した電力mデー
タをメモリカード10に記憶するために、メモリカード
10がロードサーベイメータ17に接続されている状態
においては、ロードサーベイメータ17からの電源電圧
■0が電源端子Vを介してメモリカード10に供給され
ている。この電源電圧Voは電源端子■からダイオード
D1を介してメモリ部3に作動電圧Vddとして供給さ
れ、メモリ部3は作動状態にある。すなわち、ロードサ
ーベイメータ17で計測した電力量データがロードサー
ベイメータ17からアドレス端子ADR、ライト/リー
ド制御端子WRを介して供給されるアドレス情報および
ライト/リード制御信号とともにデータ入出力端子DA
TAからメモリカード10のメモリ部3に供給され、逐
次記憶される。
この電力量データのメモリ部3への記憶動作は、メモリ
カード10がロードサーベイメータ17に接続されてい
る所定の計測期間、例えば1ケ月間継続して行なわれる
。その結果、1ケ月間の電力量がメモリカード10のメ
モリ部3に記憶されるのである。
また、このようにメモリカード10がロードサーベイメ
ータ17に接続されて計測した電力データの記憶動作を
行なっている状態においては、メモリカード10のスイ
ッチ回路部1にロードサーベイメータ17からルベルの
セットパルスがセット端子Sを介して供給されスイッチ
回路部1は  ゛「オン状態」にセットされ、NOR回
路23の出力はルベル、すなわち高レベル状態にあり、
ダイオードD4のアノードにはNOR回路23の高レベ
ル信号が1共給されている。しかしながら、この13号
の電圧レベルはNOR回路23を偶成する0MO3I 
CのPチャンネルトランジスタによる電圧降下だけダイ
オードD4のカソードに供給されているダイオードD1
を介してロードサーベイメータ17から供給されている
電源電圧■0よりも低いレベルにあるため、ダイオード
D4は逆バイアス状態にある。
また、上記状態において、電池5からの電圧は、ダイオ
ードD3のカソードに供給されているダイオードD2を
介したロードサーベイメータ17からの電源電圧VOが
電池5の電圧よりも高いのでダイオードD3は逆バイア
スされているため、どこにも供給されず、従って消耗さ
れることもないようになっている。以上のようにして、
所定期間の計測動作が終了し、その間の計測した電力量
データがメモリカード10のメモリ部3に記憶されると
、回収具がメモリカード10をロードサーベイメータ1
7から引き抜いて回収し、データ処理装置19にもって
行く。このようにロードサーベイメータ17からメモリ
カード10を引き抜いてデータ処理装置1つにもって行
くまでの間においては、メモリカード10がロード1ナ
ーベイメータ17に接続されていた時にスイッチ回路部
1が上述したようにロードサーベイメータ17からセッ
ト端子Sを介して供給されるセットパルスにより「オン
状態」にあるままの状態で引く抜かれるので、スイッチ
回路部1のNOR回路23の出力は高レベル状態にある
。このため、この高レベル信号はダイオードD4を介し
てメモリ部3の各CMO8IC1t’J25,27.2
9,311.:作動電圧または保持電圧として供給され
、メモリ部3に記憶された電力量データは消えることも
なく、記憶保持された状態で保たれているのである。な
お、この状態においては、スイッチ回路部1はダイオー
ドD3を介した電池5の電圧で作動して前記オン状態を
維持しているのである。
このようにメモリ部3が電池5の電圧でデータを保持し
た状態でデータ処理装置19に挿入されて接続されると
、ロードサーベイメータ17に接続された場合と同様に
データ処理装置19から電源端子Vを介して電源電圧v
Oが供給される。この電源電圧VOはダイオードD1を
介してメモリ部3の各CMO8I Cメモリに作動電圧
Vddとして供給されるとともに、ダイオードD2を介
してスイッチ回路部1にも供給され、またこれによって
電池5に直列に接続されているダイオードD3が逆バイ
アスされるので、この場合電池5の電圧はどこにも供給
されず、消耗されない状態にある。
メモリ部3が電源端子Vを介してデータ処理装置19か
ら供給される電圧により作動している状態において、デ
ータ処理装置19はアドレス端子ADR,ライト/リー
ド制御端子WRを介してメモリ部3を読み出し制御して
メモリ部3に記憶されている電力量データをデータ入出
力端子DATAを介して読み出し、この読み出したデー
タに基づいてデータ処理装置19は前記所定期間におけ
る電力量の計算を行なう。データ処理装置19は上述し
たようにしてメモリ部3に記憶されているデータをすべ
て読み取ると、リセット端子Rを介してスイッチ回路部
1にリセットパルスを供給し、スイッチ回路部1を「オ
フ状態」にリセットし、メモリカード10をデータ処理
装置1つから引き抜いてもよいことを例えばディスプレ
イ装置を介して報知する。その結果、メモリカード10
をデータ処理装置19から引き扱くと、スイッチ回路部
1は「オフ状態」にリセットされており、N。
R回路23の出力は低レベルにあるので、メモリ部3に
はダイオードD4を介して電圧が供給されないため、メ
モリ部3は非作動状態すなわちパワーダウン状態になる
。従ってメモリ部3では電池5の電力は消耗されず、電
池5の寿命は長く維持されるのである。なお、このパワ
ーダウン状態はメモリカード10がデータ処理装置19
から引き   −抜かれてから次にロードサーベイメー
タ17に接続されるまでの間継続する。
なお、上記実施例においては、メモリカードをO−ドサ
ーベイシステムに使用してロードナーベイメータ17と
データ処理装置19との2つの異なる装置にメモリカー
ド10を接続する場合について説明したが、これに限定
されるものでなく、同じ制御装置に扱差し接続されその
時の制御装置の判断によりリセットパルスまたはセット
パルスをメモリカード10に供給し、制御装置の判断で
メモリ部に作動電圧を供給し有効にするか否かを制御し
てもよい。
また、上記実施例においては、メモリカードに記憶する
データとして電力量等の計測データのみを記憶している
が、その他機器番号や日時情報等を記憶してもよいし、
また各メモリカードに固有の識別情報が記憶設定されて
おり、このような情報を逆にロードサーベイメータやデ
ータ処理装置に供給してもよい。
更に、メモリカードのメモリ部への電力の供給は上記実
施例のように全ICメモリに一個所から供給してもよい
が、ICメモリが多くなった場合にはスイッチ回路部を
複数個設け、選択的に電力供給を行なってもよい。すな
わち、ICメモリが多い場合に記憶するデータ量が少な
°い場合にはメモリの使用りに応じてICメモリへの電
力供給を制御して消費電力を低減してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、制御装置に接
続された場合には制御装置からの電源電圧で作動し、制
御装置から外された場合には制御装置が接続されていた
場合に制御装置から供給された制御信号に基づいて電圧
の電圧のメモリ部への供給を制御しているので、メモリ
部への電池電圧の供給が不要な場合、例えばロードサー
ベイシステムにおいてデータ処理装置でデータが読み出
された後のような場合にはメモリ部への電池電圧の供給
を停止することができ、メモリ部には例えばロードサー
ベイメータからデータ処理装置にメモリカードを運ぶ時
に電池からの電圧が必要なだけであるため、電池の消耗
が非常に少なく、電池の寿命を著しく延すことができる
。これは、従来例えば数ケ月で電池の交換を必要として
いたものを例えば数年以上に延すことを可能にし、電池
交換の頻度を低減する上、メモリカードは非常に小さい
ため電池の交換が困難なものであるが、これにより電池
の交換をメンテナンス時に工事で行なうことを可能にす
る。また、本発明のメモリカードに使用されるスイッチ
手段は半導体で構成され得るので、従来のような機械的
スイッチによるものに比較して小型薄型に形成できるこ
とは勿論の上、誤操作の恐れも少ない。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すメモリカードの回路
図、第2図は第1図のメモリカードの構造図、第3図は
第1図のメモリカードを使用するロードサーベイシステ
ムの一例を示す構成図である。 1・・・スイッチ回路部   2・・・メモリ部5・・
・電池、      10・・・メモリカード17・・
・ロードサーベイメータ 19・・・データ処理装置 21.23・・・NOR回路 25.27.29.31・・・0MO8I Cメモリ梨
1図 六

