JPS61128439A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPS61128439A JPS61128439A JP60256813A JP25681385A JPS61128439A JP S61128439 A JPS61128439 A JP S61128439A JP 60256813 A JP60256813 A JP 60256813A JP 25681385 A JP25681385 A JP 25681385A JP S61128439 A JPS61128439 A JP S61128439A
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- ray tube
- cathode ray
- screen grid
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Traps for removing or diverting unwanted particles, e.g. negative ions, fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
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- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、真空外囲器中にターゲット板とカソードを
有する陰極線管を具え、さらに前記カソードと、前記カ
ソードによって放射される電子の通路となる開口部を備
えた第1グリッドとスクリーングリッドとで正の成子レ
ンズを形成する手段を備えた画像記録または再生装置に
関わるものである。。
有する陰極線管を具え、さらに前記カソードと、前記カ
ソードによって放射される電子の通路となる開口部を備
えた第1グリッドとスクリーングリッドとで正の成子レ
ンズを形成する手段を備えた画像記録または再生装置に
関わるものである。。
画像記録装置では、陰極線管は撮像管でターゲット板は
光感度のある例えば光導電層である。画像記録装置では
、陰極線管は受像管でターゲット板は螢光材料の層また
は線または点のパターンである。かかる装置はまた電子
リソグラフィまたは電子顕微鏡用に設計されてもよい。
光感度のある例えば光導電層である。画像記録装置では
、陰極線管は受像管でターゲット板は螢光材料の層また
は線または点のパターンである。かかる装置はまた電子
リソグラフィまたは電子顕微鏡用に設計されてもよい。
オランダ国特許出願第7905470号は公報に公開さ
れ、いわゆる9冷陰極9を備えた陰極線管を。
れ、いわゆる9冷陰極9を備えた陰極線管を。
開示している。このカソードの動作は、pn接合が逆方
向にバイアスされ、荷電キャリアのなだれ増倍が発生す
る方法での半導体基体からの電子の放射に基づいている
。この場合ある電子は電子の仕事関数を越えるに必要な
運動エネルギーを得ることができる。これらの電子はそ
れで半導体基体の主要面で解放されかくて電子電流とな
る。
向にバイアスされ、荷電キャリアのなだれ増倍が発生す
る方法での半導体基体からの電子の放射に基づいている
。この場合ある電子は電子の仕事関数を越えるに必要な
運動エネルギーを得ることができる。これらの電子はそ
れで半導体基体の主要面で解放されかくて電子電流とな
る。
残留ガスが常に真空外囲器内にあるから、負ならびに正
イオンが電子電流により残留ガスから発生する。負イオ
ンはターゲット板の方に加速される。
イオンが電子電流により残留ガスから発生する。負イオ
ンはターゲット板の方に加速される。
静電偏向の場合、負イオンはターゲット板の小領域をた
たき、ターゲット板を傷めたりその動作に悪v/41を
及ぼす。この有害な効果をさまたげるためにイオン ト
ラップが用いられる。負イオン用イオン トラップは例
えばアメリカ国特許第2.918,612号明細嘗に公
知である。
たき、ターゲット板を傷めたりその動作に悪v/41を
及ぼす。この有害な効果をさまたげるためにイオン ト
ラップが用いられる。負イオン用イオン トラップは例
えばアメリカ国特許第2.918,612号明細嘗に公
知である。
正イオンの一部は管のなかでの有方な加速用とフォーカ
