JPS61116879A - 半導体圧力変換素子起わい部の形成方法 - Google Patents
半導体圧力変換素子起わい部の形成方法Info
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- JPS61116879A JPS61116879A JP23796384A JP23796384A JPS61116879A JP S61116879 A JPS61116879 A JP S61116879A JP 23796384 A JP23796384 A JP 23796384A JP 23796384 A JP23796384 A JP 23796384A JP S61116879 A JPS61116879 A JP S61116879A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体圧力センブリ感圧ダイヤプラムを凹状に
形成する方法に関する@ 〔従来技術とその問題点〕 圧力センサは各産業分野で広く使用されている基本的な
センサの−っであ勺、最近は半導体IC技術を応用した
拡散形半導体圧力センサが盛に用いられるようKなって
いる。
形成する方法に関する@ 〔従来技術とその問題点〕 圧力センサは各産業分野で広く使用されている基本的な
センサの−っであ勺、最近は半導体IC技術を応用した
拡散形半導体圧力センサが盛に用いられるようKなって
いる。
半導体圧力センサはシリコンなどの半導体にひずみを加
えると金属に比べて100倍程鹿の大きな抵抗変化を生
ずることを利用して、圧力を受けてひずみを生ずる起わ
い体そのものをシリコン単結晶板からつくシ、これに不
純物を拡散し、ストレンゲージを形成したものであり、
ストレンゲージ抵抗の形成されたシリコン単結晶板の裏
面を凹形にく夛抜いて薄くなった部分がダイヤフラムと
なるので、このダイヤフラムとストレンゲージが完全に
一体となって圧力−ひずみ変換が行なわれる◎すなわち
圧力が印加されるとダイヤフラムが変形してゲージ抵抗
にひずみが発生し、このためゲージにはピエゾ抵抗効果
による大きな抵抗変化が起と9、圧力に比例したブリッ
ジ出方が得られるのである。
えると金属に比べて100倍程鹿の大きな抵抗変化を生
ずることを利用して、圧力を受けてひずみを生ずる起わ
い体そのものをシリコン単結晶板からつくシ、これに不
純物を拡散し、ストレンゲージを形成したものであり、
ストレンゲージ抵抗の形成されたシリコン単結晶板の裏
面を凹形にく夛抜いて薄くなった部分がダイヤフラムと
なるので、このダイヤフラムとストレンゲージが完全に
一体となって圧力−ひずみ変換が行なわれる◎すなわち
圧力が印加されるとダイヤフラムが変形してゲージ抵抗
にひずみが発生し、このためゲージにはピエゾ抵抗効果
による大きな抵抗変化が起と9、圧力に比例したブリッ
ジ出方が得られるのである。
このような半導体圧力センサの起わい部の形成方法は一
般に次のようにして行なわれる。まず第2図に断面図で
示したようにシリコン基板1の一方の表面に基板1と逆
導電型のひずみゲージ2を形成し、この面と反対側の基
板1表面の起わい部となる部分を除く個所に例えばクロ
ムの第1の保護膜3と金の第2の保護膜4との積層保護
膜を設け、この積層保護膜をマスクとして硝酸−弗酸の
混合エツチング液を用いてシリコン基板1をエツチング
する。第3図はそのエツチングの模様を示したものであ
り、エツチング液5を入れた容器6の中に上記のようK
したシリコン基板1を浸種エツチングすることによシ起
わい部7を形成することかできる。ただし、このエツチ
ング過程は1枚のシリコンウェー・から多数個の圧力変
換素子が得◆ ) られるように行なわれるが、第2図、第3図
では(′ 説明の便宜上ただ1個のチップとして表わしである0 しかしながら、このエツチング方法によれば、シリコン
ウェー・の中央部分と周辺部分とではエツチング速度が
異なるため、起わい部7に関しても中央部分と周辺部分
との板厚が異なることから圧力変換素子の感度がばらつ
き、また複数枚のシリコンウェハを同時にエツチング処
理する際には、ウェハ間のばらつきも発生するので全体
として素子の感度のばらつきを小さく抑えることは困難
である。
般に次のようにして行なわれる。まず第2図に断面図で
示したようにシリコン基板1の一方の表面に基板1と逆
導電型のひずみゲージ2を形成し、この面と反対側の基
板1表面の起わい部となる部分を除く個所に例えばクロ
ムの第1の保護膜3と金の第2の保護膜4との積層保護
膜を設け、この積層保護膜をマスクとして硝酸−弗酸の
混合エツチング液を用いてシリコン基板1をエツチング
する。第3図はそのエツチングの模様を示したものであ
り、エツチング液5を入れた容器6の中に上記のようK
したシリコン基板1を浸種エツチングすることによシ起
わい部7を形成することかできる。ただし、このエツチ
ング過程は1枚のシリコンウェー・から多数個の圧力変
換素子が得◆ ) られるように行なわれるが、第2図、第3図
では(′ 説明の便宜上ただ1個のチップとして表わしである0 しかしながら、このエツチング方法によれば、シリコン
ウェー・の中央部分と周辺部分とではエツチング速度が
異なるため、起わい部7に関しても中央部分と周辺部分
との板厚が異なることから圧力変換素子の感度がばらつ
き、また複数枚のシリコンウェハを同時にエツチング処
理する際には、ウェハ間のばらつきも発生するので全体
として素子の感度のばらつきを小さく抑えることは困難
である。
一方上記とは異なるエツチング方法として第4図のごと
く電気化学的にエツチングする方法も知られている。第
4図はこの方法を説明するための概念図であり、第2図
、第3図と共通部分を同一符号で表わしである。第4図
においてまず被エツチング素子として不純物を高濃度に
添加したシリコン基板1aに低不純物濃度層8をエピタ
キシアル生長させ、この低不純物濃度層8にひずみゲー
ジ2を設け、次いでひずみゲージ2を設けたのと反対側
ノシリコン基板1aの面で所定の領域に例えばクロムの
第1層保護膜3と金の第2層保護膜4からなる2層のエ
ツチングマスクを被着したものが用いられる。クロムは
金と下地シリコン基板1aとの密着性を増す役割をもつ
。このものを容器6内の硝酸−弗酸混合液5中において
直流電源9に接続したシリコン基板1aの所定部分をエ
ツチングし、不純物濃度境界面11まで進行したときエ
ツチングを停止させるストップエツチングを行うことに
より、所望の凹部を形成し、起わい部として均一な厚さ
を得ようとするものである0なお第4図においてシリコ
ン基板1aのエツチングによシ除去される部分を点線で
表わしである。
く電気化学的にエツチングする方法も知られている。第
4図はこの方法を説明するための概念図であり、第2図
、第3図と共通部分を同一符号で表わしである。第4図
においてまず被エツチング素子として不純物を高濃度に
添加したシリコン基板1aに低不純物濃度層8をエピタ
キシアル生長させ、この低不純物濃度層8にひずみゲー
ジ2を設け、次いでひずみゲージ2を設けたのと反対側
ノシリコン基板1aの面で所定の領域に例えばクロムの
第1層保護膜3と金の第2層保護膜4からなる2層のエ
ツチングマスクを被着したものが用いられる。クロムは
金と下地シリコン基板1aとの密着性を増す役割をもつ
。このものを容器6内の硝酸−弗酸混合液5中において
直流電源9に接続したシリコン基板1aの所定部分をエ
ツチングし、不純物濃度境界面11まで進行したときエ
ツチングを停止させるストップエツチングを行うことに
より、所望の凹部を形成し、起わい部として均一な厚さ
を得ようとするものである0なお第4図においてシリコ
ン基板1aのエツチングによシ除去される部分を点線で
表わしである。
しかし、この電気化学的エツチング方法は凹部形成に際
して、シリコン基板1aとこれに対向配置される白金陰
電極10との間に直流電圧が印加され第1層クロム3−
第2層金4の積層保護膜が正の電極となるため、第1層
クロム膜3が溶解してシリコン基板1aから剥離し、マ
スク効果を発揮することができなくなり、その結果所望
の凹部以外の領域1でエツチングされてしまうという欠
点がある。
して、シリコン基板1aとこれに対向配置される白金陰
電極10との間に直流電圧が印加され第1層クロム3−
第2層金4の積層保護膜が正の電極となるため、第1層
クロム膜3が溶解してシリコン基板1aから剥離し、マ
スク効果を発揮することができなくなり、その結果所望
の凹部以外の領域1でエツチングされてしまうという欠
点がある。
これに対してエツチングマスクとしてクロム−金からな
る金属積層膜の代シに酸化膜(S t02 ) 1層の
みとする方法もあるが、酸化膜の厚さ約1μmのときエ
ツチングに対するマスク効果f′i1時間程度しか保つ
ことができず、電気化学的なストップエツチング法によ
シ感圧ダイヤフラムが必要とする数百μmの凹部を形成
するためには、2時間以上かかるので酸化膜をマスクと
して用いることは適切な手段とは言えない。
る金属積層膜の代シに酸化膜(S t02 ) 1層の
みとする方法もあるが、酸化膜の厚さ約1μmのときエ
ツチングに対するマスク効果f′i1時間程度しか保つ
ことができず、電気化学的なストップエツチング法によ
シ感圧ダイヤフラムが必要とする数百μmの凹部を形成
するためには、2時間以上かかるので酸化膜をマスクと
して用いることは適切な手段とは言えない。
なお、このような電気化学的なストップエツチング法は
、高不純物製置の半導体基板とこの基板に設けられた低
不純物濃度層とではエツチング速度が著しく異なること
を利用したものであシ、不純物濃度とエツチング速度の
関係を第5図の線図に示したが、第5図かられかるよう
に例えば不純物濃度が1018/。。の領域と1015
/cc以下の領域ではエツチング速度に1桁以上の差が
あシ、したがって低不純物濃度層がエツチングのストッ
パとなって均一な板厚の起わい部が得られるのである。
、高不純物製置の半導体基板とこの基板に設けられた低
不純物濃度層とではエツチング速度が著しく異なること
を利用したものであシ、不純物濃度とエツチング速度の
関係を第5図の線図に示したが、第5図かられかるよう
に例えば不純物濃度が1018/。。の領域と1015
/cc以下の領域ではエツチング速度に1桁以上の差が
あシ、したがって低不純物濃度層がエツチングのストッ
パとなって均一な板厚の起わい部が得られるのである。
以上のように、半導体基板の不純物濃度差を利用した電
気化学的なストップエツチング法は圧力変換素子起わい
部を形成するために有効な方法であるが凹部を形成する
際の適切な材料が見出されていない。
気化学的なストップエツチング法は圧力変換素子起わい
部を形成するために有効な方法であるが凹部を形成する
際の適切な材料が見出されていない。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的は半導体圧力変換素子起わい部の凹形状管形成するた
めに、電気化学的なストップエツチングを行なうに当シ
、エツチングマスクの密着性がよく、凹部形成中にマス
クが基板から剥離することなく、起わい部が均一な厚さ
を有し、圧力感度のばらつきの小さい圧力変換素子を得
ることができる起わい部の形成方法を提供することにあ
る。
的は半導体圧力変換素子起わい部の凹形状管形成するた
めに、電気化学的なストップエツチングを行なうに当シ
、エツチングマスクの密着性がよく、凹部形成中にマス
クが基板から剥離することなく、起わい部が均一な厚さ
を有し、圧力感度のばらつきの小さい圧力変換素子を得
ることができる起わい部の形成方法を提供することにあ
る。
本発明は不純物を高濃度に添加した単結晶シリコン基板
の片面に低不純物濃度層を気相生長させ、低不純物濃度
層にひずみゲージを形成し、高不純掴 1 物濃度の基板のひずみゲージ形成面と反対側の面か
う!気化学的にストップエツチングして凹部を形成する
ときに、高不純物濃度基板上に設けるエツチングマスク
として第1層酸化膜(Si02)と第2層のニッケル、
クロムを含有した金膜とからなる二層マスクを用いるこ
とにより、マスク自体の溶解や基板からの剥離などをな
くし、基板の不純物濃度境界面でエツチングを停止し、
均一な厚さを有する起わい部が得られるようにしたもの
である0 〔発明の実施例〕 以下本発明を実施例に基づき説明する。
の片面に低不純物濃度層を気相生長させ、低不純物濃度
層にひずみゲージを形成し、高不純掴 1 物濃度の基板のひずみゲージ形成面と反対側の面か
う!気化学的にストップエツチングして凹部を形成する
ときに、高不純物濃度基板上に設けるエツチングマスク
として第1層酸化膜(Si02)と第2層のニッケル、
クロムを含有した金膜とからなる二層マスクを用いるこ
とにより、マスク自体の溶解や基板からの剥離などをな
くし、基板の不純物濃度境界面でエツチングを停止し、
均一な厚さを有する起わい部が得られるようにしたもの
である0 〔発明の実施例〕 以下本発明を実施例に基づき説明する。
再び第4図を参照して本発明を説明するが、本発明が従
来の方法と異なる点は、従来エツチングマスクとしてシ
リコン基板1aに近い方から例えばクロムの第1層保護
膜3とこの上に金の第2層保護膜4を被着していたのに
対し、本発明では第1層酸化膜3に酸化膜(Si02)
、第2層保護膜4にニッケルとクロムを含む金膜を用い
て二層積層膜としていることである。
来の方法と異なる点は、従来エツチングマスクとしてシ
リコン基板1aに近い方から例えばクロムの第1層保護
膜3とこの上に金の第2層保護膜4を被着していたのに
対し、本発明では第1層酸化膜3に酸化膜(Si02)
、第2層保護膜4にニッケルとクロムを含む金膜を用い
て二層積層膜としていることである。
本発明を第4図によシ素子構成から述べると、まず有効
なピエゾ抵抗効果が得られる結晶方位を有し、例えば1
019/co以上の砒素もしくは1o18/Ce以上の
アンチモンを含むN+型嵩高濃度結晶シリコン基板1a
片面に最終的に形成される起わい部の板厚tだけ101
5/cc以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層
8をエピタキシアル生長させ、この低不純物濃度層8に
ひずみゲージ2を形成し、次いでひずみゲージ2とは反
対側のシリコン基板1aの所定の領域に第1層保護膜3
として熱酸化などによシミ気的絶縁性を有する酸化膜を
設け、この上にニッケルクロム合金と金をソースとする
蒸着を行い第2層保護膜4としてニッケル、クロムを総
iで14〜30重量%含有する金合金膜を被着させたも
のとする。金にニッケルとクロムを含有させることによ
シ耐エツチング性を向上させることができる0このとき
膜厚は第1層3の酸化膜は0,2〜1.0μmであり、
第2層4のニッケル、クロムを含む金合金の膜厚は0.
