JPS6110829A - 陰極線管の光吸収膜形成方法 - Google Patents
陰極線管の光吸収膜形成方法Info
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- JPS6110829A JPS6110829A JP13156484A JP13156484A JPS6110829A JP S6110829 A JPS6110829 A JP S6110829A JP 13156484 A JP13156484 A JP 13156484A JP 13156484 A JP13156484 A JP 13156484A JP S6110829 A JPS6110829 A JP S6110829A
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- Japan
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- glass panel
- ray tube
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2278—Application of light absorbing material, e.g. between the luminescent areas
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１発明の技術分野〕
この発明は、陰極線管、とくに、カラー受像管における
蛍光面の虹むらの発生を防止する光吸収膜形成方法に関
する。
蛍光面の虹むらの発生を防止する光吸収膜形成方法に関
する。
現在、カラー受像管の蛍光面は、蛍光体の発光面積を光
吸収性物質、例えばグラファイト膜で限定塗布すること
によって蛍光面のコントラストを画期的に向上させたい
わゆるブラックマトリックス化されたものに変ってきて
いる。
吸収性物質、例えばグラファイト膜で限定塗布すること
によって蛍光面のコントラストを画期的に向上させたい
わゆるブラックマトリックス化されたものに変ってきて
いる。
こうしたカラー受像管用上記ブラックマ１−リツクス化
蛍光面の一般的な製造方法は、第５図（ａ）から（ｃｌ
）に示されている。
蛍光面の一般的な製造方法は、第５図（ａ）から（ｃｌ
）に示されている。
まず、蛍光１１＋１を形成するガラスパネル（１）の内
面を、苛性ソーダー弗化アンモニウムそして純水を使用
して洗浄し乾燥する。つぎに、ホトレジスト、たとえば
、ポリビニールアルコールと重クロム酸塩を主成分とす
るレジスト溶液を回転塗布法により塗布してレジスト膜
（２）を形成する。上記レジスト膜（２）は充分乾燥さ
れ露光工程に入る。露光工程では、たとえば第５図（ａ
）に示すような露光装置によりレジスト膜（２）に潜像
を形成する。すなわち、ガラスパネル（１）に色選択電
極としてのシャドウマスク（３）を装着し、補正レンズ
（４）、光量調整フィルター（５）類を介して水銀ラン
プ（６）で一定時間、シャッター（７）の開閉によって
、シャドウマスク（３）の１つの開孔部に対しレジスト
膜（２）の８つの位置、すなわち３原色蛍光体を被着し
て発光させる位置を順次露光してレジスト膜（２）に潜
像を形成する。
面を、苛性ソーダー弗化アンモニウムそして純水を使用
して洗浄し乾燥する。つぎに、ホトレジスト、たとえば
、ポリビニールアルコールと重クロム酸塩を主成分とす
るレジスト溶液を回転塗布法により塗布してレジスト膜
（２）を形成する。上記レジスト膜（２）は充分乾燥さ
れ露光工程に入る。露光工程では、たとえば第５図（ａ
）に示すような露光装置によりレジスト膜（２）に潜像
を形成する。すなわち、ガラスパネル（１）に色選択電
極としてのシャドウマスク（３）を装着し、補正レンズ
（４）、光量調整フィルター（５）類を介して水銀ラン
プ（６）で一定時間、シャッター（７）の開閉によって
、シャドウマスク（３）の１つの開孔部に対しレジスト
膜（２）の８つの位置、すなわち３原色蛍光体を被着し
