JPS61135170A - 発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS61135170A JPS61135170A JP59258121A JP25812184A JPS61135170A JP S61135170 A JPS61135170 A JP S61135170A JP 59258121 A JP59258121 A JP 59258121A JP 25812184 A JP25812184 A JP 25812184A JP S61135170 A JPS61135170 A JP S61135170A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は発光ダイオードの製造方法に関するものである
。
。
最近、G a A t A sを基板にした2000m
cdから3000mcdの高輝度発光ダイオードの開発
が盛んである。しかし、このような発光ダイオードは1
50−20011mの厚膜G a A t A s結晶
成長がかなυ難しく、歩留まりが悪いために大変高価で
ある。
cdから3000mcdの高輝度発光ダイオードの開発
が盛んである。しかし、このような発光ダイオードは1
50−20011mの厚膜G a A t A s結晶
成長がかなυ難しく、歩留まりが悪いために大変高価で
ある。
本発明は、再現性よく、結晶性のよい厚膜GaALAs
基板をもつ発光ダイオードを製造することができる方法
を提供するものである。
基板をもつ発光ダイオードを製造することができる方法
を提供するものである。
〈従来技術〉
まず、従来技術を説明する。
従来の製造方法に於いては、GaAs基板上に液相成長
により高温よ、950〜100μmのGaAlAs結晶
層を形成し、しかる後、−Hfから取り出して、2回目
の液相成長を行い、PN接合を作るが、この炉からGa
AlAs結晶を取り出した時に、表面が酸化し、At2
03ができるため、2回目の液相成長がスムーズに成長
せず、大変結晶性が悪い。
により高温よ、950〜100μmのGaAlAs結晶
層を形成し、しかる後、−Hfから取り出して、2回目
の液相成長を行い、PN接合を作るが、この炉からGa
AlAs結晶を取り出した時に、表面が酸化し、At2
03ができるため、2回目の液相成長がスムーズに成長
せず、大変結晶性が悪い。
このため、歩留まりが非常に悪かった。
〈発明の目的〉
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、再現性
よく、結晶性のよい厚膜GaAlAs基板をもつ発光ダ
イオードを製造することができる方法を提供することを
目的とするものである0〈発明の構成〉 本発明の、発光ダイオードの製造方法は、GaAs基板
上にG a A L A s結晶層を液相成長により形
成した後、MOCvD(有機金属気相成長)により上記
GaAlAs結晶層上にGaAs結晶層を形成し、2回
目の液相成長時に、上記MOCVDにより形成したGa
As結晶層をメルトバックした後に、GaAlAsPN
接合を形成することを特徴とするものである。すなわち
、本発明の特徴は、1回目のG a A L A s厚
膜結晶成長後、MOCVDによりGaAs薄膜を形成す
る点にある。MOCVDによれば、GaA4As結晶上
にも非常にすぐれたGaAS結晶が成長する。したがっ
て、2回目のGIAtAB結晶成長時には、上記GaA
s薄膜をメルトバックした後に、GHAAAs結晶を液
相成長させれば、大変結晶性のよいGaAlAs結晶が
成長する。これは、GaAs結晶にはAtが含まれてい
ないため、表面が酸化しないからである。
よく、結晶性のよい厚膜GaAlAs基板をもつ発光ダ
イオードを製造することができる方法を提供することを
目的とするものである0〈発明の構成〉 本発明の、発光ダイオードの製造方法は、GaAs基板
上にG a A L A s結晶層を液相成長により形
成した後、MOCvD(有機金属気相成長)により上記
GaAlAs結晶層上にGaAs結晶層を形成し、2回
目の液相成長時に、上記MOCVDにより形成したGa
As結晶層をメルトバックした後に、GaAlAsPN
接合を形成することを特徴とするものである。すなわち
、本発明の特徴は、1回目のG a A L A s厚
膜結晶成長後、MOCVDによりGaAs薄膜を形成す
る点にある。MOCVDによれば、GaA4As結晶上
にも非常にすぐれたGaAS結晶が成長する。したがっ
て、2回目のGIAtAB結晶成長時には、上記GaA
s薄膜をメルトバックした後に、GHAAAs結晶を液
相成長させれば、大変結晶性のよいGaAlAs結晶が
成長する。これは、GaAs結晶にはAtが含まれてい
ないため、表面が酸化しないからである。
〈実施例〉
以下、実施例を説明する。
第1図に示すように、P形GaAs基板l上に900−
e−’Cよりの液相成長により70μmのP形Gao、
:+Ato、7As結晶層2を成長させる。しかる後、
一旦、成長基板を炉から取り出し、Ga融液を除去して
表面を清浄にした後、MOCvDによりP形Gao、3
Ato、7As結晶層2上にo、spmのGaAs結晶
層3を成長させた。MOCVDは、基板温度760℃、
トリメチルガリウムl0−4モル比、V7.比的25、
水素流量6t/分で、16分間で行うことができた。
e−’Cよりの液相成長により70μmのP形Gao、
:+Ato、7As結晶層2を成長させる。しかる後、
一旦、成長基板を炉から取り出し、Ga融液を除去して
表面を清浄にした後、MOCvDによりP形Gao、3
Ato、7As結晶層2上にo、spmのGaAs結晶
層3を成長させた。MOCVDは、基板温度760℃、
トリメチルガリウムl0−4モル比、V7.比的25、
水素流量6t/分で、16分間で行うことができた。
次に、2回目の液相成長前に、上記GaAs層3をメル
トバックし、その後、第2図に示すように、P形Ga0
,3At0.7AS層4を30 p m、 P形Gao
、5sAt0.3SAS層5を0.8ttmzN形Ga
o、3Ato、rAs層6を40μm成長させる。エピ
タキシャル成長後、GaAs基板lをアン皐エア系のエ
ツチング液で選別エツチングして取り除き、P形GaA
lAs層2にAuZn、N形G a A t A r層
