JPS61134680A - 光起電力半導体の電圧電流特性の測定方法 - Google Patents
光起電力半導体の電圧電流特性の測定方法Info
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- JPS61134680A JPS61134680A JP25652584A JP25652584A JPS61134680A JP S61134680 A JPS61134680 A JP S61134680A JP 25652584 A JP25652584 A JP 25652584A JP 25652584 A JP25652584 A JP 25652584A JP S61134680 A JPS61134680 A JP S61134680A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光を豐けで起電力を発生する光起電力半導体
の電圧電流特性の測定方法に関する−のである。
の電圧電流特性の測定方法に関する−のである。
太陽電池モジエールとして使用される光起電力半導体の
ような半導体における電圧電流特性の測定に＆いては、
従来は当鋏半導体Ｋｌ！（Ｃｌ大降光の定常光を連続し
て照射して行われていた。即ち。
ような半導体における電圧電流特性の測定に＆いては、
従来は当鋏半導体Ｋｌ！（Ｃｌ大降光の定常光を連続し
て照射して行われていた。即ち。
半導体に定常光を一様な照度で連続して照射した状ＩＮ
において、半導体に加える電圧をゆっくり変化せしめな
がら各電圧点にシける電流値をプロットして電圧型ａｎ
性を測定していた。しかし、このように定常光を用いる
ＩＩ定においては、定常光を連続して照射するため消費
電力が大きなものとなり、そして近時は、例えば光起電
力半導体な平面状に並べて大きさが１．５ Ｘ １．Ｏ
ｉの太陽電池も実用化されているが、この様な大面積を
照射するためには定常光発生装置として光出力が大きく
て大型のものを設計しなければならず、併せて太陽電池
の温度上昇を避けることができないため恒温化４ｄｌ置
が必要とされ、コストも非常に高いものになりてしまう
。
において、半導体に加える電圧をゆっくり変化せしめな
がら各電圧点にシける電流値をプロットして電圧型ａｎ
性を測定していた。しかし、このように定常光を用いる
ＩＩ定においては、定常光を連続して照射するため消費
電力が大きなものとなり、そして近時は、例えば光起電
力半導体な平面状に並べて大きさが１．５ Ｘ １．Ｏ
ｉの太陽電池も実用化されているが、この様な大面積を
照射するためには定常光発生装置として光出力が大きく
て大型のものを設計しなければならず、併せて太陽電池
の温度上昇を避けることができないため恒温化４ｄｌ置
が必要とされ、コストも非常に高いものになりてしまう
。
このため最近Ｋ）いては、この特性の測定のために、瞬
間的にモ分大きな光出力が得られる閃光放電灯が用いら
れるようＫなりている。つまり、第１図に示すように光
起電力半導体ＰＤＫ閃光放電灯１０より時間巾が１．５
ｍｓｅｃ糧度の閃光ノ（ルスを照射し、電圧４１１に
より光起電力半導体ＦＤの電極＆、ＢＩＳｆｌＫｆｌＪ
ば０ボルトから当該光起電力半導体ＦＤの起電力程度ま
での電圧を時間的に変゛化せしめながら印加し、電極Ａ
、Ｂ！′１ＪＩＫＪｉ続して設けた電流測定器１２によ
ジ電流値の変化を測定し、第２図に示すよりなＩ −Ｖ
特性曲線を得る。
間的にモ分大きな光出力が得られる閃光放電灯が用いら
れるようＫなりている。つまり、第１図に示すように光
起電力半導体ＰＤＫ閃光放電灯１０より時間巾が１．５
ｍｓｅｃ糧度の閃光ノ（ルスを照射し、電圧４１１に
より光起電力半導体ＦＤの電極＆、ＢＩＳｆｌＫｆｌＪ
ば０ボルトから当該光起電力半導体ＦＤの起電力程度ま
での電圧を時間的に変゛化せしめながら印加し、電極Ａ
、Ｂ！′１ＪＩＫＪｉ続して設けた電流測定器１２によ
ジ電流値の変化を測定し、第２図に示すよりなＩ −Ｖ
特性曲線を得る。
このとき、各電圧１点における電流値がプロットされる
が、例えばプロット点数を６４個とすれば、パルスの時
間中が１．５ｍ５ｅｔ ８１ｊ’であるので１プロツト
あたりの照射時間は０．０２ ｍｓｅｃ程度である。
が、例えばプロット点数を６４個とすれば、パルスの時
間中が１．５ｍ５ｅｔ ８１ｊ’であるので１プロツト
あたりの照射時間は０．０２ ｍｓｅｃ程度である。
ところで、従来の光起電力半導体ＰＤは単結晶シリコン