ス用の電界の影響でカソードの方に動く。
ス用の電界の影響でカソードの方に動く。
もし特段の手段がとられなければその1部は半導体をた
たきそれを傷める。
たきそれを傷める。
この損傷は電子仕事関数を削減した材料、例えば現存す
るセシウムの層をスパッタで次第に剥離させる。この材
料が再分布されまたは完全に消失するとカソードの放射
特性は変化する。この層が存在しない(または前述のス
パッタ機構で完全に剥離される)と半導体基体の主要な
表面もおかされる。放射pn接合がその主要な表面に平
行に延在し、n彩表面帯によってそれから分離される、
オランダ国特許出願第7905470号明細沓に記載の
ような電荷キャリアのなだれ増倍に基づく半導体力ソ、
−ドの場合には、この漸次のスパッタによりこの表面帯
は完全に消失しそれでカソードはもはや動作しなくなる
。1979年7月81日に公報で公開された同一出願人
のオランダ国特許出g第7800987号明細書に記載
されたと同じ形の冷陰極の場合は、pn接合が半導体基
体の主要な表面で4出されてしまう。電子管に存在する
正イオンの上述の摺部効果により、例えば主要な表面で
pn接合が露出される面が変化を受ける。これは不安定
な放射動作を導く。
るセシウムの層をスパッタで次第に剥離させる。この材
料が再分布されまたは完全に消失するとカソードの放射
特性は変化する。この層が存在しない(または前述のス
パッタ機構で完全に剥離される)と半導体基体の主要な
表面もおかされる。放射pn接合がその主要な表面に平
行に延在し、n彩表面帯によってそれから分離される、
オランダ国特許出願第7905470号明細沓に記載の
ような電荷キャリアのなだれ増倍に基づく半導体力ソ、
−ドの場合には、この漸次のスパッタによりこの表面帯
は完全に消失しそれでカソードはもはや動作しなくなる
。1979年7月81日に公報で公開された同一出願人
のオランダ国特許出g第7800987号明細書に記載
されたと同じ形の冷陰極の場合は、pn接合が半導体基
体の主要な表面で4出されてしまう。電子管に存在する
正イオンの上述の摺部効果により、例えば主要な表面で
pn接合が露出される面が変化を受ける。これは不安定
な放射動作を導く。
半導体カソードにおいてpn接合が正方向で動作する陰
極線管の第2n彩(いわゆる負の電子親和力のカソード
またはNEAカソード)では、放射動作はスパッタが再
び起こるという事実にまた影響される。この場合はまた
電子仕事関数を削減する材料の層はスパッタによって第
1に次第に剥離される。次にカソードのn形表面帯はカ
ソードがもはや動作しなくなるまで傷められる。同じ問
題が他の半導体カソード、例えば英国特許出願第313
3501号や第318!3502号明細書記載の半導体
カソードにも生じる。
極線管の第2n彩(いわゆる負の電子親和力のカソード
またはNEAカソード)では、放射動作はスパッタが再
び起こるという事実にまた影響される。この場合はまた
電子仕事関数を削減する材料の層はスパッタによって第
1に次第に剥離される。次にカソードのn形表面帯はカ
ソードがもはや動作しなくなるまで傷められる。同じ問
題が他の半導体カソード、例えば英国特許出願第313
3501号や第318!3502号明細書記載の半導体
カソードにも生じる。
以上述べたような工程で半導体カソードから成る陰極線
管の寿命は著しく短縮される。
管の寿命は著しく短縮される。
本発明の目的は、冒頭にのべたような装置で、正イオン
が前記スクリーングリッドによってその大部分が収集さ
れて、これらの欠点が全くまたは部分的に排除される装
置を提供せんとするものである。
が前記スクリーングリッドによってその大部分が収集さ
れて、これらの欠点が全くまたは部分的に排除される装
置を提供せんとするものである。
この目的を達成するため本発明装置は、前記カソードが
、前記陰極線管の軸方向にそった投影からみて、前記ス
クリーングリッドの前記開口部の外側に位置するすくな
くとも1つの電子放射領域を、その主要な表面に有する
半導体基体を具え、かつ前記スクリーングリッドの前記
開口部が前記第1グリッドの前記開口部より小さいこと
を特徴とするものである。
、前記陰極線管の軸方向にそった投影からみて、前記ス
クリーングリッドの前記開口部の外側に位置するすくな
くとも1つの電子放射領域を、その主要な表面に有する
半導体基体を具え、かつ前記スクリーングリッドの前記
開口部が前記第1グリッドの前記開口部より小さいこと
を特徴とするものである。
本発明は、この方法によればスクリーングリッドを越え
た管部分で発生する正イオンのほんのわずかのみがカソ
ードをたたくという事実の認識に基づいている。さらに
−放射部分が適切に選択された幾何学的杉郭を有する半
導体カソードでは、スクリーングリッドを通過したイオ
ンがこの放射部分をたたくことはなく、カソードとスク
リーングリッド間で発生したイオンの1部のみがそれも
低いエネルギーで前記スパッタ効果に寄与する。かかる
実施態様では、電子レンズを毬えて発生する高いエネル
ギーイオンの影響は実質的に全く無視される。
た管部分で発生する正イオンのほんのわずかのみがカソ
ードをたたくという事実の認識に基づいている。さらに
−放射部分が適切に選択された幾何学的杉郭を有する半
導体カソードでは、スクリーングリッドを通過したイオ
ンがこの放射部分をたたくことはなく、カソードとスク
リーングリッド間で発生したイオンの1部のみがそれも
低いエネルギーで前記スパッタ効果に寄与する。かかる
実施態様では、電子レンズを毬えて発生する高いエネル
ギーイオンの影響は実質的に全く無視される。
かかる半導体力ソードはさらに、電子がある与えられた
角度の回りの拡がりの小さい円形のりαスオーバから実
質的に放射され、電子光学的観点からすぐれているよう
に有利に製作することができる。電子が今や円錐体の表
面に沿って効厘的に#動するという事実から成子輝度は
球面収差を有するレンズで左程削減されない。
角度の回りの拡がりの小さい円形のりαスオーバから実
質的に放射され、電子光学的観点からすぐれているよう
に有利に製作することができる。電子が今や円錐体の表
面に沿って効厘的に#動するという事実から成子輝度は
球面収差を有するレンズで左程削減されない。
好適には、半導体力ソードは前記オランダ国特許出願第
7905470号明細書に記載された種類のこの目的の
ために使用されるが、例えばNKAカソードまたは前記
オランダ国特許出願第7800987号明細畜または英
国特許出願第31f38501号や第3133502号
明細書記載のカソードのような他の半導体カソードもま
た使用可能である。
7905470号明細書に記載された種類のこの目的の
ために使用されるが、例えばNKAカソードまたは前記
オランダ国特許出願第7800987号明細畜または英
国特許出願第31f38501号や第3133502号
明細書記載のカソードのような他の半導体カソードもま
た使用可能である。
以下実施態様と図面を参照し本発明をより詳細に説明す
る。
る。
図面にはスケールが入れてないが、明確化のため断面特
に厚み方向の大きさは誇張されている。
に厚み方向の大きさは誇張されている。
同じ導電形の半導体区域は同じ方向のハツチがつけられ
、図面で対応する部分には同一の参照番号がつけられて
いる。
、図面で対応する部分には同一の参照番号がつけられて
いる。
第1図は、真空外囲器2にカソード8、この例では半導
体カソードををする陰極線管1の一部を示しており、そ
の電子放射は逆方向バイアスされたpn接合における電
子のなだれ増倍の手段で得られる。陰極線管はさらに第
1のグリッド4とスクリーングリッド5を具え、それら
は正規の電圧に接続されると電子光学的観点からは正の
レンズを形成する。陰極線管10図示されていない部分
にはターゲット板があり、さらに一般的手段がカソード
3で発生する電子ビーム6を偏向するのに使用される。
体カソードををする陰極線管1の一部を示しており、そ
の電子放射は逆方向バイアスされたpn接合における電
子のなだれ増倍の手段で得られる。陰極線管はさらに第
1のグリッド4とスクリーングリッド5を具え、それら
は正規の電圧に接続されると電子光学的観点からは正の
レンズを形成する。陰極線管10図示されていない部分
にはターゲット板があり、さらに一般的手段がカソード
3で発生する電子ビーム6を偏向するのに使用される。
電子放射領域は参照番号18で第1図に線図的に示され
ている。
ている。
半導体力ソード3のこの実施態様では電子は環状パター
ンに従って発生する。このためカソード8はシリコンの
pe基板8を有する半導体基体7を具え(第2図参照)
、それにはn形領域9゜10が形成され、それは深い拡
