JPS61139992A - Reproducing method of bloch line memory - Google Patents
Reproducing method of bloch line memoryInfo
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- JPS61139992A JPS61139992A JP59261653A JP26165384A JPS61139992A JP S61139992 A JPS61139992 A JP S61139992A JP 59261653 A JP59261653 A JP 59261653A JP 26165384 A JP26165384 A JP 26165384A JP S61139992 A JPS61139992 A JP S61139992A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（１）技術分野
本発明は、固体メモリー、特にブロツホラインメモリー
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical Field The present invention relates to solid state memories, particularly Blochline memories.
（２）従来技術
現在、コンピューター用外部メモリ、電子ファイルメモ
リ、静止画ファイルメモリ等には、磁気テープ、ウィン
チェスタ−ディスク、ブロクピーディスク、光ディスク
、光磁気ディスク、 −磁気バブルメモリ
等の各種メモリデバイスが使用されている。(2) Prior art At present, external memory for computers, electronic file memory, still image file memory, etc. includes various types of memory such as magnetic tape, Winchester disk, Blocky disk, optical disk, magneto-optical disk, and -magnetic bubble memory. device is in use.
前記メモリデバイスの中で、磁気バブルメモリを除く他
のメモリは、テープ及びディスク等の記録媒体と記録、
再生用のヘッドとの相対運動を必ず伴なっていた。従っ
て、高密度化に対して、トラッキング、媒体とヘッドと
の走行及び摩耗の問題や埃及び振動の問題、更に１光デ
イスク及び光磁気ディスクにおいてはフオーカツシング
の問題等が生じていた。Among the above-mentioned memory devices, other memories other than magnetic bubble memory include recording media such as tapes and disks,
This always involved relative movement with the playback head. Therefore, as the density increases, problems such as tracking, running and wear between the medium and the head, dust and vibration, and focusing problems occur in single-optical disks and magneto-optical disks.
一方、磁気バブルメモリは機械的駆動部を必要とせず、
且つ高信頼性を有しており高密度化には有利であると考
えられていた。しかし、磁気バブルメモリは、膜面に垂
直な磁化容易軸を持つ磁性ガーネット膜に生じる円形の
磁区（バブル）を１ビツトとして用いるために、現在の
ガーネット膜の材料特性から制限される最小バブル（直
径０．３μｍ）を使用しても、１チツプ当たり数十Ｍｂ
ｉｔが記録密度の限界であり、ガーネットに替わるヘキ
サ７工ライト、アモルファス合金等の材料が使用可能に
ならない限シは、磁気バブルメモリにおける高密度化は
困難である。On the other hand, magnetic bubble memory does not require a mechanical drive;
It also has high reliability and was thought to be advantageous for increasing density. However, because magnetic bubble memory uses a circular magnetic domain (bubble) generated in a magnetic garnet film with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface as one bit, the minimum bubble ( Even if a chip with a diameter of 0.3 μm is used, it will yield several tens of Mb per chip.
IT is the limit of recording density, and unless materials such as hexagonalite, amorphous alloy, etc. can be used to replace garnet, it will be difficult to achieve high density in magnetic bubble memories.
最近、上記磁気パズルメモリにおける記録密度の限界を
越えるために１プロツホラインメモリが注目を浴びてい
る。ブロツホラインメモリは、磁性ガーネット膜に生じ
る磁区の周囲に存在する磁壁内に於いて、磁壁内の磁化
の捩れの方向が逆向きＫなる遷移領域、即ちブロッホ磁
壁構造に挾まれたネール磁壁で形成される領域（ブロツ
ホライン）を１ビツトとして用いるもので、円形の磁区
（バブル）を１ビツトとして用いる磁気バブルメモリと
比較して、二桁近い高密度化が可能である。Recently, 1-protoline memory has been attracting attention in order to exceed the recording density limit of the above-mentioned magnetic puzzle memory. Bloch line memory is a transition region in which the direction of magnetization twist in the domain wall is opposite K in the domain wall that exists around the magnetic domain that occurs in the magnetic garnet film, that is, a Neel domain wall sandwiched between Bloch domain wall structures. Since the formed area (blothole line) is used as one bit, it is possible to increase the density by nearly two orders of magnitude compared to a magnetic bubble memory that uses a circular magnetic domain (bubble) as one bit.