からなるためＫ、光起゛電力の応答速度が早く、前述の
通り照射時間がｏ、ｏｚｍｓｅｃ ｓ度と短ゆくても、
印加電圧に対して生起電流が七分に応答し、正確１に特
性曲線を得ることができる。しかしながら、近時はアモ
ルファスクリコンの製造技術の鵡歩もありて、アモルフ
ァスシリコンからなる光超電力半導体が多用されるよう
Ｋなったが、これは単結晶シリコンか師なるものく比べ
て応答速度が遅い。従って、１７０ツトあたりの照射時
４″″′″ＩＪＩＩ／１７″′″″′〜′°°１′４０
．０２ ｌｍｓｅｃ １１度では、第２図の点線
曲線で示すように電流値が実際よりも低くなり、正確な
特性曲線な得ることができない。このためプロット敬を
少なくすると１プロツトあたりの照射時間を長くするこ
とができるが、これでは唖性曲線が直線近憚となりて精
度が低下する。従りて、プロット数を減少させることな
く１２＋２ツトあた９の照射時間を長くする必要がある
が、アモルファスクリコンからなる光起電力半導体の場
合は、ｌプロットあたりの照射時間はＱ、 ５ ｍｓｅ
ｃ以上、プロット数も２００点以上が田型しいとされて
お９、結局、閃光放電のパルスの時間巾は２６ｍｓｅｃ
以上が必要となる。しかしながら、大型の太陽電池に対
して、この様に長時間中にわたりて一定照度のパルス点
灯な閃光放電灯により行うＫは、モ数ＫＷの大型ランプ
が必要となり、電源トランスや光学系などのｌ１Ｆｔ＃
！設備もこ九に併りて大間となってしまい、とても実用
化することは不ＩＴｌｒ！である。
からなるためＫ、光起゛電力の応答速度が早く、前述の
通り照射時間がｏ、ｏｚｍｓｅｃ ｓ度と短ゆくても、
印加電圧に対して生起電流が七分に応答し、正確１に特
性曲線を得ることができる。しかしながら、近時はアモ
ルファスクリコンの製造技術の鵡歩もありて、アモルフ
ァスシリコンからなる光超電力半導体が多用されるよう
Ｋなったが、これは単結晶シリコンか師なるものく比べ
て応答速度が遅い。従って、１７０ツトあたりの照射時
４″″′″ＩＪＩＩ／１７″′″″′〜′°°１′４０
．０２ ｌｍｓｅｃ １１度では、第２図の点線
曲線で示すように電流値が実際よりも低くなり、正確な
特性曲線な得ることができない。このためプロット敬を
少なくすると１プロツトあたりの照射時間を長くするこ
とができるが、これでは唖性曲線が直線近憚となりて精
度が低下する。従りて、プロット数を減少させることな
く１２＋２ツトあた９の照射時間を長くする必要がある
が、アモルファスクリコンからなる光起電力半導体の場
合は、ｌプロットあたりの照射時間はＱ、 ５ ｍｓｅ
ｃ以上、プロット数も２００点以上が田型しいとされて
お９、結局、閃光放電のパルスの時間巾は２６ｍｓｅｃ
以上が必要となる。しかしながら、大型の太陽電池に対
して、この様に長時間中にわたりて一定照度のパルス点
灯な閃光放電灯により行うＫは、モ数ＫＷの大型ランプ
が必要となり、電源トランスや光学系などのｌ１Ｆｔ＃
！設備もこ九に併りて大間となってしまい、とても実用
化することは不ＩＴｌｒ！である。
そこで本発明は、アモルファスシリコンからなる光起電
力半導体のように、光起電力の応答速度の遅い光起電力
半導体に対しても、小型の装置でもって動感よくその電
圧電流特性を測定できる方法を提供することを目的とす
る。そして、その構成は、その電圧電流特性な測定すべ
き光起電力半導体、例えば太陽電池のような光起電力半
導体Ｋ、キセノフシ１−ドアークランプよりの光を照射
するとともに、この光起電力半導体の電極間に電圧値が
時間的に変化する電圧を印加し、この電甑間における電
流値変化の測定を行うことＫよって光起電力半導体の電
圧電流特性を測定する方法でろりで、前記光は、小定電
流による待機点灯ｔｃｔ費された時間巾が２０ ｆｆ１
ｌＪｅｃないし２０ Ｑ ｒｎｓｅｃのパルス状の大電
流により点灯される光であり、かつ。
力半導体のように、光起電力の応答速度の遅い光起電力
半導体に対しても、小型の装置でもって動感よくその電
圧電流特性を測定できる方法を提供することを目的とす
る。そして、その構成は、その電圧電流特性な測定すべ
き光起電力半導体、例えば太陽電池のような光起電力半
導体Ｋ、キセノフシ１−ドアークランプよりの光を照射
するとともに、この光起電力半導体の電極間に電圧値が
時間的に変化する電圧を印加し、この電甑間における電
流値変化の測定を行うことＫよって光起電力半導体の電
圧電流特性を測定する方法でろりで、前記光は、小定電
