JPS61133678A - 磁気抵抗効果型素子 - Google Patents
磁気抵抗効果型素子Info
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- JPS61133678A JPS61133678A JP59254015A JP25401584A JPS61133678A JP S61133678 A JPS61133678 A JP S61133678A JP 59254015 A JP59254015 A JP 59254015A JP 25401584 A JP25401584 A JP 25401584A JP S61133678 A JPS61133678 A JP S61133678A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 35
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果型素子に係わり、特に磁気抵抗
効果薄膜を用いた磁気抵抗効果型素子に関する。
効果薄膜を用いた磁気抵抗効果型素子に関する。
従来のパーマロイ合金からなる磁気抵抗効果膜に於ては
、例えば” Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｏｆ ｓｍａｌｌｍ
ａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ５ｅｎｓｏｒ ”
： （Ｊ 、Ａｐｐｌ 。
、例えば” Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｏｆ ｓｍａｌｌｍ
ａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ５ｅｎｓｏｒ ”
： （Ｊ 、Ａｐｐｌ 。
Ｐｈｙｓ、 ５５（６） （１９８４） 、 ２２２６
： Ｃｈｉｎｇ Ｔｓａｎｇ著）記載のように、その
出力電圧は磁界に対して余弦的に変化する。つまり、す
なわち、第１図中。
： Ｃｈｉｎｇ Ｔｓａｎｇ著）記載のように、その
出力電圧は磁界に対して余弦的に変化する。つまり、す
なわち、第１図中。
曲線１で示すパーマロイ膜の抵抗変化をρとすればρ＝
ρ０＋Δρ・ｃｏｓ”θで表わされる。ここで、ρ。は
パーマロイの磁界のないときの抵抗、Δρは磁気抵抗変
化、θは素子電流とパーマロイの磁化方向との角度であ
る。したがって、磁界−出力電圧曲線には、本質的に直
線部分がなかった。
ρ０＋Δρ・ｃｏｓ”θで表わされる。ここで、ρ。は
パーマロイの磁界のないときの抵抗、Δρは磁気抵抗変
化、θは素子電流とパーマロイの磁化方向との角度であ
る。したがって、磁界−出力電圧曲線には、本質的に直
線部分がなかった。
本発明の目的は、磁界−出力電圧曲線が直線関係である
ような磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果型素子？提
供することにある。
ような磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果型素子？提
供することにある。
本発明は、磁気抵抗効果薄膜に所定量の通電処理を行な
うか、あるいは所定の熱処理を行なうことによって、当
該薄膜の磁界−出力電圧曲線を直線化するものである。
うか、あるいは所定の熱処理を行なうことによって、当
該薄膜の磁界−出力電圧曲線を直線化するものである。
以下本発明の実施例を図を用いて説明する。
実施例ｌ
Ｎｉ−２１％ｐｅの組成を有するパーマロイ膜を、ガラ
ス等の基板上に蒸着あるいはスパッタ法などで形成する
。次にこのパーマロイ膜を所望の素子形状とするために
、ホトエツチング加工する。
ス等の基板上に蒸着あるいはスパッタ法などで形成する
。次にこのパーマロイ膜を所望の素子形状とするために
、ホトエツチング加工する。
しかるのち、通電および磁気抵抗変化を検知するための
電極、例えばＡｕ、Ａｔ等を用いて形成する。当該素子
に３〜４Ｘ１０’Ａ／−以上の電流を２〜３秒から１〜
２分間通電する。この通電によって、出力−電流特性は
第２図で示すように。
電極、例えばＡｕ、Ａｔ等を用いて形成する。当該素子
に３〜４Ｘ１０’Ａ／−以上の電流を２〜３秒から１〜
２分間通電する。この通電によって、出力−電流特性は
第２図で示すように。
電流が小さいときには３で示すように直線的だが、通電
流が３〜４Ｘ１０−’Ａ／−を越えると４で示すように
電圧が減少し、更に電流を増すと５のように電圧が増加
し、最後に６のようにパーマロイ膜の破壊が起こる。電
流値を第２図の４で示す値以上に保持し、３で示した電
流値の範囲内に戻すとパーマロイ薄膜よりなる磁気抵抗
効果素子の磁界−電流特性は、第１図の曲線１で示す通
電前の特性曲線から第１図の線２で示すような特性に変
化する。即ち、第１図の曲線１で示した特性は三角１数
に従う曲線であるのに対し、ａ２で示す特性は第１図中
のＨｒ −ＨｊおよびＨ１〜Ｈ１で示す磁界の範囲内で
磁界−電流特性は直線になる。
流が３〜４Ｘ１０−’Ａ／−を越えると４で示すように
電圧が減少し、更に電流を増すと５のように電圧が増加
し、最後に６のようにパーマロイ膜の破壊が起こる。電
流値を第２図の４で示す値以上に保持し、３で示した電
流値の範囲内に戻すとパーマロイ薄膜よりなる磁気抵抗
効果素子の磁界−電流特性は、第１図の曲線１で示す通
電前の特性曲線から第１図の線２で示すような特性に変
化する。即ち、第１図の曲線１で示した特性は三角１数
に従う曲線であるのに対し、ａ２で示す特性は第１図中
のＨｒ −ＨｊおよびＨ１〜Ｈ１で示す磁界の範囲内で
磁界−電流特性は直線になる。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、磁気媒体などからの交
番磁界を検知するため、適当なバイアス磁界を印加して
、第１図で示した磁界−電圧特性の直線性の良好な領域
を使用する。第１図で示した従来の特性では、直線性の
良好な部分が極めて少なく、バイアス磁界も限られた範
囲内の適当な値に調整しないと再生波形が歪む。これに
対して。
番磁界を検知するため、適当なバイアス磁界を印加して
、第１図で示した磁界−電圧特性の直線性の良好な領域
を使用する。第１図で示した従来の特性では、直線性の
良好な部分が極めて少なく、バイアス磁界も限られた範
囲内の適当な値に調整しないと再生波形が歪む。これに
対して。
本発明によれば、磁界−電圧特性の直線範囲が極めて広
いので、バイアス磁界強度の広い範囲で使うことができ
、また、信号磁界の強度が大きくても再生信号波形に歪
が生じない。
いので、バイアス磁界強度の広い範囲で使うことができ
、また、信号磁界の強度が大きくても再生信号波形に歪
が生じない。
実施例２
本発明の通電処理法は、当該パーマロイ磁性膜の磁歪定
数が正の場合に顕著になる。また、パーマロイの組成に
より、通電処理後の磁界−電圧特性も変化する。第２図
３．４．５は、磁歪定数が正である３稿のパーマロイ合
金薄膜を実施例１と同様に処理して得た磁界−電圧特性
である。第１図で示すように、パーマロイの磁歪定数の
差あるいはパーマロイの組成により特性線の勾配が異な
るが、これは当該磁気抵抗効果型ヘッドの使用目的によ
り選択すればよい。磁歪定数が１×ｌＯ°７以下になる
と上記処理の効果は顕著でなくなる。
数が正の場合に顕著になる。また、パーマロイの組成に
より、通電処理後の磁界−電圧特性も変化する。第２図
３．４．５は、磁歪定数が正である３稿のパーマロイ合
金薄膜を実施例１と同様に処理して得た磁界−電圧特性
である。第１図で示すように、パーマロイの磁歪定数の
差あるいはパーマロイの組成により特性線の勾配が異な
るが、これは当該磁気抵抗効果型ヘッドの使用目的によ
り選択すればよい。磁歪定数が１×ｌＯ°７以下になる
と上記処理の効果は顕著でなくなる。
また磁歪定数が１５ｘ１０−ａ以上になると磁気抵抗出
力の低下が著しくなるので、拳法を適用できない。した
がって、本発明の方法に磁歪定数がＩＸ １０”〜１５
Ｘ１０−’の範囲内で有効である。
力の低下が著しくなるので、拳法を適用できない。した
がって、本発明の方法に磁歪定数がＩＸ １０”〜１５
Ｘ１０−’の範囲内で有効である。
実施例３
パーマロイにＲｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、 Ｃｒ、Ｖ等の第３元
素を約５チまで添加した磁歪定数が１×１０−７〜１５
Ｘ１０−’である薄膜素子に同様の処理を行なったもの
でも、実施例１〜２と同じ効果が得られた。
素を約５チまで添加した磁歪定数が１×１０−７〜１５
Ｘ１０−’である薄膜素子に同様の処理を行なったもの
でも、実施例１〜２と同じ効果が得られた。
実施例４
実施例１〜３で述べたパーマロイ薄膜素子に於て１９通
電の代りに短時間素子を加熱することによっても第１図
、第３図で示した特性を得ることができる。例えば、Ｎ
ｉ−２１％Ｆｅ合金よりなる素子を真空中にて電子ビー
ムあるいけレーザビームを当該薄膜に照射して２〜３秒
間加熱すると。
電の代りに短時間素子を加熱することによっても第１図
、第３図で示した特性を得ることができる。例えば、Ｎ
ｉ−２１％Ｆｅ合金よりなる素子を真空中にて電子ビー
ムあるいけレーザビームを当該薄膜に照射して２〜３秒
間加熱すると。
第１図、第３図で示した特性が得られる。また、通常の
真空加熱炉等で短時間加熱して同じ特性を得ることもで
きる。上記の加熱処理のとき、１０６〜１０’Ａ／ｃｔ
ＩＩの通電をしておくと、特性現出が顕著である。
真空加熱炉等で短時間加熱して同じ特性を得ることもで
きる。上記の加熱処理のとき、１０６〜１０’Ａ／ｃｔ
ＩＩの通電をしておくと、特性現出が顕著である。
本発明によれば、磁気抵抗効果素子の磁界−電圧特性の
直線化が可能であり、これを用いた磁気抵抗効果素子の
再生波形の対称性、歪などの向上に極めて大きな効果を
有する。
直線化が可能であり、これを用いた磁気抵抗効果素子の
再生波形の対称性、歪などの向上に極めて大きな効果を
有する。
第１図は、磁界−電圧特性を示す図であり、図中曲線１
は従来のパーマロイ合金からなる磁気抵抗効果膜の場合
を示し、線２は本発明による場合を示す。第２図は、磁
歪定数が正のパーマロイ合金薄膜の電流−出力特性を示
す図である。第３図は、磁歪定数が正のパーマロイ合金
薄膜をそれぞれ本発明の処理した場合の磁界−電圧特性