例えばバブル径０，５μｍのガーネット膜を使用した場
合、１チツプ当たり１．６０Ｂｉｔの記憶容量が達成可
能である。For example, when a garnet film with a bubble diameter of 0.5 μm is used, a storage capacity of 1.60 Bits per chip can be achieved.
第１図は従来のブロツホラインメモリの概略図を示し、
１はＧＧＧ 、 Ｗｂ ＧＧ等の非磁性ガーネットから
成る基板、２は基板１上Ｋ ＬＰ１１ｍ法された磁性ガ
ーネット膜、３はストライプ磁区、′４は磁性ガーネッ
ト膜３上にパターン化された導体ラインであυ、メそり
全体には図中矢印の方向にバイアス磁界ＨＢが印加され
ている。スト２イブ磁区３の磁壁には、情報が一対のブ
ロツホラインの有無によって記憶され、ブロクホライン
対が有る場合は１１”、無−場合は１０”Ｋ対応してい
る。該ブロツホライン対はストライプ磁区３に設け゛ら
れた安定点、即ちポテンシャルウェルに規則正しく存在
しており、基板面〈垂直なパルス磁界を印、加する事に
よシ、各々隣りのポテンシャルウェルへと順次転送さ匹
る。上記ブロツホラインメモリから情報を読み出す方法
、つまりブロツホライン対の有無の検出方法を以下に述
べる。FIG. 1 shows a schematic diagram of a conventional Bloch line memory.
1 is a substrate made of nonmagnetic garnet such as GGG, Wb GG, etc., 2 is a magnetic garnet film processed by KLP11m method on the substrate 1, 3 is a striped magnetic domain, and 4 is a conductor line patterned on the magnetic garnet film 3. A bias magnetic field HB is applied to the entire mesori in the direction of the arrow in the figure. Information is stored in the domain wall of the strike 2-wave magnetic domain 3 depending on the presence or absence of a pair of brochure lines, and corresponds to 11'' when there is a pair of brochure lines, and 10'' when there is no pair of brochure lines. These Blothole line pairs exist regularly in the stable points, that is, the potential wells, provided in the striped magnetic domain 3, and by applying a pulsed magnetic field perpendicular to the substrate surface, they can be sequentially transferred to the neighboring potential wells. Transferred. A method for reading information from the blowline memory, that is, a method for detecting the presence or absence of a blowline pair will be described below.
第２図は従来のブロツホラインメモリの再生方法の説明
図であり、第１図と同様のものＫは同番号を附し、３′
は先端にブロッホ２インを有するストライプ磁区、３′
はブロツホラインを有しないストライプ磁区、５は磁壁
、６は分離したバブル、７はブロツホラインを示す。伺
、磁壁５中の矢印は磁壁中心部での磁化の向きを、導体
ライン４中の矢印は電流の向きを表わしている。第２図
（ａ）において、磁性ガーネット膜２−上にストライプ
磁区３′が形成されておｐ１磁壁５にプロツーホライン
７が存在している。但し、ここではポテンシャルウェル
は図示されていない。ストライプ磁区５′を横切って二
本の導体ライン４が設けられており、図中矢印？様に互
いに逆向きのパルス電流を流すと、導体ライン４を流れ
る電流が作る磁界はストライプ磁区３′の磁化方向と逆
方向となるためＫ、二本の導体ライン４に挾まれた磁区
は縮小し図中破線で示す如く磁壁５が移動する。更に電
流量を増加させた場合、第２図＜１）） Ｋ示す様に両
方の磁壁が合体してエトラ１プ磁区３′の先端はバブル
タロとなり分離する。電流を止めた後は残ったストライ
プ磁区５′の先端には分離前と同様のブロツホライン７
が生じ、磁区の大きさも回復する。第２図（ｃ）はブロ
ツホラインが存在しな一場合を示しており、この時、導
体ライン４に電流を印加すると、ブロッホライ／７が存
在する第２図（ａ）の場合同様二本の導体ライン４に挾
まれた位置の磁Ｗ、５を移動させる事が可能であり、又
、更に電流量を増加させる事（より両側の磁壁５を合体
で話る。しかし、ブロツホラインが存在する第２図（ａ
）と存在しない同図（ａ）において、二本の導体ライン
に挾まれた両方の磁壁内の磁化方向が、（ａ）の場合は
同じ方向で（ｃ）の場合は逆方向となっており、この為
、両磁壁を合体する際に該両磁壁５のａ化の間に働く相
互作用（交換相互作用）が異なり、ブロツホライン７が
存在する場合の方が存在しない場合より磁壁を合体させ
るための電流値が小さくなる。従って、導体ライン４に
印加する電流を、ブロツホライン７が存在する場合に磁
壁、５を合体するのく必要な電流値と、存在しない場合
に必要な電流値の間に選ぶ事により、ブロツホライン７
の有無を分離したバブル乙の有無に対応させる事が可能
であシ、バブル６を従来の磁気バブルメモリと同様の方
法で検出する事によってブロッホ２イン７の有無を判別
できる。FIG. 2 is an explanatory diagram of a conventional method for reproducing a block line memory. Items K similar to those in FIG.
