JPS61131534A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS61131534A JPS61131534A JP25294084A JP25294084A JPS61131534A JP S61131534 A JPS61131534 A JP S61131534A JP 25294084 A JP25294084 A JP 25294084A JP 25294084 A JP25294084 A JP 25294084A JP S61131534 A JPS61131534 A JP S61131534A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/462—Injection of preformed charges of material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法にＷする。
特に、トランスファーモールディングマシンを使用して
、複数個の樹脂封止型半導体装置を一工程をもって製造
する方法において、製造歩留りを向上する改良に関する
。
、複数個の樹脂封止型半導体装置を一工程をもって製造
する方法において、製造歩留りを向上する改良に関する
。
（従来の技術）
従来樹脂封止型半導体装置の製造に広く使用されている
トランスファーモールディングマシンは、概略第２図に
示すように構成されている０図において１はポットであ
り、七ツマ−と硬化剤とソルベントとの混合物を射出す
る機能を有し、シリンダ型、スクリュウ−型等が一般で
ある。２はランナーであり、上記の混合物の通路として
の機能を有する。３はゲートであり、上記混合物を各キ
ャビティーに分配拳射出するため、ノズルを形成してい
る。４はキャビティーであり、一般に上型と下型との組
み合わせよりなり、この中に樹脂封止される半導体装置
チップが入れられる。５はベントであり、空気、気化し
たソルベント等のガスを排出する機能を有する。
トランスファーモールディングマシンは、概略第２図に
示すように構成されている０図において１はポットであ
り、七ツマ−と硬化剤とソルベントとの混合物を射出す
る機能を有し、シリンダ型、スクリュウ−型等が一般で
ある。２はランナーであり、上記の混合物の通路として
の機能を有する。３はゲートであり、上記混合物を各キ
ャビティーに分配拳射出するため、ノズルを形成してい
る。４はキャビティーであり、一般に上型と下型との組
み合わせよりなり、この中に樹脂封止される半導体装置
チップが入れられる。５はベントであり、空気、気化し
たソルベント等のガスを排出する機能を有する。
トランスファーモールディングマシンを使用して半導体
装置を樹脂封止するにあたっては、半導体装置チップを
キャビティー４のそれぞれの中に入れて、ポットエから
モノマーと硬化剤とソルベントとの混合物を送出し、ゲ
ート３を介して各キャビティー４中に上記の混合物を射
出し、そこで硬化させ、硬化が完了し起後、キャビティ
＝４を構成する型を開いて樹脂封止された半導体装置を
取出す。
装置を樹脂封止するにあたっては、半導体装置チップを
キャビティー４のそれぞれの中に入れて、ポットエから
モノマーと硬化剤とソルベントとの混合物を送出し、ゲ
ート３を介して各キャビティー４中に上記の混合物を射
出し、そこで硬化させ、硬化が完了し起後、キャビティ
＝４を構成する型を開いて樹脂封止された半導体装置を
取出す。
上記のとおり、トランスファーモールディングマシンを
使用してなす樹脂封止型半導体装置の製造方法はいわゆ
るバッチシステムであるが、一工程をもって多数の樹脂
封止型半導体装置を製造することができ１作業能率が高
い。
使用してなす樹脂封止型半導体装置の製造方法はいわゆ
るバッチシステムであるが、一工程をもって多数の樹脂
封止型半導体装置を製造することができ１作業能率が高
い。
上記せるとおりトランスファーモールディングマシンを
使用してなす樹脂封止型半導体装置の製造方法はバッチ
システムであるから、その作業能率を向上するためには
樹脂硬化に要する時間を短縮することが有効である。そ
のため、使用するモノマーの硬化速度は比較的高く選択
されている。一般に １７５℃における硬化完了までの
時間を規定するゲル化時間を２５〜３０秒程度に程度さ
れている。
使用してなす樹脂封止型半導体装置の製造方法はバッチ
システムであるから、その作業能率を向上するためには
樹脂硬化に要する時間を短縮することが有効である。そ
のため、使用するモノマーの硬化速度は比較的高く選択
されている。一般に １７５℃における硬化完了までの
時間を規定するゲル化時間を２５〜３０秒程度に程度さ
れている。
一方、ボッ１から供給される七ツマ−が各キャビティー
に到着するまでにはいくらかの時間を必う
要とするから、ポットから遠いキャビティーにｊｌよ、