を示す図である。 第 １ 図 万 ２ 回 電 シ資シ 冨 ３ 図 を及 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第２５４０１、 発明の名称 磁気抵抗効果型素子 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人名 称 （５
１０）株式会社 日 立 製 作 所代 理 人 居 所 〒１００東京都千代田区丸の内−丁目５番１
号株式会社 日 立 製 作 所 内 補正命令の日付 昭和６０年３月２６日補正の対象
明、ｓ書の「発明の詳細な説明」の瀾補正の内容 明細書の第２頁第１７行目から第２０行目の記載を次の
通り訂正する。 「に於ては、例えば“マグネティックスオブスモールマ
グネトレジステイブセンサー”：ジャーナルオブアプラ
イド フィジックス ５５（６）（１９８４）、２２２
６ ：チンツアン著（Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｏｆ ｓｍ
ａｌｌ ｍａｌＨｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ５ｅｎ
ｓｏｒ”：Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ５５ （６）（１９８４）。 ２２２６ ： ｃｈｉｎｇ Ｔｓａｎｇ著）記載のよう
に、その出力電圧は磁界に対して」 以上
は従来のパーマロイ合金からなる磁気抵抗効果膜の場合
を示し、線２は本発明による場合を示す。第２図は、磁
歪定数が正のパーマロイ合金薄膜の電流−出力特性を示
す図である。第３図は、磁歪定数が正のパーマロイ合金
薄膜をそれぞれ本発明の処理した場合の磁界−電圧特性
を示す図である。 第 １ 図 万 ２ 回 電 シ資シ 冨 ３ 図 を及 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第２５４０１、 発明の名称 磁気抵抗効果型素子 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人名 称 （５
１０）株式会社 日 立 製 作 所代 理 人 居 所 〒１００東京都千代田区丸の内−丁目５番１
号株式会社 日 立 製 作 所 内 補正命令の日付 昭和６０年３月２６日補正の対象
明、ｓ書の「発明の詳細な説明」の瀾補正の内容 明細書の第２頁第１７行目から第２０行目の記載を次の
通り訂正する。 「に於ては、例えば“マグネティックスオブスモールマ
グネトレジステイブセンサー”：ジャーナルオブアプラ
イド フィジックス ５５（６）（１９８４）、２２２
６ ：チンツアン著（Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｏｆ ｓｍ
ａｌｌ ｍａｌＨｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ５ｅｎ
ｓｏｒ”：Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ５５ （６）（１９８４）。 ２２２６ ： ｃｈｉｎｇ Ｔｓａｎｇ著）記載のよう
に、その出力電圧は磁界に対して」 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁歪定数が１×１０＾−＾７〜１５×１０＾−＾６
であり、かつＮｉとＦｅの合金からなるパーマロイ合金
薄膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型素子。 ２ 前記パーマロイ合金薄膜の磁界−出力電圧特性が直
線関係を示すことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の磁気抵抗効果型素子。 ３、当該パーマロイ薄膜に所定の電流を流すことによつ
て当該薄膜の磁界−出力電圧特性を非直線関係から直線
関係に変えた特許請求の範囲第２項記載の磁気抵抗効果
型素子。 ４、当該パーマロイ薄膜の磁界−出力電圧特性を非直線
関係から直線関係とするために、所定の温度で熱処理し
た特許請求の範囲第２項記載の磁気抵抗効果型素子。 ５、パーマロイを基とし、第３元素を添加してなる合金
薄膜で、磁歪定数が１×１０＾−＾７〜１５×１０＾−
＾６である特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型
素子。 ６、前記パーマロイ合金薄膜の磁界−出力電圧特性を非
直線関係から直線とするために所定の電流を通じて処理
された特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型素子
。 ７、その磁界−出力電圧特性を非直線関係から直線とす
るために所定の熱処理を行なつた特許請求の範囲第１項
記載の磁気抵抗効果型素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59254015A JPS61133678A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 磁気抵抗効果型素子 |
| DE19853542280 DE3542280A1 (de) | 1984-12-03 | 1985-11-29 | Magnetoresistive vorrichtung |
