JPS61145825A - プラズマ化学気相堆積装置のクリ−ニング終点検出方法 - Google Patents
プラズマ化学気相堆積装置のクリ−ニング終点検出方法Info
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- JPS61145825A JPS61145825A JP26908884A JP26908884A JPS61145825A JP S61145825 A JPS61145825 A JP S61145825A JP 26908884 A JP26908884 A JP 26908884A JP 26908884 A JP26908884 A JP 26908884A JP S61145825 A JPS61145825 A JP S61145825A
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- discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプラズマ放電を用いて半導体薄膜あるいは絶縁
体薄膜を堆積するプラズマ化学気相堆積装置の堆積室内
に付着した薄膜をエツチングガスおよびプラズマ放電を
用いて除去する工程の際にその除去工程終点をモニをす
る方法に関するものである。
体薄膜を堆積するプラズマ化学気相堆積装置の堆積室内
に付着した薄膜をエツチングガスおよびプラズマ放電を
用いて除去する工程の際にその除去工程終点をモニをす
る方法に関するものである。
従来の技術
従来、プラズマ化学気相堆積装置の堆積室内のクリーニ
ング終点全モートする技術としては、例えば菅野卓雄編
著「半導体プラズマプロセス技術」（昭５６．７．１０
）、産業図書、Ｐｌｌｌに示されているように、質量分
析法、発光分光法等ドライエツチング技術に適用されて
いるモニタ一方式が応用されていた。
ング終点全モートする技術としては、例えば菅野卓雄編
著「半導体プラズマプロセス技術」（昭５６．７．１０
）、産業図書、Ｐｌｌｌに示されているように、質量分
析法、発光分光法等ドライエツチング技術に適用されて
いるモニタ一方式が応用されていた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来のモニタ一方式では、プラズマ化学気相
堆積装置に薄膜堆積時には直接必要としない終点検出装
置等を設置しなければならない上に、絶えずその検出装
置のメンテナンスを必要とした。
堆積装置に薄膜堆積時には直接必要としない終点検出装
置等を設置しなければならない上に、絶えずその検出装
置のメンテナンスを必要とした。
本発明はかかる問題点に鑑みなされたもので、本来プラ
ズマ化学気相堆積装置に設置されている反射電力計、Ｄ
Ｃバイアス電圧計を使用して、容易に堆積室内のクリー
ニング終点を検出する方法を提供することを目的として
いる。
ズマ化学気相堆積装置に設置されている反射電力計、Ｄ
Ｃバイアス電圧計を使用して、容易に堆積室内のクリー
ニング終点を検出する方法を提供することを目的として
いる。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題を解決するため、放電投入電力に対す
る反射電力を測定する電力計あるいは放電電極のＤＣバ
イアス電圧を測定する電圧計よりその出力を得て、任意
の設定値に到達した時に信号を出力できるものである。
る反射電力を測定する電力計あるいは放電電極のＤＣバ
イアス電圧を測定する電圧計よりその出力を得て、任意
の設定値に到達した時に信号を出力できるものである。
作用
本発明は上記した構成により、堆積薄膜が付着した堆積
室内にエツチングガスを導入しグロー放電を開始した後
に整合回路のインダクタンス、キャパシタンスを固定す
ることにより、堆積室に付着した薄膜が除去された時放
電投入電力に対する反射電力の上昇が検出され、任意の
設定値に到達した時出力される信号によりクリーニング
終点をモニターできる。
室内にエツチングガスを導入しグロー放電を開始した後
に整合回路のインダクタンス、キャパシタンスを固定す
ることにより、堆積室に付着した薄膜が除去された時放
電投入電力に対する反射電力の上昇が検出され、任意の
設定値に到達した時出力される信号によりクリーニング
終点をモニターできる。
実施例
第１図は本発明のクリーニング終点をモニターする回路
の一実施例を示すブロック図である。第１図において、
１は堆積室、２は放電電極であって、高周波電源７によ
り放電電力を投入する。この時投入電力は投入電力計６
により測定し、反射電力計４に示される電力が最小にな
るように整合回路３のインダクタンスおよびキャパシタ
ンスを調整する。その後堆積室に付着した薄膜が除去さ
れた時反射電力が増加し、設定値にその反射電力が到達
したことを終点検出器６により検知してクリーニングの
終点をモニターすることができる。
の一実施例を示すブロック図である。第１図において、
１は堆積室、２は放電電極であって、高周波電源７によ
り放電電力を投入する。この時投入電力は投入電力計６
により測定し、反射電力計４に示される電力が最小にな
るように整合回路３のインダクタンスおよびキャパシタ
ンスを調整する。その後堆積室に付着した薄膜が除去さ
れた時反射電力が増加し、設定値にその反射電力が到達
したことを終点検出器６により検知してクリーニングの
終点をモニターすることができる。
第２図に本発明の一実施例においてアモルファスシリコ
ンが付着した堆積室をＣＦ、＋１０％０２のエツチング
ガスを用いて放電投入電力を４００Ｗとした場合のクリ
ーニング時間に対する反射電力の変化とクリーニング終
点を示す。図に示すように、クリーニング時間ｅの時点
より反射電力が徐々に上昇し、反射電力が４０Ｗに達し
た時クリーニングが終了していることがわかる。従って
第１図の終点検出器５の設定値１４０Ｗに設定しておく
ことにより、クリーニング終点を容易にモニターできる
。
ンが付着した堆積室をＣＦ、＋１０％０２のエツチング
ガスを用いて放電投入電力を４００Ｗとした場合のクリ
ーニング時間に対する反射電力の変化とクリーニング終
点を示す。図に示すように、クリーニング時間ｅの時点
より反射電力が徐々に上昇し、反射電力が４０Ｗに達し
た時クリーニングが終了していることがわかる。従って
第１図の終点検出器５の設定値１４０Ｗに設定しておく
ことにより、クリーニング終点を容易にモニターできる
。
第３図は本発明の他の実施例におけるクリーニング終点
をモニターする回路のブロック図である。
をモニターする回路のブロック図である。
本実施例は、堆積室に付着した薄膜が除去された時、放
電電力のＤＣバイアス電圧の変化をＤＣバイアス電圧計
８により測定し、そのＤＣバイアス電圧が設定値に到達
したことを終点検出器６により感知してクリーニング終
点をモニターする。
電電力のＤＣバイアス電圧の変化をＤＣバイアス電圧計
８により測定し、そのＤＣバイアス電圧が設定値に到達
したことを終点検出器６により感知してクリーニング終
点をモニターする。
第４図にアモルファスシリコンが付着した堆積室をａｙ
、＋１ｏ％へのエツチングガスを用いて放電投入電力１
４００Ｗとした場合のクリーニング時間に対するＤＣバ
イアス電圧の変化とクリーニング終点を示す。図に示す
ように、クリーニング時間６よりＤＣバイアス電圧が減
少しはじめ、−４２ｖに達した時クリーニングが終了し
ていることがわかる。従って、第３図の終点検出器６の
設定値ｆ−４２Ｖに設定しておくことにより、クリーニ
ング終点を容易にモニターできる。
、＋１ｏ％へのエツチングガスを用いて放電投入電力１
４００Ｗとした場合のクリーニング時間に対するＤＣバ
イアス電圧の変化とクリーニング終点を示す。図に示す
ように、クリーニング時間６よりＤＣバイアス電圧が減
少しはじめ、−４２ｖに達した時クリーニングが終了し
ていることがわかる。従って、第３図の終点検出器６の
設定値ｆ−４２Ｖに設定しておくことにより、クリーニ
ング終点を容易にモニターできる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明は、本来プラズマＣＶＤ
装置に必須である。放電反射電力計またはＤＣバイアス
電圧計を用いて、きわめて簡易な構成で容易にクリーニ
ング終点をモニタできる効果を有する。
装置に必須である。放電反射電力計またはＤＣバイアス
電圧計を用いて、きわめて簡易な構成で容易にクリーニ
ング終点をモニタできる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例におけるクリーニング終点モ
ニター回路のブロック図、第２図はクリーニング時間に
対する反射電力の変化を示す図、第３図は本発明の他の
実施例におけるクリーニング終点モニター回路のブロッ
ク図、第４図はクリーニング時間に対するＤＣバイアス
電圧の変化を示す図である。 １・・・・・・堆積室、２・・・・・・放電電極、３・
・・・・・整合回路、４・・・・・・反射電力計、５・
・・・・・終点検出器、６・・・・・・投入電力計、７
・・・・・・高周波電源、８・・・・・・ＤＣバイアス
電圧計。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 クリ−；ンヂ蒔聞（秒先学ｉｔ） 第３図 第４図
ニター回路のブロック図、第２図はクリーニング時間に
対する反射電力の変化を示す図、第３図は本発明の他の
実施例におけるクリーニング終点モニター回路のブロッ
ク図、第４図はクリーニング時間に対するＤＣバイアス
電圧の変化を示す図である。 １・・・・・・堆積室、２・・・・・・放電電極、３・
・・・・・整合回路、４・・・・・・反射電力計、５・
・・・・・終点検出器、６・・・・・・投入電力計、７
・・・・・・高周波電源、８・・・・・・ＤＣバイアス
電圧計。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 クリ−；ンヂ蒔聞（秒先学ｉｔ） 第３図 第４図
Claims (1)
- プラズマ化学気相堆積装置の堆積室内に付着した半導体
薄膜あるいは絶縁体薄膜をエッチングガス及びグロー放
電等のプラズマ放電を用いて前記薄膜を除去する工程の
際に、放電投入電力に対する反射電力またはプラズマ電
極に発生するバイアス電圧を計測することにより、前記
堆積室内の薄膜除去工程の終点をモニターすることを特
徴とするプラズマ化学気相堆積装置のクリーニング終点
検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26908884A JPH0642457B2 (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | プラズマ化学気相堆積装置のクリ−ニング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26908884A JPH0642457B2 (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | プラズマ化学気相堆積装置のクリ−ニング終点検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145825A true JPS61145825A (ja) | 1986-07-03 |
| JPH0642457B2 JPH0642457B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=17467498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26908884A Expired - Fee Related JPH0642457B2 (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | プラズマ化学気相堆積装置のクリ−ニング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642457B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256637A (ja) * | 1985-05-06 | 1986-11-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | プラズマ・エツチング・プロセスをモニタする方法 |
| WO2001077406A2 (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Philips Semiconductors, Inc. | A method of determining the end point of a plasma cleaning operation |
| US7534469B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-05-19 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device |
| WO2018193584A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
| WO2022234831A1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び終点検出方法 |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP26908884A patent/JPH0642457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256637A (ja) * | 1985-05-06 | 1986-11-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | プラズマ・エツチング・プロセスをモニタする方法 |
| JPH0528895B2 (ja) * | 1985-05-06 | 1993-04-27 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| WO2001077406A2 (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Philips Semiconductors, Inc. | A method of determining the end point of a plasma cleaning operation |
| WO2001077406A3 (en) * | 2000-04-07 | 2002-01-24 | Philips Semiconductors Inc | A method of determining the end point of a plasma cleaning operation |
| US6543459B1 (en) | 2000-04-07 | 2003-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of determining an end point for a remote microwave plasma cleaning system |
| US7534469B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-05-19 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device |
| WO2018193584A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
| WO2022234831A1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び終点検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0642457B2 (ja) | 1994-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |