JPS61112480A - 一体化撮像器―プリズム構体 - Google Patents

一体化撮像器―プリズム構体

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JPS61112480A
JPS61112480A JP60213598A JP21359885A JPS61112480A JP S61112480 A JPS61112480 A JP S61112480A JP 60213598 A JP60213598 A JP 60213598A JP 21359885 A JP21359885 A JP 21359885A JP S61112480 A JPS61112480 A JP S61112480A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は光学構体中の固体撮像器チップの取付方式、
好ましくは薄型半導体基板を有する固体撮峰器チップの
取付方式に関する。
〔発明の背景〕
一般に雷荷結合装置（ＣＯＤ）のような複数個の個別固
体撮像器は、比較的厚い（例えば約３０５〜３８１μ）
半導体ウェハの通常ゲート側と呼ばれる面に選択ドーピ
ングを行った後電極構体を被着することにより製造され
る。このウニ・・は「ダイシング」と呼ぶ工程で切断さ
れて各撮像器を撮像器チップに分離する。このような通
常の技法により各撮像器チップ中に形成された電子装置
は、その上に被写体を光学的に結像させたとき、その各
画素に向けられた可視光等の輻射エネルギを表わす１荷
を、その電極構体の下の半導体基板内の電位ウェルに生
成する感光性画素を発生する。この１荷はその画素から
読取られてその被写体を表わす電気信号を生成する。こ
のような撮像器チップでは、輻射エネルギがそのゲート
側から画素に向けられるため、そのチップの電極構体を
通過することを要する（すなわち、エネルギのいくらか
は電極間の間隙を通過し、いくらかは実際に電極を通過
する）。電極は可視光をいくらか通す程充分薄いが、光
が電極を通るときは可視光の波長が短いほど、特に青色
光に対して撮像器の応答性が悪くなる上、電極構体が光
のいくらかを遮断して感度を低下させる。
撮像器の応答性と感度を向上するため、半導体基板のゲ
ート側と反対の面を例えば化学エツチングにより約８〜
１０μまで薄くした撮像器が作られて来た。第１ａ図は
半導体基板を薄くした撮像器チップ１０を示す。基板を
薄くした撮像器では輻射エネルギが薄い基板側から画素
に向けられ、この輻射エネルギが発生した電子が電極構
体の下に形成された基板の電子ウェルに収集される。こ
の輻射エネルギは電極構体の中および／または周りを通
る必要がないため、基板を薄くした撮像器は北述の基板
の厚い撮像器に比して可視光に対する応答性がよい。こ
の基板を薄くした撮像器に構造的完全性を与えるため、
その薄い基板に比較的厚い（例えば２５４〜５０８μ）
ガラス板を光学的品質の接着剤を用いて均一に接着して
積層体を形成している。この薄型基板の撮像器チップを
製造する方法の詳細は米国特許第４　、２６６　、３３
４号に開示されている。
この様な薄型基板の撮像器の普通の外装様式とその外装
品の例えばカラービデオカメラ（図示せず）の光分割プ
リズム１００への取付様式を第１１）図と第１Ｃ図のＩ
Ｃ（集積回路）外装品１１０の断面と平面図に示す。外
装品１１０は開口部１１４とこの開口部に整合する内側
肩部１１６を持つ電気絶縁性のセラミック製チップ支持
具１１２を含み、その肩部１１６に薄型基板の撮像器チ
ップｌＯがその薄型基板側が受光用開口部１１４の方を
向く様に支えられている。
撮像器チップ１０のガラス積層板１２０はそのチップ１
０への光の入来に干渉しない様にその外周を肩部１１６
にエポキシ樹脂で接合されている。また撮像器チップ１
０への光の入来を妨げずに塵埃その他の汚染から撮像器
１０を保護するため、肩部１１６の反対側にはガラス窓
１２２が外周をエポキシ樹脂で接着されている。この撮
像器チップ１０と外部の駆動および信号処理回路（図示
せず）の電気接続は、その撮像器チップ１０のゲート側
から支持真上に形成されて接続ピン１２６に接続された
金属化バタン（図示せず）への結線１２４によって行わ
れている。
またその駆動および信号処理回路は各接続ピン１２６に
通常の印刷回路板技法により接続されている。
１２Ｂは工Ｃ外装品１１０を完成する不透明の蓋で、外
装品を気密封止すると共に有害光が侵入しない様に支持
具１１２の窓１２２と反対側にエポキシ樹脂で接着され
ている。
工Ｃ外装品１１０のプリズム１００に対する位置決めと
取付けは、窓１２２と寸法形状のほぼ同じほぼ矩形の開
口部を持つ矩形のガスケット１３０を用いることを教示
した米国特許第４，２６８，１１９号の教えに従えばよ
い。ガスケット１３０は発泡ゴムのような弾力性発泡体
材料で形成され、工Ｃ包装品１１０の窓１２２と外周で
接触すると共にプレズムユｏｏの出口開口部１３２に接
触する様に寸法を定められている。
次に機械的マイクロマニュプレータ（図示せス）力＼ が工Ｃ外装品１１０をつんでＸ、Ｙ、Ｚ面内で正確に配
置し、例えば出口１３２の光学的接触面に対して撮像器
チップ１０の結縁面が適正距離にあってそれに平行で中
心が合う様にする。チップの結像領域の平面と窓１２２
の平面との平行度は、そのチップを外装工１０内に取付
けるとき接着剤を不均一に付けると損われることに注意
する必要がある。また撮像器１０はプリズム１００の他
の出口面（図示せず）に取付けられた他の検知器（図示
せず）に対して回転がなく、その撮像器チップ１０から
供給される画像表示信号のラスタが、他の撮像器から供
給された画像表示信号とモニタとで整合する必要がある
。
工Ｃ外装品１１０が出口１３２に対して正しく位置決め
されると、その位置に保ったまま接着剤またはエポキシ
樹脂のような硬化セメントをガスケット１３０の周りに
塗布または注入してガスケットに含浸する。これを硬化
させると外装置１０とプリズムの出口１３２の間に強力
な結合を与える剛体が形成される。
撮像器チップ１０は工Ｃ外装置１０内に支持されている
が、その位置は各ＩＣ外装品により異ることに注意を要
する。すなわち、支持具１１２の肩部１１６が撮像器チ
ップ１０より太きいため、その肩部内におけるチップ１
０の位置が正確に定まらず・製造中に変ることがある。
その北、撮像器チップ１０の結像面と窓１２２の平行度
が、窓１２２とチップ１０の一方または双方の外周への
接着剤の塗布の不均一により製造中に変ることもある。
従って上述の位置決め取付は作業はプリズム１００の出
口面のような光学構体に取付けられる工Ｃ包装品ごとに
行う必要がある０ 第２図は比較的厚い半導体基板２０２を有する撮像器チ
ップ２００の外装２１０を示す。外装２１０は第１ｂ図
の外装工１０と同様の支持具２１２、ビン２２６および
結線２２４を含むが、その撮像器チップ２００が（半導
体基板２０２が厚くて光を通さないため）そのゲート側
から照射されるため、支持具２１２の凹陥部２１６に開
口を要しない。従って撮像器２００の基板２０２は支持
具２１２の凹陥部２１６内に接着され、撮像器チップ２
００のゲート側に形成される画素に光が通るように外装
を密閉するためガラス窓２２２がその外周で支持具２１
２に接着されている。この外装品２１０は工Ｃ外装品１
１０の取付について上述したのとほぼ同様にして窓２２
２がプリズム１００の出口に面するように位置決めして
そのプリズム１００に取付けられている。
固体撮像器チップについて上述した工Ｃ外装体は種々の
理由で不都合である。まず、前述のように、撮像器チッ
プの製造中の位置決めが正確に行かないため、チップ位
置が各チップで異るため、工Ｃ外装品を取付けるときは
、このチップ位置の不正確なことを勘案して、例えばプ
リズムの出口面に対して結像領域が平行精密に位置決め
されるように・弾力性の発泡体がスケットを用いる等の
比較的面倒な取付技術を要する。第２に、ガラス窓は撮
像器チップの感光面を外部からの塵埃から保護するが、
接着剤の破片等の粒子が長年日中に外装内部に発生して
撮像器の感光面上に落下し、撮像不良を生ずることがあ
る。第３に、撮像器を凹所内に置くと、特に外装品１１
０において、開口部１１４番こ　　　・よる画像のビネ
ット（画像の端の方で次第にぼけて外周では線がはっき
りしない現象）を生ずることがある。第４に、撮像器と
外装のガラス窓との間隙に凝縮を生じて画像を劣化する
原因になる空間ができる北、撮像器１０がその外周の接
着剤でしか支持されていないため、外装工１０には構造
的完全性と熱的安定性の問題がある。最後に、恐らく最
も重要なことであるが、製造技術が改善されて撮像器の
歩留が上って来ると、撮像器チップの価格がその外装品
の価格の相当部分を占めるまで下って来るため、上述の
ような固体撮像器の外装の欠点をなくすることが必要な