散帯9と実際の放射領域の面に薄いn形層10とからな
っている。
ンに従って発生する。このためカソード8はシリコンの
pe基板8を有する半導体基体7を具え(第2図参照)
、それにはn形領域9゜10が形成され、それは深い拡
散帯9と実際の放射領域の面に薄いn形層10とからな
っている。
この領域でp杉基板8とn形領域9.lO間pn接合の
ブレークダウンを削減するために、基板のアクセプタ濃
度はイオン注入により形成されるp形領域11で局部的
に増加されている。それで電子放射は環状帯18で起り
、その環状帯は絶縁層1zがなく、そこにはセシウムの
ような電子仕事関数を削減する材料38の1原子層をさ
らに備えた電子放射面がある。前もって電極14がこの
絶縁層12例えば酸化シリコン上に、放射電子をそらせ
るために備えられてもよいし、このような成極はまた正
イオンまたは偏向電子により衝繋される時発生する帯電
効果から下の半導体基体を防護する役割りをする。基板
8は例えば高濃度ドープされたp形区域16とメタライ
ゼーション17の手段で接触がとられ、一方n彩領域は
図示されていない接触メタライゼーションを介して接続
される。接触される領域はすえつけ状態で(第1図参照
)例えば璧20頁通部材25への接続線24を介して接
続される。半導体力ゾード8のより詳細な記述は、前記
オランダ国特許出願第7905470号明細嘗を参照さ
れたい。
ブレークダウンを削減するために、基板のアクセプタ濃
度はイオン注入により形成されるp形領域11で局部的
に増加されている。それで電子放射は環状帯18で起り
、その環状帯は絶縁層1zがなく、そこにはセシウムの
ような電子仕事関数を削減する材料38の1原子層をさ
らに備えた電子放射面がある。前もって電極14がこの
絶縁層12例えば酸化シリコン上に、放射電子をそらせ
るために備えられてもよいし、このような成極はまた正
イオンまたは偏向電子により衝繋される時発生する帯電
効果から下の半導体基体を防護する役割りをする。基板
8は例えば高濃度ドープされたp形区域16とメタライ
ゼーション17の手段で接触がとられ、一方n彩領域は
図示されていない接触メタライゼーションを介して接続
される。接触される領域はすえつけ状態で(第1図参照
)例えば璧20頁通部材25への接続線24を介して接
続される。半導体力ゾード8のより詳細な記述は、前記
オランダ国特許出願第7905470号明細嘗を参照さ
れたい。
カソード8により発生した電子はグリッド4と5により
構成された正の電子レンズにより加速される。動作中グ
リッド4が低いか負の電圧さえ有しスクリーングリッド
5(隔壁)が正の電圧を有する事実から、これらグリッ
ドは電子光学的観点から正のレンズを形成し、それは帯
18で発生する環状電子ビームをクロスオーバ22に集
束する。
構成された正の電子レンズにより加速される。動作中グ
リッド4が低いか負の電圧さえ有しスクリーングリッド
5(隔壁)が正の電圧を有する事実から、これらグリッ
ドは電子光学的観点から正のレンズを形成し、それは帯
18で発生する環状電子ビームをクロスオーバ22に集
束する。
スクリーングリッド5(隔壁)の開口部の面にほぼ位置
するこのりaスオーバは例えば電磁気的手段で次に偏向
される実際の電子ビームの実際の電子源として動作する
。
するこのりaスオーバは例えば電磁気的手段で次に偏向
される実際の電子ビームの実際の電子源として動作する
。
クロスオーバz2はスクリーングリッド5の開口部の面
である大きさを持っている。この大きさはスクリーング
リッド5の開口部の最小直径を決定し、−力量大直径は
電子放射が起こる環状領域1Bの内径で決定され、その
最大径は本実施態様では約ZOOμmである。
である大きさを持っている。この大きさはスクリーング
リッド5の開口部の最小直径を決定し、−力量大直径は
電子放射が起こる環状領域1Bの内径で決定され、その
最大径は本実施態様では約ZOOμmである。
この実施態様では、グリッド4はOvの電圧で動作し、
一方265vの電圧がスクリーングリッド5に印加され
る。クロスオーバ22は40−50μmであ、る。スク
リーングリッド5の開口部としては径は例えば100μ
mK選ばれる。
一方265vの電圧がスクリーングリッド5に印加され
る。クロスオーバ22は40−50μmであ、る。スク
