JPS61106207A - ウエハー製造方法並びに装置 - Google Patents
ウエハー製造方法並びに装置Info
- Publication number
- JPS61106207A JPS61106207A JP22935684A JP22935684A JPS61106207A JP S61106207 A JPS61106207 A JP S61106207A JP 22935684 A JP22935684 A JP 22935684A JP 22935684 A JP22935684 A JP 22935684A JP S61106207 A JPS61106207 A JP S61106207A
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- JP
- Japan
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- cutting
- wafer
- ingot
- face
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体等の製造工程において、柱状体の材料
を薄いウェハーに切断するウェハーの製造方法に係るも
のである。
を薄いウェハーに切断するウェハーの製造方法に係るも
のである。
従来、シリコン等の材料（インゴットという）をウェハ
ーに切断するには、主として高速回転する内周刃に、イ
ンゴットを押し付ける方法によっていたが、切断刃の保
持方法両刃面の切断性能のアンバランス、クーラント、
風圧の不均一、等の原因により切断面の平面度、従って
切断されたウェハーの面精度を上げることが困難であっ
た。待に近来、生産効率を向上させるためにインゴット
の径を大きくする、いわゆる、大口径化の技術的要請が
強いが、大口径化する程、これに伴なってウェハーの両
面のそり（平面度誤差）が大となる。くが問題になって
ｂでいる。また、ウェハーのそりが大きく、面精度が悪
いと、後工程の研削、ラッピング加工における修正、仕
上げに多大の工数と経費を要し、必ずしも満足な面精度
が得られなが９な。
ーに切断するには、主として高速回転する内周刃に、イ
ンゴットを押し付ける方法によっていたが、切断刃の保
持方法両刃面の切断性能のアンバランス、クーラント、
風圧の不均一、等の原因により切断面の平面度、従って
切断されたウェハーの面精度を上げることが困難であっ
た。待に近来、生産効率を向上させるためにインゴット
の径を大きくする、いわゆる、大口径化の技術的要請が
強いが、大口径化する程、これに伴なってウェハーの両
面のそり（平面度誤差）が大となる。くが問題になって
ｂでいる。また、ウェハーのそりが大きく、面精度が悪
いと、後工程の研削、ラッピング加工における修正、仕
上げに多大の工数と経費を要し、必ずしも満足な面精度
が得られなが９な。
本発明は、少なくともウェハーの片面の平面度を飛躍的
に改善する方法を提供するものである。
に改善する方法を提供するものである。
本発明による方法は、インゴットからウェハーを切断す
るスライシング機の切断機能にインゴットの端面を平面
研削する機能を付加し、すなわち、１台の機械で切断加
工と端面研削加工を行ない、切断されたウェハーの片面
の平面度を高精度に仕上げることを可能とするもので、
インゴットの端面研削は、切断と並行して進行する方法
、または、端面研削後に切断する方法のいずれであって
もよし１゜ 以下本発明の方法の実施例を図面を参照に説明する。第
１図に、内周刃のブレードを中空スピンドルに取り付け
た横型スライシング機に適用した第１実施例を示す。図
において、インゴット１は中空スピンドル３に取り付け
られ、高速回転する内周刃のブレード２に対して図示し
ない保持機構、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して
ウェハーに切断される。このとき、インゴット１の端面
４に対して、同一機上に設けられた、平面研削用の回転
する砥石５を当て、インゴット１を矢印Ａ方向に移動さ
せると、まず端面４が砥石５によって研削され、次にブ
レード２がインゴット１に切り込んでウェハーに切断さ
れる。
るスライシング機の切断機能にインゴットの端面を平面
研削する機能を付加し、すなわち、１台の機械で切断加
工と端面研削加工を行ない、切断されたウェハーの片面
の平面度を高精度に仕上げることを可能とするもので、
インゴットの端面研削は、切断と並行して進行する方法
、または、端面研削後に切断する方法のいずれであって
もよし１゜ 以下本発明の方法の実施例を図面を参照に説明する。第
１図に、内周刃のブレードを中空スピンドルに取り付け
た横型スライシング機に適用した第１実施例を示す。図
において、インゴット１は中空スピンドル３に取り付け
られ、高速回転する内周刃のブレード２に対して図示し
ない保持機構、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して
ウェハーに切断される。このとき、インゴット１の端面
４に対して、同一機上に設けられた、平面研削用の回転
する砥石５を当て、インゴット１を矢印Ａ方向に移動さ
せると、まず端面４が砥石５によって研削され、次にブ
レード２がインゴット１に切り込んでウェハーに切断さ
れる。
その際、切断されるウェハーに欠けや割れやひびが生じ
ないように、砥石５で研削されている部分にはブレード
２の切り込み先端が達しないようにブレード２と砥石５
を配設する。すなわち、切断加工は、端面４の研削加工
よりわずかに遅れたタイミングで行なわれる。端面研削
が終了した所で砥石５は後退（図では右方向に移動）し
、インゴット１も原位置に復帰して次の加工サイクルに
入る。この方式では、端面研削と切断が並行して、はぼ
同時に行なえるので、ロス時間がなく、極めて能率的で
ある。
ないように、砥石５で研削されている部分にはブレード
２の切り込み先端が達しないようにブレード２と砥石５
を配設する。すなわち、切断加工は、端面４の研削加工
よりわずかに遅れたタイミングで行なわれる。端面研削
が終了した所で砥石５は後退（図では右方向に移動）し
、インゴット１も原位置に復帰して次の加工サイクルに
入る。この方式では、端面研削と切断が並行して、はぼ
同時に行なえるので、ロス時間がなく、極めて能率的で
ある。
上記実施例は、ブレード２に対して、左右にインゴット
端面研削機構と、インゴットの保持機構とを設けること
ができる中空スピンドルを用いた場合の例である。しか
し、第２図に示すように、回転する椀形保持体７の上面
にブレード６が取り付けられる方式、すなわち、非中空
スピンドル方式では椀形保持体７の内部には、端面研削
機構を設けることができないので、このときには、同一
成上に、ブレード６の回転機構に近接して端面研削用砥
石８をインゴット１の端面方向に向けて設け、インゴッ
ト１の移動機構の移動ストロ−′りを大きくして、切断
加工の直前に、インゴット１を、第２図の１点鎖線で示
すように砥石８の位置に移動させて、端面研削を行ない
、インゴット１を矢印り、Ｃ％Ｂと移動させ、ブレード
６の中央開口部に送り込み、矢印Ａ方向の送りによりブ
レード６が切り込んでウェハー切断を行なう。この方式
は、加工に若干の余分な時間を要するが、第１実施例と
ほぼ同等の成果が得られる。
端面研削機構と、インゴットの保持機構とを設けること
ができる中空スピンドルを用いた場合の例である。しか
し、第２図に示すように、回転する椀形保持体７の上面
にブレード６が取り付けられる方式、すなわち、非中空
スピンドル方式では椀形保持体７の内部には、端面研削
機構を設けることができないので、このときには、同一
成上に、ブレード６の回転機構に近接して端面研削用砥
石８をインゴット１の端面方向に向けて設け、インゴッ
ト１の移動機構の移動ストロ−′りを大きくして、切断
加工の直前に、インゴット１を、第２図の１点鎖線で示
すように砥石８の位置に移動させて、端面研削を行ない
、インゴット１を矢印り、Ｃ％Ｂと移動させ、ブレード
６の中央開口部に送り込み、矢印Ａ方向の送りによりブ
レード６が切り込んでウェハー切断を行なう。この方式
は、加工に若干の余分な時間を要するが、第１実施例と
ほぼ同等の成果が得られる。
以上２つの実施態様を示したが、本発明の方法は、この
実施例に限らず、縦形式または外周刃式のスライシング
機にも適用することができる。
実施例に限らず、縦形式または外周刃式のスライシング
機にも適用することができる。
以上詳述したように、本発明の方法を採用することによ
り、同一機上で、端面研削機構を付加する以外は、すべ
てスライシング機の機構を利用して、インゴットの取り
付は等の段取り替えを要せず、切断加工と並行して、ま
たは切断加工サイクル中に、インゴットの端面な高精度
に研削することが可能となる。従って、インゴット端面
の平面度の測定管理が不要となり、切断されたウェハー
の品質、すなわち、片面の平面度を飛躍的に向上させる
ことができる。また、後工程の工数、経費等が者しく削
減され、生産性を高めることができる等多大の効果が得
られる。
り、同一機上で、端面研削機構を付加する以外は、すべ
てスライシング機の機構を利用して、インゴットの取り
付は等の段取り替えを要せず、切断加工と並行して、ま
たは切断加工サイクル中に、インゴットの端面な高精度
に研削することが可能となる。従って、インゴット端面
の平面度の測定管理が不要となり、切断されたウェハー
の品質、すなわち、片面の平面度を飛躍的に向上させる
ことができる。また、後工程の工数、経費等が者しく削
減され、生産性を高めることができる等多大の効果が得
られる。
第１図は本発明の実施例の機構説明図、第２図は他の実
施例を示す機構説明図。 １：インゴット ２．６：ブレード ４：端面５．
８：ｉ面研削砥石
施例を示す機構説明図。 １：インゴット ２．６：ブレード ４：端面５．
８：ｉ面研削砥石
Claims (3)
- （１）切断刃によって柱状体材料よりウェハーを製造す
る方法において、砥石をもって柱状体材料の端面を研削
する工程と、切断ブレードによって柱状体材料をウェハ
ーに切断する工程とを相互に関連させて、切断されるウ
ェハーの一面を常に高精度の研削平面状態とするウェハ
ー製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項の記載において、端面研削
工程と切断工程とを同一機上で、わずかのタイミング遅
れをもって、同時、平行して行なうウェハーの製造方法
。 - （３）特許請求の範囲第１項の記載において、端面の研
削工程の次に切断工程を、同一機上において、連続させ
て行なうウェハー製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22935684A JPS61106207A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | ウエハー製造方法並びに装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22935684A JPS61106207A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | ウエハー製造方法並びに装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018086A Division JP2537573B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体ウエハ―製造方法 |
| JP3018085A Division JPH0613173B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | ウエハー製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106207A true JPS61106207A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH0212729B2 JPH0212729B2 (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16890879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22935684A Granted JPS61106207A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | ウエハー製造方法並びに装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106207A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6296400A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Mitsubishi Metal Corp | ウエハの製造方法 |
