JPS61106782A - 回路板上の銅皮膜のエツチング方法 - Google Patents
回路板上の銅皮膜のエツチング方法Info
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- JPS61106782A JPS61106782A JP60174390A JP17439085A JPS61106782A JP S61106782 A JPS61106782 A JP S61106782A JP 60174390 A JP60174390 A JP 60174390A JP 17439085 A JP17439085 A JP 17439085A JP S61106782 A JPS61106782 A JP S61106782A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/46—Regeneration of etching compositions
-
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- C23F1/34—Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は回路板上の銅皮膜をエツチングすると共にエツ
チング液から銅を電解的に回収する方法に関する。
チング液から銅を電解的に回収する方法に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕回路板
のエツチングに今日工業的に主として使用されている方
法は、(Cu (NH3)4 ) C62およびNH3
の濃厚水溶液をエツチング液として使用している。この
溶液に含まれる二価の銅は、回路板の薄い銅層の露出部
分の金属銅を酸化して一価の銅に変え、この工程時二価
の銅自身も一価状態に変換される。塩溶液に含まれる一
価の銅は、空中酸素によって再酸化されて二価の銅にな
シ、次いでこのものはさらなるエツチングに再使用され
る。
のエツチングに今日工業的に主として使用されている方
法は、(Cu (NH3)4 ) C62およびNH3
の濃厚水溶液をエツチング液として使用している。この
溶液に含まれる二価の銅は、回路板の薄い銅層の露出部
分の金属銅を酸化して一価の銅に変え、この工程時二価
の銅自身も一価状態に変換される。塩溶液に含まれる一
価の銅は、空中酸素によって再酸化されて二価の銅にな
シ、次いでこのものはさらなるエツチングに再使用され
る。
エツチング液を長時間使用後、その銅分は再び還元しな
ければならないが、これは電解分離によって実施するこ
とが出来ない。この工程中C42が同時に遊離するから
である。したがって、銅は液−液抽出によってケロシン
に溶解するがそれ自身水に溶解しないβ−ノヶトンに固
定され、次いで1、(:、 CF)β−
″丹′から硫酸杆パ再“刻゛分離され、この工程時硫酸
銅が得られる。次いで、硫酸銅は通常の方法によシミ解
されて金属銅が生成する。
ければならないが、これは電解分離によって実施するこ
とが出来ない。この工程中C42が同時に遊離するから
である。したがって、銅は液−液抽出によってケロシン
に溶解するがそれ自身水に溶解しないβ−ノヶトンに固
定され、次いで1、(:、 CF)β−
″丹′から硫酸杆パ再“刻゛分離され、この工程時硫酸
銅が得られる。次いで、硫酸銅は通常の方法によシミ解
されて金属銅が生成する。
前述したエツチング液の再処理法は複雑であり、この目
的に設けられた化学設備でしか行うことが出来ず、また
この設備に回路板製造者によって使用済みエツチング液
が戻されなければならない。
的に設けられた化学設備でしか行うことが出来ず、また
この設備に回路板製造者によって使用済みエツチング液
が戻されなければならない。
また、事実、回路板を濃厚水性〔Cu (NH3) 4
〕S Oa溶液でエツチングすることも出来る。エツチ
ング中に追加的に溶解した銅は、そのような溶液から電
解的に難なく分離することが出来る。しかじながら、そ
のようなエツチング液を用いると、濃厚塩化銅/アンモ