6にAuGeNiにてオーミック電極を形成し、樹脂モ
ールドして、光出力を測定した。その結果、順電流20
mAで、はとんどの素子が2000 mcd以上であっ
た0これは、MOCVDによ1)GaAs層3を入れた
ため、次の4.5.6層の結晶性が非常に向上したため
である。また、GaAjAsエピタキシャル層厚も、2
回の成長で140μm以上あり、アセンブリ中にウェノ
・−が破損するという事故も殆どなくなり、量産に大変
適している0 〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、再現性よ
く、結晶性のよい厚膜G a A L A 3基板をも
つ発光ダイオードを製造することができる、きわめて有
用な発光ダイオード製造方法を提供することができるも
のである0
トバックし、その後、第2図に示すように、P形Ga0
,3At0.7AS層4を30 p m、 P形Gao
、5sAt0.3SAS層5を0.8ttmzN形Ga
o、3Ato、rAs層6を40μm成長させる。エピ
タキシャル成長後、GaAs基板lをアン皐エア系のエ
ツチング液で選別エツチングして取り除き、P形GaA
lAs層2にAuZn、N形G a A t A r層
6にAuGeNiにてオーミック電極を形成し、樹脂モ
ールドして、光出力を測定した。その結果、順電流20
mAで、はとんどの素子が2000 mcd以上であっ
た0これは、MOCVDによ1)GaAs層3を入れた
ため、次の4.5.6層の結晶性が非常に向上したため
である。また、GaAjAsエピタキシャル層厚も、2
回の成長で140μm以上あり、アセンブリ中にウェノ
・−が破損するという事故も殆どなくなり、量産に大変
適している0 〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、再現性よ
く、結晶性のよい厚膜G a A L A 3基板をも
つ発光ダイオードを製造することができる、きわめて有
用な発光ダイオード製造方法を提供することができるも
のである0
第1図及び第2図は、本発明に係る発光ダイオード製造
方法の説明に供する断面構造図である。 符号の説明 IMP形GaAs基板、2:P形Gao、3Ato、y
As結晶層、3:GaAs結晶層、4:P形Ga o、
3Ato、tAs結晶層、5:P形Ga o、5sA−
/−o、asAs結晶層、6N形Ga o、:1AL6
,7A 5結晶層O代理人 弁理士 福 士 愛 彦(
他2名)第1図 第2図
方法の説明に供する断面構造図である。 符号の説明 IMP形GaAs基板、2:P形Gao、3Ato、y
As結晶層、3:GaAs結晶層、4:P形Ga o、
3Ato、tAs結晶層、5:P形Ga o、5sA−
/−o、asAs結晶層、6N形Ga o、:1AL6
,7A 5結晶層O代理人 弁理士 福 士 愛 彦(
他2名)第1図 第2図
Claims (1)
- 1、GaAs基板上にGaAlAs結晶層を液相成長に
より形成した後、MOCVD(有機金属気相成長)によ
り上記GaAlAs結晶層上にGaAs結晶層を形成し
、2回目の液相成長時に、上記MOCVDにより形成し
たGaAs結晶層をメルトバックした後に、GaAlA
sPN接合を形成することを特徴とする、発光ダイオー
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59258121A JPS61135170A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59258121A JPS61135170A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61135170A true JPS61135170A (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=17315790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59258121A Pending JPS61135170A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61135170A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63312629A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nec Corp | GaAlAsエピタキシヤルウエハ− |
JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度led用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
JPH0643917U (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | 雅敏 橘 | 表示用ランプ |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59258121A patent/JPS61135170A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63312629A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nec Corp | GaAlAsエピタキシヤルウエハ− |
JPH0636438B2 (ja) * | 1987-06-15 | 1994-05-11 | 日本電気株式会社 | GaAlAsエピタキシヤルウエハ− |
JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度led用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
JPH0643917U (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | 雅敏 橘 | 表示用ランプ |
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