JPS61129881A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS61129881A JPS61129881A JP59251391A JP25139184A JPS61129881A JP S61129881 A JPS61129881 A JP S61129881A JP 59251391 A JP59251391 A JP 59251391A JP 25139184 A JP25139184 A JP 25139184A JP S61129881 A JPS61129881 A JP S61129881A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）ｍ東上の利用分野
本尭明は光照射により起電力を鈍生する光起電力ｆｋ直
に−Ｔる。
に−Ｔる。
（ロ）従来の妖術
尤雇ａｔ″欠けると起電力を沌生する光起電カ貨ｌ＆１
＃／ｃ於ける文光面渕゛−倫は光電震換作用をな丁牛専
体活性層への光照射を招くぺ（透光性であることが好ま
しい、ａ！米、透光性を轟丁べ（５！光ＩｆｉｌＩ電ａ
はインジクム（ｘｎ）やスズ（５１！Ｌ）の酸化物であ
ろＸｎ＠Ｏ＠ｓ ＢｎＯ１ｓ工τ時にエフ形成されてい
る。斯る透光性導電酸化物（Ｔｏｏ）からなる４樵にあ
っては、そのシート抵抗は＃１０〜５０Ω１０であり１
１ルミ二クム等の＊属材料に比して３Ｎ以上高い丸めに
、このｉ４極に於いて偽かなからも電力損失が殆生し、
巣電効軍を低下せしめる原因となる。
＃／ｃ於ける文光面渕゛−倫は光電震換作用をな丁牛専
体活性層への光照射を招くぺ（透光性であることが好ま
しい、ａ！米、透光性を轟丁べ（５！光ＩｆｉｌＩ電ａ
はインジクム（ｘｎ）やスズ（５１！Ｌ）の酸化物であ
ろＸｎ＠Ｏ＠ｓ ＢｎＯ１ｓ工τ時にエフ形成されてい
る。斯る透光性導電酸化物（Ｔｏｏ）からなる４樵にあ
っては、そのシート抵抗は＃１０〜５０Ω１０であり１
１ルミ二クム等の＊属材料に比して３Ｎ以上高い丸めに
、このｉ４極に於いて偽かなからも電力損失が殆生し、
巣電効軍を低下せしめる原因となる。
この集電効単の低下に鑑み従来の単結晶型太陽電池中侍
囲昭５９−５０５７６号公報の如く受光向備に金属製の
格子状（グリッド状）の集電ａを設ける２Ｆ＆が多用さ
れて−る。
囲昭５９−５０５７６号公報の如く受光向備に金属製の
格子状（グリッド状）の集電ａを設ける２Ｆ＆が多用さ
れて−る。
然し乍ら、Ｍる構造によれば電力損失対策にりいては有
９ｈな手段となり侍るものＯ，上杷工ｎ舅０ハ”０Ｒ１
ＩＴＯ・等のＴｏｏからなる透明１４極層上に格子状ｍ
＊樵を突出形式すると１該果電檎が肉薄な牛光 部体活性層をＪ［ｊｌｉｉＬ受元圓か受光て背向の背圓
電へ 樵）−七直徴１Ｍ台したりｔ１重結合しないｌでも光活
性ノー中の千４Ｌ坏償むを部分的に破壊する危惧を有し
ていた・ 本＆ｌｌ出戚人はＭる危惧に鑑み、透明電極層に溝部を
形尻し、その溝部に良導電性の集電極を埋め込み党光向
ｇｌＩＩ＊一層の露出面を平坦化し次光起電力装置１を
特１１１１１＠５７−２３１２６９号（特開昭５９−１
１７２７５号公報）として出願している。斯る燻造にＬ
れば受光面９ａ電極層の４出面の平坦化にＬり果′ｉｔ
ａが牛等体党活性層【貰造する事故はなくなるものの、
平坦化するための４１！ｉ！遣方法は―しく１’ｌｆ業
性の欠如を招く。
９ｈな手段となり侍るものＯ，上杷工ｎ舅０ハ”０Ｒ１
ＩＴＯ・等のＴｏｏからなる透明１４極層上に格子状ｍ
＊樵を突出形式すると１該果電檎が肉薄な牛光 部体活性層をＪ［ｊｌｉｉＬ受元圓か受光て背向の背圓
電へ 樵）−七直徴１Ｍ台したりｔ１重結合しないｌでも光活
性ノー中の千４Ｌ坏償むを部分的に破壊する危惧を有し
ていた・ 本＆ｌｌ出戚人はＭる危惧に鑑み、透明電極層に溝部を
形尻し、その溝部に良導電性の集電極を埋め込み党光向
ｇｌＩＩ＊一層の露出面を平坦化し次光起電力装置１を
特１１１１１＠５７−２３１２６９号（特開昭５９−１
１７２７５号公報）として出願している。斯る燻造にＬ
れば受光面９ａ電極層の４出面の平坦化にＬり果′ｉｔ
ａが牛等体党活性層【貰造する事故はなくなるものの、
平坦化するための４１！ｉ！遣方法は―しく１’ｌｆ業
性の欠如を招く。
ト１ 発明が解決しょうとする問題点
木発１ｊＩＩはｍ罐樵が牛辱体光活性層をＸ週する事故
を回避する上で惠要な受光向側竜樵増の平坦化か暖しく
ｎ１補注の欠如を招く点を解決し−ク七するものである
。
を回避する上で惠要な受光向側竜樵増の平坦化か暖しく
ｎ１補注の欠如を招く点を解決し−ク七するものである
。
に）問題点を解決する九めの手段
本発明に上述の如き間１１１１Ａを解決すべく、千尋り
体石性層の受光面側に、その一部分を還元処理に八
１り５編化し７′ｅ透光性辱゛喝曖化物からなろ欠元曲
噸樵鳩′ｆＩ：ａｌ装置し７を構成にｂりｔ上記還元処
理は瀘元剤′＃Ｉａｌ気中でのレーザビームの照射、或
いは通訳プラズマ感層等により施さｎる。
噸樵鳩′ｆＩ：ａｌ装置し７を構成にｂりｔ上記還元処
理は瀘元剤′＃Ｉａｌ気中でのレーザビームの照射、或
いは通訳プラズマ感層等により施さｎる。
（ホ）作用
上層の如く、通元注４電綬化物の一部分に逮元厖ＪＭｔ
ＩＭ丁ことに１って、上紀瀘元凪理に上記萼電敵化物の
一部分を誠属化丁べ（ｆｆ用する。
ＩＭ丁ことに１って、上紀瀘元凪理に上記萼電敵化物の
一部分を誠属化丁べ（ｆｆ用する。
（へ）冥厖例
講１区は本艷明元起電力装置〇−夷處例を不丁折−凶、
第２凶にその装置Ｏ製造途中の状態を示す廚伐凶で、１
１Ｊは発゛罐に憂与する受光向を司どるべ（還元性の材
料例えばガクスからなる叉！９基板１１２１に該叉Ｒ＆
板…の一万の３ＥｒｊＩＪに被層され等照性を付４する
Ｘｎ ｇｏ Ｉｓ ｌ１ｎＯ！、ＺＴＯ、ＺｎＯ、Ｔｉ
０１、金属シリナイド等の造元住辱゛鴫賊化ＩＩ＋（τ
”）ＶＩＩＩｓ１！ＪｔｚａＴ、Ｏｏｌｌｉｔｇｌｏシ
ー）燃［ｔｔＦ？Ｌ＆＞ルヘは例えば第２凶の即くマト
リックス状をなし、ＨｂＦ ！＋１０ｊ！％ Ｂｒ ！
％工虞、ハイドロキノ７などの道元性員体雰ｌ気中、或
いａヨク索靜請求、−エム１■４静敵などの還元性液体
を塗布した状態でのレーザビームの照射ｉしくにマスク
を介した選択プラズマ錫層により上記還元処理が施され
る。こＯ集″４種Ｉｌ＋は叉持基板１１１の一主面に一
様１ｃ被着され７ｔＴＯＯ層＋２１を品分的に金属化す
るものであるｋめに、この集電＠（３）は７００層（！
１から突出するに至らずこの鉤者からなる受光血電楓層
（４１の旙出面は平坦となる・ シクン、７］化シリコンなどのシリコン化合物ガスを主
反応ガス七する周知ＯグクズマＣｖＤ決によＥｆｆｅｆ
Ｒ，された１モル７アスシリコン系の牛萼体かうなり、
光照射がある５几及び電子を９＠生丁べ八 く膜面に平行なＰｘＭ接合の如き牛辱体接合を備えてい
る。
第２凶にその装置Ｏ製造途中の状態を示す廚伐凶で、１
１Ｊは発゛罐に憂与する受光向を司どるべ（還元性の材
料例えばガクスからなる叉！９基板１１２１に該叉Ｒ＆
板…の一万の３ＥｒｊＩＪに被層され等照性を付４する
Ｘｎ ｇｏ Ｉｓ ｌ１ｎＯ！、ＺＴＯ、ＺｎＯ、Ｔｉ
０１、金属シリナイド等の造元住辱゛鴫賊化ＩＩ＋（τ
”）ＶＩＩＩｓ１！ＪｔｚａＴ、Ｏｏｌｌｉｔｇｌｏシ
ー）燃［ｔｔＦ？Ｌ＆＞ルヘは例えば第２凶の即くマト
リックス状をなし、ＨｂＦ ！＋１０ｊ！％ Ｂｒ ！
％工虞、ハイドロキノ７などの道元性員体雰ｌ気中、或
いａヨク索靜請求、−エム１■４静敵などの還元性液体
を塗布した状態でのレーザビームの照射ｉしくにマスク
を介した選択プラズマ錫層により上記還元処理が施され
る。こＯ集″４種Ｉｌ＋は叉持基板１１１の一主面に一
様１ｃ被着され７ｔＴＯＯ層＋２１を品分的に金属化す
るものであるｋめに、この集電＠（３）は７００層（！
１から突出するに至らずこの鉤者からなる受光血電楓層
（４１の旙出面は平坦となる・ シクン、７］化シリコンなどのシリコン化合物ガスを主
反応ガス七する周知ＯグクズマＣｖＤ決によＥｆｆｅｆ
Ｒ，された１モル７アスシリコン系の牛萼体かうなり、
光照射がある５几及び電子を９＠生丁べ八 く膜面に平行なＰｘＭ接合の如き牛辱体接合を備えてい
る。
＋６１に上記半導体光活性層（６１の受光面側から背面