ことが判る。
〔発明の概要〕
この発明によれば、固体撮像器チップの感光面が透光素
子の平面状表面に直接取付けられる。その透光素子は撮
像器チップより面積が実質的（こ大きく、撮像器チップ
を取付けようとするカメラのプリズムのような光学部品
であることが好ましいＯこの素子はその外周から撮像器
チップが取付けられている領域に延びてそのチップに１
気接続を与える金属化バタンを含み、この金属化パタン
には素子の外周げ近でエツジコネクタのような結合手段
が結合されて、撮像器チップを外部の駆動および信号処
理回路に電気的に接続するようになっている。このよう
にすると別の外装の使用とそれによる欠点のすべてが避
けられる。
〔詳細な説明〕
第３ａ図、第３ｂ図、第３Ｃ図はこの発明の第１の特徴
による完全な撮像器チップとプリズムのｉ体を示す。第
３ａ図において、全体を３１０で示す色光分割プリズム
は当業者に公知のように２色性界面で分離された３個の
透光性プリズム部分３１２．３１４．３１６から成り、
入射面３１８に入射した光を出射面３２０．３２２．３
２４において赤、緑、青の各成分に分割する。この発明
の特徴として、第１ａ図の形式の薄型基板の固体撮像器
１０のガラス積層側がプリズム３１０にその出射面３２
０．３２２．３２４の各々の一定位置において直接取付
けられ、入射面３１８に入射した被写体からの光を表わ
す赤、緑および青の色成分信号を生成するようになって
いる。撮像器チップ１０を赤の出射面３２０に取付けた
ところが第３ｂ図と第３Ｃ図に詳示されている。撮像器
チップの出射面３２２．３２４への取付けは図示されな
いが、この撮像器チップ１０の出射面３２０への取付け
と実質的に同じである。この発明によるプリズムの出射
面への撮像器チップの直接取付は方は、チップの感光面
の前面に塵埃や接着剤の破片が落下したり凝縮を生じた
りして撮像器の性能を害する空気間隙がないため、従来
法のＩＣ外装品の取付は方より有利である。その上、撮
像器チップ自体がプリズムの出射面に直接取付けられて
いるので、チップとプリズムの結像面の実質的な平行性
が得られないことは殆んどない。また、撮像器チップを
（下達のように）プリズムにさらに強力に取付けて、例
えば可搬式ビデオカメラの撮像器の重要な条件である構
造の完全性と熱的安定性を向上することができる。最後
に第１ｂ図の外装品１１０に見られるような窓がないた
め、画像のビネット現象の可能性がない。
第３ｂ図、第３Ｃ図に示すように、プリズムの出射面３
２０はその外周から撮像器チップ１０が接合される領域
に向って延びる導体３２６の金属化パタンを有する。撮
像器チップとプリズムの一体化構体の製造時には、撮像
器１０のガラス積層板（第１ａ図に対して引用）に光学
品質の接着剤を均一に塗布した後、これを出射面３２０
の表面に置いて撮像器チップの感光領域の中心を出射面
３２０の光軸に一致させる。従来法では、外装済の撮像
器チップの位置決めを、撮像器を付勢して読取り中にそ
れから供給される画像信号により形成されるラスタをモ
ニタで見ることにより行うが、この発明の撮像器チップ
取付装置を用いると、薄型基板撮像器チップの位置決め
を、その撮像器のゲート側の電極構体りに被着された金
属化バンドの様な整合マスクを用いて光学的に行うこと
ができる。第３ｂ図には整合マスクの位置をＸ印で示し
である。この整合マスクはこれを電極構体から電気的に
絶縁する酸化物を有するため撮像器の電気的動作に干渉
せず、またチップの感光側にないため光学的に干渉する
こともない。しかし、撮像器チップがゲート側か　５ら
照射されるときは（勿論そのゲート側の不透明被膜はす
べて除く必要はあるが）、光がチップを通過するため、
その整合マスクがプリズムの入射面３１８上に見える。
組立て中に光学的品質の紫外線硬化型接着剤３２７をプ
リズムのガラスと撮像器チップの積層ガラス板との間に
（例えば圧力を加えて）均一に拡げて、その撮像器チッ
プがプリズムの出射面と実質的に平行になるようにし、
またそれがプリズムの光軸に一致するまで動かすことが
できる。次に接着剤を紫外線に露出して硬化させると、
撮像器の感光領域とプリズムの出射面の相対位置が固定
される。紫外線硬化型で光学的品質の接着剤の１つはノ
ーランド・プロダクツ社（ＮＯｒｌａｎｄ　Ｐｒ０ａｕ
Ｃｔｓ　Ｉｎｃ　、　）のＮ０Ａ−６０型である。次に
撮像器チップのゲート側の導体パッド３２９と導体３２
６の間を結線３２８で連結し、チップに電気接続を与え