て発光させる位置を順次露光してレジスト膜（２）に潜
像を形成する。
つぎに現像処理して上記蛍光体を被着すべき位置にレジ
スト膜パターンであるレジストドツトまたはレジストス
トライプ（８）（以下レジストストライプと総称する）
を形成する。ついでレジストストライプ（８）を乾燥し
た後、光吸収性物質たとえばグラファイト溶液をレジス
トストライプ（８）の上に噴霧又は流しかけて塗布し乾
燥してグラファイト膜（９）を形成する。これを第５図
（ｂ）の断面図に示す。
スト膜パターンであるレジストドツトまたはレジストス
トライプ（８）（以下レジストストライプと総称する）
を形成する。ついでレジストストライプ（８）を乾燥し
た後、光吸収性物質たとえばグラファイト溶液をレジス
トストライプ（８）の上に噴霧又は流しかけて塗布し乾
燥してグラファイト膜（９）を形成する。これを第５図
（ｂ）の断面図に示す。
次に、グラファイト膜（９）を充分乾燥、加熱した後溶
剤、たとえば１０％過酸化水緊水をガラスパネル（１）
内面に注入して上記レジストストライプ（８）に作用さ
せ、これを化学的に分解する。化学的に分解されたレジ
ストストライプ（８）およびこの上に塗布されたクラフ
ァイト膜（９）は次の強力な現像工程でガラスパネル（
１）よりはがれ、その結果蛍光体を被着発光させる位置
以外を上記グラファイト膜（９）で被着した光吸収パタ
ーンが形成される。更にガラスパネル（１）スカート部
に被着された、不必要な領域のグラファイト膜（９）は
フッ化アンモニウムの水溶液でガラス面をエツチングす
る事によって除去整形され、最後に水洗、乾燥を行って
ブラックマトリックスの形成を完了する。これを第８図
（０）の断面図に示す。その後上記レジストストライプ
（８）の形成と同じように、３原色すなわち緑、青ぞし
て赤の各々の蛍光体スラリーについて塗布、露光、現像
の二［程を繰返し行い、第５図（ｄ）に示す３原色蛍光
体ストライブＱ０の被着を完了した蛍光面を形成する。
剤、たとえば１０％過酸化水緊水をガラスパネル（１）
内面に注入して上記レジストストライプ（８）に作用さ
せ、これを化学的に分解する。化学的に分解されたレジ
ストストライプ（８）およびこの上に塗布されたクラフ
ァイト膜（９）は次の強力な現像工程でガラスパネル（
１）よりはがれ、その結果蛍光体を被着発光させる位置
以外を上記グラファイト膜（９）で被着した光吸収パタ
ーンが形成される。更にガラスパネル（１）スカート部
に被着された、不必要な領域のグラファイト膜（９）は
フッ化アンモニウムの水溶液でガラス面をエツチングす
る事によって除去整形され、最後に水洗、乾燥を行って
ブラックマトリックスの形成を完了する。これを第８図
（０）の断面図に示す。その後上記レジストストライプ
（８）の形成と同じように、３原色すなわち緑、青ぞし
て赤の各々の蛍光体スラリーについて塗布、露光、現像
の二［程を繰返し行い、第５図（ｄ）に示す３原色蛍光
体ストライブＱ０の被着を完了した蛍光面を形成する。
この場合、各色の蛍光体ごとにその露光位置を変える。
ここにおいて、ティスプレー用としての蛍光面はより高
解像度のものが要求され、蛍光面の絵素単位、即ちピッ
チのより細かいものが用いられている。通常そのピッチ
は従来のカラーテレビ用のものに対して２／Ｂ程度であ
るが、上記カラー受像管用蛍光面の製造方法をそのまま
このティスプレー用のものに適用すると、蛍光面の発光
特性の均一性が著しく阻害され虹状のむらを生じてしま
う。
解像度のものが要求され、蛍光面の絵素単位、即ちピッ
チのより細かいものが用いられている。通常そのピッチ
は従来のカラーテレビ用のものに対して２／Ｂ程度であ
るが、上記カラー受像管用蛍光面の製造方法をそのまま
このティスプレー用のものに適用すると、蛍光面の発光
特性の均一性が著しく阻害され虹状のむらを生じてしま
う。
その原因を第６図により説明すると上記露光光源よりシ
ャドウマスク（３）を通してレジスト膜（２）に入射す
る光線に）は大部分がガラスパネル（１）より外にでる
ものであるが、破線で示す一部の光線ｅυは、ガラスパ