| JPS6411754A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture for mirror surfaced wafer |
| EP0313714A1 (en) * | 1987-10-29 | 1989-05-03 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Apparatus and method for slicing a wafer |
| JPH01210313A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハの切断装置 |
| DE3908153A1 (de) * | 1988-03-11 | 1989-09-21 | Mitsubishi Metal Corp | Innenwirksame schneidscheibe |
| EP0398467A2 (en) * | 1989-05-18 | 1990-11-22 | Silicon Technology Corporation | A slicing and grinding system for a wafer slicing machine |
| US5218948A (en) * | 1988-03-11 | 1993-06-15 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Inside diameter blade |
| US5285597A (en) * | 1991-11-07 | 1994-02-15 | Gmn Georg Muller Nurnberg Ag | Method and arrangement for subdividing semiconductor bars into semiconductor wafers |
| EP0750972A1 (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-02 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Ingot slicing machine with built-in grinder |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382257A (en) * | 1943-04-21 | 1945-08-14 | Albert Ramsay | Manufacture of piezoelectric oscillator blanks |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP22935684A patent/JPS61106207A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382257A (en) * | 1943-04-21 | 1945-08-14 | Albert Ramsay | Manufacture of piezoelectric oscillator blanks |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0429640B2 (ja) * | 1985-10-23 | 1992-05-19 | ||
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| EP0313714A1 (en) * | 1987-10-29 | 1989-05-03 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Apparatus and method for slicing a wafer |
| EP0534499A3 (en) * | 1987-10-29 | 1993-04-21 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Method for slicing a wafer |
| EP0534499A2 (en) * | 1987-10-29 | 1993-03-31 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Method for slicing a wafer |
| JPH01210313A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハの切断装置 |
| US5218948A (en) * | 1988-03-11 | 1993-06-15 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Inside diameter blade |
| DE3908153A1 (de) * | 1988-03-11 | 1989-09-21 | Mitsubishi Metal Corp | Innenwirksame schneidscheibe |
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| EP0398467A2 (en) * | 1989-05-18 | 1990-11-22 | Silicon Technology Corporation | A slicing and grinding system for a wafer slicing machine |
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| US5836808A (en) * | 1995-06-30 | 1998-11-17 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Slicing machine with built-in grinder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0212729B2 (ja) | 1990-03-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |