JPS6113211A - 半導体レ−ザビ−ム合成方法 - Google Patents
半導体レ−ザビ−ム合成方法Info
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- JPS6113211A JPS6113211A JP13449384A JP13449384A JPS6113211A JP S6113211 A JPS6113211 A JP S6113211A JP 13449384 A JP13449384 A JP 13449384A JP 13449384 A JP13449384 A JP 13449384A JP S6113211 A JPS6113211 A JP S6113211A
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- Japan
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- semiconductor laser
- beams
- spot
- cross
- common
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は複数の半導体レーザから出射したレーザビーム
を、共通のスポットにおいて重なり合うように合成する
半導体レーザビームの合成方法、特に詳細には円形に近
い断面形状の合成ビームが得られるようにした半導体レ
ーザビーム合成方法に関するものである。
を、共通のスポットにおいて重なり合うように合成する
半導体レーザビームの合成方法、特に詳細には円形に近
い断面形状の合成ビームが得られるようにした半導体レ
ーザビーム合成方法に関するものである。
（発明の技術的背景および先行技術）
、従来より、光ビームを光偏向器により偏向して走査す
る光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査
読取装置等において広く実用に供されている。このよう
な光ビ、−ム走査装置において光ビームを発生する手段
の１つとして、半導体レーザが従来から用いられている
。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、
安価で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることに
よって直接変調が可能である等、数々の長所を有してい
る。
る光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査
読取装置等において広く実用に供されている。このよう
な光ビ、−ム走査装置において光ビームを発生する手段
の１つとして、半導体レーザが従来から用いられている
。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、
安価で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることに
よって直接変調が可能である等、数々の長所を有してい
る。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、連続発振
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０ｍｗ
と小さく、したがって高エネルギーの走査光を必要とす
る光ご一ム走査駁賀、例えば感度の低い記録材料（金属
膜、アモルファス膜等のＤＲＡＷ材料等）に記録する走
査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０ｍｗ
と小さく、したがって高エネルギーの走査光を必要とす
る光ご一ム走査駁賀、例えば感度の低い記録材料（金属
膜、アモルファス膜等のＤＲＡＷ材料等）に記録する走
査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
また、ある種の螢光体に放射線・（Ｘ線、α線、β線、
γ線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネルギー
の一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視光等の
励起光を照射すると、蓄積されたエネルギーに応じて螢
光体が輝尽発光を示すことが知られており、このような
蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射線画像
情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有する蓄積性螢光
体シートに記録し、この蓄積性螢光体シートをレーザ光
等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得られた
輝尽発光光を光電的に読み出して画像信号を得、この画
像信号に基づき被写体の放射線画像を写真感光材料等の
記録材料、ＣＲＴ等に可視像として出力させる放射線画
像情報記録再生システムが本出願人により既に提案され
ている（特開昭５５−１２４２９号、同５５−１１６３
４０号、同５５−１６３４７２号、同５６−１１３９５
号、同５６−１０４６４５号など）。このシステムにお
いて放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性螢光体シー
トを走査して画像情報の読取りを行なうのに、半導体レ
ーザを用いた光ビーム走査装置の使用が考えられている
が、蓄積性螢光体を輝尽発光させるためには十分に高エ
ネルギーの励起光を該螢光体に照射する必要があり、し
たがって前記半導体レーザを用いた光ビーム走査装置を
、この放射線画像情報記録再生システムにおいて画像情
報読取りのために使用することは極めて難しい。
γ線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネルギー
の一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視光等の
励起光を照射すると、蓄積されたエネルギーに応じて螢
光体が輝尽発光を示すことが知られており、このような
蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射線画像