| US07/063,773 US4769093A (en) | 1984-12-03 | 1987-06-24 | Magnetoresistive device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59254015A JPS61133678A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 磁気抵抗効果型素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133678A true JPS61133678A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17259066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59254015A Pending JPS61133678A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 磁気抵抗効果型素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4769093A (ja) |
| JP (1) | JPS61133678A (ja) |
| DE (1) | DE3542280A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089060A (en) * | 1990-09-28 | 1992-02-18 | General Motors Corporation | Thermomagnetically patterned magnets and method of making same |
| DE19614460A1 (de) * | 1996-04-12 | 1997-10-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines GMR-Brückensensors sowie GMR-Brückensensor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3117896A (en) * | 1960-04-01 | 1964-01-14 | Gen Electric | Thin magnetic films |
| US3846185A (en) * | 1968-09-11 | 1974-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Method of producing semi-hard magnetic ni-cu-fe alloys and the resulting product |
| US3582408A (en) * | 1968-09-24 | 1971-06-01 | Rca Corp | Magnetostrictive element |
| US3723106A (en) * | 1969-05-23 | 1973-03-27 | Driver Co Wilbur B | Magnetic alloy |
| DE3026498C2 (de) * | 1980-07-12 | 1987-01-08 | Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen | Verwendung von Ringbandkernen |
| JPS57101633A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | Magnetic alloy used for head of magnetic recording, play back and manufacture thereof |
| US4572750A (en) * | 1983-07-21 | 1986-02-25 | The Foundation: The Research Institute Of Electric And Magnetic Alloys | Magnetic alloy for magnetic recording-reproducing head |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP59254015A patent/JPS61133678A/ja active Pending
-
1985
- 1985-11-29 DE DE19853542280 patent/DE3542280A1/de active Granted
-
1987
- 1987-06-24 US US07/063,773 patent/US4769093A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4769093A (en) | 1988-09-06 |
| DE3542280C2 (ja) | 1990-09-20 |
| DE3542280A1 (de) | 1986-06-05 |
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