is a striped magnetic domain with Bloch 2 in at the tip, 3'
is a striped magnetic domain without Bloch lines, 5 is a domain wall, 6 is a separated bubble, and 7 is a Bloch line. The arrows in the domain wall 5 indicate the direction of magnetization at the center of the domain wall, and the arrows in the conductor line 4 indicate the direction of current. In FIG. 2(a), striped magnetic domains 3' are formed on the magnetic garnet film 2-, and pro-to-hole lines 7 are present in the p1 domain wall 5. However, the potential well is not illustrated here. Two conductor lines 4 are provided across the striped magnetic domain 5', and are indicated by arrows in the figure. When pulse currents in opposite directions are passed, the magnetic field created by the current flowing through the conductor lines 4 is in the opposite direction to the magnetization direction of the striped magnetic domain 3', so the magnetic domain sandwiched between the two conductor lines 4 shrinks. The domain wall 5 moves as shown by the broken line in the figure. When the amount of current is further increased, as shown in FIG. 2<1)), both domain walls are combined and the tip of the etrap domain 3' becomes a bubble and separates. After the current is stopped, at the tip of the remaining striped magnetic domain 5' there is a brochure line 7 similar to that before separation.
occurs, and the size of the magnetic domain also recovers. FIG. 2(c) shows a case where no Bloch line exists. At this time, when a current is applied to conductor line 4, two conductors are connected as in the case of FIG. 2(a) where Bloch line/7 is present. It is possible to move the magnetic W, 5 at the position sandwiched by the line 4, and to further increase the amount of current (we talk about combining the domain walls 5 on both sides. However, the second Figure (a
) does not exist. In the same figure (a), the magnetization directions in both domain walls sandwiched by two conductor lines are the same in (a) and opposite in (c). , For this reason, when merging both domain walls, the interaction (exchange interaction) that acts between the a-ization of both domain walls 5 is different, and the domain walls are merged better when Bloch line 7 exists than when it does not exist. The current value becomes smaller. Therefore, by selecting the current applied to the conductor line 4 between the current value necessary to combine the domain walls 5 when the Bloch line 7 exists and the current value required when the Bloch line 7 does not exist, the Bloch line 7
It is possible to make the presence or absence of a separate bubble B correspond to the presence or absence of a separate bubble B, and by detecting the bubble 6 in the same manner as a conventional magnetic bubble memory, it is possible to determine the presence or absence of a Bloch 2-in-7.
以上説明した従来のブロクホラインの検出方法では、ブ
ロツホラインの検出の度にストライプ磁区を分離する必
要が有シ、その上、分離したバブルを通常の面内回転磁
界、電流駆動方式等の方法で転送、検出しなければなら
ない為に、構成が複雑で、且つ検出速度の高速化は望め
なかった。女、消費電力が大きいという欠点を有してい
た。In the conventional method for detecting Bloch lines described above, it is necessary to separate striped magnetic domains each time Bloch lines are detected, and in addition, the separated bubbles are transferred by a method such as a normal in-plane rotating magnetic field or a current drive method. Since the detection must be performed, the configuration is complicated, and it is not possible to increase the detection speed. Women had the disadvantage of high power consumption.
（３）発明の概要
本発明の目的は、上記従来例の欠点を除去し、高速検出
がｉ能なブロツホラインメモリの再生方法を提供する事
にある。(3) Summary of the Invention An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the conventional example described above and to provide a method for reproducing a block line memory that is capable of high-speed detection.