ニア浴液を用いる場合よシェッチング時間が著しく長く
なる。
〕S Oa溶液でエツチングすることも出来る。エツチ
ング中に追加的に溶解した銅は、そのような溶液から電
解的に難なく分離することが出来る。しかじながら、そ
のようなエツチング液を用いると、濃厚塩化銅/アンモ
ニア浴液を用いる場合よシェッチング時間が著しく長く
なる。
[:Cu (NH,)4)So4溶液を用いる場合に必
要なエツチング時間を短縮するために、前の特許類P3
305319.7において、濃厚(Cu(Nl(3)4
)SO2液に触媒すなわちバナジウムまたはバナジウム
化合物を添加することが提案された。しかしながら、バ
ナジウム含有〔Cu(NH3)4)So4エツチング液
か 、ら電解分離された銅は凝集性がなく、砕
けやすく、分離に用いた電極から除去することが困難で
ある。
要なエツチング時間を短縮するために、前の特許類P3
305319.7において、濃厚(Cu(Nl(3)4
)SO2液に触媒すなわちバナジウムまたはバナジウム
化合物を添加することが提案された。しかしながら、バ
ナジウム含有〔Cu(NH3)4)So4エツチング液
か 、ら電解分離された銅は凝集性がなく、砕
けやすく、分離に用いた電極から除去することが困難で
ある。
さらに、電解効率は分離した銅層の厚さが増大するにつ
れて低下する。
れて低下する。
本発明の目的は、回路板上の銅皮膜をエツチングすると
共に(Co (NH3) 4〕804エツチング液を電
解的に十分再生し、電解銅回収時に凝集性Cu層を得、
しかもエツチング触媒的に加速させ続けながら行う方法
を提供することである。
共に(Co (NH3) 4〕804エツチング液を電
解的に十分再生し、電解銅回収時に凝集性Cu層を得、
しかもエツチング触媒的に加速させ続けながら行う方法
を提供することである。
〔問題点を解決するための手段および作用効果〕本発明
によれば、この課題は、回路板上の銅皮膜をエツチング
し、同時にエツチング液から銅を電解回収する方法にお
いて、〔Cu(NH3)4)SO2、NH3および(N
H4)2SO4 を含み、さらにエツチング速度を増大
させる触媒を含有するエツチング液を回路板に接触させ
、エツチングされた銅をエツチング液から電解的に分離
し、このようにして再生された塩溶液を工程に戻す方法
であって、エツチング液が触媒として臭素含有物質を含
有する°ことを特徴とする方法によって解決される。
によれば、この課題は、回路板上の銅皮膜をエツチング
し、同時にエツチング液から銅を電解回収する方法にお
いて、〔Cu(NH3)4)SO2、NH3および(N
H4)2SO4 を含み、さらにエツチング速度を増大
させる触媒を含有するエツチング液を回路板に接触させ
、エツチングされた銅をエツチング液から電解的に分離
し、このようにして再生された塩溶液を工程に戻す方法
であって、エツチング液が触媒として臭素含有物質を含
有する°ことを特徴とする方法によって解決される。
本発明による方法では、エツチング液中にカチオンとし
て存在せずしたがって銅の電解銅収時銅と共に分離され
ない臭素含有物質が触媒として使分離された銅にバナジ
ウムが混入するためと思われる。本発明による触媒とし
て使用される臭素含有物質はカチオンを形成せず、した
がって銅と共に分離されず、純粋な延性のある銅層が形
成される。またコストに関する限シにおいても臭素含有
触媒物質は好ましい。
て存在せずしたがって銅の電解銅収時銅と共に分離され
ない臭素含有物質が触媒として使分離された銅にバナジ
ウムが混入するためと思われる。本発明による触媒とし
て使用される臭素含有物質はカチオンを形成せず、した
がって銅と共に分離されず、純粋な延性のある銅層が形
成される。またコストに関する限シにおいても臭素含有
触媒物質は好ましい。
本発明の方法の有利な態様として次の如き態様がある。
(1)触媒的に活性な臭素の濃度を0.1〜81/l、
特に1〜4gμとする。
特に1〜4gμとする。
(2)臭素含有物質を臭化物、特に、NH4B rまた
はCHs CHB r COB r とする。
はCHs CHB r COB r とする。
(3) エツチングをエツチング液の318〜328