ネル（１）の表面層で反射し再びレジスト膜（２）に向
いレジスト膜（２）を（感光する。この場合図示する如
く、一部の光線、すなわち反射光■υは本来の露光部分
（ハ）と周期的に重なり合う結果、その重なり合う部分
の露光量が他の部分よりも多くなり、わずかではあるも
ののレジストストライプ幅の周期的な大小（むら）を生
じさせてしまう。前記３原色蛍光面において、こうした
相互干渉によるストライプ幅の大小が生じると、その後
、被着されフコ蛍光体を発光させた場合あたかも虹状の
色むらを呈し、蛍光面の品位を非常に低下させ好ましく
る（いものであった。
ャドウマスク（３）を通してレジスト膜（２）に入射す
る光線に）は大部分がガラスパネル（１）より外にでる
ものであるが、破線で示す一部の光線ｅυは、ガラスパ
ネル（１）の表面層で反射し再びレジスト膜（２）に向
いレジスト膜（２）を（感光する。この場合図示する如
く、一部の光線、すなわち反射光■υは本来の露光部分
（ハ）と周期的に重なり合う結果、その重なり合う部分
の露光量が他の部分よりも多くなり、わずかではあるも
ののレジストストライプ幅の周期的な大小（むら）を生
じさせてしまう。前記３原色蛍光面において、こうした
相互干渉によるストライプ幅の大小が生じると、その後
、被着されフコ蛍光体を発光させた場合あたかも虹状の
色むらを呈し、蛍光面の品位を非常に低下させ好ましく
る（いものであった。
この虹状のむらは、上記干渉による露光量の周期的なむ
らが顕著になる条件、すなわちストライプ幅がより小さ
くなると生じ易く、この場合のむらの８期は、蛍光面ピ
ッチのほか、シャドウマスク（３）とガラスパネル（１
）の間隔、ガラスパネルの厚さやその表１ｍの曲率など
によって左右されるものである。
らが顕著になる条件、すなわちストライプ幅がより小さ
くなると生じ易く、この場合のむらの８期は、蛍光面ピ
ッチのほか、シャドウマスク（３）とガラスパネル（１
）の間隔、ガラスパネルの厚さやその表１ｍの曲率など
によって左右されるものである。
従来、こうした干渉を減少させるために上記レジスト液
に光分散性の微粒子を入れたもの（前者）、あるいはガ
ラスパネル表面をエツチングし反射光に規則性を４ｆく
する（後者）などの方法が採られてきた。しかしながら
前者の場合、その効果は不充分であり確実なものではな
かった。一方、後者の場合、はぼ解消できるもののガラ
スパネルを均一にエツチングするｔコめの処理コストが
高く、望ｔ ｔ、い方法とはいえなかった。
に光分散性の微粒子を入れたもの（前者）、あるいはガ
ラスパネル表面をエツチングし反射光に規則性を４ｆく
する（後者）などの方法が採られてきた。しかしながら
前者の場合、その効果は不充分であり確実なものではな
かった。一方、後者の場合、はぼ解消できるもののガラ
スパネルを均一にエツチングするｔコめの処理コストが
高く、望ｔ ｔ、い方法とはいえなかった。
この発明は従来の欠点をなくすためになされたもので、
ガラスパネル内面に塗布乾燥したホトレジストを、シャ
ドウマスクを介し、上記ガラスノ（ネルから反射した光
の波長成分の一部または全部を波長選択フィルタによっ
て除去または減衰した光線により、露光することにより
、露光量が全体的に均等化し、これにより上記虹むらの
発生を抑制することのできる陰極線管の光吸収膜形成方
法を提供することを目的とする。
ガラスパネル内面に塗布乾燥したホトレジストを、シャ
ドウマスクを介し、上記ガラスノ（ネルから反射した光
の波長成分の一部または全部を波長選択フィルタによっ
て除去または減衰した光線により、露光することにより
、露光量が全体的に均等化し、これにより上記虹むらの
発生を抑制することのできる陰極線管の光吸収膜形成方
法を提供することを目的とする。
以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。
第１図は、その一実施例である露光装置の断面図である
。従来のものと異なるところは、光の波長を選択するた
めの波長選択フィルタ（ガラス製）輪が設けられている
点である。
。従来のものと異なるところは、光の波長を選択するた
めの波長選択フィルタ（ガラス製）輪が設けられている
点である。
ここにおいて、第２図には、通常用いられる超高圧水銀
ランプの発光スペクトルの比エネルギ曲線（至）（８６
５，４０４および４８５８ｍ にそれぞれ強いピークが
ある）と、上記発光スペクトルに対応するＰＶＡ−重ク
ロム酸塩系の比分光感度特性曲線０１）とが示されてい
る。また、第８図には、陰極線管用クリヤガラスの分光
透過率曲線員とグレイガラスの分光透過率曲線θつとが
示されている。
ランプの発光スペクトルの比エネルギ曲線（至）（８６
５，４０４および４８５８ｍ にそれぞれ強いピークが
ある）と、上記発光スペクトルに対応するＰＶＡ−重ク
ロム酸塩系の比分光感度特性曲線０１）とが示されてい
る。また、第８図には、陰極線管用クリヤガラスの分光
透過率曲線員とグレイガラスの分光透過率曲線θつとが
示されている。
これら第２図および第３図に示された関係から、水銀ラ
ンプの発光スペクトルのうち、上記干渉に＃、響を与え
る波長は、主として４０４ ｎｍＯものであり、これよ
り波長の短いものは、ガラスパネル（１）で相当量吸収
される一方、それより波長の長いものは、１／シスト膜
（２）の感光に影響しないことが判る。
ンプの発光スペクトルのうち、上記干渉に＃、響を与え
る波長は、主として４０４ ｎｍＯものであり、これよ
り波長の短いものは、ガラスパネル（１）で相当量吸収
される一方、それより波長の長いものは、１／シスト膜
（２）の感光に影響しないことが判る。
こうし１こことから、露光光線から４０４ ｎｍ ｃｒ
）発光スペクトル分を適当なフィルタで除去あるいケ減
衰させれば、ガラスパネル（１）による反射光線の影岡
を軽減させることができる。
）発光スペクトル分を適当なフィルタで除去あるいケ減
衰させれば、ガラスパネル（１）による反射光線の影岡
を軽減させることができる。
そこで、Ｉ；記に適合する波長選択フィルタ員として、
たとえは、第４図に示すような透過率特性を有するもの
、つまり、保谷ガラスからＢ−３７０（第４図−）ある
いは、Ｕ−３３０（第４図０１））などの商品名で発売
されているものがある。
たとえは、第４図に示すような透過率特性を有するもの
、つまり、保谷ガラスからＢ−３７０（第４図−）ある
いは、Ｕ−３３０（第４図０１））などの商品名で発売
されているものがある。
こうした波長選択フィルタに）を有する露光装置により
、１４の中解像度蛍光面、すなわち、シャドウマスク（
３）が横ピッチ０．８９ ｘｔｇで縦ピッチ０．８９Ｍ
のもの、また、ガラスパネル（１）とシャドウマスク（
３）の間隔を５．８１１１１１としたもの、さら番こ、
中央位置の発光ストライプ幅を０．０８５ｊ１ｍ、周辺
位置の発光ヌトライプ幅を０．０７ Ｉｎｎとした従来
と同じ設計値で光吸収膜を形成したところ、ガラスパネ
ル（１）の透過率が高く、虹むらも強くなることが予想
される従来のクリヤ寿ラスにおいても、虹むらの発生が
ほとんどなかった。ここにおいて、上記波長選択フィル
タ（ト）としてＢ−８７０輪を用いた場合、露光時間は
従来の約１．３倍になる一方、Ｕ８３０ （６１）を用
いた場合、約１．５倍となり、ともに、虹むらはほとん
どなくなっているが、Ｂ−８７０−よりもＵ−８８０１
力を使用したものの方が虹むらの発生抑制により効果的
であった。これは、Ｕ−８８０６１）による場合がＢ−
８７０−による場合よりも水銀ランプの波長４０４．７
ｎｍに対する透過率が大きくなっていることによる。
、１４の中解像度蛍光面、すなわち、シャドウマスク（
３）が横ピッチ０．８９ ｘｔｇで縦ピッチ０．８９Ｍ
のもの、また、ガラスパネル（１）とシャドウマスク（
３）の間隔を５．８１１１１１としたもの、さら番こ、
中央位置の発光ストライプ幅を０．０８５ｊ１ｍ、周辺
位置の発光ヌトライプ幅を０．０７ Ｉｎｎとした従来
と同じ設計値で光吸収膜を形成したところ、ガラスパネ
ル（１）の透過率が高く、虹むらも強くなることが予想
される従来のクリヤ寿ラスにおいても、虹むらの発生が