背面にオーミック接触し九オーミック並属製の背面電極
層である。
背面にオーミック接触し九オーミック並属製の背面電極
層である。
上記レーザビームによる還元感層は第３凶に示す苅（パ
ルス出力型のレーデ賃１１ｔ７１を用意し、達元剤雰囲
気中でそのレーザビーム（ＴＪＢ）（Ｄｊｌ［ｆｆ方向
１ｃＴ００／ｉｌｌ！Ｊをｉｉｇｚぜた状態で叉持基板
１１Ｊ ｔ″配置７を彼、＃Ｘ基板＋１１をＩ輔及びＩ
軸方向に移鯛町絽なＸ’ｌステージによ！Ｊ憂鯛さぜな
がら上記レーザビーム（Ｌｉ２）を照射するこ七により
仁のレーザビーム（ＩＩＢ）が照射さｒ′Ｌ友部分のみ
局部的にＸＩ熟される給米、斯る刃烈部分のＴ Ｏ０１
１１２＋か社元剤と作用することによって還元され世抵
仇な金属に直換される。
ルス出力型のレーデ賃１１ｔ７１を用意し、達元剤雰囲
気中でそのレーザビーム（ＴＪＢ）（Ｄｊｌ［ｆｆ方向
１ｃＴ００／ｉｌｌ！Ｊをｉｉｇｚぜた状態で叉持基板
１１Ｊ ｔ″配置７を彼、＃Ｘ基板＋１１をＩ輔及びＩ
軸方向に移鯛町絽なＸ’ｌステージによ！Ｊ憂鯛さぜな
がら上記レーザビーム（Ｌｉ２）を照射するこ七により
仁のレーザビーム（ＩＩＢ）が照射さｒ′Ｌ友部分のみ
局部的にＸＩ熟される給米、斯る刃烈部分のＴ Ｏ０１
１１２＋か社元剤と作用することによって還元され世抵
仇な金属に直換される。
儒兄ば使用されるレーデｇｔ１１１Ｂ（＋７１に技民４
８８０ムのムｒレーデや、ｌρ６μ−ＹムＧレーデ、そ
の１ｌｌＫｒレーデ、エキシマレーザ、ＣＯ！レーデ嘩
が過当でめり、上記技炎４８８０ムのムｒレーデに焚け
る還元条件に下記のＪ１ｍ！：Ｉである。
８８０ムのムｒレーデや、ｌρ６μ−ＹムＧレーデ、そ
の１ｌｌＫｒレーデ、エキシマレーザ、ＣＯ！レーデ嘩
が過当でめり、上記技炎４８８０ムのムｒレーデに焚け
る還元条件に下記のＪ１ｍ！：Ｉである。
０レーデパワー １０Ｗ
Ｏレーデスポット １００μｍ
Ｏ＆板−反 １００〜２００″ＣＯＲ元剤
Ｈ冨 ０ガス圧 １気圧 ０走豊速度 約１〜２０１７ Ｂ°５ａ１７Ｃ還元
処理の旭の実施例である通釈プクズマ処理ｒｚ２１＆元
剤で膚さｔＵｔ平行平板容瀘結台型グクズマｔｓｔｂ波
ばの平行平板′−樵同に、マスクを弁してＴ ＯＯ１ｗ
＋２１の還元丁べき部分のみを成田せしめた叉神ｉ板１
１１を配直し、該基板（１−を１００〜２０２０分間付
与することにＬＤ還元処理が施される。
Ｈ冨 ０ガス圧 １気圧 ０走豊速度 約１〜２０１７ Ｂ°５ａ１７Ｃ還元
処理の旭の実施例である通釈プクズマ処理ｒｚ２１＆元
剤で膚さｔＵｔ平行平板容瀘結台型グクズマｔｓｔｂ波
ばの平行平板′−樵同に、マスクを弁してＴ ＯＯ１ｗ
＋２１の還元丁べき部分のみを成田せしめた叉神ｉ板１
１１を配直し、該基板（１−を１００〜２０２０分間付
与することにＬＤ還元処理が施される。
尚、使用される遁元剤はＨ，ガスでろり、そのガス圧ｕ
０．５〜２ ＴｏｒｒＫｉ定される。
０．５〜２ ＴｏｒｒＫｉ定される。
（ト）兄明の効果
本光明光起電力！［は以上の説明から明らかな餌（、透
光ｇ、尋電酸化物の一部分に逓ぢれた濾光も理はその一
部分を戴属化丁べく作用するので、その址絢化した品分
は低尻櫃Ｏ諷小に１り績゛４楓としてｌ１ｌｌｔｌｆす
る給米、覚尤圓電樵層に集電樵を配り 直したにも殉らず、該文尤ｌＩＯ嘔樵層の牛導体古性へ 膚と償する側の圓を製造圀単にして平坦化することかで
きる。
光ｇ、尋電酸化物の一部分に逓ぢれた濾光も理はその一
部分を戴属化丁べく作用するので、その址絢化した品分
は低尻櫃Ｏ諷小に１り績゛４楓としてｌ１ｌｌｔｌｆす
る給米、覚尤圓電樵層に集電樵を配り 直したにも殉らず、該文尤ｌＩＯ嘔樵層の牛導体古性へ 膚と償する側の圓を製造圀単にして平坦化することかで
きる。
第２凶はその製造途中の状ｍをボ丁廚伐凶、第３凶は本
発明の瀘元処理の具体例を説明するｋめの模式図、を大
々示している。 ＋１１−叉持基板、＋２１−透光性等電酸化物（τａｏ
）層、（３）−果＠＠、 １４３−受光ＬＩｏ電樵、（
纒１−牛４体元活性層。
発明の瀘元処理の具体例を説明するｋめの模式図、を大
々示している。 ＋１１−叉持基板、＋２１−透光性等電酸化物（τａｏ