K(45−55℃)、特に327K(54℃)の温【で
行う。
K(45−55℃)、特に327K(54℃)の温【で
行う。
(4)エツチングをエツチング液の327K(54℃)
の温度で測定してエツチング液の−値8.2〜9.5で
行う。
の温度で測定してエツチング液の−値8.2〜9.5で
行う。
(5)遊離アンモニアの濃度を0.01〜1.0モル/
lとする。
lとする。
(6)エツチング液のCu 濃度を70〜120g
/lとする。
/lとする。
以下、本発明を図面によシ詳述する。
図面において、細長い箱10の横断面が示される。箱1
0の下部はエツチング液溜め12として働く。溜め12
はライン14を経てポンプ16の吸引側に連結される。
0の下部はエツチング液溜め12として働く。溜め12
はライン14を経てポンプ16の吸引側に連結される。
ポンプ16の出口側は下部スプレー管18および上部ス
プレー管20に連結される。
プレー管20に連結される。
スプレー管18.20の間には、回路板24を箱10内
を図面の面に垂直に連続的に移動させるj、 −
透過性エンドレスコンベヤー22が延在している。
を図面の面に垂直に連続的に移動させるj、 −
透過性エンドレスコンベヤー22が延在している。
回路板24は少くとも一面に連続銅皮膜を有し、その皮
膜上に光増感保護膜(ホトレノスト)が施されている。
膜上に光増感保護膜(ホトレノスト)が施されている。
ホトレノストの部分領域は露光および続く現像によυ剥
離され、後に回路板を形成する銅皮膜の領域のみが依然
としておおわれている。
離され、後に回路板を形成する銅皮膜の領域のみが依然
としておおわれている。
銅皮膜の他の領域は露光され、スプレー管18゜20に
よって放出されるエツチング液線26にさらされる。
よって放出されるエツチング液線26にさらされる。
エツチング液は、新鮮な組成として、1.227mo
l/l (Cu (Nl(3) 4 ] So 4.0
.01〜0.6モル/を遊離NH,および0.606モ
ル/l (NH4)2so4 を含有する。エツチング
液の温度は323〜325K(50−52℃)である。
l/l (Cu (Nl(3) 4 ] So 4.0
.01〜0.6モル/を遊離NH,および0.606モ
ル/l (NH4)2so4 を含有する。エツチング
液の温度は323〜325K(50−52℃)である。
さらに、エツチング液はエツチング速度を増大させる触
媒として臭素含有物質(後で詳述する)を含有する。
媒として臭素含有物質(後で詳述する)を含有する。
やや1分未満内に、エツチング液は厚さ35μmの銅皮
膜の遊離領域を完全に溶解し去シ、最初は式Cu+Cu
→2Cu により一価の銅が形成される。−価の
銅は空中酸素によって再酸化され、工・チ7グ操作全体
として次の反応式が得られる0 、2Cu+
4NH3+2 (NH4)2SO4−1−02→2(C
uO’JH3)4)So4+2H20工、チング操作に
よって、エツチング液の銅濃度は時間と共に増大し、エ
ツチング液の再生のだめには、適光量の銅をエツチング
液から除去しなければならない。
膜の遊離領域を完全に溶解し去シ、最初は式Cu+Cu
→2Cu により一価の銅が形成される。−価の
銅は空中酸素によって再酸化され、工・チ7グ操作全体
として次の反応式が得られる0 、2Cu+
4NH3+2 (NH4)2SO4−1−02→2(C
uO’JH3)4)So4+2H20工、チング操作に
よって、エツチング液の銅濃度は時間と共に増大し、エ
ツチング液の再生のだめには、適光量の銅をエツチング
液から除去しなければならない。
このためには、箱10が他のライン27を経て電解槽2
8に連結される。電解槽28には陰極30および陽極3
2が設けられ、これらは図示しない給電系に連結されて
いる。印加された電圧によυ、電解槽28において前述
の式(1)が全く反対方向に起り、その結果エツチング
液において遊離アンモニアと(NH4)2So4 の含
量が増大する。工、チンダ液に含まれる臭素含有触媒物
質は電解の影響を受けず、エツチング液と共に他のポン
プ34およびライン36によって箱10にポンプ給送に
