JPS61135272A - リニアイメ−ジセンサ - Google Patents
リニアイメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS61135272A JPS61135272A JP59256443A JP25644384A JPS61135272A JP S61135272 A JPS61135272 A JP S61135272A JP 59256443 A JP59256443 A JP 59256443A JP 25644384 A JP25644384 A JP 25644384A JP S61135272 A JPS61135272 A JP S61135272A
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- JP
- Japan
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- light
- original
- image sensor
- linear image
- lens group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は投影された画像を光電変換するリニアイメー
ジセンナに関し、特に出力画像にゴーストが発生するの
を防止したリニアイメージセンナに関するものである。
ジセンナに関し、特に出力画像にゴーストが発生するの
を防止したリニアイメージセンナに関するものである。
第4図は従来のリニアイメージセンサを示す断面図、第
5図は第4図に示すリニアイメージセンサの光入力情報
入射側から見た正面図である。図において、1はセラミ
ックパッケージ、2はウィンドガラスで、セラミックパ
ッケージIK収納される後述の画素列3の素子面などを
採掘するものでらる。6は画素列で、セラミックパッケ
ージ1の凹部中央に直線状に配列された光電変換素子か
らなる受光領域を構成している。4a、41)は蓄積電
極で、画素列30両側に平行に配置され、画素列3と蓄
積電極4a、4bとは交互にボンディングワイヤによっ
て接続されている。そして、画素列6によって光電変換
された電気信号つまり受光情報は蓄積電極4a、4bを
備えた蓄積領域に一度蓄積され、シフトレジスタなどの
読み出し領域から順次読み出される。
5図は第4図に示すリニアイメージセンサの光入力情報
入射側から見た正面図である。図において、1はセラミ
ックパッケージ、2はウィンドガラスで、セラミックパ
ッケージIK収納される後述の画素列3の素子面などを
採掘するものでらる。6は画素列で、セラミックパッケ
ージ1の凹部中央に直線状に配列された光電変換素子か
らなる受光領域を構成している。4a、41)は蓄積電
極で、画素列30両側に平行に配置され、画素列3と蓄
積電極4a、4bとは交互にボンディングワイヤによっ
て接続されている。そして、画素列6によって光電変換
された電気信号つまり受光情報は蓄積電極4a、4bを
備えた蓄積領域に一度蓄積され、シフトレジスタなどの
読み出し領域から順次読み出される。
上記のような構造の従来のイメージセンサは電極4a、
4bの部分が鏡面に近い光反射面となっている。そこで
、るる方向からめる角度を持った光aがウィンドガラス
2を介して入射すると電極4a、4bの狭面で反射し反
射光&、となり、それがウィントガ2ス2の下面で再反
射し2回度射光a!となって画素列6に到達してしまう
。そうなると入射光aの2回度射光a、と直接入射光す
との合成したレベルが光すの情報として出力されること
になる。ただし、2回度射光a!の強さはガラス茨面の
反射であるから直接入射光aの4チ穆度にすぎない。よ
って入射光すと入射光aの強さが同じであればbとal
の合成値Fibの4チ増にしかならない。そこで実際に
問題となるのは入射光aが強大で入射光すが微少あるい
は0の時に、例えばコの情報にa、が加わるため、出力
として出てしまうのである。つまり、直接投影光で生じ
た絵から少しずれた位置に薄く同じ絵が出てしまうとい
うゴースト現象が起こる。リニアイメージセンナを使用
した画像処理装置が入力信号を2値化して使用するもの
であれば2回反射光a、による信号レベル自体率さいの
で影響が出ないこともめるが、階調を再現する装置にお
いては数チの信号でも出力画に表現されてしまう。した
がって、装置にゴーストを防止する手段を設けなければ
ならない。
4bの部分が鏡面に近い光反射面となっている。そこで
、るる方向からめる角度を持った光aがウィンドガラス
2を介して入射すると電極4a、4bの狭面で反射し反
射光&、となり、それがウィントガ2ス2の下面で再反
射し2回度射光a!となって画素列6に到達してしまう
。そうなると入射光aの2回度射光a、と直接入射光す
との合成したレベルが光すの情報として出力されること
になる。ただし、2回度射光a!の強さはガラス茨面の
反射であるから直接入射光aの4チ穆度にすぎない。よ
って入射光すと入射光aの強さが同じであればbとal
の合成値Fibの4チ増にしかならない。そこで実際に
問題となるのは入射光aが強大で入射光すが微少あるい
は0の時に、例えばコの情報にa、が加わるため、出力
として出てしまうのである。つまり、直接投影光で生じ
た絵から少しずれた位置に薄く同じ絵が出てしまうとい
うゴースト現象が起こる。リニアイメージセンナを使用
した画像処理装置が入力信号を2値化して使用するもの
であれば2回反射光a、による信号レベル自体率さいの
で影響が出ないこともめるが、階調を再現する装置にお
いては数チの信号でも出力画に表現されてしまう。した
がって、装置にゴーストを防止する手段を設けなければ
ならない。
階調を再現する装置として1例えば5511ml写真フ
ィルム(ポジまたはネガ)からダイレクトに画像を電送
する「ダイ1/クト両像電送装置」があるが、この装置
により階調を持つ透過原稿を人力する。際ゴーストが発
生しないようにするには、リニアイメージセンサをスキ
ャンさせると同時に、光源にスリットをかぶせたスリッ
ト光源を移動させるという複雑な構造のものとしなけれ