流による待機点灯ｔｃｔ費された時間巾が２０ ｆｆ１
ｌＪｅｃないし２０ Ｑ ｒｎｓｅｃのパルス状の大電
流により点灯される光であり、かつ。
照射にあたっては、待機点灯中はシャッターに′；Ｉｊ
１られ、パルス状の点灯中はシャッターが開くことを特
徴とするものである。
１られ、パルス状の点灯中はシャッターが開くことを特
徴とするものである。
以下に図面に基いて本発明の実施例を具体的にＩｉ明す
る。
る。
Ｉｆ！３図は不発ＩＰＩＫ使用される光照射装置を模式
的に示すが、ランプ１は定格１．６ＫＷのキセノフシ１
−トアーク放電灯であり、実際には３本のりンプｌが設
置されている。そして、ランプ１の背後には断面楕円形
の集光鏡２が配置され、ランプ１の光はインチグレータ
ー３に！ｉ：される。このインチグレーター３０前には
シャッター４が配置され、このシャッター４が閉じると
ランプ１の光は遡られて外部に投射されない。インチグ
レーター３を出射した光は平面反射板５で反射されてコ
リメーティングレンズ６に入射し、平行光となって被検
体である太陽電池８に投射される。この太陽′を池Ｓは
寸法が１．５ｍＸ０．５ｍのパネル（アモルファスシリ
コンからなる光起電力半導体モジエールが平面状Ｋｆ！
置されたものである。
的に示すが、ランプ１は定格１．６ＫＷのキセノフシ１
−トアーク放電灯であり、実際には３本のりンプｌが設
置されている。そして、ランプ１の背後には断面楕円形
の集光鏡２が配置され、ランプ１の光はインチグレータ
ー３に！ｉ：される。このインチグレーター３０前には
シャッター４が配置され、このシャッター４が閉じると
ランプ１の光は遡られて外部に投射されない。インチグ
レーター３を出射した光は平面反射板５で反射されてコ
リメーティングレンズ６に入射し、平行光となって被検
体である太陽電池８に投射される。この太陽′を池Ｓは
寸法が１．５ｍＸ０．５ｍのパネル（アモルファスシリ
コンからなる光起電力半導体モジエールが平面状Ｋｆ！
置されたものである。
次に８４図は、キセノフシ嘗−トアークランク１本あた
りの人力電力の時間的変化ｆｔ示したものであるが、こ
のランプＩＫは常時０．６ＫＷの電力が人力され待機点
灯している。この待機点灯時はシャッター４が閉−じて
シ９、その光は外部には洩れない。そして、電圧電流特
性の測定に際しては、シャッター４が開き、これとはソ
同時に５ＫＷの電力が時間巾２０ ｍｓｅｃ〜２００ｍ
ｓｅｃのパルス状で待機点灯に重畳して入力される。こ
の２ノグーの定格電力は１．６ＫＷであるが、パルス状
く入力するので５ＫＷの入力が可能であり、時間中も２
００ｍｓｅｃ ｓ ｚまで一定の照度な持続することが
できる。
りの人力電力の時間的変化ｆｔ示したものであるが、こ
のランプＩＫは常時０．６ＫＷの電力が人力され待機点
灯している。この待機点灯時はシャッター４が閉−じて
シ９、その光は外部には洩れない。そして、電圧電流特
性の測定に際しては、シャッター４が開き、これとはソ
同時に５ＫＷの電力が時間巾２０ ｍｓｅｃ〜２００ｍ
ｓｅｃのパルス状で待機点灯に重畳して入力される。こ
の２ノグーの定格電力は１．６ＫＷであるが、パルス状
く入力するので５ＫＷの入力が可能であり、時間中も２
００ｍｓｅｃ ｓ ｚまで一定の照度な持続することが
できる。
因みに本実施例において、３本の２ングーな前記の条件
でパルス点灯すると、太陽電池８に対する放射黒蜜は１
００ｍＷ／／ｃＩｌであり、その均一度な±５％；／１
００ ｒｎｓｅｃが得られた。そしてこの間に、例えば
６４ポイントの大降電池電流と電圧がｇ１図の回路でｌ
ＩＩ定され、＠度や照度補正がなされてプロットされ、
ｔ−Ｖ特性曲線がイ尋られる。そして、パルス状点灯が
終了するとはｙ同時にシャッター４が閉じて測定が終了
する。
でパルス点灯すると、太陽電池８に対する放射黒蜜は１
００ｍＷ／／ｃＩｌであり、その均一度な±５％；／１
００ ｒｎｓｅｃが得られた。そしてこの間に、例えば
６４ポイントの大降電池電流と電圧がｇ１図の回路でｌ
ＩＩ定され、＠度や照度補正がなされてプロットされ、
ｔ−Ｖ特性曲線がイ尋られる。そして、パルス状点灯が
終了するとはｙ同時にシャッター４が閉じて測定が終了
する。
以上のような方法によれば、キセノフシ１−トアークツ
ンプを待機点灯させておいて、これにパルス状電力を重
畳して入力するので、トリカー電力を必要とすることな
くパルス点灯ができ、しかも定格電力の数倍のパルス状
電力を入力可能となる。従って、小型のランプで高出力
が可能とｆｋす、前記の実施例では１．６ＫＷの２ノグ
３本で１５ＫＷ点灯が行われ、また、２ンフの小型化に
併りて電源トランスや光学系などの附帯設備も小型とｆ
ｋジ、試験装置としてモ分に１１！用化可能な規模にお
さめることができる。そして、パルスの時間巾も長くと
ることができるので、ｌ１ｌＩ定に＃またっては、プロ
ット教を減小することなく１プロツトあたりの照射時間
を長くでき、前記の実施例では６．５ ｍｓｅｃ以上が
ａｙｓとなる。このため、光起電力の応答ａＩＩｌ′の
遅いアモルファスシリコンからなる半導体でありても、
この照射時間内に印加電圧に対応する電流が完全に生起
し、正確なＩ−Ｖｍ線を得ることができる。よって、不
発ｄＡＫよれば、光起電力の応答速度の遅い光起電力半
導体に対しても、小型の装置でもって効率よくその電圧
電流特性を測定できる方法を提供することができる。
ンプを待機点灯させておいて、これにパルス状電力を重
畳して入力するので、トリカー電力を必要とすることな
くパルス点灯ができ、しかも定格電力の数倍のパルス状
電力を入力可能となる。従って、小型のランプで高出力
が可能とｆｋす、前記の実施例では１．６ＫＷの２ノグ
３本で１５ＫＷ点灯が行われ、また、２ンフの小型化に
併りて電源トランスや光学系などの附帯設備も小型とｆ
ｋジ、試験装置としてモ分に１１！用化可能な規模にお
さめることができる。そして、パルスの時間巾も長くと
ることができるので、ｌ１ｌＩ定に＃またっては、プロ
ット教を減小することなく１プロツトあたりの照射時間
を長くでき、前記の実施例では６．５ ｍｓｅｃ以上が
ａｙｓとなる。このため、光起電力の応答ａＩＩｌ′の
遅いアモルファスシリコンからなる半導体でありても、
この照射時間内に印加電圧に対応する電流が完全に生起
し、正確なＩ−Ｖｍ線を得ることができる。よって、不
発ｄＡＫよれば、光起電力の応答速度の遅い光起電力半
導体に対しても、小型の装置でもって効率よくその電圧
電流特性を測定できる方法を提供することができる。
第１１は電圧電流特性の測定方法の回路図、第２図は特
性曲線のｍ明図、１ｇ３図は光照射装置の模式図、第４
図は入力電力の説明図ｔそれぞれ示す。 １−・・キセノフシ１−トアーク２ンプ２・・・集光＠
ｌ ３−・・インチグレーター４・・・シャッター
６・・・コリメーティングレンズ１０−・・閃光放電
灯 １１・・・電圧源１２ ・・・電流濶定器 ８、−
・太陽電池ＦＤ・−光起電力半導体
性曲線のｍ明図、１ｇ３図は光照射装置の模式図、第４
図は入力電力の説明図ｔそれぞれ示す。 １−・・キセノフシ１−トアーク２ンプ２・・・集光＠
ｌ ３−・・インチグレーター４・・・シャッター
６・・・コリメーティングレンズ１０−・・閃光放電
灯 １１・・・電圧源１２ ・・・電流濶定器 ８、−
・太陽電池ＦＤ・−光起電力半導体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 その電圧電流特性を測定すべき光起電力半導体、例えば
太陽電池のような光起電力半導体に、キセノンショート
アークランプよりの光を照射するとともに、前記半導体
の電極間に電圧値が時間的に変化する電圧を印加し、前
記電極間における電流値変化の測定を行うことによって
光起電力半導体の電圧電流特性を測定する方法であって
、 前記光は、小定電流による待機点灯に重量された、時間
巾が２０ｍｓｅｃないし２００ｍｓｅｃのパルス状の大
電流により点灯される光であり、かつ、照射にあたって
は、待機点灯中はシャッターに遮ぎられ、パルス状の点
灯中はシャッターが開くことを特徴とする光起電力半導
体の電圧電流特性の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25652584A JPS61134680A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 光起電力半導体の電圧電流特性の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25652584A JPS61134680A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 光起電力半導体の電圧電流特性の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134680A true JPS61134680A (ja) | 1986-06-21 |
| JPH0453271B2 JPH0453271B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=17293831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25652584A Granted JPS61134680A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 光起電力半導体の電圧電流特性の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134680A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237338A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Wakomu:Kk | 太陽電池の特性試験方法 |
| JPS63206670A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の信頼性試験装置 |
| WO2007076846A1 (de) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Solartec Ag | Testvorrichtung und -verfahren für ein pv-konzentratormodul |
| CN102520330A (zh) * | 2011-12-01 | 2012-06-27 | 华中科技大学 | 太阳能电池光伏器件伏安特性测试*** |
| JP2013131678A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Pulstec Industrial Co Ltd | 太陽電池パネルの検査方法 |
| CN105445543A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 厦门法博科技有限公司 | 用于激光焊接***的脉冲氙灯功率检测电路及其方法 |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP25652584A patent/JPS61134680A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237338A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Wakomu:Kk | 太陽電池の特性試験方法 |
| JPS63206670A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の信頼性試験装置 |
| WO2007076846A1 (de) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Solartec Ag | Testvorrichtung und -verfahren für ein pv-konzentratormodul |
| CN102520330A (zh) * | 2011-12-01 | 2012-06-27 | 华中科技大学 | 太阳能电池光伏器件伏安特性测试*** |
| CN102520330B (zh) * | 2011-12-01 | 2014-01-22 | 华中科技大学 | 太阳能电池光伏器件伏安特性测试*** |
| JP2013131678A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Pulstec Industrial Co Ltd | 太陽電池パネルの検査方法 |
| CN105445543A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 厦门法博科技有限公司 | 用于激光焊接***的脉冲氙灯功率检测电路及其方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453271B2 (ja) | 1992-08-26 |
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