よフ戻される。
8に連結される。電解槽28には陰極30および陽極3
2が設けられ、これらは図示しない給電系に連結されて
いる。印加された電圧によυ、電解槽28において前述
の式(1)が全く反対方向に起り、その結果エツチング
液において遊離アンモニアと(NH4)2So4 の含
量が増大する。工、チンダ液に含まれる臭素含有触媒物
質は電解の影響を受けず、エツチング液と共に他のポン
プ34およびライン36によって箱10にポンプ給送に
よフ戻される。
陰極30に電着された銅は、凝集性の延性ある層であシ
、このものは高品位@製の陰極から機械的に容易に剥離
することが出来る。
、このものは高品位@製の陰極から機械的に容易に剥離
することが出来る。
以下、エツチング速度を増大させる臭素含有触媒物質お
よびそれによって得られるエツチング速度のある例につ
いて述べる。
よびそれによって得られるエツチング速度のある例につ
いて述べる。
各試験では、前述した基本組成および指摘した温度を有
するエツチング液を用いた。
するエツチング液を用いた。
例1〔臭素含有触媒物質としてKBrの使用〕触媒物質
の濃度、323−325Kにおけるエツチング液の一価
および35μb てエツチングに要する時間の概括について下記の表に示
す。
の濃度、323−325Kにおけるエツチング液の一価
および35μb てエツチングに要する時間の概括について下記の表に示
す。
08゜79 98
0.5 8.79
681.0 8.79
632.0 8.79
572.0 9.25
602.0 9.1
583.0 9
.25 5.03.0
9.1 474.0
9.2 464.
0 8.8 44
6.0 8.9
46触媒添加によシエッチング時間が半分になるこ
とが分る。
681.0 8.79
632.0 8.79
572.0 9.25
602.0 9.1
583.0 9
.25 5.03.0
9.1 474.0
9.2 464.
0 8.8 44
6.0 8.9
46触媒添加によシエッチング時間が半分になるこ
とが分る。
例2〔触媒物質としてNH4B rの使用〕得られたエ
ツチング速度の概括を下記の表に示す0 0 8.9 96 0.1 8.9 68 1.0 8.9 53 3.0 8.9 50 4.0 8.9 49 6、0 8.9 49 8.0 8.9 49 例3〔触媒物質として臭素(超純粋)の使用ノ激しい反
応のために、純粋な臭素をクロロホルム(MAC値=
0.1 ppm )に溶解したかなシ希釈し3+、
““−’co−+*mi*机叩0“・7′9
8が得られる。
ツチング速度の概括を下記の表に示す0 0 8.9 96 0.1 8.9 68 1.0 8.9 53 3.0 8.9 50 4.0 8.9 49 6、0 8.9 49 8.0 8.9 49 例3〔触媒物質として臭素(超純粋)の使用ノ激しい反
応のために、純粋な臭素をクロロホルム(MAC値=
0.1 ppm )に溶解したかなシ希釈し3+、
““−’co−+*mi*机叩0“・7′9
8が得られる。
以下余白
触媒添加0’/L) P’値 エツチング時間
(S)0 8.84
1120 9.04 1
070、1 9.0
620.5 9.03 550
.8 9.03 431
.45 9.03 402
.0 9.03 40例
4〔触媒物質としてN−アセチル−N、N、N−トリメ
チルアンモニウムブロマイド (C19H42BrN>の使用〕 この触媒物質を使用する場合、スプレーウニ。
(S)0 8.84
1120 9.04 1
070、1 9.0
620.5 9.03 550
.8 9.03 431
.45 9.03 402
.0 9.03 40例
4〔触媒物質としてN−アセチル−N、N、N−トリメ
チルアンモニウムブロマイド (C19H42BrN>の使用〕 この触媒物質を使用する場合、スプレーウニ。
チンダ液の発泡を抑える追加の手段を取らなければなら
ない。下記のエツチング結果が得られる。
ない。下記のエツチング結果が得られる。
以下余白
触媒添加(Vt’) pH値 エツチング時間
(S)0 9.0 10
30.1 9.0 90
0.5 9.0 621
.0 9.0 622.
