JPS61102734A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS61102734A JPS61102734A JP59223955A JP22395584A JPS61102734A JP S61102734 A JPS61102734 A JP S61102734A JP 59223955 A JP59223955 A JP 59223955A JP 22395584 A JP22395584 A JP 22395584A JP S61102734 A JPS61102734 A JP S61102734A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- mask
- atmosphere chamber
- helium gas
- atmospheric chamber
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 17
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は軟ｘＩｖ１１を用いてウェハ上に形成されたレ
ジスト破膜に１ マスクに形成されたパターンを露光す
るＸ線ｉｋ光装置に関するものである。
ジスト破膜に１ マスクに形成されたパターンを露光す
るＸ線ｉｋ光装置に関するものである。
従来のＸ線露光装ｍは米国特許第４４０３５５６号に記
載のようにＸ線発生手段のＸ線取出窓側に、内部にｘＩ
Ｖ３１ｔ−透過させる気体を収容した雰囲気チャンバ全
配置し、この雰囲気チャンバの、Ｘ線取出窓と対向する
面に形成された穴１１ように、所要のパターンを形成し
たマスクを１直接取付け、雰囲気チャンバ外でマスクと
対向するように保持したウェハ全移動させるステージと
を設け、大気中にウェハを置いて露光するようにしてい
る。マスクを雰囲気チャンバに取付けるには、第６図に
示すように雰囲気チャンバ１のマスク取付面２に溝３を
設け、溝を真窒源４に接続する。マスク取付面２とマス
ク５の表面あらさ、うねり、傷等により、マスク取付面
２とマスク５との間に隙き間を生じるため、雰囲気チャ
ンバ外の外気が溝６へ流入すると同時に、雰囲気チャン
バ内のヘリウムガスも溝３へ流入し、雰囲気チャンバ内
の圧力が外気より低くなリ、マスクの変形、ヘリウムガ
ス純度の低下を生じる。これを防止するため雰囲気チャ
ンバ内へヘリウムボンベ１５より常にヘリウムガスを注
入する必要があり、ガスの消費量が多いという問題があ
った。
載のようにＸ線発生手段のＸ線取出窓側に、内部にｘＩ
Ｖ３１ｔ−透過させる気体を収容した雰囲気チャンバ全
配置し、この雰囲気チャンバの、Ｘ線取出窓と対向する
面に形成された穴１１ように、所要のパターンを形成し
たマスクを１直接取付け、雰囲気チャンバ外でマスクと
対向するように保持したウェハ全移動させるステージと
を設け、大気中にウェハを置いて露光するようにしてい
る。マスクを雰囲気チャンバに取付けるには、第６図に
示すように雰囲気チャンバ１のマスク取付面２に溝３を
設け、溝を真窒源４に接続する。マスク取付面２とマス
ク５の表面あらさ、うねり、傷等により、マスク取付面
２とマスク５との間に隙き間を生じるため、雰囲気チャ
ンバ外の外気が溝６へ流入すると同時に、雰囲気チャン
バ内のヘリウムガスも溝３へ流入し、雰囲気チャンバ内
の圧力が外気より低くなリ、マスクの変形、ヘリウムガ
ス純度の低下を生じる。これを防止するため雰囲気チャ
ンバ内へヘリウムボンベ１５より常にヘリウムガスを注
入する必要があり、ガスの消費量が多いという問題があ
った。
本発明の目的はヘリウムガスの消費量の小ないＸ線露光
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
そのため本発明においてはマスク取付面の真空源に接続
した溝の内側に、外気に接続した別の溝を設けることを
特徴とするＸ線露光装置にある。
した溝の内側に、外気に接続した別の溝を設けることを
特徴とするＸ線露光装置にある。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。
る。
Ｘ線発生手段６のＸ線取出窓７が雰囲気チャンバ１とジ
ャバラ８で気密結合され、雰囲気チャンバの下面のＸ線
取出窓と対向する面に形成されたｙｃ９を覆うように、
所要のパターンを形成したマスク５を取付ける。マスク
と対向する様に保持したウェハ１０ヲ移動させるステー
ジ１１を設け、雰囲気チャンバ内部に設けたアライメ７
トス”：１−／’１２によシマスフとウェハのパターン
の位置合せを行なった後に、Ｘ線発生手段６よυ軟Ｘ線
を発生させて、マスクのパターンをウェハへ露光する。
ャバラ８で気密結合され、雰囲気チャンバの下面のＸ線
取出窓と対向する面に形成されたｙｃ９を覆うように、
所要のパターンを形成したマスク５を取付ける。マスク
と対向する様に保持したウェハ１０ヲ移動させるステー
ジ１１を設け、雰囲気チャンバ内部に設けたアライメ７
トス”：１−／’１２によシマスフとウェハのパターン
の位置合せを行なった後に、Ｘ線発生手段６よυ軟Ｘ線
を発生させて、マスクのパターンをウェハへ露光する。
雰囲気チャンバの内部にはヘリウムｔ＃ｆｃＬ、軟Ｘ線
の減すいを防止する。雰囲気チャンバ１のマスク５を取
付ける面２には穴９を取かこむ２重の環状の溝３，１５
を設置し、外側の溝３を従来と同じく真空源４に接続し
、内側の海１３は穴１４によシ雰囲気チャンバ外に接続
する。これによシ溝１３の圧力は、はぼ外気と同じとな