る。導体３２６にはプリズムの出射面の縁シこ接合され
たコネクタ３３０の係合素子例えば雄型係合素子によっ
て通常の外部撮像器駆動パルス兼映像信号処理回路（図
示せず）が結合される。すなわち、コネクタ３３０は一
端を導体３２６（こ半田付けされ、他端を外部回路に連
結された電線３３２に接続されたピン（図示せず）を含
んでいる。破線３３６で示す部分において出射面３２０
にキヤツジ３３４をかぶせ、撮像器を気密に封止して外
界からの汚染を防ぐこともできる。
緑と青の出射面３２２．３２４に対する撮像器の取付は
方も上と実質的に同じであるが、接着剤を紫外線で硬化
させる前にゲート側から明るく照明し、プリズムの入射
面から整合マスクを見ながら、取付けの終った撮像器を
同時に照明したときその入射面に見える整合マスクと正
確に一致するように各撮像器を位置決めする点が異る。
その正確な位置決めが終ってから、接着剤を紫外線に露
出して撮像器チップの相対位置を固定する。
この発明による撮像器チップの取付は法の他の利点は撮
像器上の感光装置を付勢せずに位置決めができることで
ある。従って撮像器の整合は光学的に完全である。これ
は各撮像器チップからの画像表示信号の電子的整合（光
学的整合は不透明の蓋１２８のため実際的でない）によ
って撮像器の工Ｃ外装品が整合される従来法のプリズム
構体では不可能のことがある。それは撮像器を電子的に
整合させるときその感光位置が印加される電極駆動パル
スの振幅に一部依存するからである。従って、撮像器チ
ップをプリズム上で電子的に整合させるときは、その整
合度が製造中に印加される撮像器の動作信号のレベルに
依存するが、このレベルは完成したビデオカメラにおけ
るその信号レベルと異るため再調節を要する。その上、
この発明によってプリズムに取付けられ、整合された撮
像器チップが製造後ビデオカメラ内で故障したときは、
その撮像器チップ・プリズム構体を同様に整合された他
の撮像器チップ・プリズム構体と交換することができる
。その上、１子的整合は比較的複雑で作業員の熟練を要
するが、光学的整合は自動機器により容易に行えるため
製造費が低減される。
例えば、プリズムの出射面上に金属化導体を設けること
が（例えば出射面が小さくて撮像器チソープと導体３２
６の双方を支えきれないため）実際的でなければ・第４
図に示すような透光性支持具上に薄型基板の固体撮像器
を取付けることによりこの発明の利点を保存することが
できる。第４図では第３ｂ図・第３Ｃ図について説明し
た構体と同じ機能を示す構体には同様の引用数字を付し
て説明する。第４図では第３ｂ図、第３Ｃ図のプリズム
出射面が撮像器チップ１０、金属化導体３２６およびエ
ツジコネクタ３３０を支持し得るようにそのチップ１０
より実質的に面積が広く、比較的厚いが透光性の素子す
なわち支持具４１２で置換されている。支持具４１２は
光学的品質のガラス板で形成することができ、この上に
第４図に示すように紫外線硬化型で光学的品質の接着剤
を用いて撮像器チップ１０を取付けた後、その支持体４
１２を小さ過ぎて撮像器チップと金属化導体とエツジコ
ネクタが乗らないプリズムの出射面に取付けることがで
きる。このときもその支持具４１２とプリズム出射面の
間に紫外線硬化型光学的品質の接着剤を均一に延ばし、
支持具４１２の位置決め直後に紫外線に露出して接着剤
を硬化させ、撮像器チップを定位置に保つこと　　　゛
・ができる。さらに支持具４１２は撮像器が１つだけ使
用される単撮像器カメラのような場合にも用いられる。
この場合はチップ１０を含む支持具４１２を印刷回路板
に取付け、波釘式半田付法により回路板と金属化導体と
の霊気接続を行うこともできる。
第５図は第４図の代替実施例を示し、第４図の透光性支
持具４１２が第２図の支持具の実質的に同じ形をとるよ
うに成形されている。従って、工Ｃ外装品５１０は凹陥
部５１４の底に光学的品質の接着剤を用いて撮像器１ｏ
のガラス積層板部分を直接取付けた透明性支持具５１２
を含み、このため、撮像器１０の結像面は構造的かつ熱
的に安定で、外装品５１００入射面５１６に実質的に平
行である。この外装品５１０は第３ａ図について説明し
た撮像器チップ１０をプリズム３１０に取付ける方法と
ほぼ同様にしてプリズム出射面に取付けることができる
。この型の外装の利点は手持ちの取扱い用および接合用
撮像器外装機器の新設を最少にす゛ることである。
この発明の他の実施例は当業者に自明である。
例えば、この発明は薄型基板の固体撮像器チップに用い
るのが好ましいが、第６図に示すように比較的厚い基板
を持つ固体撮像器チップ６１０でも第４図に示す薄型基
板撮像器チップ１ｏの場合とほぼ同様にして透光性支持
具６１２に取げけることができる。唯一の違いは、光が
ゲート側から撮像器チップに入射するため、撮像器チッ
プ６１０（７”ｌ電極構体は支持具６１２の方を向く必
要がある。従ってチップ電極の導体３２６への接続は、
その導体３２６の突出部６１４に撮像器チップ６１０の
接合パッドを物理的に接触させる（例えば圧しつける）
ことによって行われる。また、撮像器チップはその感光
面に光学的品質の接着剤を均一に塗布してプリズムの出
射面または透光性支持具に貼付けるのが好ましいが、非
光学的品質の接着剤も使用できる。しかしこの場合は撮
像器チップの外周だけに塗布することを要する。また接
着剤を使用せずに撮像器チップをプリズム出射面に機械
的に固定することもできる。同様に、透光性支持具４１
２．５１２．６１２またはプリズム出射面はすべてその
上にカラー撮像器を形成するための色フイルタパタンを
設けることができることも当業者には自明である。　　
・
【図面の簡単な説明】
第１ａ図、第１ｂ図、第１ｃ図は従来法による薄型基板
面体撮像器チップとその外装およびプリズムへの取付け
を示す図、第２図は比較的厚い基板を持つ固体撮像器チ
ップの従来法による外装およびプリズムへの取付けを示
す図、第３ａ図、第３ｂ図、第３Ｃ図はこの発明の１特
徴による薄型基板固体撮像器チップの色光分割プリズム
への取付けを示す図、第４図はこの発明の他の特徴によ
る薄型基板固体撮像器チップの取付けを示す図、第５図
はこの発Ｆｊｌｌによって取付けられた薄型基板固体撮
像器チップ用の透光性素子の他の実施例を示す図、第６
図はこの発明のさらに他の特徴による厚型基板固体撮＠
器の組立構体を示す図である。 １０・・・固体撮像器チップ、３２０・・・輻射エネル
ギ透過素子、３２６・・・金属化バタン、３２８・・・
電気接続手段、３２９・・・電極構体。 ％杆部ａ人　　　アールシーニー　コーポレーション代
　　理　　人　　　清　　水　　　　　哲　ほか２名第
２図 才Ｉａ口 り一 隔Ｒ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）選択ドーピングを行つた基板と、その一面上の電
    極構体とを有する固体撮像器チップであつて、その電極
    構体がそのチップの一面上に結像領域を生成するように
    なつたものと、その撮像器チップの面積より大きく、上
    記結像領域を含む上記撮像器チップの上記一面が取付け
    られた平面状表面領域を有する輻射エネルギ透過素子と
    、この素子の一面に被着され、その素子の外周から上記
    チップが取付けられた領域に向つて延びる金属化パタン
    と、上記チップの電極構体を上記金属化パタンに電気的
    に接続する手段とを含む固体撮像器構体。
JP60213598A 1984-09-26 1985-09-25 一体化撮像器―プリズム構体 Expired - Lifetime JP2608048B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0462065U (ja) * 1990-10-11 1992-05-27

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028841A (en) * 1989-07-18 1991-07-02 Copytele, Inc. Chip mounting techniques for display apparatus
US5279694A (en) * 1986-12-04 1994-01-18 Copytele, Inc. Chip mounting techniques for display apparatus
NL8801291A (nl) * 1988-05-19 1989-12-18 Philips Nv Optisch samenstel voor een televisiecamera voorzien van een beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen van zulk een optisch samenstel.