0 9.0 724、
0 9.0 78例5〔
触媒物質としてブロモアセチルプロミド(C’zH28
r20)の使用〕 易揮発性で有害なこの触媒物質を用いる場合、適当な注
意をしなければならない。下記のエツチング結果が得ら
れる。
(S)0 9.0 10
30.1 9.0 90
0.5 9.0 621
.0 9.0 622.
0 9.0 724、
0 9.0 78例5〔
触媒物質としてブロモアセチルプロミド(C’zH28
r20)の使用〕 易揮発性で有害なこの触媒物質を用いる場合、適当な注
意をしなければならない。下記のエツチング結果が得ら
れる。
0 8.55 980.9
8.55 491.8 8.5
5 472.0 8.55
463.0 8.9 455
.0 8.9 487.0
8.9 50例6〔触媒物質として2
−fロモグロピオン酸ブo−rイド(CHs −CHB
r Cog r )の使用〕下記のエツチング結果が
得られる。
8.55 491.8 8.5
5 472.0 8.55
463.0 8.9 455
.0 8.9 487.0
8.9 50例6〔触媒物質として2
−fロモグロピオン酸ブo−rイド(CHs −CHB
r Cog r )の使用〕下記のエツチング結果が
得られる。
0 8.27 105
1.0 8.27 512.0
8.10 492.0 8.7
483.0 8.94 473.0
9.48 444.0 9.4
404.0 9.3 3
74.0 9.35 395.0
9.35 387.0 9.35
3910.0 9.35 38前
記例から、触媒添加を増大させるとエツチング速度は最
初は増大させることが出来るが、しかし、約4 /j/
lの活性臭素を添加すると飽和が起シ、触媒濃度をさら
に増大させてもエツチング速度は大して増大しないこと
が注目される。
8.10 492.0 8.7
483.0 8.94 473.0
9.48 444.0 9.4
404.0 9.3 3
74.0 9.35 395.0
9.35 387.0 9.35
3910.0 9.35 38前
記例から、触媒添加を増大させるとエツチング速度は最
初は増大させることが出来るが、しかし、約4 /j/
lの活性臭素を添加すると飽和が起シ、触媒濃度をさら
に増大させてもエツチング速度は大して増大しないこと
が注目される。
また、前記例から、エツチング速度はさらに工、チンダ
液の声値に左右されることが明らかである。ここで、こ
の効果に対する他の例を示す。この例は35μm厚のC
u層の325−326K(52−53℃)におけるエツ
チング時間、その他として1.369モル/lの〔Cu
(NH3)4]SO4および0.606モル/Lの(N
H4)2SO4(この値は「エツチング進行」により
CCu(NH3)4)S04の生成によって低下する)
を含有するエツチング液に関する。用いたエツチング液
は各々3.3 gBr/lを含有した。
液の声値に左右されることが明らかである。ここで、こ
の効果に対する他の例を示す。この例は35μm厚のC
u層の325−326K(52−53℃)におけるエツ
チング時間、その他として1.369モル/lの〔Cu
(NH3)4]SO4および0.606モル/Lの(N
H4)2SO4(この値は「エツチング進行」により
CCu(NH3)4)S04の生成によって低下する)
を含有するエツチング液に関する。用いたエツチング液
は各々3.3 gBr/lを含有した。
8.75 0.01 538.8
0.061 518.95
0.151 501′・呵 9.05
0.271 519.3 0.
541 539.3 0.641
509.45. 0.871
599.75 1.621 68前
述した触媒物質例の中で例2および6が好ましい。これ
らの各触媒物質は取)扱い易く、望ましくない副作用を
有さずかつエツチング速度を十分増大させるからである
。
0.061 518.95
0.151 501′・呵 9.05
0.271 519.3 0.