2〜0.5μmである。
なピエゾ抵抗効果が得られる結晶方位を有し、例えば1
019/co以上の砒素もしくは1o18/Ce以上の
アンチモンを含むN+型嵩高濃度結晶シリコン基板1a
片面に最終的に形成される起わい部の板厚tだけ101
5/cc以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層
8をエピタキシアル生長させ、この低不純物濃度層8に
ひずみゲージ2を形成し、次いでひずみゲージ2とは反
対側のシリコン基板1aの所定の領域に第1層保護膜3
として熱酸化などによシミ気的絶縁性を有する酸化膜を
設け、この上にニッケルクロム合金と金をソースとする
蒸着を行い第2層保護膜4としてニッケル、クロムを総
iで14〜30重量%含有する金合金膜を被着させたも
のとする。金にニッケルとクロムを含有させることによ
シ耐エツチング性を向上させることができる0このとき
膜厚は第1層3の酸化膜は0,2〜1.0μmであり、
第2層4のニッケル、クロムを含む金合金の膜厚は0.
2〜0.5μmである。
このように準備のできたシリコン基板1aを弗酸と純水
を1=9の比率に混合したエツチング液5の入った容器
6に沈め、エツチング液中で直流電源9によシ高不純物
濃度基板1aを陽極、白金10を陰極として数Vの直流
電圧を印加し、基板1aの所定領域を除去するが、この
ときエツチングの停止は、第5図の不純物濃度上エツチ
ング速度の関係線図かられかるように不純物濃度境界面
で行なわれるから、はじめに設定したtの厚さをもつ低
不純物濃度層8が起わい部の厚さとして残るので高い精
度が確保される。またこのエツチング過程においては高
不純物濃度基板1aと第2層保護膜4の金属膜とは第1
層保護膜3の酸化膜により電気的に絶縁された状態にあ
るから、例えば2時間以上の長いエツチング時間に対し
ても高不純物濃度基板1aの所望の凹部のみがエツチン
グされ、その他の部分は完全にエツチングから保護する
ことができる。
を1=9の比率に混合したエツチング液5の入った容器
6に沈め、エツチング液中で直流電源9によシ高不純物
濃度基板1aを陽極、白金10を陰極として数Vの直流
電圧を印加し、基板1aの所定領域を除去するが、この
ときエツチングの停止は、第5図の不純物濃度上エツチ
ング速度の関係線図かられかるように不純物濃度境界面
で行なわれるから、はじめに設定したtの厚さをもつ低
不純物濃度層8が起わい部の厚さとして残るので高い精
度が確保される。またこのエツチング過程においては高
不純物濃度基板1aと第2層保護膜4の金属膜とは第1
層保護膜3の酸化膜により電気的に絶縁された状態にあ
るから、例えば2時間以上の長いエツチング時間に対し
ても高不純物濃度基板1aの所望の凹部のみがエツチン
グされ、その他の部分は完全にエツチングから保護する
ことができる。
このようなエツチング保護膜はピンホールなどがなく下
地との密着性に優れ、凹部成形過程における剥離もなく
、保護膜自体が溶解するという現象もみられない。
地との密着性に優れ、凹部成形過程における剥離もなく
、保護膜自体が溶解するという現象もみられない。
なお電気化学的なストップエツチングに供す池圧力検出
素子の構成は上記実施例に示したものに限られることな
く、実施例とは異なる半導体装置を用いてもよく、起わ
い部側の変形として第1図(a)〜(e)に示す断面図
のようにすることができる。
素子の構成は上記実施例に示したものに限られることな
く、実施例とは異なる半導体装置を用いてもよく、起わ
い部側の変形として第1図(a)〜(e)に示す断面図
のようにすることができる。
第1図(a)〜(C)が第2図〜第4図と共通する部分
は同一符号を用いて表わしエツチング除去される部分を
点線で記入しである。
は同一符号を用いて表わしエツチング除去される部分を
点線で記入しである。
第1図(a)は101g/cc以上のボロンを含むP+
型高不純物濃度シリコン基板1bの片面に10 ”/c
c以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層8aを
積層し、このn型低不純物濃度層8aにひずみゲージ2
を形成した二層積層ウェハとしたものである〇第1図(
b)は1019/co以上の砒素または1018/cc
以上のアンチモンを含むr型高不純物濃度シリコン基板
1aの片面に10”/cc以下のボロンをドーピングし
たP型低不純物濃度層8bを設けさらにその上に1O1
5/cc以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層
8Cを積層し、このn型低不純物濃度層;8cにひずみ
ゲージ2を形成した三相積層クエ・・と1.1 したものである・ 第1図(e)は1019/cc以上の砒素または101
8/C(7以上のアンチモンを含む丈型不純物濃度シリ
コン基板1aの片面に1015/。。以°下のボロンを
ドーピングしたP型低不純物濃度層8bを設け、その上