り、マスク取付面２とマスク５との隙き間全通って溝３
の内側より溝３へ流入する気体は、主として溝１３よシ
供給され、雰囲気チャンバ内のヘリウムガスが吸引され
ることが小ない。これにより雰囲気チャンバ内へ注入す
るヘリウムガスの量を減らすことができ、従来毎分１リ
ツトル必要としたものを毎分０．３リツトルに減らすこ
とができ九。
の減すいを防止する。雰囲気チャンバ１のマスク５を取
付ける面２には穴９を取かこむ２重の環状の溝３，１５
を設置し、外側の溝３を従来と同じく真空源４に接続し
、内側の海１３は穴１４によシ雰囲気チャンバ外に接続
する。これによシ溝１３の圧力は、はぼ外気と同じとな
り、マスク取付面２とマスク５との隙き間全通って溝３
の内側より溝３へ流入する気体は、主として溝１３よシ
供給され、雰囲気チャンバ内のヘリウムガスが吸引され
ることが小ない。これにより雰囲気チャンバ内へ注入す
るヘリウムガスの量を減らすことができ、従来毎分１リ
ツトル必要としたものを毎分０．３リツトルに減らすこ
とができ九。
実施例では内側の溝１５を外気に解放するだけであるが
、ポンプ（図示せず）によシ窒気を溝１５に注入し、溝
１３内の圧力を雰囲気チャンバ内のヘリウムガスの圧力
と一致する様に注入１ｋｆｔ調整すれば、さらにヘリウ
ムガスの消費量全滅らすことができる。
、ポンプ（図示せず）によシ窒気を溝１５に注入し、溝
１３内の圧力を雰囲気チャンバ内のヘリウムガスの圧力
と一致する様に注入１ｋｆｔ調整すれば、さらにヘリウ
ムガスの消費量全滅らすことができる。
以上説明し友ように本発明によればヘリウムガスの注入
Ｒ’ｆｃ’に減らすことができるので、ヘリウムガスの
消５１量を減らす経済的効果がある。
Ｒ’ｆｃ’に減らすことができるので、ヘリウムガスの
消５１量を減らす経済的効果がある。
第１図は本発明による露光装置の断面図、第２１ΔはＰ
４１図のマスクＩｌ＆着面２′ｌｒ：示す図、ｔ４３図
は従来の露光装置を示す図である。 １・・・雰囲気チャンバ ２・・・マスク吸着面３・
・・外俳１の溝 ４・・・真空域１３、・・内
側の溝 １４・・・外気へ接続する穴児１図
４１図のマスクＩｌ＆着面２′ｌｒ：示す図、ｔ４３図
は従来の露光装置を示す図である。 １・・・雰囲気チャンバ ２・・・マスク吸着面３・
・・外俳１の溝 ４・・・真空域１３、・・内
側の溝 １４・・・外気へ接続する穴児１図
Claims (1)
- １、軟Ｘ線を用いてマスクに形成されたパターンをウェ
ハに露光するＸ線露光装置において、Ｘ線発生手段と、
前記Ｘ線発生手段に接続され内部にＸ線の透過率の高い
気体を満たした雰囲気チャンバと、前記雰囲気チャンバ
に取付けられるマスクと、前記マスクと対向する位置に
設置するウェハを含み、前記雰囲気チャンバの前記マス
クを取付ける面に２個以上のほぼ環状の溝を設け、内側
の溝を前記雰囲気チャンバの外側の空間に接続し、外側
の溝を真空源に接続することを特徴とするＸ線露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223955A JPS61102734A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223955A JPS61102734A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102734A true JPS61102734A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16806312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223955A Pending JPS61102734A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102734A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140546A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JPS6433927A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Mask holder and mask conveying method using the same |
| JPH0217627A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光装置 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223955A patent/JPS61102734A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140546A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JPS6433927A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Mask holder and mask conveying method using the same |
| JPH0217627A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光装置 |
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