ばならない。
ィルム(ポジまたはネガ)からダイレクトに画像を電送
する「ダイ1/クト両像電送装置」があるが、この装置
により階調を持つ透過原稿を人力する。際ゴーストが発
生しないようにするには、リニアイメージセンサをスキ
ャンさせると同時に、光源にスリットをかぶせたスリッ
ト光源を移動させるという複雑な構造のものとしなけれ
ばならない。
以上のように、従来のリニアイメージセンナは画素列周
辺に光を反射する電極面を配置しているため、出力にゴ
ーストを生じ原画に対して忠実な出力画像を再現出来な
い欠点があった。
辺に光を反射する電極面を配置しているため、出力にゴ
ーストを生じ原画に対して忠実な出力画像を再現出来な
い欠点があった。
なお、この欠点は専ら線状のセンサ(ラインセンサ、リ
ニアセンサ)に限られる。なぜならば。
ニアセンサ)に限られる。なぜならば。
面センサの場合電極は受光面周辺付近に設けられるため
、その影響は受光面の周辺付近に限られ、全体の画質に
太さ〈影響を及ぼすものではないのであまり問題になら
ないからである。
、その影響は受光面の周辺付近に限られ、全体の画質に
太さ〈影響を及ぼすものではないのであまり問題になら
ないからである。
この発明は上記のような欠点を解決するためになされた
もので、受光領域以外の領域から鏡市部分をなくすこと
により、ゴーストの生じない、原画を忠実に再現するこ
とが出来るリニアイメージセンナを得ることを目的とす
る。
もので、受光領域以外の領域から鏡市部分をなくすこと
により、ゴーストの生じない、原画を忠実に再現するこ
とが出来るリニアイメージセンナを得ることを目的とす
る。
この発明は受光領域以外の領域を無反射部材で覆うこと
により、リニアイメージセンナにとって有害な反射ヲナ
クシ、ゴースト現象の発生を防止することを技術的要点
としている。
により、リニアイメージセンナにとって有害な反射ヲナ
クシ、ゴースト現象の発生を防止することを技術的要点
としている。
第1図はこの発明の実施例を示す斜視断面図でらる。第
1図において、5a、5bは無反射遮光板で、電極4a
、4bの上に貼付けである。このように電極4a、4b
の鏡面部分を無反射部材で覆つ九構造とすることにより
、第4図においてaで示す入射光が入ってきても反射さ
れず、画素列6まで光が到達しなくなり有害なゴースト
の除去が出来る。
1図において、5a、5bは無反射遮光板で、電極4a
、4bの上に貼付けである。このように電極4a、4b
の鏡面部分を無反射部材で覆つ九構造とすることにより
、第4図においてaで示す入射光が入ってきても反射さ
れず、画素列6まで光が到達しなくなり有害なゴースト
の除去が出来る。
したがって、上記構造のリニアイメージセンナを画像処
理装置に使用する場合、第2図に示すように光源は固定
光源とすることができる。
理装置に使用する場合、第2図に示すように光源は固定
光源とすることができる。
第2図は画像処理装置として、例えば35m写真フィル
ム(ポジまたはネガ)からダイレクトに画像を電送する
「ダイレクト画像電送装置」の要素の配置を示した上面
図である。第2図において、6は光源でめる照明用のラ
ンプ、7は数枚のレンズから構成され九投光レンズ群、
8は透過原稿。
ム(ポジまたはネガ)からダイレクトに画像を電送する
「ダイレクト画像電送装置」の要素の配置を示した上面
図である。第2図において、6は光源でめる照明用のラ
ンプ、7は数枚のレンズから構成され九投光レンズ群、
8は透過原稿。
9は数枚のレンズから構成された投影レンズ群、10は
リニアイメージセンナである。
リニアイメージセンナである。
この画像処理装置により階1l111を持つ透過原[8
を入力する際は、投光レンズ群7と投影レンズ群9との
間に原稿8を挿入し、そしてランプ乙の照明光を投光レ
ンズ群7により原稿8に一様に照射して、原稿8からの
透過光を投影レンズ群9によシリニアイメージセンナ1
0に結像する。このリニアイメージセンサ10をガイド
レール(図示せず)に沿ってスキャンさせると原稿8の
画像情報がゴーストを発生することなく電気信号に変換
される。
を入力する際は、投光レンズ群7と投影レンズ群9との
間に原稿8を挿入し、そしてランプ乙の照明光を投光レ
ンズ群7により原稿8に一様に照射して、原稿8からの
透過光を投影レンズ群9によシリニアイメージセンナ1
0に結像する。このリニアイメージセンサ10をガイド
レール(図示せず)に沿ってスキャンさせると原稿8の
画像情報がゴーストを発生することなく電気信号に変換
される。
第3図はこの発明の他の実施例を示し、第1図のものは
無反射遮光板5a、5bとして別部材を電極4a、4b
に貼付けであるが、この実施例では反射防止剤5a、5
bを塗布して、電W1.4 a 。
無反射遮光板5a、5bとして別部材を電極4a、4b
に貼付けであるが、この実施例では反射防止剤5a、5
bを塗布して、電W1.4 a 。
4bを無反射部材で覆ったものでおる。
なお、上記各実施例は画素列3つまり受光領域と蓄積電
極4a、4b′)まり蓄積領域とをボンディングワイヤ
で接続しtものであるが、受光領域と蓄積領域とを集積
回路により一体に構成したものに実施しても同様の効果
がある。また、蓄積領域は受光領域の両側に配置されて
いるが、−片側だけに配置されたものにも同様に実施出
来る。
極4a、4b′)まり蓄積領域とをボンディングワイヤ
で接続しtものであるが、受光領域と蓄積領域とを集積
回路により一体に構成したものに実施しても同様の効果
がある。また、蓄積領域は受光領域の両側に配置されて
いるが、−片側だけに配置されたものにも同様に実施出
来る。
さらに、上記各実施例では電極4a、4bの上を無反射
部材で覆っているが、受光領域以外の領域に光が照射さ
:nないように、受光領域を除く部分をアルミニウムな
どの金属膜によって遮光したものでは、前記金属膜の部
分を無反射部材で覆うことにより同様の効果を得ること
ができる。
部材で覆っているが、受光領域以外の領域に光が照射さ
:nないように、受光領域を除く部分をアルミニウムな
どの金属膜によって遮光したものでは、前記金属膜の部
分を無反射部材で覆うことにより同様の効果を得ること