本発明に係るブロツホラインメモリの再生方法は、ブロ
ツホラインによって情報を記録された磁壁を含む磁区内
に偏光光束を導波させ、前記磁区内を導波した光速を所
定の位置から取り出し、出射光束整光検出器等で検出す
る事によりブロツホラインの有無、即ちデジタル信号の
＠１と′″Ｏｎを判別する方法である。又複数の磁区内
に光速を導波させる方法には、光束を偏向器で走査する
か、もしくは光源からの光束の分割、複数の光源の設置
が有り、前記磁壁を含む゛磁区の所定の領域に光導波路
を形成して光束を伝播させ゛る。尚、該光導波路の形成
方法には、エツチング及びイオン注入等の方法がある。A method for reproducing a Bloch line memory according to the present invention is to guide a polarized light beam into a magnetic domain including a domain wall in which information is recorded by Bloch lines, extract the speed of light guided in the magnetic domain from a predetermined position, and extract the emitted light beam from a predetermined position. This is a method to determine the presence or absence of a Bloch line, that is, whether the digital signal is @1 or '''On, by detecting it with a photodetector.Also, in a method of guiding the speed of light within multiple magnetic domains, a beam deflector is used to guide the light velocity within multiple magnetic domains. Alternatively, the light flux from a light source may be split, or a plurality of light sources may be installed, and an optical waveguide is formed in a predetermined region of the magnetic domain including the domain wall to propagate the light flux. Formation methods include etching and ion implantation.
又、磁性膜表面から光束を取シ出すためＫは、プリズム
カップ２やグレーティングカップラー等のアウトプット
カップラーを用いる。以下、本原において、光束が磁性
膜内（入射し出射する所定位置までに存在する磁区領域
を導波領域と定義 １する。該導□波領域内の
磁壁におけるブロツホラインの有無により前記領域内磁
壁の磁化状態は変化し、該磁化状態に従って前記導波光
束はファラデー効果により偏光面の回転を受ける。例え
ば、ブロツホラインが前記領域内に存在［７ない場合、
磁区を挾む両磁壁内の磁化方向は反平行であυ、導波光
束の偏光面の回転は互いに打ち消し合って出射光束は導
波領域に入射する前と偏光方向に変化はない。Further, in order to extract the luminous flux from the surface of the magnetic film, K uses an output coupler such as a prism cup 2 or a grating coupler. Hereinafter, in this original, the magnetic domain region that exists between a predetermined position where the light flux enters and exits the magnetic film is defined as a waveguide region. The magnetization state of changes, and according to the magnetization state, the guided light beam undergoes rotation of the plane of polarization due to the Faraday effect.For example, if a Bloch line exists in the region [7, if not,
The magnetization directions in both domain walls that sandwich the magnetic domain are antiparallel υ, and the rotations of the polarization planes of the guided light flux cancel each other out, so that the output light flux does not change its polarization direction from before it enters the waveguide region.
又、磁区先′ｆ１ａＫブロツホラインが１個存在する場
合、磁区を挾む両磁壁の磁化方向は平行且つ方向が等し
い。従って、−波光束はファラデー効果により偏光面の
回転を受けて出射する。Further, when one magnetic domain tip 'f1aK bloat line exists, the magnetization directions of both domain walls sandwiching the magnetic domain are parallel and equal in direction. Therefore, the -wave light flux undergoes rotation of the plane of polarization due to the Faraday effect and is emitted.
上記２種類の出射客束を所定の方法により分離し検出す
る事によりブロツホラインの有無を判別できる。伺、前
記所定の方法とは、複屈折性を有する物質や偏光板を設
置する等の方法である。By separating and detecting the above two types of outbound passenger bundles using a predetermined method, it is possible to determine the presence or absence of a Blotsucho line. The predetermined method is a method such as installing a birefringent substance or a polarizing plate.
（４）実施例
第３図は本発明の構成例毎あや、８は半導体レーザー、
９．９′及び９′は集光レンズ、１０は光偏向器、１１
は光検出器、１２は；チルプリズムを示す。半導体レー
ザー８から出射したレーザー光は集光レンズ９によシ平
行光束となり、光偏向器１０によして偏向されて集光レ
ンズ９′を介して磁性ガーネット膜２に形成された複数
のストライプ磁区先端に走査されて入射する。磁性ガー
ネット膜２Ｖｃは各ストライプ磁区に沿ってチャンネル
屋導波路が形成されておシ、入射光束は前記導波路を伝
播し、各ストライプ磁区にブロツホラインの形で記憶さ
れた情報を、偏光面の回転という物理的変化でｆｉみ取
った後、ルチルプリズム１２により膜ｍ＜＊シ出されて
集光レンズ９′を介シて光検出器１１で受光される。以
下、ブロツホラインの読み取シ方法を図面を用いて詳細
に説明する。・
第４図はストライプ磁区を有する磁性ガーネット膜の斜
視図で、第５図は上面図である。(4) Embodiment FIG. 3 shows a configuration example of the present invention, 8 indicates a semiconductor laser,
9.9' and 9' are condenser lenses, 10 is a light deflector, 11
indicates a photodetector, and 12 indicates a chill prism. The laser beam emitted from the semiconductor laser 8 is turned into a collimated beam by the condenser lens 9, and is deflected by the optical deflector 10 to form a plurality of striped magnetic domains formed on the magnetic garnet film 2 via the condenser lens 9'. It is scanned and incident on the tip. In the magnetic garnet film 2Vc, a channel waveguide is formed along each striped magnetic domain, and the incident light beam propagates through the waveguide, and the information stored in the form of Blotsuho lines in each striped magnetic domain is transferred by rotation of the plane of polarization. After the fi is removed by the physical change, the film m<* is emitted by the rutile prism 12 and is received by the photodetector 11 via the condensing lens 9'. Hereinafter, a method for reading the Bloch line will be explained in detail using the drawings. - Figure 4 is a perspective view of a magnetic garnet film having striped magnetic domains, and Figure 5 is a top view.
、ここで、第１図〜第３図と同゛様のもＣ）ＦＣは同番
号を附してあシ、１３は入射光束、１４は溝を示す。第
４図に示されるように、各ストライプ磁区３の周囲はイ
オンミリング法によプエッチングされて溝１４が形成さ
れ、溝１４ドライブ磁区ｓ／、３１０幅が２μｍの磁性
ガーネット膜を使用すれば、チャンネル型導波路の幅も
約２μｍとなる。但し、ストライプ磁区ｓ′、ｓｌの幅
よシ小さくなる事はない。第４図において、チャンネル
導波路に束縛され友ストライプ磁区３′は磁区先端にブ
ロツホライン７ｔ−有し、ストライプ磁区３′は有して
いない。図中矢印に磁壁５の中心磁化方向を示して訃）
。, where the same numbers as in FIGS. 1 to 3 are given by FC, 13 is an incident light beam, and 14 is a groove. As shown in FIG. 4, the periphery of each striped magnetic domain 3 is etched by ion milling to form a groove 14, and if a magnetic garnet film with a width of 2 μm for the groove 14 drive magnetic domain s/, 310 is used. , the width of the channel type waveguide is also approximately 2 μm. However, the width of the striped magnetic domains s' and sl is never smaller than that of the striped magnetic domains s' and sl. In FIG. 4, the friend stripe magnetic domain 3' bound to the channel waveguide has a bloat line 7t at the tip of the magnetic domain, but the stripe magnetic domain 3' does not. The arrow in the figure indicates the central magnetization direction of the domain wall 5)
.
ブロツホライン７を有する磁区５′の両磁壁５は同方向
の磁化を持ち、ブロツホライン７を有しない磁区３′の
両磁壁５′は互いに逆方向の反平行の磁化を持つ。チャ
ンネル導波路中を伝播するレーザー光は、進行方向がス
トライプ磁区の磁化方向と垂直なため偏光間の回転は受
けないが、磁壁５°及び５′の磁化によりファラデー効
果を受けて偏光面が回転する。ここで、導波路中ＫＴＫ
モードのレーザー光を伝播させると、磁区３′の場合は
両側の磁壁５中の磁化によるファラデー回転の位相変化
が同方向であるため、偏光面が回転してＴＭ酸成分生じ
る。一方磁区５′の場合は、ファラデー回転の方向が両
側の磁壁５′に対して逆位相で変化するために打ち消し
合い、偏向面は回転せずＴＭ酸成分生じない。従って、
ストライプ磁区３′及び３′の先端からルチルプリズム
１２の位置までの区間、即ち前述した４攻領域内（他の
ブロツホラインは存在しない状態で、導波領域の距離り
を入射光束１３の偏光面が任意の角度だけ７アラデ一回
転を生じるように求める。例えば９０°偏光面を回転さ
せるとすれば、７アラデ一回転角が２０００ンαの磁性
ガーネット膜の場合Ｌ−４５μｍとなる。Both domain walls 5 of a magnetic domain 5' having Bloch lines 7 have magnetization in the same direction, and both domain walls 5' of a magnetic domain 3' having no Bloch lines 7 have antiparallel magnetizations in opposite directions. The laser light propagating in the channel waveguide is not subject to rotation between polarizations because its traveling direction is perpendicular to the magnetization direction of the striped magnetic domain, but the plane of polarization is rotated by the Faraday effect due to the magnetization of domain walls 5° and 5'. do. Here, KTK in the waveguide
When the mode of laser light is propagated, in the case of the magnetic domain 3', the phase change of Faraday rotation due to magnetization in the domain walls 5 on both sides is in the same direction, so the plane of polarization rotates and a TM acid component is generated. On the other hand, in the case of the magnetic domain 5', since the direction of Faraday rotation changes in opposite phase to the domain walls 5' on both sides, they cancel each other out, and the deflection plane does not rotate and no TM acid component is generated. Therefore,
The section from the tips of the striped magnetic domains 3' and 3' to the position of the rutile prism 12, that is, within the four attack areas described above (with no other bloch lines present, the polarization plane of the incident light beam 13 is It is determined that one rotation of 7 Alade is generated by an arbitrary angle.For example, if the plane of polarization is rotated by 90 degrees, the angle of rotation of 7 Alade is L-45 μm in the case of a magnetic garnet film of 2000 degrees α.