リーングリッド5の開口部としては径は例えば100μ
mK選ばれる。
電子の衝突に基いてまたは他の理由で正のイオンが真空
管2で発生すると、正のイオンはカソード8の方へ加速
される。正イオンの大部分は管2の部分18で発生し、
有力な電界により軌道20にそって加速され、その電界
の等電位線は第1図の左手部分に線19で線図的に示さ
れている。第1図から明らかなように、実質的に着面2
1の面でビーム6中に発生するすべてのイオンはスクリ
ーングリッド5の方へ加速される。ビーム6中の表rj
jJ21とりαスオーバ22間で発生するすべての正イ
オンは管の軸81に平行(加速され、スクリーングリッ
ド5の開口部を通過し、実際の放射部分の内側に位置し
第2図に破線23で示される領域でカソード3をたたく
。それ故放射動作はそれによって悪影響はされない、し
かし、この場合のように、下にある半導体基体を帯電効
果から防護する4極14を備えた半導体カソードを用意
するのが好適である。電極14はそれ故好適には固定の
または可変電圧に接続される。
管2で発生すると、正のイオンはカソード8の方へ加速
される。正イオンの大部分は管2の部分18で発生し、
有力な電界により軌道20にそって加速され、その電界
の等電位線は第1図の左手部分に線19で線図的に示さ
れている。第1図から明らかなように、実質的に着面2
1の面でビーム6中に発生するすべてのイオンはスクリ
ーングリッド5の方へ加速される。ビーム6中の表rj
jJ21とりαスオーバ22間で発生するすべての正イ
オンは管の軸81に平行(加速され、スクリーングリッ
ド5の開口部を通過し、実際の放射部分の内側に位置し
第2図に破線23で示される領域でカソード3をたたく
。それ故放射動作はそれによって悪影響はされない、し
かし、この場合のように、下にある半導体基体を帯電効
果から防護する4極14を備えた半導体カソードを用意
するのが好適である。電極14はそれ故好適には固定の
または可変電圧に接続される。
ビーム6中の表面32の面で発生する正イオンは第1図
から明らかなように、この実施態様のカソード8を領域
1Bの外側でたたくかカソードを全くたたかない。グリ
ッド4.5の前記電圧では、約100μmの距離で発生
する小部分のイオンのみがカソードの放射部分、特にセ
シウム層を約40 eVでたたくことが見出されており
、その結果管で発生する正イオンの有害な電界はセシウ
ムのスパッタを小さな範囲に制恨し、結晶の損傷はさま
たげられる。グリッド4,5の電圧に依存し、。
から明らかなように、この実施態様のカソード8を領域
1Bの外側でたたくかカソードを全くたたかない。グリ
ッド4.5の前記電圧では、約100μmの距離で発生
する小部分のイオンのみがカソードの放射部分、特にセ
シウム層を約40 eVでたたくことが見出されており
、その結果管で発生する正イオンの有害な電界はセシウ
ムのスパッタを小さな範囲に制恨し、結晶の損傷はさま
たげられる。グリッド4,5の電圧に依存し、。
前記距離とエネルギはわずかに齋わる。
六ソードの感度は放射領域1Bを複数の分離領域に小分
割することによりなおさらに削減され、これは出願中の
優先権主張オランダ国特許出願第34Of3588号、
同第3501490号の日本国特許出願明細書にその全
容がかかれている通りである。
割することによりなおさらに削減され、これは出願中の
優先権主張オランダ国特許出願第34Of3588号、
同第3501490号の日本国特許出願明細書にその全
容がかかれている通りである。
当該特許出穎に記述されている通り、このような構成は
さらにカソードの安定性を支持している。
さらにカソードの安定性を支持している。
勿論いくつかの変形が当業者にとって本発明の範囲を逸
脱することなく可能である。例えばすでに述べたNEA
カソードまたは英国特許出願第3183501号や第3
183501号明細瘍に述べたカソードのようないくつ
かの他の種類の半導体カソードが選択されてもよい。さ
らに例えば表示装置用の円形パターンの代りに1つまた
は複数の線形パターンが領域1Bとして選択されてもよ
い。
脱することなく可能である。例えばすでに述べたNEA
カソードまたは英国特許出願第3183501号や第3
183501号明細瘍に述べたカソードのようないくつ
かの他の種類の半導体カソードが選択されてもよい。さ
らに例えば表示装置用の円形パターンの代りに1つまた
は複数の線形パターンが領域1Bとして選択されてもよ
い。
第1図は、本発明に係わる装置の1部を線図的に示す図
、 第2図は、かかる装置に使用される半導体装置−ドの1
部所面1部平面を示す図である。 1・・・陰極線v 2・・・外囲器8・・・(
半導体)カソード 4・・・第1のグリッド 5・・・スクリーングリッ
ド′6・・・電子ビーム 7・・・半導体基体8
・・・p杉基板 9.lO・・・n形領域11
・・・D+領領域 12・・・絶縁層18・・・
電子放射領域 14・・・′1極15・・・導線
16・・・p形区域17・・・メタライゼ
ーション 18・・・管2の部分 19・・・電界の等電位
線20・・・正イオンの移動軌道 21・・・表m 22・・・クロスオーバ
z8・・・領fi 24・・・接続線2
5・・・貞通部材 82・・・ビーム中の表面
38・・・セシウムの1原子膚 F2O,1
、 第2図は、かかる装置に使用される半導体装置−ドの1
部所面1部平面を示す図である。 1・・・陰極線v 2・・・外囲器8・・・(
半導体)カソード 4・・・第1のグリッド 5・・・スクリーングリッ
ド′6・・・電子ビーム 7・・・半導体基体8
・・・p杉基板 9.lO・・・n形領域11
・・・D+領領域 12・・・絶縁層18・・・
電子放射領域 14・・・′1極15・・・導線
16・・・p形区域17・・・メタライゼ
ーション 18・・・管2の部分 19・・・電界の等電位
線20・・・正イオンの移動軌道 21・・・表m 22・・・クロスオーバ
z8・・・領fi 24・・・接続線2
5・・・貞通部材 82・・・ビーム中の表面
38・・・セシウムの1原子膚 F2O,1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空外囲器中にターゲット板とカソードを有する陰
極線管を具え、さらに前記カソードと、前記カソードに
よつて放射される電子の通路となる開口部を備えた第1
グリッドとスクリーングリッドとで正の電子レンズを形
成する手段を備えた画像記録または再生装置において、
前記カソードが、前記陰極線管の軸方向にそつた投影か
らみて、前記スクリーングリッドの前記開口部の外側に
位置するすくなくとも1つの電子放射領域を、その主要
な表面に有する半導体基体を具え、かつ前記スクリーン
グリッドの前記開口部が前記第1グリッドの前記開口部
より小さいことを特徴とする、陰極線管を具えた画像記
録または再生装置。 2、前記電子放射領域が実質的に環状で、前記スクリー
ングリッドの前記開口部の直径より大きな内直径を有す
ることを特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載の装
置。 3、前記半導体基体が、前記スクリーングリッドの前記
開口部の直径より大きな内径を有する環状パターン全体
にわたつて、実質的に均一に分布しているいくつかの電
子放射領域を有することを特徴とする、特許請求の範囲
第1項に記載の装置。 4、前記半導体基体がその主要な表面に接するn形領域
とp形領域間にすくなくとも1つのpn接合を有し、一
方、前記pn接合に逆方向に電圧が印加された時、電子
が半導体基体中になだれ増倍によつて発生され、その電
子は半導体基体から放射され、その表面がすくなくとも
1つの開口部が形成される電気的絶縁層を備え、pn接
合が前記主要な表面にほぼ平行なその開口部内にすくな
くとも延在し、pn接合の残余の部分より低いブレーク
ダウン電圧を局部的に有し、より低いブレークダウン電
圧を有するその部分は、ブレークダウン電圧時にpn接
合の空乏帯が表面まで延在することなく、前記発生した
電子を通過させるに十分薄い表面層だけ表面から隔離さ
れるような厚みと不純物濃度を有する、n形導電層によ
つて表面から分離されることを特徴とする、特許請求の
範囲第1項から第3項のいずれかに記載の装置。 5、すくなくとも1つの電極が前記絶縁層のすくなくと
も1部に備えられたことを特徴とする特許請求の範囲第
4項に記載の装置。 6、前記主要な表面が前記絶縁層内の開口部に電子仕事
関数を削減させる材料の層を備えたことを特徴とする特
許請求の範囲第4項または第5項に記載の装置。
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