ができる。
以上説明したように、この発明によれば受光領域以外の
領域の鏡面部分を無反射部材で覆ったから、階調表現の
必要な画像処理装置に使用してもゴーストの発生のない
忠実な画像再現が可能となる。
領域の鏡面部分を無反射部材で覆ったから、階調表現の
必要な画像処理装置に使用してもゴーストの発生のない
忠実な画像再現が可能となる。
さらに、色々な角度の光に対してもゴースト・発生がな
いため、固定光源の装置に使え、従来のようにセンナの
スキャンに合わせて光源にスリットをかぶせたスリット
光源を移動させるという複雑な構造を必要としないので
、装置の簡素化に有効である。
いため、固定光源の装置に使え、従来のようにセンナの
スキャンに合わせて光源にスリットをかぶせたスリット
光源を移動させるという複雑な構造を必要としないので
、装置の簡素化に有効である。
第1図はこの発明の実施例を示す斜視断面図、第2図は
第1図のリニアイメージセンナを用いた画像処理装置の
要素の配置を示した上面図、第3図はこの8明の他の実
施例を示す断面図、第4図は従来のリニアイメージセン
ナの断面図、第5図は従来のイメージセンナの入射側か
ら見た正面図でろる。 1・・・セラミックパッケージ、2・・・ウィンドガラ
ス、6・・・画素列、4a、4b・・・蓄積電極、5a
。 5b・・・無反射部材、6・・・照明用ランプ、7・・
・投光レンズ群、8・・・透過原稿、9・・・投影し゛
ンズ群、10・・・リニアイメージセンナ。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第1図 第2図 第3図
第1図のリニアイメージセンナを用いた画像処理装置の
要素の配置を示した上面図、第3図はこの8明の他の実
施例を示す断面図、第4図は従来のリニアイメージセン
ナの断面図、第5図は従来のイメージセンナの入射側か
ら見た正面図でろる。 1・・・セラミックパッケージ、2・・・ウィンドガラ
ス、6・・・画素列、4a、4b・・・蓄積電極、5a
。 5b・・・無反射部材、6・・・照明用ランプ、7・・
・投光レンズ群、8・・・透過原稿、9・・・投影し゛
ンズ群、10・・・リニアイメージセンナ。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 直線状に画素を配列してなる受光領域と、光反射領域
とを有する基板の表面を透明板状部材で覆う如く構成し
たリニアイメージセンサに於いて前記光反射領域を無反
射部材で覆つたことを特徴とするリニアイメージセンサ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59256443A JPS61135272A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | リニアイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59256443A JPS61135272A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | リニアイメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61135272A true JPS61135272A (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=17292723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59256443A Pending JPS61135272A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | リニアイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61135272A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235939A (ja) * | 2008-06-27 | 2008-10-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015162506A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 京セラ株式会社 | 撮像素子実装用基板及び撮像装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5624969A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-10 | Canon Inc | Semiconductor integrated circuit element |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP59256443A patent/JPS61135272A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5624969A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-10 | Canon Inc | Semiconductor integrated circuit element |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235939A (ja) * | 2008-06-27 | 2008-10-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015162506A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 京セラ株式会社 | 撮像素子実装用基板及び撮像装置 |
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