JP3017780B2 (ja) * 1990-09-10 2000-03-13 株式会社東芝 電子内視鏡撮像装置
US5418566A (en) * 1990-09-10 1995-05-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics
US5400108A (en) * 1992-06-04 1995-03-21 Fuji Electric Co., Ltd. Autofocus module assembly
US5340420A (en) * 1993-01-28 1994-08-23 Eastman Kodak Company Method for bonding a color separation filter to an image sensor
FI97264C (fi) * 1994-10-28 1996-11-11 Tvi Temet Vision Ind Oy Menetelmä valoilmaisinrivin asemoimiseksi ja valojako- ja ilmaisinrakenne viivakameraa varten
US6614478B1 (en) * 1999-04-30 2003-09-02 Foveon, Inc. Color separation prisms having solid-state imagers mounted thereon and camera employing same
FR2832252B1 (fr) * 2001-11-14 2004-03-12 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur a capteur, muni d'un insert de fixation
JP4209608B2 (ja) * 2001-11-14 2009-01-14 信越化学工業株式会社 室温硬化性シリコーンゴム組成物
US7834300B2 (en) * 2005-02-07 2010-11-16 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Ballistic guidance control for munitions
JP6205228B2 (ja) * 2013-09-30 2017-09-27 オリンパス株式会社 撮像モジュールおよび内視鏡装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5268687U (ja) * 1975-11-18 1977-05-21
JPS5630381A (en) * 1979-08-21 1981-03-26 Toshiba Corp Image pickup unit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4044374A (en) * 1976-01-19 1977-08-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device header suitable for vacuum tube applications
US4166280A (en) * 1977-11-04 1979-08-28 Ampex Corporation High performance television color camera employing a camera tube and solid state sensors
US4268119A (en) * 1979-01-22 1981-05-19 Bell & Howell Company Color-separating optical system
US4266334A (en) * 1979-07-25 1981-05-12 Rca Corporation Manufacture of thinned substrate imagers
US4418284A (en) * 1980-03-17 1983-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state color-image sensor and process for fabricating the same
US4323918A (en) * 1980-08-25 1982-04-06 Rca Corporation Optical assembly for color television
JPS57124982A (en) * 1981-01-28 1982-08-04 Hitachi Ltd Solid-state image pickup device
JPS5947774A (ja) 1982-09-10 1984-03-17 Fuji Electric Co Ltd 光半導体装置
JPS59122086A (ja) * 1982-12-27 1984-07-14 Toshiba Corp 固体撮像装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5268687U (ja) * 1975-11-18 1977-05-21
JPS5630381A (en) * 1979-08-21 1981-03-26 Toshiba Corp Image pickup unit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0462065U (ja) * 1990-10-11 1992-05-27

Also Published As

Publication number Publication date
GB2165092A (en) 1986-04-03
KR860002727A (ko) 1986-04-28
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US4622580A (en) 1986-11-11
FR2570909B1 (fr) 1991-05-24
JP2608048B2 (ja) 1997-05-07
DE3534186A1 (de) 1986-04-03
GB2165092B (en) 1987-12-09
KR940007594B1 (ko) 1994-08-20
DE3534186C2 (de) 1994-11-24
FR2570909A1 (fr) 1986-03-28

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