第６図は膜外に出射した導波光束の検出原理を示し、１
５はＴＭ波、１６はＴＭ波である。Figure 6 shows the principle of detection of the guided light flux emitted outside the membrane.
5 is a TM wave, and 16 is a TM wave.
ストライプ磁区を導波し、上述の様にブロツホラインの
有無によ）変調を受けた光束は、ルチルプリズム１２に
よって膜外に出射される。この時、ルチルプリズム１２
の複屈折（りＴ罵＝ ２．９０ Ｓ 、η、、＝２．６
１６ ）によりＴｌ波１５とＴＭ波波谷６完全に分離さ
れる。従って、ＴＭ波波谷６みを光検出器で受光する事
によシブロツホラインの有無に対応した情報を再生する
事ができる。本実施例における構成では。The light beam guided through the striped magnetic domain and modulated (depending on the presence or absence of Bloch lines as described above) is emitted to the outside of the film by the rutile prism 12. At this time, rutile prism 12
Birefringence (R = 2.90 S, η, , = 2.6
16), the Tl wave 15 and the TM wave trough 6 are completely separated. Therefore, by receiving only the troughs 6 of the TM wave with a photodetector, it is possible to reproduce information corresponding to the presence or absence of the sibling hole line. In the configuration in this embodiment.
ブロツホラインｔ−有するストライプ磁区に対して出射
光の約１０％がＴＭ波に変換される。Approximately 10% of the emitted light is converted into TM waves for a striped magnetic domain having Bloch line t-.
又、幅２μｍのストライプ磁区２５０本に対応したチャ
ンネル型導波路に、レーザー光で１００ＫＨｆｆの走査
周波数ＫＪ：、りＴＫ波を入射させた場合、ブロツホラ
イン１ビツトを、メモリ全体に垂直パルス磁界を印加し
て転送させるＯＫ必要な時間ｔ−１μｓｅｃとすれば、
再生ビットレートは約２５ Ｍｂｉｔ／ｓｅａ とな
）、従来の方式による”ｂｉｔ／ｓｅａ に比較して
非常に大きな値となる。In addition, when a laser beam with a scanning frequency of 100 KHff is applied to a channel type waveguide corresponding to 250 striped magnetic domains with a width of 2 μm, a perpendicular pulse magnetic field is applied to one bit of the blow line and the entire memory. If the required time is t-1 μsec, then
The playback bit rate is approximately 25 Mbit/sea), which is a very large value compared to the "bit/sea" of the conventional method.
第７図は光検出系の別構成であ）、１７はグレーティン
グカッグラ−１１８は検光子を示す。本構成では導波光
束を磁性ガーネット膜２から取）出す九めにグレーティ
ングカップラー１７を使用し、ＴＫ波１５及びＴＭ波波
谷６含む出射光を、ＴＭ波の偏向方向と同一偏光方向を
有する検光子１８ｔ−介し、集光レンズ９によ）光検出
器１１の検出面上に集光する。7 shows another configuration of the photodetection system), 17 is a grating grating, and 118 is an analyzer. In this configuration, a grating coupler 17 is used to take out the guided light flux from the magnetic garnet film 2, and the output light including the TK wave 15 and the TM wave trough 6 is detected to have the same polarization direction as the TM wave polarization direction. The photon 18t is focused on the detection surface of the photodetector 11 (by the focusing lens 9).