541 539.3 0.641
509.45. 0.871
599.75 1.621 68前
述した触媒物質例の中で例2および6が好ましい。これ
らの各触媒物質は取)扱い易く、望ましくない副作用を
有さずかつエツチング速度を十分増大させるからである
。
図面は、印刷回路板を連続的にエツチングし、と同時に
エツチング液から銅を電解分離することによシエ、チン
ダ液を連続的に再生する系の概略図である。 10・・・箱、12・・・エツチング液溜め、16・・
・ボン7’、18.20・・・スプレー管、22・・・
エンドレスコンベヤー、24・・・回路板、26・・・
エツチング液線、28・・・電解槽、30・・・陰極、
32・・・陽極。 以7余白 図面の浄書(内容に変更なし、) 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和60年 特許願 第174390号2、発明の名
称 回路板上の#ll1l膜の工y+ンク“方潰3、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名称 ハンス ヘルミュラー マシーネン/くウゲゼ
ルシャフト ミツト ベシュレンクテルハ7ツンダ ラ
ント フンパ二一 4、代理人 6 補正の対生 fil K@8の「出願人の代表者J oii、yi
(2)委任状 (3)図面 Z 補正の内容 fl1421 別紙の辿り (3) 図面の浄書(内容に変更なし]8 貼付15
袖1の目i≠ il+訂正趙書 1通 (2)委任状及び訳文 各1通(3
)浄書図面 1通
エツチング液から銅を電解分離することによシエ、チン
ダ液を連続的に再生する系の概略図である。 10・・・箱、12・・・エツチング液溜め、16・・
・ボン7’、18.20・・・スプレー管、22・・・
エンドレスコンベヤー、24・・・回路板、26・・・
エツチング液線、28・・・電解槽、30・・・陰極、
32・・・陽極。 以7余白 図面の浄書(内容に変更なし、) 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和60年 特許願 第174390号2、発明の名
称 回路板上の#ll1l膜の工y+ンク“方潰3、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名称 ハンス ヘルミュラー マシーネン/くウゲゼ
ルシャフト ミツト ベシュレンクテルハ7ツンダ ラ
ント フンパ二一 4、代理人 6 補正の対生 fil K@8の「出願人の代表者J oii、yi
(2)委任状 (3)図面 Z 補正の内容 fl1421 別紙の辿り (3) 図面の浄書(内容に変更なし]8 貼付15
袖1の目i≠ il+訂正趙書 1通 (2)委任状及び訳文 各1通(3
)浄書図面 1通
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、回路板上の銅皮膜をエッチングし、同時にエッチン
グ液から銅を電解回収する方法において、〔Cu(NH
_3)_4〕SO_4、NH_3および(NH_4)_
2SO_4を含みかつエッチング速度を増大させる触媒
をさらに含有するエッチング液を回路板に接触させ、エ
ッチングされた銅をエッチング液から電解的に分離し、
このようにして再生された塩溶液を工程に戻す方法であ
って、エッチング液が触媒として臭素含有物質を含有す
ることを特徴とする方法。 2、触媒的に活性な臭素の濃度が0.1〜8g/lであ
る、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、触媒的に活性な臭素の濃度が1〜4g/lである、
特許請求の範囲第2項記載の方法。 4、臭素含有物質が臭化物である、特許請求の範囲第1
〜3項のいずれか1項に記載の方法。 5、臭化物がNH_4BrまたはCH_3CHBrCO
Brである、特許請求の範囲第4項に記載の方法。 6、エッチングがエッチング液の318〜 328K(45〜55℃)の温度で行われる、特許請求
の範囲第1〜5項のいずれか1項に記載の方法。 7、エッチングがエッチング液の327K (54℃)の温度で測定してエッチング液のpH値8.