い＜ ６’ｐ’Ｍｈアや７．−カ、□。２８ケる。しか
も、モノマーがポットから遠いキャビティーのゲートま
で到着するまでの期間においては、ポットの射出圧力は
モノマーの送行のために主として使用されるから、この
期間においては各キャビティー中の圧力はあまり上昇し
ない。
に到着するまでにはいくらかの時間を必う
要とするから、ポットから遠いキャビティーにｊｌよ、
い＜ ６’ｐ’Ｍｈアや７．−カ、□。２８ケる。しか
も、モノマーがポットから遠いキャビティーのゲートま
で到着するまでの期間においては、ポットの射出圧力は
モノマーの送行のために主として使用されるから、この
期間においては各キャビティー中の圧力はあまり上昇し
ない。
しかも、各キャビティーのゲート（入口）にはノズルが
設けられているから、ポットに近いキャビティーゲート
部では、七ツマ−が滞留して、ここで硬化が進行してい
る。ランナーの全領域がモノマーによって充満され−ば
、七ツマ−は各キャビティー内に圧入されることになる
が、ポー１ ）に近いキャビティーのゲート部にはすで
に硬化が進行している七ツマ−が滞留しておリモノマー
の流入を妨害するから、このポットに近いキャビティー
には七ツマ−が圧入されに＜＜、気泡が残留しやすい傾
向があり、さらに、キャビティー中の圧力が十分に上昇
しにくい傾向がある。その結果、ポットに近いキャビテ
ィー中で硬化する七ツマ−には空洞が形成されや゛す＜
、シかも、ゲート部で滞留して硬化が進行している七ツ
マ−による七ツマ−の流入妨害により、ポットに近いキ
ャビティーの圧力は十分に上昇しにくいから、この中に
残留した気泡は、十分に圧縮されない状態で硬化するの
で、体積の大きな空洞が形成されやすい傾向がある。こ
の現象をゲートストップ現象といい、トランスファーモ
ールディングマシンを使用してなす樹脂封止型半導体装
置の製造方法に不可避的に付随する欠点である。
設けられているから、ポットに近いキャビティーゲート
部では、七ツマ−が滞留して、ここで硬化が進行してい
る。ランナーの全領域がモノマーによって充満され−ば
、七ツマ−は各キャビティー内に圧入されることになる
が、ポー１ ）に近いキャビティーのゲート部にはすで
に硬化が進行している七ツマ−が滞留しておリモノマー
の流入を妨害するから、このポットに近いキャビティー
には七ツマ−が圧入されに＜＜、気泡が残留しやすい傾
向があり、さらに、キャビティー中の圧力が十分に上昇
しにくい傾向がある。その結果、ポットに近いキャビテ
ィー中で硬化する七ツマ−には空洞が形成されや゛す＜
、シかも、ゲート部で滞留して硬化が進行している七ツ
マ−による七ツマ−の流入妨害により、ポットに近いキ
ャビティーの圧力は十分に上昇しにくいから、この中に
残留した気泡は、十分に圧縮されない状態で硬化するの
で、体積の大きな空洞が形成されやすい傾向がある。こ
の現象をゲートストップ現象といい、トランスファーモ
ールディングマシンを使用してなす樹脂封止型半導体装
置の製造方法に不可避的に付随する欠点である。
（問題点を解決するための手段〕
本発明は、この欠点を解消して、トランスファーモール
ディングマシンを使用してなす樹脂封止型半導体装置の
製造方法慌おいて、製造歩留が向上されている樹脂封止
型半導体装置の製造方法を提供するものであり、七や手
段は、トランスファーモールディングマシンを使用して
、一工程をもって複数個の樹脂封止型半導体装置を製造
する方法において、各樹脂射出工程の当初には後より硬
化速度の遅い樹脂を使用することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法にある。
ディングマシンを使用してなす樹脂封止型半導体装置の
製造方法慌おいて、製造歩留が向上されている樹脂封止
型半導体装置の製造方法を提供するものであり、七や手
段は、トランスファーモールディングマシンを使用して
、一工程をもって複数個の樹脂封止型半導体装置を製造
する方法において、各樹脂射出工程の当初には後より硬
化速度の遅い樹脂を使用することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法にある。
（作用）
上記せる欠点はゲートストップ現象に原因するものであ
り、ゲートストップ現象は、七ツマ−がランナーに充満
して各華ヤビティーのゲートに十分大きな圧力が印加さ
れる前に、ポットに近いキャビティーのゲート付近にお
いて、当初射出−供給された七ツマ−が硬化しているこ
とが原因であるから、各バッチ工程の当初に射出・供給
されてポットに近いキャビティーのゲート部に供給され
る七ツマ−の硬化速度が低ければ、ゲートストップ現象
は発生しない。
り、ゲートストップ現象は、七ツマ−がランナーに充満
して各華ヤビティーのゲートに十分大きな圧力が印加さ
れる前に、ポットに近いキャビティーのゲート付近にお
いて、当初射出−供給された七ツマ−が硬化しているこ
とが原因であるから、各バッチ工程の当初に射出・供給
されてポットに近いキャビティーのゲート部に供給され
る七ツマ−の硬化速度が低ければ、ゲートストップ現象
は発生しない。
そこで、ポットから射出・、供給される七ツマ−の硬化
速度を各バッチの当初においては低く、シ。
速度を各バッチの当初においては低く、シ。
その後は高くすることとして、各バッチの昌初において
ポットから射出−供給され、ポｙ）に近いキャビティー
のゲート部で滞留しやすい七ツマ−の硬化速度を低くし
た今のである。
ポットから射出−供給され、ポｙ）に近いキャビティー
のゲート部で滞留しやすい七ツマ−の硬化速度を低くし
た今のである。
実験の結果によれば、１７５℃におけるゲル化時間は、
当初の射出分は６０秒程度とし、統〈射出分は２５〜３
０秒程度と程度と良好である。
当初の射出分は６０秒程度とし、統〈射出分は２５〜３
０秒程度と程度と良好である。
また、硬化速度を低く選択する七ツマ−の最については
、実験の結果によれば、供給されるモノマー全量の１０
％程度で十分である。この量を大きくすれば、それだけ
ゲートストップ現象防止の効果は増大するが、同時に各
バッチの所要時間がそれだけ長くなり 作業能率を低下
するので、上記の程度が必要にして十分である。なお、
この値は、本来使用されるトランスファーモールディン
グマシンのキャビティーの数、ランナーの容積とキャビ
ティーの総容積との此等機械定数によって決定されるも
のであることは言うまでもない。
、実験の結果によれば、供給されるモノマー全量の１０
％程度で十分である。この量を大きくすれば、それだけ
ゲートストップ現象防止の効果は増大するが、同時に各
バッチの所要時間がそれだけ長くなり 作業能率を低下
するので、上記の程度が必要にして十分である。なお、
この値は、本来使用されるトランスファーモールディン
グマシンのキャビティーの数、ランナーの容積とキャビ
ティーの総容積との此等機械定数によって決定されるも
のであることは言うまでもない。
したがって、七ツマ−をタブレフトとして分割しておい
て、最初にロードするタブレットはゲル化時間の長い物
とし、続いてロードするタブレットのゲル化時間は選択
しうるようにし、実験の結果を勘案しながら、第何タブ
レフトからゲル化時間の短い物に切り替えるかを決定し
うるようにすることが合理的である。
て、最初にロードするタブレットはゲル化時間の長い物
とし、続いてロードするタブレットのゲル化時間は選択
しうるようにし、実験の結果を勘案しながら、第何タブ
レフトからゲル化時間の短い物に切り替えるかを決定し
うるようにすることが合理的である。
、 以下、図面を参照しつ覧１本発明の実施
例に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法についてさら
に説明する。
例に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法についてさら
に説明する。
第１図参照
図ハトランヌファーモールディングマシンの使用状態に
おける断面図である。
おける断面図である。
図において、１はポットであり、２はランナーであり、
３はゲートであり、４はキャビティーであり、５はベン
トである。樹脂封止される半導体装置チップ６はキャビ
ティー４の中に入れられる。７は最初にロードされる七
ツマータブレットであり、１７５℃におけるゲル化時間
は８０秒に選択されている。８は続いてロートされる七
ツマータブレットであり、１７５℃におけるゲル化時間
は２５〜３０秒に選択されている。９はピストンであり
、これを図において下方に押圧して、七ツマ−を射出す
る。最初にロードされたゲル化時間の長いモノマーはポ
ットｌに近いキャビティー４のゲート部に到着滞留する
が、ゲル化時間が長いのでなかなか硬化しない、その間
に七ツマ−はランナー２の中に充満して、高い圧力をも
って各キャビティー４の中に圧入される。このとき、上
記せるように、ポット１に近いキャビティー４のゲート
部には先に到着した七ツマ−が滞留しているが、このモ
ノマーのゲル化時間は長いのでモノマーの流入を妨害し
キャビティー４の圧力上昇を妨害することはなく、全部
のキャビティー４に均一なしかも高い圧力をもってモノ
マーが圧入されることになる。
３はゲートであり、４はキャビティーであり、５はベン
トである。樹脂封止される半導体装置チップ６はキャビ
ティー４の中に入れられる。７は最初にロードされる七
ツマータブレットであり、１７５℃におけるゲル化時間
は８０秒に選択されている。８は続いてロートされる七
ツマータブレットであり、１７５℃におけるゲル化時間
は２５〜３０秒に選択されている。９はピストンであり
、これを図において下方に押圧して、七ツマ−を射出す
る。最初にロードされたゲル化時間の長いモノマーはポ
ットｌに近いキャビティー４のゲート部に到着滞留する
が、ゲル化時間が長いのでなかなか硬化しない、その間
に七ツマ−はランナー２の中に充満して、高い圧力をも
って各キャビティー４の中に圧入される。このとき、上
記せるように、ポット１に近いキャビティー４のゲート
部には先に到着した七ツマ−が滞留しているが、このモ
ノマーのゲル化時間は長いのでモノマーの流入を妨害し
キャビティー４の圧力上昇を妨害することはなく、全部
のキャビティー４に均一なしかも高い圧力をもってモノ
マーが圧入されることになる。
その結果、ゲートストップ現象は発生せず、各キャビテ
ィー４中は気泡が残留しにくく、また。
ィー４中は気泡が残留しにくく、また。
いくらか残留してもその気泡は十分圧縮されてその体積
は小さくなっているので、看過しえない欠陥とはならな
い、そのため製造歩留が大幅に改善される。
は小さくなっているので、看過しえない欠陥とはならな
い、そのため製造歩留が大幅に改善される。
以上説明せるとおり、本発明によれば、トランスファー
モールディングマシンを使用してなす樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、製造歩留が向上されている樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供することができる
。
モールディングマシンを使用してなす樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、製造歩留が向上されている樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供することができる
。
第１図は、本発明の実施例に係る樹脂封止型半導体装置
の製造方法を説明する図である。ｌ＠２図は本発明の実
施に使用されるトランスファーモールディングマシンの
構造図である。 ｌ・・・ポット ２ｅ＊＊ランナー、 ３・争Φゲ
ート、 ４命・・キャビティー、 ５・争・ベント
、 ６・・・半導体装置チップ、 ７拳・・最初に
ロードされる七ノブータブレット。 ８・−−ｍいてロードされる七ノマータブレッ（（醪１
の製造方法を説明する図である。ｌ＠２図は本発明の実
施に使用されるトランスファーモールディングマシンの
構造図である。 ｌ・・・ポット ２ｅ＊＊ランナー、 ３・争Φゲ
ート、 ４命・・キャビティー、 ５・争・ベント
、 ６・・・半導体装置チップ、 ７拳・・最初に
ロードされる七ノブータブレット。 ８・−−ｍいてロードされる七ノマータブレッ（（醪１
Claims (1)
- トランスファーモールディングマシンを使用して、一
工程をもって複数個の樹脂封止型半導体装置を製造する
方法において、各樹脂射出工程の当初には後より硬化速
度の遅い樹脂を使用することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25294084A JPS61131534A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25294084A JPS61131534A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131534A true JPS61131534A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17244271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25294084A Pending JPS61131534A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204122A (en) * | 1990-10-11 | 1993-04-20 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Mold for use in resin encapsulation molding |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25294084A patent/JPS61131534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204122A (en) * | 1990-10-11 | 1993-04-20 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Mold for use in resin encapsulation molding |
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