従って、光検出器１１ではＴＭ波のみを受光する事にな
シ、ブロツホラインの有無を前述した原理で読み取る事
ができる。Therefore, the photodetector 11 receives only the TM wave and can read the presence or absence of the Bloch line using the principle described above.
第８図は本発明のブロツホラインの再生方法を達成する
ための別構成であシ、１９は導波路に束縛された各スト
ライプ磁区に光束を入射させるためのプリズムカッグラ
−を示す。FIG. 8 shows another configuration for achieving the Bloch line reproducing method of the present invention, in which numeral 19 indicates a prism coupler for making a light beam incident on each stripe magnetic domain bound by a waveguide.
半導体レーザー８から出射したレーザー光は、集光レン
ズ９を介して光偏光器１０に入射する。光偏光器１０に
よってレーザー光は偏向され集光レンズ９′を介して所
定の位置に設けられたプリズムカップラー１９上を走査
される。プリズムカップラー１９によｐレーザー光は磁
性ガーネット膜２に設けられた各ストライプ磁区に対応
する導波路へ導入される。Laser light emitted from semiconductor laser 8 enters optical polarizer 10 via condenser lens 9 . The laser beam is deflected by an optical polarizer 10 and scanned on a prism coupler 19 provided at a predetermined position via a condenser lens 9'. A prism coupler 19 introduces the p laser beam into a waveguide corresponding to each stripe magnetic domain provided in the magnetic garnet film 2.
各ストライプ磁区の磁壁にブロツホラインの形で記憶さ
れた情報を偏光面の回転によ）読み取った光束は、磁性
ガーネット膜の端面よシ出射し、集光レンズグ、検光子
１Ｂを介して光検出器１１で受光される。The light flux that reads the information stored in the form of Bloch lines on the domain wall of each striped magnetic domain by rotating the plane of polarization is emitted from the end face of the magnetic garnet film, passes through a condensing lens, and an analyzer 1B to a photodetector. The light is received at 11.
第９図は光検出系の構成で、レーザー光を各ストライプ
磁区に導波させるための方法は第８図に示した実施例と
同様である。ここで、２０はストライプ磁区ｓｌ、ｓｌ
を導波した光束、２１はジオディスクレンズ等の導膜レ
ンズである。情報を各ストライプ磁区ｓ′、ｓｌよシｇ
み出し九導波光束２０は、ｉ性ガーネット膜２に設けら
れた薄膜レンズ２１によ）ブロツホラインメモリ板と密
着した光検出器１１へ声集光される。尚、光検出器１１
と該ブロッホライ／メそり板の間には検光子１Ｂが設け
られてお）、光検出器１１で受光される導波光束２０は
検光子１８によ）選択される。本実施例の構成を用いる
事（より、コンパクトな構成でブロツホラインの検出を
行なう事が可能である。FIG. 9 shows the configuration of the photodetection system, and the method for guiding the laser beam to each stripe magnetic domain is the same as the embodiment shown in FIG. 8. Here, 20 is the stripe magnetic domain sl, sl
21 is a film guiding lens such as a geodisc lens. Information on each stripe magnetic domain s', sl
The nine guided light beams 20 are focused by a thin film lens 21 provided on the i-type garnet film 2 onto a photodetector 11 in close contact with the Bloch line memory board. In addition, the photodetector 11
An analyzer 1B is provided between the Blochley/Mesori plate and the guided light beam 20 received by the photodetector 11 is selected by the analyzer 18). By using the configuration of this embodiment (it is possible to detect Bloch lines with a more compact configuration).
（５）発明の詳細
な説明し友ように、本発明に係るブロツホラインメモリ
の再生方法は、バブルに変換する必要が無く、且つ導体
ラインも不要であり、簡便な構成で高速再生を可能とす
る再生方法である。(5) Detailed explanation of the invention As described above, the method for reproducing Bloch line memory according to the present invention does not require conversion into bubbles, does not require conductor lines, and enables high-speed reproduction with a simple configuration. This is the playback method.
第１図は従来のブロツホラインメモリの概略図。第２図
は従来のブロツホラインメモリ再生方法の説明図。第３
図は本発明に係るブロツホラインメモリの再生方法を示
す構成図、第４図は第８図のブロツホラインメモリ板の
斜視図。
第５図は上面図。第６＠は導波光束の検出原理図。第７
図は光検出系の別構成を示す図。第８図は本ブロツホラ
インメモリの再生方法を示す別構成図、第９図は光検出
系の別構成を示す図。
１・・・基板
２・・・磁性ガーネット膜
３・・・ストライプ磁区
５′・・・ブロツホラインを導波領域内に有するストラ
イプ磁区
３′・・・ブロツホラインを導波領域内に有しないスト
ライプ磁区
４・・・導体ライン
５．５′・・・磁壁
６・・・バブル
７・・・ブロツホライン
８・・・半導体レーザー
９．９’、９’・・・集光レンズ
１０・・・光偏光器
１１・・・光検出器
−１２・・・ルチルプリズム
１５・・・入射光束
１４・・・溝
１５１・・７１波
１６・・・ＴＭ波
１７・・・グレーティングカップラー
１８・・・検光子
１９・・・プリズムカップラー
２０・・・導波光束
２１・・・薄膜レンズFIG. 1 is a schematic diagram of a conventional Bloch line memory. FIG. 2 is an explanatory diagram of a conventional block line memory reproducing method. Third
FIG. 4 is a block diagram showing a Bloch line memory reproducing method according to the present invention, and FIG. 4 is a perspective view of the Bloch line memory board of FIG. 8. Figure 5 is a top view. The 6th @ is a diagram of the detection principle of guided light flux. 7th
The figure shows another configuration of the photodetection system. FIG. 8 is another configuration diagram showing a method for reproducing the present blow line memory, and FIG. 9 is a diagram showing another configuration of the photodetection system. 1...Substrate 2...Magnetic garnet film 3...Stripe magnetic domain 5'...Stripe magnetic domain 3' having Blotsho lines in the waveguide region 3'...Stripe magnetic domain 4 not having Blotsho lines in the waveguide region ...Conductor line 5.5'...Domain wall 6...Bubble 7...Blotch line 8...Semiconductor laser 9.9', 9'...Condensing lens 10...Optical polarizer 11 ... Photodetector - 12 ... Rutile prism 15 ... Incident light beam 14 ... Groove 151 ... 71 waves 16 ... TM wave 17 ... Grating coupler 18 ... Analyzer 19 ...・Prism coupler 20... Waveguide light beam 21... Thin film lens
Claims (1)
区内に偏光光束を導波させ、ブロツホラインの有無によ
る磁壁内の磁化状態に起因して変調された前記偏光光束
を所定の位置から出射させ、該出射光束を検出して記憶
された情報を読み出す事を特徴とするブロツホラインメ
モリの再生方法。(1) In a Bloch line memory, a polarized light flux is guided within a magnetic domain having a domain wall, and the polarized light flux modulated due to the magnetization state within the domain wall depending on the presence or absence of a Bloch line is emitted from a predetermined position. A method for reproducing a Brochure line memory, which is characterized by detecting an emitted light beam and reading out stored information.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261653A JPS61139992A (en) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | Reproducing method of bloch line memory |
| DE19853542279 DE3542279A1 (en) | 1984-11-30 | 1985-11-29 | Recording and/or reproducing method for Bloch-line memories |
| FR858517693A FR2574212B1 (en) | 1984-11-30 | 1985-11-29 | RECORDING AND / OR REPRODUCING METHOD FOR A BLOCH LINE MEMORY |
| US07/660,260 US5086409A (en) | 1984-11-30 | 1991-02-26 | Recording and/or reproducing method of bloch line memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261653A JPS61139992A (en) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | Reproducing method of bloch line memory |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139992A true JPS61139992A (en) | 1986-06-27 |
Family
ID=17364894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59261653A Pending JPS61139992A (en) | 1984-11-30 | 1984-12-11 | Reproducing method of bloch line memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61139992A (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4839129A (en) * | 1971-09-21 | 1973-06-08 | ||
| JPS4859739A (en) * | 1971-11-18 | 1973-08-22 | ||
| JPS5228828A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-04 | Sperry Rand Corp | Magnetic induction reading of cross tie wall memory system using sensing line filled in easy shaft drive magnetic field and slot |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP59261653A patent/JPS61139992A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4839129A (en) * | 1971-09-21 | 1973-06-08 | ||
| JPS4859739A (en) * | 1971-11-18 | 1973-08-22 | ||
| JPS5228828A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-04 | Sperry Rand Corp | Magnetic induction reading of cross tie wall memory system using sensing line filled in easy shaft drive magnetic field and slot |
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