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)データを記憶するためのメモリ部および前記メモ
    リ部に作動電圧を供給するための電池を有し、制御装置
    からのデータを受けて前記メモリ部に記憶すると共に、
    前記メモリ部に記憶した情報を制御装置に供給するよう
    に制御装置に接続されて使用されるメモリカードであっ
    て、制御装置に接続された場合には制御装置の電源装置
    からのみ前記メモリ部に作動電圧を供給し前記電池から
    は前記メモリ部に作動電圧を供給せず、制御装置から外
    された場合には制御装置に接続されていた場合に制御装
    置から供給された制御信号に基づいて前記電池から前記
    メモリ部への作動電圧の供給を制御するスイッチ手段を
    有することを特徴とするメモリカード。
  2. (2)前記スイッチ手段は半導体で構成されることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のメモリカード。
JP59271693A 1984-12-25 1984-12-25 メモリカ−ド Pending JPS61150088A (ja)

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JP59271693A JPS61150088A (ja) 1984-12-25 1984-12-25 メモリカ−ド

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JP (1) JPS61150088A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4810864A (en) * 1986-11-07 1989-03-07 Seiko Instruments Inc. Memory card having improved data protection
US4827111A (en) * 1986-04-08 1989-05-02 Casio Computer Co., Ltd. Intelligent-type IC card containing IC circuit and battery
JPH0233641A (ja) * 1988-07-25 1990-02-02 Canon Inc 半導体メモリ装置
US5058075A (en) * 1988-08-12 1991-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Battery circuit for an integrated circuit (IC) memory card

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