2〜9.5で行われる、特許請求の範囲第1〜6項のい
ずれか1項に記載の方法。 8、遊離アンモニアの濃度が0.01〜1.0モル/l
である、特許請求の範囲第1〜6項のいずれか1項に記
載の方法。 9、エッチング液のCu^2^+濃度が70〜120g
/lである、特許請求の範囲第1〜8項のいずれか1項
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3429902.5 | 1984-08-14 | ||
DE19843429902 DE3429902A1 (de) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | Verfahren zum aetzen von kupferfilmen auf leiterplatten unter elektrolytischer rueckgewinnung von kupfer aus der aetzloesung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61106782A true JPS61106782A (ja) | 1986-05-24 |
Family
ID=6243027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60174390A Pending JPS61106782A (ja) | 1984-08-14 | 1985-08-09 | 回路板上の銅皮膜のエツチング方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61106782A (ja) |
AT (1) | AT387590B (ja) |
BE (1) | BE903054A (ja) |
BR (1) | BR8503833A (ja) |
DE (1) | DE3429902A1 (ja) |
FR (1) | FR2569205A1 (ja) |
GB (1) | GB2163101A (ja) |
IT (1) | IT1185341B (ja) |
NL (1) | NL8502245A (ja) |
SE (1) | SE8503594L (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT395177B (de) * | 1990-07-05 | 1992-10-12 | Provera Gmbh | Aetzloesung |
US5431776A (en) * | 1993-09-08 | 1995-07-11 | Phibro-Tech, Inc. | Copper etchant solution additives |
CH689018A5 (it) * | 1994-09-08 | 1998-07-31 | Ecochem Ag | Procedimento di elettroestrazione di metalli pesanti. |
DE102006036888A1 (de) * | 2005-11-10 | 2007-05-16 | Eve Recycling Sarl | Regenerierbare Ätzlösung |
CN103562441B (zh) | 2011-06-17 | 2016-10-19 | 英派尔科技开发有限公司 | 由物品再生金属 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3324450A1 (de) * | 1983-07-07 | 1985-01-17 | ELO-CHEM Ätztechnik GmbH, 7758 Meersburg | Ammoniumsulfathaltige aetzloesung sowie verfahren zur regeneration der aetzloesung |
DE3340342A1 (de) * | 1983-11-08 | 1985-05-15 | ELO-CHEM Ätztechnik GmbH, 7758 Meersburg | Verfahren und anlage zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung |
-
1984
- 1984-08-14 DE DE19843429902 patent/DE3429902A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-07-18 GB GB08518145A patent/GB2163101A/en not_active Withdrawn
- 1985-07-25 SE SE8503594A patent/SE8503594L/ not_active Application Discontinuation
- 1985-07-31 IT IT21796/85A patent/IT1185341B/it active
- 1985-08-09 JP JP60174390A patent/JPS61106782A/ja active Pending
- 1985-08-12 BE BE6/48129A patent/BE903054A/fr not_active IP Right Cessation
- 1985-08-13 NL NL8502245A patent/NL8502245A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-08-13 BR BR8503833A patent/BR8503833A/pt unknown
- 1985-08-13 AT AT0235785A patent/AT387590B/de not_active IP Right Cessation
- 1985-08-13 FR FR8512442A patent/FR2569205A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1185341B (it) | 1987-11-12 |
GB2163101A (en) | 1986-02-19 |
SE8503594D0 (sv) | 1985-07-25 |
SE8503594L (sv) | 1986-02-15 |
FR2569205A1 (fr) | 1986-02-21 |
DE3429902A1 (de) | 1986-02-27 |
ATA235785A (de) | 1988-07-15 |
BR8503833A (pt) | 1986-05-27 |
AT387590B (de) | 1989-02-10 |
GB8518145D0 (en) | 1985-08-21 |
IT8521796A0 (it) | 1985-07-31 |
BE903054A (fr) | 1985-12-02 |
NL8502245A (nl) | 1986-03-03 |
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