JPS6113318B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は円筒磁区素子や半導体素子を用いたシ
フトレジスタを基本構成要素とするメイジヤマイ
ナループ方式の記憶素子を用いた記憶装置に関す
るものである。そのうちの特に記憶情報を読取り
あるいは書込むときの情報識別に関するもので
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a memory device using a Meijer minor loop type memory element whose basic component is a shift register using a cylindrical magnetic domain element or a semiconductor element. This particularly concerns information identification when reading or writing stored information.

円筒磁区記憶装置に使用される第１図に示すご
とき円筒磁区素子の構成が、1971年６月に発行さ
れた雑誌「サイエンテイフイクアメリカン」
（Scientific American）、第224巻、第６号、第78
頁〜第90頁（文献１）、そのうちの第90頁に提案
されている。図において矢印のある実線は円筒磁
区（磁区）の移動路を表わしている。複数個のマ
イナループ１１１〜１１６には情報が記憶されて
いる。読取り書込みの単位となる情報ブロツクは
各マイナループに分散して記憶されている。な
お、この場合には１個の情報ブロツクに属する情
報は２ビツトずつ各マイナループに記憶されてい
る。各マイナループ１１１〜１１６は各メモリゲ
ート１４１〜１４６を介して入出力部の配置され
ているメイジヤループ１１７に連結されている。
選択すべき情報メモリゲート１４１〜１４６に接
近したときメモリゲートを開いてメイジヤループ
１１７に移動する。入力部は回転磁界の１周期毎
に磁区を発生する磁区発生器１３１と磁区消去器
１３２と書込みゲート１４７からなり、出力部は
磁区消去器１３３と消去ゲート１４８からなる消
去部と磁区検出器１３４から構成される。読取
り・書込みの動作の説明は前記文献１に詳細にな
されているので参照されたい。 The configuration of the cylindrical domain element shown in Figure 1 used in cylindrical domain storage devices was published in the magazine "Scientific American" in June 1971.
(Scientific American), Volume 224, No. 6, No. 78
Pages 90 to 90 (Reference 1), of which it is proposed on page 90. In the figure, a solid line with an arrow represents a moving path of a cylindrical magnetic domain (magnetic domain). Information is stored in the plurality of minor loops 111-116. Information blocks, which are units of reading and writing, are distributed and stored in each minor loop. In this case, two bits of information belonging to one information block are stored in each minor loop. Each of the minor loops 111 to 116 is connected to a major loop 117 in which an input/output section is arranged via each of the memory gates 141 to 146.
When approaching the information memory gates 141 to 146 to be selected, the memory gates are opened and the process moves to the mager loop 117. The input section consists of a magnetic domain generator 131 that generates a magnetic domain every cycle of the rotating magnetic field, a magnetic domain eraser 132, and a write gate 147, and the output section includes an erase section consisting of a magnetic domain eraser 133 and an erase gate 148, and a magnetic domain detector 134. It consists of Please refer to the above-mentioned document 1 for a detailed explanation of the read/write operations.

従来、選択すべき情報の識別は次のようになさ
れていた。マイナループと同じビツト数のタイミ
ングループを設け、これに１個の磁区を入れてマ
イナループの情報の移動と同期してこの磁区を移
動し、タイミングループの特定磁区位置に１個の
磁区が存在する時刻におけるマイナループの磁区
位置の情報を基準にして、情報の識別を行なつて
いた。この具体例は1973年６月25日に発行された
電子通信学会主催の電子部品・材料研究会資料
CPM73―29にある。 Conventionally, information to be selected has been identified as follows. Set up a timing loop with the same number of bits as the minor loop, put one magnetic domain in it, move this magnetic domain in synchronization with the movement of information in the minor loop, and determine the time when one magnetic domain exists at a specific magnetic domain position in the timing loop. Information was identified based on the information on the magnetic domain position of the minor loop in . A specific example of this is a document from the Electronic Components and Materials Study Group sponsored by the Institute of Electronics and Communication Engineers, published on June 25, 1973.
Found in CPM73-29.

タイミングループに存在する１個の磁区を検出
するためには、磁区検出器と増巾器を必要とする
ので、タイミングループの存在は価格低減のネツ
クになつていた。しかも、電力消費を減らす目的
で円筒磁区素子に加えられる回転磁界が選択的に
加えられる、いいかえると複数個存在する円筒磁
区素子のうちの特定の円筒磁区素子群で読取り書
込みを行なうためのその部分のみに回転磁界が印
加されるような記憶装置では、回転磁界が同時に
印加される円筒磁区素子群につき１個のタイミン
グループを必要とする。この結果電力消費低減と
いう目的は達成されるが、価格は上昇してしま
う。 In order to detect one magnetic domain present in a timing loop, a magnetic domain detector and an amplifier are required, so the existence of a timing loop has become a key to cost reduction. Moreover, for the purpose of reducing power consumption, the rotating magnetic field applied to the cylindrical magnetic domain element is selectively applied to that part of the cylindrical magnetic domain element for reading and writing in a specific group of cylindrical magnetic domain elements among the plurality of cylindrical magnetic domain elements. In a storage device in which a rotating magnetic field is applied only to the magnetic field, one timing loop is required for each group of cylindrical domain elements to which the rotating magnetic field is simultaneously applied. As a result, the objective of reducing power consumption is achieved, but the price increases.

本発明の目的は、メイジヤマイナループ方式の
記憶素子の記憶装置に従来のごときタイミングル
ープを設けないで、価格の低下を実現することに
ある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to reduce the cost by not providing a conventional timing loop in a memory device using a Meijer minor loop type memory element.

本発明によれば、記憶情報が格納されている複
数個の記憶情報用マイナループと、アドレス位置
を制御する制御情報が格納されている１個もしく
は２個以上の制御情報用マイナループと、入力部
と出力部の配置されている移動路と、前記マイナ
ループと前記移動路間で情報の転送を制御する手
段とを含む記憶素子を用いた記憶装置において、
前記記憶情報を格納するアドレス位置に対応する
ブロツクアドレスとは異なるアドレス位置に、前
記制御情報と対応するブロツクアドレスを設けて
前記制御情報を格納し、前記制御情報に基づいて
アドレス位置がセツトされ、前記記憶情報及び前
記制御情報の移動に対応して内容が変化するカウ
ンタを含み、前記カウンタの内容に基づいてマイ
ナループの情報を識別することを特徴とする記憶
装置が得られる。 According to the present invention, a plurality of storage information minor loops in which storage information is stored, one or more control information minor loops in which control information for controlling address positions is stored, and an input section. A storage device using a storage element including a travel path in which an output unit is arranged, and means for controlling transfer of information between the minor loop and the travel path,
storing the control information by providing a block address corresponding to the control information at an address position different from the block address corresponding to the address position where the storage information is stored, and setting the address position based on the control information; There is obtained a storage device characterized in that it includes a counter whose contents change in accordance with the movement of the storage information and the control information, and that information of a minor loop is identified based on the contents of the counter.

次にこの発明について図面を参照して説明す
る。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第２図は本発明の実施例の一部を示す。第１図
の磁区検出部１３４の出力線は端子２１６に接続
されている。増巾器２０１の出力は磁区検出器１
３４に最近接している磁区位置に磁区が存在して
いるとき論理レベル“１”となるものとする。増
巾器２０１の出力はANDゲート２０２と２０３
の一方の入力に接続される。ANDゲート２０２
の他方の入力には信号線２１２を径て制御回路２
０６から信号が与えられ、ANDゲート２０３の
他方の入力には信号線２１３を径て制御回路２０
６から信号が与えられる。ANDゲート２０２の
出力はORゲート２０４の一方の入力となり、OR
ゲート２０４の他方の入力には信号線２１４を経
て制御回路２０６から信号が与えられる。ORゲ
ート２０４の出力はカウンタ２０５のリセツト端
子に与えられる。ANDゲート２０３の出力は出
力信号端子２１８に供給される。信号線２１２，
２１３，２２１４，２１５の各信号は、特定期間
に“１”になる信号、信号線２１２の信号とコン
プリメントの信号で特定期間に“０”になる信
号、外部リセツト信号、情報が１ビツト移動する
ごとに発生するパルス信号である。 FIG. 2 shows part of an embodiment of the invention. The output line of the magnetic domain detection section 134 in FIG. 1 is connected to the terminal 216. The output of the amplifier 201 is the magnetic domain detector 1
It is assumed that the logic level is "1" when a magnetic domain exists at the magnetic domain position closest to 34. The output of amplifier 201 is AND gate 202 and 203
connected to one input of the AND gate 202
The control circuit 2 is connected to the other input via the signal line 212.
A signal is given from the control circuit 20 through the signal line 213 to the other input of the AND gate 203.
A signal is given from 6. The output of AND gate 202 becomes one input of OR gate 204,
A signal is applied to the other input of gate 204 from control circuit 206 via signal line 214 . The output of OR gate 204 is applied to the reset terminal of counter 205. The output of AND gate 203 is provided to output signal terminal 218. signal line 212,
Each of the signals 213, 2214, and 215 is a signal that becomes "1" in a specific period, a signal that is a complement to the signal on the signal line 212 and becomes "0" in a specific period, an external reset signal, and a signal that shifts information by one bit. This is a pulse signal that is generated every time.