ほとんどなかった。ここにおいて、上記波長選択フィル
タ（ト）としてＢ−８７０輪を用いた場合、露光時間は
従来の約１．３倍になる一方、Ｕ８３０ （６１）を用
いた場合、約１．５倍となり、ともに、虹むらはほとん
どなくなっているが、Ｂ−８７０−よりもＵ−８８０１
力を使用したものの方が虹むらの発生抑制により効果的
であった。これは、Ｕ−８８０６１）による場合がＢ−
８７０−による場合よりも水銀ランプの波長４０４．７
ｎｍに対する透過率が大きくなっていることによる。
なお、上記実施例では、波長選択フィルターは従来の光
景調整用フィルタ（５）の上部に重ねて設置し、かつ、
回転式としであるが、必ずしも回転式としなくともよく
、また、設置する位置についても装置の条ｒトに合わせ
て任意に変更しうる。さらに、波長選択フィルタ句は、
装置、レジストの特性に合わせて各種特性、各種形状の
ものを選択可能である。また、この発明の方法は、蛍光
体被着工程にも応用可能である。さらに、上記波長選択
フィルタ輪は、上記反射によりホトレジストを感光させ
る光の波長成分の一部でなく、全部を除去または減衰さ
けるフィルタを選定することもある。
景調整用フィルタ（５）の上部に重ねて設置し、かつ、
回転式としであるが、必ずしも回転式としなくともよく
、また、設置する位置についても装置の条ｒトに合わせ
て任意に変更しうる。さらに、波長選択フィルタ句は、
装置、レジストの特性に合わせて各種特性、各種形状の
ものを選択可能である。また、この発明の方法は、蛍光
体被着工程にも応用可能である。さらに、上記波長選択
フィルタ輪は、上記反射によりホトレジストを感光させ
る光の波長成分の一部でなく、全部を除去または減衰さ
けるフィルタを選定することもある。
以上説明Ｌ／だように、この発明によれば、ガラスパネ
ル内向に塗布乾燥したホトレジストを、シャドウマスク
を介し、上記ガラスパネルから反射した光の波長成分の
一部または全部を波長選択フィルタによって除去または
減衰した光線により、露光することにより、露光量が全
体的に均等化し、これにより上記・虹むらの発生を抑制
することのできる陰極線管の光吸収膜形成方法を提供す
ることができる。
ル内向に塗布乾燥したホトレジストを、シャドウマスク
を介し、上記ガラスパネルから反射した光の波長成分の
一部または全部を波長選択フィルタによって除去または
減衰した光線により、露光することにより、露光量が全
体的に均等化し、これにより上記・虹むらの発生を抑制
することのできる陰極線管の光吸収膜形成方法を提供す
ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す露光装置の断面図、
第２図は水銀ランプの発光スペクトルとレジスト膜の分
光感度曲線を示すグラフ図、第３図はガラスパネルの分
光透過率曲線を示すグラフ図、第４図はこの発明の一実
施例に用いたガラスフィルタの分光透過率曲線、第５図
（ａ）は従来のブラックマトリックス型カラー受像管に
おけるレジスト膜の露光装置を示す断面図、第５図（ｂ
）はレジストストライプの内面にグラファイト膜（光吸
収性物質）を塗布した状態を示す断面図、第５図（ｃ）
は酸化剤でレジストストライプを分解除去した状態を示
す断面図、第５図（ｄ）は３原色蛍光体ストライプを被
着した状態を示す断面図、第６図は反射光線による露光
むらを示す要部拡大断面図である。 （１，）・・・ガラスパネル、（２）・・・レジスト膜
、（８）・・・レジストストライプ、（９）・・・グラ
ファイト膜、翰・・・入射光線、 （２］）・・・反射
光線、輪・・・ガラスフィルタ。 なお、図中同一符号は、同一または相当部分を示ず。
第２図は水銀ランプの発光スペクトルとレジスト膜の分
光感度曲線を示すグラフ図、第３図はガラスパネルの分
光透過率曲線を示すグラフ図、第４図はこの発明の一実
施例に用いたガラスフィルタの分光透過率曲線、第５図
（ａ）は従来のブラックマトリックス型カラー受像管に
おけるレジスト膜の露光装置を示す断面図、第５図（ｂ
）はレジストストライプの内面にグラファイト膜（光吸