にP+高不純物濃度層8d、さらにその上に1015/
cc以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層8e
を順次積層しn型低不純物濃度層8eにひずみゲージ2
を形成し九四層積層りエノ・である。
型高不純物濃度シリコン基板1bの片面に10 ”/c
c以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層8aを
積層し、このn型低不純物濃度層8aにひずみゲージ2
を形成した二層積層ウェハとしたものである〇第1図(
b)は1019/co以上の砒素または1018/cc
以上のアンチモンを含むr型高不純物濃度シリコン基板
1aの片面に10”/cc以下のボロンをドーピングし
たP型低不純物濃度層8bを設けさらにその上に1O1
5/cc以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層
8Cを積層し、このn型低不純物濃度層;8cにひずみ
ゲージ2を形成した三相積層クエ・・と1.1 したものである・ 第1図(e)は1019/cc以上の砒素または101
8/C(7以上のアンチモンを含む丈型不純物濃度シリ
コン基板1aの片面に1015/。。以°下のボロンを
ドーピングしたP型低不純物濃度層8bを設け、その上
にP+高不純物濃度層8d、さらにその上に1015/
cc以下の燐をドーピングしたn型低不純物濃度層8e
を順次積層しn型低不純物濃度層8eにひずみゲージ2
を形成し九四層積層りエノ・である。
以上第1図(a)〜(C)の被エツチング素子の保護膜
3.4についてはいずれも前述した実施例の場合と同様
である。
3.4についてはいずれも前述した実施例の場合と同様
である。
はじめに説明したように、半導体圧力変換素子の起わい
部を形成する際に、従来高不純物濃度半導体基板の片面
に設けた低不純物濃度層とは反対面の非エツチング面に
クロムと金の二層金属保護膜を被着した後、エツチング
液中で基板を陽極。
部を形成する際に、従来高不純物濃度半導体基板の片面
に設けた低不純物濃度層とは反対面の非エツチング面に
クロムと金の二層金属保護膜を被着した後、エツチング
液中で基板を陽極。
白金を陰極として直流電圧を印加してエツチングの進行
を不純物濃度境界面で停止することにより、凹部を形成
していたので、クロム保護膜の剥離や溶解などに起因す
る起わい部の厚さの不均一を生じ圧力変換素子の感度の
ばらつきが大きかったのに対し、本発明によれば実施例
で述べたごとく、非エツチング面を被覆する保護膜とし
てシリコン酸化膜およびニッケル、クロムを含む金合金
膜からなる二層保saを用いたために、電気化学的スト
ップエツチングの進行中においてもこのエツチング保護
膜は良好な密着性と長時間にわたる十分な耐エツチング
性を保持し、保護膜自体の剥離もしくは溶解などを生ず
ることなく、その結果、形成された起わい部は寸法的に
ばらつきが5%以下という高い精度をもつようになるの
で、圧力変換素子の出力感度のばらつきも小さくするこ
とに成功したものである。
を不純物濃度境界面で停止することにより、凹部を形成
していたので、クロム保護膜の剥離や溶解などに起因す
る起わい部の厚さの不均一を生じ圧力変換素子の感度の
ばらつきが大きかったのに対し、本発明によれば実施例
で述べたごとく、非エツチング面を被覆する保護膜とし
てシリコン酸化膜およびニッケル、クロムを含む金合金
膜からなる二層保saを用いたために、電気化学的スト
ップエツチングの進行中においてもこのエツチング保護
膜は良好な密着性と長時間にわたる十分な耐エツチング
性を保持し、保護膜自体の剥離もしくは溶解などを生ず
ることなく、その結果、形成された起わい部は寸法的に
ばらつきが5%以下という高い精度をもつようになるの
で、圧力変換素子の出力感度のばらつきも小さくするこ
とに成功したものである。
用可能な被エツチング素子のそれぞれ異なる例を示す断
面図、第2図は従来の被エツチング素子の断面図、第3
図は従来の浸漬エツチング法の概念図、第4図は電気化
学的ストップエツチング法の概念図、第5図は基板の不
純物濃度とエツチング速度との関係を示す線図である0 1a・・・・・・高不純物濃度シリコン基板、2・・・
・・・ひずみゲージ、3・・・・・・第1層保護膜、4
・・・・・・第2層保護膜、5・・・・・・エツチング
液、7・・・・・・起わい部、8・・・・・・低不純物
濃度層、9・・・・・・直#f、’に源、10・・・・
・・白金電極、11・・・・・・不純物濃度境界面。
面図、第2図は従来の被エツチング素子の断面図、第3
図は従来の浸漬エツチング法の概念図、第4図は電気化
学的ストップエツチング法の概念図、第5図は基板の不
純物濃度とエツチング速度との関係を示す線図である0 1a・・・・・・高不純物濃度シリコン基板、2・・・
・・・ひずみゲージ、3・・・・・・第1層保護膜、4
・・・・・・第2層保護膜、5・・・・・・エツチング
液、7・・・・・・起わい部、8・・・・・・低不純物
濃度層、9・・・・・・直#f、’に源、10・・・・
・・白金電極、11・・・・・・不純物濃度境界面。
第1図
第2図
第3図
Claims (1)
- 1)不純物を高濃度に含む一導電型の単結晶シリコン基
板の一表面に低不純物濃度層を気相成長させ、低不純物
濃度層にひずみゲージを形成し、基板他面の所定の非エ
ッチング面に二層保護膜を設けた後、基板をエッチング
液に浸漬して基板を陽極、白金を陰極として直流電圧を
印加してエッチングし、基板の不純物濃度境界面でエッ
チングの進行を停止することにより、基板に凹部を形成
する方法において、前記保護膜を基板に被着したシリコ
ン酸化膜と該酸化膜上に被着したニッケル、クロムを含
む金合金膜とからなる二層保護膜とすることを特徴とす
る半導体圧力変換素子起わい部の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23796384A JPS61116879A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 半導体圧力変換素子起わい部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23796384A JPS61116879A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 半導体圧力変換素子起わい部の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61116879A true JPS61116879A (ja) | 1986-06-04 |
JPH0340959B2 JPH0340959B2 (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17023057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23796384A Granted JPS61116879A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 半導体圧力変換素子起わい部の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61116879A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6427229A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Nissan Motor | Etching method for semiconductor substrate |
US5352048A (en) * | 1988-12-23 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink sheet cassette and recording apparatus capable of loading the ink sheet cassette |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8198089B2 (en) | 2008-03-18 | 2012-06-12 | Yamaguchi University | Flocculent yeast and method for production thereof |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP23796384A patent/JPS61116879A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6427229A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Nissan Motor | Etching method for semiconductor substrate |
US5352048A (en) * | 1988-12-23 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink sheet cassette and recording apparatus capable of loading the ink sheet cassette |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0340959B2 (ja) | 1991-06-20 |
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