次に記憶装置の動作について説明する。記憶装
置の使用開始時には、先ず記憶素子の全磁区を消
去する。次に信号線２１２の信号を“１”にした
ままメイジヤループに１個の磁区を入力して移動
し、磁区検出器１３４に磁区が存在する時間に増
巾器２０１の出力“１”でカウンタ２０５をリセ
ツト（カウンタの内容を零にセツト）する。続い
て信号線２１２の信号を“０”とする。メイジヤ
ループ内の１個の磁区をさらに移動せしめた後、
この磁区と次の磁区位置の磁区なしで表わされる
“１”“０”を２ビツトの情報としてマイナループ
の１つである制御情報用マイナループに格納す
る。したがつて制御情報用マイナループには１個
の“１”のみが存在する。カウンタ２０５の内容
はリセツト後には、記憶素子で情報が１ビツト移
動することに信号線２１５のパルスによつて内容
が“１”だけ増加する。カウンタ２０５は、マイ
ナループのビツト数をBmとしたときBm進カウン
タである。 Next, the operation of the storage device will be explained. When starting to use a storage device, first all magnetic domains of the storage element are erased. Next, input one magnetic domain to the mager loop while keeping the signal on the signal line 212 at "1" and move it, and when the magnetic domain is present in the magnetic domain detector 134, the output of the amplifier 201 is set to "1" and the counter is activated. 205 (set the contents of the counter to zero). Subsequently, the signal on the signal line 212 is set to "0". After moving one magnetic domain in the magia loop further,
This magnetic domain and "1" and "0" expressed without a magnetic domain at the next magnetic domain position are stored as 2-bit information in a control information minor loop, which is one of the minor loops. Therefore, only one "1" exists in the control information minor loop. After the contents of the counter 205 are reset, the contents are incremented by "1" due to the pulse on the signal line 215 as the information moves by one bit in the storage element. The counter 205 is a Bm-adic counter where the number of bits of the minor loop is Bm.

各マイナループの磁区位置１６１と１６２が、
カウンタ２０５の内容が零のとき第０番目の情報
ブロツクに属する情報の記憶位置となり、カウン
タ２０５の内容がｎ（偶数）のときには、第ｎ／２番 目の情報ブロツクに属する情報の記憶位置となる
ように読取り書込みの動作を行なわしめると、カ
ウンタ２０５の内容に基づいて情報の識別が可能
となる。 The magnetic domain positions 161 and 162 of each minor loop are
When the content of the counter 205 is zero, this is the storage location of the information belonging to the 0th information block, and when the content of the counter 205 is n (an even number), it is the storage location of the information belonging to the n/2th information block. When reading and writing operations are performed in this manner, information can be identified based on the contents of the counter 205.

なお、通常の読取り書込み動作時には信号線２
１３の信号は“１”となつているので、増幅器２
０１の出力は、ANDゲート２０３を経て出力信
号端子２１８に供給される。 Note that during normal read/write operations, signal line 2
Since the signal at 13 is “1”, amplifier 2
The output of 01 is supplied to the output signal terminal 218 via the AND gate 203.

記憶装置を休止状態すなわち電源オフの状態に
したときや、記憶素子を装置から取りはずしたと
きでも、記憶情報用のマイナループや制御情報用
マイナループの磁区の状態は変化しない。 Even when the storage device is put into a dormant state, that is, the power is turned off, or when the storage element is removed from the device, the states of the magnetic domains of the storage information minor loop and the control information minor loop do not change.

したがつて再び記憶装置を動作させる場合や記
憶素子を装置に装着する場合、カウンタ２０５を
制御情報に基づいてリセツトし、その後の読取り
動作を備えることができる。次にカウンタ２０５
のリセツトについて説明する。制御情報用マイナ
ループと記憶情報用マイナループとを特に区別せ
ず、各マイナループの２ビツトずつからなる情報
ブロツクを順次メイジヤループに転送し、特定期
間に信号線２１２の信号を“１”にしてその期間
に磁区検出器１３４に磁区が存在するとき、カウ
ンタ２０５をリセツトすればよい。特定期間は制
御情報用マイナループと磁区検出器とのビツト間
隔で定まるが、この具体的例は次に示される。 Therefore, when the storage device is operated again or a storage element is installed in the device, the counter 205 can be reset based on the control information to prepare for the subsequent read operation. Next, the counter 205
This section explains how to reset. Without making any particular distinction between the minor loop for control information and the minor loop for storage information, the information block consisting of 2 bits of each minor loop is sequentially transferred to the major loop, and the signal on the signal line 212 is set to "1" during a specific period, and the signal is set to "1" during that period. When a magnetic domain exists in the magnetic domain detector 134, the counter 205 may be reset. The specific period is determined by the bit interval between the control information minor loop and the magnetic domain detector, and a specific example of this is shown below.

第３図は本発明の記憶装置の記憶素子の磁区の
状態を示すものである。制御情報用マイナループ
３０１、記憶情報用マイナループ３０２〜３０５
は18ビツトのシフトレジスタである。メイジヤル
ープ３０６は各マイナループのビツト数より１ビ
ツト少ないシフトレジスタである。なお、入出力
部は省略されている。第３図ａは、記憶素子の全
磁区を消去してのちメイジヤループ３０６に入力
され移動された１個の磁区がメイジヤループ３０
６の磁区検出器のある磁区位置０に達した状態を
示している。このときに18進カウンタとしてのカ
ウンタ２０５がリセツトされる。第３図ｂはこの
磁区が制御情報用マイナループ３０１に格納され
た状態を示している。メイジヤループ３０６の磁
区位置０からマイナループ３０１の磁区位置３ま
では18ビツト間隔なので、第３図ｂの状態に達し
たとき情報１ビツト移動するごとに増加し零から
数えて17まで数えるカウンタ２０５の内容は再び
零となる。この後で行なわれる読取り書込みの動
作では、カウンタ２０５の内容がｎ（偶数）のと
き、零から数えて第ｎ／２番目の情報ブロツクの情報 が各マイナループ３０２〜３０５の磁区位置１７
と１６に存在するものとして、カウンタ２０５の
内容に基づいて情報ブロツクを選択することが可
能になる。したがつて、例えばマイナループ３０
１に存在する唯一個の磁区が、磁区位置３、ある
いは磁区位置５、あるいは磁区位置７にあれば、
マイナループ３０２〜３０５の磁区位置１７と１
６には、第０番目、あるいは第１番目、あるいは
第２番目の情報ブロツクが存在している。記憶装
置が休止状態のあと再び動作状態になつたとき、
あるいは記憶素子を再び記憶装置に装着したあと
に、カウンタ２０５をリセツトする方法を述べよ
う。制御情報用マイナループ３０１と記憶情報用
マイナループ３０２〜３０６を区別せずに、次々
と情報ブロツクを読取り、メイジヤループ３０６
に転送後、４ビツトあるいは５ビツトの移動で磁
区検出器のある磁区位置０に磁区が存在するよう
な状態、すなわち第３図ａの状態になつたとき、
カウンタ２０５の内容をリセツトする。この時、
マイナループ３０２〜３０５の磁区位置１７と１
６には、第０番目の情報ブロツクが存在している
ので、以後カウンタ２０５の内容に基づく情報ブ
ロツクの選択が可能になる。この磁区は再び制御
情報用マイナループ３０１に格納される。 FIG. 3 shows the state of the magnetic domains of the memory element of the memory device of the present invention. Minor loop 301 for control information, minor loop 302 to 305 for storage information
is an 18-bit shift register. Major loop 306 is a shift register with one bit less than the number of bits in each minor loop. Note that the input/output section is omitted. FIG. 3a shows that after erasing all the magnetic domains of the storage element, one magnetic domain that is input and moved to the magyar loop 306 is transferred to the magyar loop 306.
6 shows a state in which the magnetic domain detector No. 6 has reached a certain magnetic domain position 0. At this time, counter 205 as a hexadecimal counter is reset. FIG. 3b shows a state in which this magnetic domain is stored in the minor loop 301 for control information. Since there is an interval of 18 bits from the magnetic domain position 0 of the major loop 306 to the magnetic domain position 3 of the minor loop 301, when the state shown in FIG. The content becomes zero again. In the read/write operation to be performed after this, when the content of the counter 205 is n (even number), the information of the n/2nd information block counting from zero is the magnetic domain position 17 of each minor loop 302 to 305.
and 16, it becomes possible to select an information block based on the contents of counter 205. Therefore, for example, the minor loop 30
If the only magnetic domain existing in 1 is at magnetic domain position 3, or magnetic domain position 5, or magnetic domain position 7, then
Magnetic domain positions 17 and 1 of minor loops 302 to 305
6, the 0th, first, or second information block exists. When the storage device becomes operational again after hibernation,
Alternatively, a method for resetting the counter 205 after reinstalling the memory element in the memory device will be described. The information blocks are read one after another without distinguishing between the minor loop 301 for control information and the minor loops 302 to 306 for storage information, and the major loop 306
When a magnetic domain exists at magnetic domain position 0 in the magnetic domain detector by moving 4 or 5 bits after transfer to , the state shown in Figure 3a is reached,
The contents of counter 205 are reset. At this time,
Magnetic domain positions 17 and 1 of minor loops 302 to 305
Since the 0th information block exists in 6, the information block can be selected based on the contents of the counter 205 from now on. This magnetic domain is stored in the control information minor loop 301 again.

第３図の例では、マイナループ３０１の唯１個
の磁区は、読取り時に第７番目の情報ブロツクが
選択されると、この情報と共にメイジヤループ３
０６に転送される。一般に、通常の読取り書込み
の動作では、制御用情報を記憶するマイナループ
３０１からの磁区の転送はない方が望ましい。こ
こで、第０番目から第７番目が外部から指定され
てアクセスされる情報ブロツクとする。この場合
には、第８番目の情報ブロツクはアクセスされる
ことはない。したがつて、マイナループ３０１の
唯１個の磁区を、マイナループ３０２〜３０５の
第８番目の情報ブロツクの格納位置と同じ位置に
格納すればよい。このようにするため、初期設定
時や、制御用情報磁区をマイナループ３０１から
転送して、この磁区が磁区検出器の存在する磁区
位置０に存在するとき、カウンタ２０５を零にセ
ツトする（リセツトする）代りに、２の値にセツ
トすればよい。 In the example of FIG. 3, the only magnetic domain in the minor loop 301 is stored in the minor loop 301 along with this information when the seventh information block is selected during reading.
Transferred to 06. Generally, in normal read/write operations, it is preferable that there is no transfer of magnetic domains from the minor loop 301 that stores control information. Here, the 0th to 7th information blocks are designated and accessed from the outside. In this case, the eighth information block is never accessed. Therefore, it is sufficient to store only one magnetic domain of the minor loop 301 at the same position as the storage position of the eighth information block of the minor loops 302 to 305. In order to do this, the counter 205 is set to zero at the time of initial setting or when the control information magnetic domain is transferred from the minor loop 301 and this magnetic domain exists at the magnetic domain position 0 where the magnetic domain detector exists. ) instead, you can set it to a value of 2.

第３図には、特定の構成のメイジヤマイナルー
プ方式の円筒磁区素子を示した。しかし、本発明
の記憶装置に使用される円筒磁区素子はこれに限
られるものでない。メイジヤループの磁区検出器
の存在する磁区位置から、メイジヤループ、メモ
リゲート、マイナループを経て、さらに再びメモ
リゲートを経て磁区検出器の存在する磁区位置ま
で、磁区が移動する磁区位置の数が、マイナルー
プに存在する磁区位置の数、すなわちビツト数の
整数倍であるようなメイジヤマイナループ方式の
円筒磁区素子であれば、本発明の記憶装置に使用
できる。 FIG. 3 shows a Meijer minor loop type cylindrical magnetic domain element with a specific configuration. However, the cylindrical magnetic domain element used in the storage device of the present invention is not limited to this. The number of magnetic domain positions that a magnetic domain moves from the magnetic domain position where the magyar loop's magnetic domain detector exists, through the magyar loop, memory gate, minor loop, and again through the memory gate to the magnetic domain position where the magnetic domain detector exists, is the minor loop. Any cylindrical magnetic domain element of the Meijer minor loop type can be used in the storage device of the present invention, as long as the number of magnetic domain positions existing in the memory is an integral multiple of the number of bits.

以上、本発明を特定の構成をもつ円筒磁区記憶
素子による記憶装置を例にして説明してきたが、
本発明はどのような構成のメイジヤマイナループ
方式の記憶素子を用いた記憶装置でも実現でき
る。また制御情報用マイナループには唯１個の
“１”を含む制御情報を格納したが、唯１個の
“０”を含む制御情報を用いることもできる。記
憶素子として円筒磁区素子を用いた実施例を説明
したが、本発明の記憶装置は半導体素子などのシ
フトレジスタ形の素子を用いて実現することもで
きる。 The present invention has been explained above using as an example a storage device using a cylindrical magnetic domain storage element having a specific configuration.
The present invention can be realized with a storage device using Meijer-minor-loop storage elements of any configuration. Furthermore, although the control information minor loop stores control information containing only one "1", control information containing only one "0" may also be used. Although an embodiment using a cylindrical domain element as a memory element has been described, the memory device of the present invention can also be realized using a shift register type element such as a semiconductor element.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は従来のメイジヤマイナループ方式の記
憶素子である円筒磁区素子の構成図、第２図は本
発明の記憶装置の実施例の一部、第３図は本発明
の記憶装置の記憶素子の記憶状態を示す図であ
る。 図において、１１１〜１１６はマイナループ、
１１７はメイジヤループ、２０１は増巾器、２０
２と２０３はANDゲート、２０４はORゲート、
２０５はカウンタ、２０６は制御回路、３０１は
制御情報用マイナループ、３０２〜３０５は記憶
情報用マイナループ、３０６はメイジヤループで
ある。 FIG. 1 is a configuration diagram of a cylindrical magnetic domain element which is a conventional Meijer minor loop type storage element, FIG. 2 is a part of an embodiment of the storage device of the present invention, and FIG. 3 is a storage element of the storage device of the present invention. FIG. In the figure, 111 to 116 are minor loops,
117 is the magia loop, 201 is the amplifier, 20
2 and 203 are AND gates, 204 is OR gate,
205 is a counter, 206 is a control circuit, 301 is a minor loop for control information, 302 to 305 are minor loops for storage information, and 306 is a major loop.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] １ 記憶情報が格納されている複数個の記憶情報
用マイナループ、アドレス位置を制御する制御情
報が格納されている１個もしくは２個以上の制御
情報用マイナループと、入力部と出力部の配置さ
れている移動路と、前記マイナループと前記移動
路間で情報の転送を制御する手段とを含む記憶素
子を用いた記憶装置において、前記記憶情報を格
納するアドレス位置に対応するブロツクアドレス
とは異なるアドレス位置に前記制御情報と対応す
るブロツクアドレスを設けて前記制御情報を格納
し、前記制御情報に基づいてアドレス位置がセツ
トされ、前記記憶情報及び前記制御情報の移動に
対応して内容が変化するカウンタを含み、前記カ
ウンタの内容に基づいてマイナループの情報を識
別することを特徴とする記憶装置。1 A plurality of storage information minor loops in which storage information is stored, one or more control information minor loops in which control information for controlling address positions is stored, and an input section and an output section are arranged. an address position different from a block address corresponding to an address position in which the stored information is stored, in a storage device using a storage element including a movement path in which the block address is stored, and means for controlling transfer of information between the minor loop and the movement path; A counter is provided with a block address corresponding to the control information and stores the control information, the address position is set based on the control information, and the contents change in accordance with the movement of the stored information and the control information. A storage device comprising: identifying information on a minor loop based on the contents of the counter.