収性物質）を塗布した状態を示す断面図、第５図（ｃ）
は酸化剤でレジストストライプを分解除去した状態を示
す断面図、第５図（ｄ）は３原色蛍光体ストライプを被
着した状態を示す断面図、第６図は反射光線による露光
むらを示す要部拡大断面図である。 （１，）・・・ガラスパネル、（２）・・・レジスト膜
、（８）・・・レジストストライプ、（９）・・・グラ
ファイト膜、翰・・・入射光線、 （２］）・・・反射
光線、輪・・・ガラスフィルタ。 なお、図中同一符号は、同一または相当部分を示ず。
Claims (2)
- （１）陰極線管の蛍光面を形成するブラックマトリック
ス型蛍光面の光吸収膜形成方法において、ガラスパネル
内面に塗布乾燥したホトレジストを、シャドウマスクを
介し、上記ガラスパネルから反射した光の波長成分の一
部または全部を波長選択フィルタによつて除去または減
衰した光線により露光し、現像してレジスト膜パターン
を形成してのち、上記レジスト膜パターンを形成したガ
ラスパネル内面に光吸収性物質の溶液を塗布、乾燥し、
溶剤により上記レジスト膜パターンを分解、除去して光
吸収膜パターンを形成することを特徴とする陰極線管の
光吸収膜形成方法。 - （２）露光光源を、超高圧水銀灯とし、かつ、波長選択
フィルタによつて除去または減衰する発光スペクトルの
波長を４０４．７ｎｍとした特許請求の範囲第１項に記
載の陰極線管の光吸収膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13156484A JPS6110829A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 陰極線管の光吸収膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13156484A JPS6110829A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 陰極線管の光吸収膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110829A true JPS6110829A (ja) | 1986-01-18 |
Family
ID=15061009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13156484A Pending JPS6110829A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 陰極線管の光吸収膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149880A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 投射型多重記録方法 |
| JPH05292675A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 鉛電池の充電器 |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP13156484A patent/JPS6110829A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149880A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 投射型多重記録方法 |
| JPH0478977B2 (ja) * | 1988-12-01 | 1992-12-14 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPH05292675A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 鉛電池の充電器 |
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