情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有する蓄積性螢光
体シートに記録し、この蓄積性螢光体シートをレーザ光
等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得られた
輝尽発光光を光電的に読み出して画像信号を得、この画
像信号に基づき被写体の放射線画像を写真感光材料等の
記録材料、ＣＲＴ等に可視像として出力させる放射線画
像情報記録再生システムが本出願人により既に提案され
ている（特開昭５５−１２４２９号、同５５−１１６３
４０号、同５５−１６３４７２号、同５６−１１３９５
号、同５６−１０４６４５号など）。このシステムにお
いて放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性螢光体シー
トを走査して画像情報の読取りを行なうのに、半導体レ
ーザを用いた光ビーム走査装置の使用が考えられている
が、蓄積性螢光体を輝尽発光させるためには十分に高エ
ネルギーの励起光を該螢光体に照射する必要があり、し
たがって前記半導体レーザを用いた光ビーム走査装置を
、この放射線画像情報記録再生システムにおいて画像情
報読取りのために使用することは極めて難しい。
そこで半導体レーザを光ビーム走査装置に用いるに際し
て、上記の通り光出力が低い半導体レーザから十分高エ
ネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レー
ザを使用し、これらの半導体レーザから出射されたレー
ザビームを走査点において重なり合うように合成するこ
とが考えられる。
て、上記の通り光出力が低い半導体レーザから十分高エ
ネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レー
ザを使用し、これらの半導体レーザから出射されたレー
ザビームを走査点において重なり合うように合成するこ
とが考えられる。
一方前述のような光ビーム走査装置においては、主走査
方向と副走査方向の解像力をほぼ合わせるために、走査
ビームの断面形状が正円状であることが望まれる。とこ
ろが周知のように半導体レーザから出射するレーザビー
ムは、半導体レーザのｐｎ接合面に平行な方向と直角な
方向とでそれぞれ拡がり角が異なり、その断面形状は楕
円状となっている。そこで従来上記のように断面形状が
正円状の光ビームが必要とされる場合において、半導体
レーザを使用するに当たっては、半導体レーザから出射
したレーザビームを例えばプリズム等の光学系を用いて
、断面正円状に整形していた。
方向と副走査方向の解像力をほぼ合わせるために、走査
ビームの断面形状が正円状であることが望まれる。とこ
ろが周知のように半導体レーザから出射するレーザビー
ムは、半導体レーザのｐｎ接合面に平行な方向と直角な
方向とでそれぞれ拡がり角が異なり、その断面形状は楕
円状となっている。そこで従来上記のように断面形状が
正円状の光ビームが必要とされる場合において、半導体
レーザを使用するに当たっては、半導体レーザから出射
したレーザビームを例えばプリズム等の光学系を用いて
、断面正円状に整形していた。
しかしながら前記のように高エネルギーの走査ビームを
得るために複数の半導体レーザな用いる場合には、上記
プリズム等の光学系を当然半導体レーザの数だけ使用し
なければならず、走査装置が大型化してしまうし、また
走査装置のコストも高くなる。
得るために複数の半導体レーザな用いる場合には、上記
プリズム等の光学系を当然半導体レーザの数だけ使用し
なければならず、走査装置が大型化してしまうし、また
走査装置のコストも高くなる。
（発明の目的）
そこで本発明は、前述のプリズムのような光学系を使用
せずに、断面略正円状の光ビームを得ることができる複
数の半導体レーザビームの合成方法を提供することを目
的とするものである。
せずに、断面略正円状の光ビームを得ることができる複
数の半導体レーザビームの合成方法を提供することを目
的とするものである。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザビーム合成方法は、前述めように
複数の半導体レーザから出射した断面惰円状の各レーザ
ビームを共通のスポットにおいて重ね合わせる場合に、
各レーザビームを、それぞれのビーム断面の惰円軸が上
記共通のスポット上で互いに略等角度間隔で交差するよ
うに合成することを特徴とするものである。
複数の半導体レーザから出射した断面惰円状の各レーザ
ビームを共通のスポットにおいて重ね合わせる場合に、
各レーザビームを、それぞれのビーム断面の惰円軸が上
記共通のスポット上で互いに略等角度間隔で交差するよ
うに合成することを特徴とするものである。
（実施態様）
以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１実施態様方法を実施する装置を示
すものである。−例として４つの半導体レーザ１１．１
２．１３．１４は互いにビーム出射軸を平行に揃えて配
置され、これらの半導体レーザ１１．１２．１３．１４
のそれぞれに対してコリメータレンズ２１．２２．２３
．２４と、反射ミラー３１．３２．３３．３４が設けら
れている。各半導体レーザ１１．１２．１３．１４から
出射した光ビームは、上記コリメータレンズ２１．２２
．２３．２４によって平行ビーム４１．４２．４３．４
４とされ、この平行ビーム４１．４２．４３．４４は上
記反射ミラー３１．３２．３３．３４により反射されて
、共通のガルバノメータミラー５に入射する。
すものである。−例として４つの半導体レーザ１１．１
２．１３．１４は互いにビーム出射軸を平行に揃えて配
置され、これらの半導体レーザ１１．１２．１３．１４
のそれぞれに対してコリメータレンズ２１．２２．２３
．２４と、反射ミラー３１．３２．３３．３４が設けら
れている。各半導体レーザ１１．１２．１３．１４から
出射した光ビームは、上記コリメータレンズ２１．２２
．２３．２４によって平行ビーム４１．４２．４３．４
４とされ、この平行ビーム４１．４２．４３．４４は上
記反射ミラー３１．３２．３３．３４により反射されて
、共通のガルバノメータミラー５に入射する。
ガルバノメータミラー５は図中矢印六方向に往復回動し
、上記平行ビーム４１．４２．４３．４４を偏向する。
、上記平行ビーム４１．４２．４３．４４を偏向する。
偏向された平行ビーム４１．４２．４３．４４は、共通
の集束レンズ６によって１つのスポットＳに集中される
とともに、それぞれがこのスポットＳにおいて集束され
る。したがって上記スポットＳが照射される位置に被走
査面７を配置り−れば、該被走査面７は、各半導体レー
ザ１１．１２．１３．１４が出射した光ビームが合わせ
られて高エネルギーとなった走査ビームによって矢印Ｂ
方向に走査される。なお通常上記被走査面７は平面とさ
れ、そのために上記集束レンズ６としてｆθレンズが用
いられる。
の集束レンズ６によって１つのスポットＳに集中される
とともに、それぞれがこのスポットＳにおいて集束され
る。したがって上記スポットＳが照射される位置に被走
査面７を配置り−れば、該被走査面７は、各半導体レー
ザ１１．１２．１３．１４が出射した光ビームが合わせ
られて高エネルギーとなった走査ビームによって矢印Ｂ
方向に走査される。なお通常上記被走査面７は平面とさ
れ、そのために上記集束レンズ６としてｆθレンズが用
いられる。
第２図は上記スポットＳにおいて４本の平行ビーム４１
．４２．４３．４４が合成された様子を詳しく示すもの
である。この第２図に示されるように、各半導体レーザ
１１．１２．１３．１４から出射した平行ビーム４１．
４２．４３．４４はそれぞれ、断面惰円状となっている
が、各平行ビーム４１．４２．４３．４４は、それぞれ
の惰円軸Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４が等角度間隔（すなわ
ちこの場合は４５°間隔）で交差するように合成されて
いる。したがって合成された光ビームの断面形状は、周
部で多少の凹凸が有るものの略正円形となっている。
．４２．４３．４４が合成された様子を詳しく示すもの
である。この第２図に示されるように、各半導体レーザ
１１．１２．１３．１４から出射した平行ビーム４１．
４２．４３．４４はそれぞれ、断面惰円状となっている
が、各平行ビーム４１．４２．４３．４４は、それぞれ
の惰円軸Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４が等角度間隔（すなわ
ちこの場合は４５°間隔）で交差するように合成されて
いる。したがって合成された光ビームの断面形状は、周
部で多少の凹凸が有るものの略正円形となっている。
なお上記実施態様においては、ガルバノメータミラー５
から出射した平行ビーム４１．４２．４３．４４は互い
に、ビームの偏向方向と直角な方向に並ぶようになって
いるが、これらの平行ビーム４１．４２．４３．４４は
勿論互いに平行とした上で上記以外の方向に並べられて
もよい。
から出射した平行ビーム４１．４２．４３．４４は互い
に、ビームの偏向方向と直角な方向に並ぶようになって
いるが、これらの平行ビーム４１．４２．４３．４４は
勿論互いに平行とした上で上記以外の方向に並べられて
もよい。
第３図は本発明の第２実施態様方法を実施する装置を示
すものである。本装置において３つの半導体レーザ１１
．１２．１３と反射ミラー３１．３２．３３は、それぞ
れのビーム軸が１つのスポットＳにおいて集中するよう
に配置されている。また各半導体レーザ１１．，１２．
１３のそれぞれに対して、出射した光ビームを上記スポ
ットＳにおいで集束】る集れんビーム５１．５２．５３
とする集束レンズ６１．６２．６３が設けられている。
すものである。本装置において３つの半導体レーザ１１
．１２．１３と反射ミラー３１．３２．３３は、それぞ
れのビーム軸が１つのスポットＳにおいて集中するよう
に配置されている。また各半導体レーザ１１．，１２．
１３のそれぞれに対して、出射した光ビームを上記スポ
ットＳにおいで集束】る集れんビーム５１．５２．５３
とする集束レンズ６１．６２．６３が設けられている。
上記集れんビーム５１．５２．５３はガルバノメータミ
ラー５によって偏向され、上記スポットＳは円弧Ｒを描
いて走査する。したがってこの場合も、上記円弧Ｒに沿
って配された被走査面７は、各半導体し゛−ザ１１．１
２．１３が出射する光ビームが合成された高エネルギ、
−の走査ビーム゛によって走査されるようになる。
ラー５によって偏向され、上記スポットＳは円弧Ｒを描
いて走査する。したがってこの場合も、上記円弧Ｒに沿
って配された被走査面７は、各半導体し゛−ザ１１．１
２．１３が出射する光ビームが合成された高エネルギ、
−の走査ビーム゛によって走査されるようになる。
そしてこの場合も第４図に示されるように、断面惰円状
の各集れんビーム５１．５２．５３を、各惰円軸Ｐ１、
Ｐ２、Ｐ３が互いに略等角瓜間隔（この場合は６０°間
隔）で交差するように合成することにより、合成された
光ビームの断面形状を略正円状のものとすることができ
る。
の各集れんビーム５１．５２．５３を、各惰円軸Ｐ１、
Ｐ２、Ｐ３が互いに略等角瓜間隔（この場合は６０°間
隔）で交差するように合成することにより、合成された
光ビームの断面形状を略正円状のものとすることができ
る。
以上複数の半導体レーザビームを合成した光ビームを走
査する場合の実施態様について説明したが、本発明は合
成ビームを特に走査させない場合においても、合成ビー
ムの断面形状を略正円状にするために適用されうるもの
である。また合成する半導体レーザビームの本数は４本
や３本に限られるものではなく、そして合成されるビー
ム数が多いほど、合成ビームの断面形状はより正円に近
くなる。
査する場合の実施態様について説明したが、本発明は合
成ビームを特に走査させない場合においても、合成ビー
ムの断面形状を略正円状にするために適用されうるもの
である。また合成する半導体レーザビームの本数は４本
や３本に限られるものではなく、そして合成されるビー
ム数が多いほど、合成ビームの断面形状はより正円に近
くなる。
（発明の効果）
以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザビーム合
成方法によれば、光出力の低い半導体レーザビームを合
成して高エネルギーの光ビームを得ることができ、しか
もプリズム等の光学系を用いずに光ビームを断面略正円
状とすることができるので、合成〈−ムを使用する装置
を小型化し、また安価に形成することが可能になる。
成方法によれば、光出力の低い半導体レーザビームを合
成して高エネルギーの光ビームを得ることができ、しか
もプリズム等の光学系を用いずに光ビームを断面略正円
状とすることができるので、合成〈−ムを使用する装置
を小型化し、また安価に形成することが可能になる。
第１図は本発明の第１実ＩＭ態様による半導体レーザビ