）層、（３）−果＠＠、 １４３−受光ＬＩｏ電樵、（
纒１−牛４体元活性層。
Claims (3)
- （１）半導体光活性層の受光面側に、その一部分を還元
処理により金属化した透光性導電酸化物からなる受光面
電極層を配置したことを特徴とする光起電力装置。 - （２）上記還元処理は還元剤雰囲気中でのレーザビーム
の照射に施されることを特徴とした特許請求の範囲第１
項記載の光起電力装置。 - （３）上記還元処理は還元剤雰囲気中での選択プラズマ
処理により施されることを特徴とした特許請求の範囲第
１項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251391A JPS61129881A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251391A JPS61129881A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129881A true JPS61129881A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17222141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251391A Pending JPS61129881A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129881A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04101871U (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-02 | エヌテイエヌ精密樹脂株式会社 | 水栓用弁装置 |
| JPH06151914A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US6454519B1 (en) | 1990-04-19 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Dual cassette load lock |
| JP2003197378A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
| EP1555695A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59251391A patent/JPS61129881A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6454519B1 (en) | 1990-04-19 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Dual cassette load lock |
| JPH04101871U (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-02 | エヌテイエヌ精密樹脂株式会社 | 水栓用弁装置 |
| JPH06151914A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2003197378A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
| EP1555695A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| US7772486B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-08-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
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