ーム合成方法を実施する装置を示す概略斜視図、 第２図は上記方法により合成された光ビームの断面形状
を示す説明図、 第３図は本発明の第２実ｍ態様による半導体レーザビー
ム合成方法を実施する装置を示す概略斜視図、 第４図は上記第２実施態様方法により合成された光ビー
ムの断面形状を示す説明図である。 ６・・・集束レンズ
ーム合成方法を実施する装置を示す概略斜視図、 第２図は上記方法により合成された光ビームの断面形状
を示す説明図、 第３図は本発明の第２実ｍ態様による半導体レーザビー
ム合成方法を実施する装置を示す概略斜視図、 第４図は上記第２実施態様方法により合成された光ビー
ムの断面形状を示す説明図である。 ６・・・集束レンズ
Claims (1)
- 複数の半導体レーザから出射した断面惰円状の各レーザ
ビームを共通のスポットにおいて重ね合わせる半導体レ
ーザビーム合成法において、前記各レーザビームを、そ
れぞれのビーム断面の惰円軸が前記共通のスポット上で
互いに略等角度間隔で交差するように合成することを特
徴とする半導体レーザビーム合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13449384A JPS6113211A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体レ−ザビ−ム合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13449384A JPS6113211A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体レ−ザビ−ム合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113211A true JPS6113211A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0260162B2 JPH0260162B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=15129606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13449384A Granted JPS6113211A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体レ−ザビ−ム合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113211A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1081460A2 (de) * | 1999-08-28 | 2001-03-07 | HILTI Aktiengesellschaft | Laseranordnung für ein mehrstrahliges Laserrichtgerät |
| JP2011133782A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Casio Computer Co Ltd | 光源ユニット及びプロジェクタ |
| JP2012173676A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクター |
| WO2018034055A1 (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | ソニー株式会社 | 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置 |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP13449384A patent/JPS6113211A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1081460A2 (de) * | 1999-08-28 | 2001-03-07 | HILTI Aktiengesellschaft | Laseranordnung für ein mehrstrahliges Laserrichtgerät |
| JP2001124556A (ja) * | 1999-08-28 | 2001-05-11 | Hilti Ag | マルチレーザービーム照準器のレーザー装置 |
| EP1081460A3 (de) * | 1999-08-28 | 2002-07-24 | HILTI Aktiengesellschaft | Laseranordnung für ein mehrstrahliges Laserrichtgerät |
| JP2011133782A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Casio Computer Co Ltd | 光源ユニット及びプロジェクタ |
| JP2012173676A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクター |
| WO2018034055A1 (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | ソニー株式会社 | 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置 |
| JPWO2018034055A1 (ja) * | 2016-08-19 | 2019-06-13 | ソニー株式会社 | 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置 |
| US10824060B2 (en) | 2016-08-19 | 2020-11-03 | Sony Corporation | Light source module, method of manufacturing light source module, and projection-type display unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260162B2 (ja) | 1990-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |