JPS6097622A - エピタキシヤル装置 - Google Patents
エピタキシヤル装置Info
- Publication number
- JPS6097622A JPS6097622A JP58205194A JP20519483A JPS6097622A JP S6097622 A JPS6097622 A JP S6097622A JP 58205194 A JP58205194 A JP 58205194A JP 20519483 A JP20519483 A JP 20519483A JP S6097622 A JPS6097622 A JP S6097622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- belljar
- quartz
- ring
- metal
- shaped member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波電気や赤外線などにより加熱されるサ
セプタの周囲に気密室を形成し、該サセプタ上に載置し
た基板表面上に半導体物質のエピタキシャル膜を気相成
長させるエピタキシャル装置に係り、特に気密室を形成
するためのベルジャ部分の改良に関するものである。
セプタの周囲に気密室を形成し、該サセプタ上に載置し
た基板表面上に半導体物質のエピタキシャル膜を気相成
長させるエピタキシャル装置に係り、特に気密室を形成
するためのベルジャ部分の改良に関するものである。
従来一般に用いられていたエピタキシャル装置のうちい
わゆる縦型エピタキシャル装置といわれている装置は、
第１図および第２図に示すようになっていた。すなわち
、第１図に示す装置は、基台Ｉの上にＱ ＩＪソングど
のシール部材２を介して石英製のベルジャ３（以下石英
ベルジャという〕を載置し、これらの基台１と石英ベル
ジャ３により気密室４を形成するようになっている。な
お、第１図において、５は回転軸、６は回転軸５の上端
に設けられたサセプタ、７は基板、８はノズル、９はＲ
Ｆコイル、１０は石英製のコイルカバー、Ｉｌｌは排気
管である。′この装置は、気密室４を石英ベルジャ３で
形成しているため、輻射熱が外部へ放出され、熱効率が
悪いと共に、作業者にとっ、でも危険であり、また、石
英ベルジャ３を破損し易い等の欠点があった。さらに、
この装置は、前記のように輻射熱が外部へ放出されるた
め、装置の周囲を被うタリンベンチ側板１２を水冷しな
ければならないなどの欠点もあった。これに対し、第２
図に示す装置は、気密室４を基台１とステンレスベルジ
ャ１３とで形成し、このステンレスベルジャ１３を冷却
管１４などで冷却して外部への輻射熱の放出を押えるよ
うにし、さらに、ステンレスベルジャ１３の内面に支持
片１５’ｒ取付け、この上に石英ベルジャ１６を載置す
ることにより、第１図に示した装置の欠点を防止するよ
うにしたものでちる。しかしながら、この装置は、ステ
ンレスベルジャＩ３と石英ベルジャ１６との間が石英ベ
ルジャ１６の内側の室（反応室）に連通しているため、
この間にノズル８から供給された反応ガスが流入して異
物発生の原因になり易く、それを防止するため、ステン
レスベルジャ＋３の上部に設けた供給口Ｉ７か、ら高純
度の高価な水素などのパージガスを運転中常時流す必要
があり、ランニングコス［ｒＭめると共に、金属ベルジ
ャ１８の内面に発生した腐蝕物などの異物が反応室内に
流入してエピタキシャル層に欠陥を生じさせるなどの欠
点があった。
わゆる縦型エピタキシャル装置といわれている装置は、
第１図および第２図に示すようになっていた。すなわち
、第１図に示す装置は、基台Ｉの上にＱ ＩＪソングど
のシール部材２を介して石英製のベルジャ３（以下石英
ベルジャという〕を載置し、これらの基台１と石英ベル
ジャ３により気密室４を形成するようになっている。な
お、第１図において、５は回転軸、６は回転軸５の上端
に設けられたサセプタ、７は基板、８はノズル、９はＲ
Ｆコイル、１０は石英製のコイルカバー、Ｉｌｌは排気
管である。′この装置は、気密室４を石英ベルジャ３で
形成しているため、輻射熱が外部へ放出され、熱効率が
悪いと共に、作業者にとっ、でも危険であり、また、石
英ベルジャ３を破損し易い等の欠点があった。さらに、
この装置は、前記のように輻射熱が外部へ放出されるた
め、装置の周囲を被うタリンベンチ側板１２を水冷しな
ければならないなどの欠点もあった。これに対し、第２
図に示す装置は、気密室４を基台１とステンレスベルジ
ャ１３とで形成し、このステンレスベルジャ１３を冷却
管１４などで冷却して外部への輻射熱の放出を押えるよ
うにし、さらに、ステンレスベルジャ１３の内面に支持
片１５’ｒ取付け、この上に石英ベルジャ１６を載置す
ることにより、第１図に示した装置の欠点を防止するよ
うにしたものでちる。しかしながら、この装置は、ステ
ンレスベルジャＩ３と石英ベルジャ１６との間が石英ベ
ルジャ１６の内側の室（反応室）に連通しているため、
この間にノズル８から供給された反応ガスが流入して異
物発生の原因になり易く、それを防止するため、ステン
レスベルジャ＋３の上部に設けた供給口Ｉ７か、ら高純
度の高価な水素などのパージガスを運転中常時流す必要
があり、ランニングコス［ｒＭめると共に、金属ベルジ
ャ１８の内面に発生した腐蝕物などの異物が反応室内に
流入してエピタキシャル層に欠陥を生じさせるなどの欠
点があった。
本発明の目的は、反応室内への金属の腐蝕物などの異物
の巻き込みを極力少なく押えるようにしながら、安全で
熱効率もよく、さらに石英ベルジャの破損をより確実に
防止すると共に気密室のシールをより長期間にわたって
確実にするにある。
の巻き込みを極力少なく押えるようにしながら、安全で
熱効率もよく、さらに石英ベルジャの破損をより確実に
防止すると共に気密室のシールをより長期間にわたって
確実にするにある。
前記の目的を達成するための本発明は、下端にフランジ
を有する石英ベルジャと、同石英ベルジャの外方を被う
金属ベルジャと、同金属ベルジャとにより前記石英ベル
ジャのフランジ部を挾むようにして前記金属ベルジャに
着脱可能に取付けられたリング状部材とを具備し、前記
フランジ部とリング状部材および同リング状部材と基台
との間にそれぞれシール部材を介在させて前記石英ベル
ジャ、リング状部材および基台とにより気密基全形成す
るようにしたものである。
を有する石英ベルジャと、同石英ベルジャの外方を被う
金属ベルジャと、同金属ベルジャとにより前記石英ベル
ジャのフランジ部を挾むようにして前記金属ベルジャに
着脱可能に取付けられたリング状部材とを具備し、前記
フランジ部とリング状部材および同リング状部材と基台
との間にそれぞれシール部材を介在させて前記石英ベル
ジャ、リング状部材および基台とにより気密基全形成す
るようにしたものである。
以下本発明の一実施例を示す第３図について説明する。
なお、同図において第１図および第２図における部分と
同一の部分には同一符号を付し、説明を省略する。２０
は石英ベルジャで、下端にフランジ部２０ａが形成され
ている。２Ｉは金属ベルジャで、前記石英ベルジャ２０
の外方を被うように形成され、石英ベルジャ２０のフラ
ンジ部２０ａの上にＱ ＩＪング捷たはバネなどの弾性
体２２を介して載置されている。この金属ベルジャ２１
は２重構造になされ、内部空間２１ａ内に水などの冷却
流体を流すようになっている。また、金属ベルジャ２１
の内面は鏡面研摩あるいは赤外光反射膜のコーティング
等で仕上げ、輻射熱の吸収による熱損失を小さく押える
ようにすることが好ましい。さらにまた、この金属ベル
ジャ２１の下端寄りには、その内面に開口する冷却ガス
の流入口２３が設けられ、上部には流出口２４が設けら
れ、石英ベルジャ２０と金属ベルジャ２１との間の空間
２５゛奴冷却ガスを流すようになっている。
同一の部分には同一符号を付し、説明を省略する。２０
は石英ベルジャで、下端にフランジ部２０ａが形成され
ている。２Ｉは金属ベルジャで、前記石英ベルジャ２０
の外方を被うように形成され、石英ベルジャ２０のフラ
ンジ部２０ａの上にＱ ＩＪング捷たはバネなどの弾性
体２２を介して載置されている。この金属ベルジャ２１
は２重構造になされ、内部空間２１ａ内に水などの冷却
流体を流すようになっている。また、金属ベルジャ２１
の内面は鏡面研摩あるいは赤外光反射膜のコーティング
等で仕上げ、輻射熱の吸収による熱損失を小さく押える
ようにすることが好ましい。さらにまた、この金属ベル
ジャ２１の下端寄りには、その内面に開口する冷却ガス
の流入口２３が設けられ、上部には流出口２４が設けら
れ、石英ベルジャ２０と金属ベルジャ２１との間の空間
２５゛奴冷却ガスを流すようになっている。
前記金属ベルジャ２１には、その下端のフランジ部２１
ｂとにより前記石英ベルジャ２０のフランジ部２０２に
挾むようにボルト２６によってリング状部材２７が着脱
可能に取付けられている。
ｂとにより前記石英ベルジャ２０のフランジ部２０２に
挾むようにボルト２６によってリング状部材２７が着脱
可能に取付けられている。
このリング状部材２７は、機械的強度と耐腐蝕性を考慮
してステンレス鋼で作られている。リング状部材２７の
内部に（は、冷却流体を流すための流路２８が設けられ
ている。前記リング状部材２７と石英ベルジャ２０のフ
ランジ部２０ａとの間に付与される押圧力を受けて前記
リング状部月２７とフランジ部２０ａに挾持されるよう
になっている０ 基台１には、前記リング状部材２７の下面に接触して気
密を保つためのシール部材３０が設けられると共に、金
属ベルジャ２Ｉのフランジ部２１ｂに係脱可能で図示し
ないシリンダなどにより該フランジ部２１ ｂｆ基台１
に向けて押圧するクランプ片１８が取付けられている。
してステンレス鋼で作られている。リング状部材２７の
内部に（は、冷却流体を流すための流路２８が設けられ
ている。前記リング状部材２７と石英ベルジャ２０のフ
ランジ部２０ａとの間に付与される押圧力を受けて前記
リング状部月２７とフランジ部２０ａに挾持されるよう
になっている０ 基台１には、前記リング状部材２７の下面に接触して気
密を保つためのシール部材３０が設けられると共に、金
属ベルジャ２Ｉのフランジ部２１ｂに係脱可能で図示し
ないシリンダなどにより該フランジ部２１ ｂｆ基台１
に向けて押圧するクランプ片１８が取付けられている。
次いで本装置の作用について説明する。クランプ片１８
を金属ベルジャ２１のフランジ部２１ｂから外し、金属
ベルジャ２１′ｆ：図示しない昇降機構により上昇させ
れば、金属ベルジャ２１と共にリング状部材２７も上昇
し、両者によってフランジ部２０ａ ’ｅ挾持している
石英ベルジャ２０をも同時に上昇させる。こうして、気
密室４を開放して、サセプタ５に対する基板７の出し入
れを行ない、再び、金属ベルジャ２１を下降させれば、
リング状部材２７および石英ベルジャ２０も共に下降し
、リング状部材２７が基台１に設けられているシール部
材３０の上に載置される。次いでクランプ片１８’ｃ図
示のように金属ベルジャ２１のフランジ部２１ｂに掛け
て下方へ押圧する。このクランプ片１８による押圧力に
より前記フランジ部２１ｂは弾性体２２を介して石英ベ
ルジャ２０のフランジ部２０ａ’ｅ下方へ押圧し、シー
ル部材２９により該フランジ部２０ａとリング状部材２
７との間を気密に、シールすると共にリング状部材２７
をも下方へ押圧してシール部材３０によりリング状部材
２７と基台Ｉとの間を気密にシールする。
を金属ベルジャ２１のフランジ部２１ｂから外し、金属
ベルジャ２１′ｆ：図示しない昇降機構により上昇させ
れば、金属ベルジャ２１と共にリング状部材２７も上昇
し、両者によってフランジ部２０ａ ’ｅ挾持している
石英ベルジャ２０をも同時に上昇させる。こうして、気
密室４を開放して、サセプタ５に対する基板７の出し入
れを行ない、再び、金属ベルジャ２１を下降させれば、
リング状部材２７および石英ベルジャ２０も共に下降し
、リング状部材２７が基台１に設けられているシール部
材３０の上に載置される。次いでクランプ片１８’ｃ図
示のように金属ベルジャ２１のフランジ部２１ｂに掛け
て下方へ押圧する。このクランプ片１８による押圧力に
より前記フランジ部２１ｂは弾性体２２を介して石英ベ
ルジャ２０のフランジ部２０ａ’ｅ下方へ押圧し、シー
ル部材２９により該フランジ部２０ａとリング状部材２
７との間を気密に、シールすると共にリング状部材２７
をも下方へ押圧してシール部材３０によりリング状部材
２７と基台Ｉとの間を気密にシールする。
そこで、ノズル８からパージガスや反応ガスを吹き出し
ても、これらのガスは石英ベルジャ２０゜リング状部材
２７および基台１によって形成される気密室４から外へ
流出することはない。したがって、石英ベルジャ２０と
金属ベルジャ２１との間の空間２５へ反応ガスが流入す
ることはなく、該空間２５内にパージガスを流す必要は
全くないと共に、金属ベルジャ２１の内面や石英ベルジ
ャ２０の外側表面への反応物質の付着も皆無にでき、金
属ベルジャ２１の内面の腐蝕を防止できると共に、前述
したように金属ベルジャ２１の内面を鏡面研摩′あるい
は赤外光反射膜のコーティングにより仕上げた場合、反
射率を長期間にわたって高く保つことができる。
ても、これらのガスは石英ベルジャ２０゜リング状部材
２７および基台１によって形成される気密室４から外へ
流出することはない。したがって、石英ベルジャ２０と
金属ベルジャ２１との間の空間２５へ反応ガスが流入す
ることはなく、該空間２５内にパージガスを流す必要は
全くないと共に、金属ベルジャ２１の内面や石英ベルジ
ャ２０の外側表面への反応物質の付着も皆無にでき、金
属ベルジャ２１の内面の腐蝕を防止できると共に、前述
したように金属ベルジャ２１の内面を鏡面研摩′あるい
は赤外光反射膜のコーティングにより仕上げた場合、反
射率を長期間にわたって高く保つことができる。
金属ベルジャ２１は、石英ベルジャ２０’に保護すると
共に、内部に冷却水を流すことなどにより冷却し、周囲
環境の昇温を防止する。また、石英ベルジャ２０と金属
ベルジャ・２Ｉとの間の空間２５には空気またはＮ２ガ
スなどの冷却ガスを流入口２３と流出口２４により流し
て石英ベルジャ２Ｏｆ冷却し、石英ベルジャ２１の内側
表面への反応物質の付着防止と石英ベルジャ２１に接し
ている弾性体２２およびシール部材２ｃ／の加熱にｉる
劣化およびゆ着現象をできるだけ小さく押える。
共に、内部に冷却水を流すことなどにより冷却し、周囲
環境の昇温を防止する。また、石英ベルジャ２０と金属
ベルジャ・２Ｉとの間の空間２５には空気またはＮ２ガ
スなどの冷却ガスを流入口２３と流出口２４により流し
て石英ベルジャ２Ｏｆ冷却し、石英ベルジャ２１の内側
表面への反応物質の付着防止と石英ベルジャ２１に接し
ている弾性体２２およびシール部材２ｃ／の加熱にｉる
劣化およびゆ着現象をできるだけ小さく押える。
この両ベルジャ２０．２１間に流す冷却ガスは、反応ガ
スのキャリアガスとしてト■２ガスを用いているため、
運転中に石英ベルジャ２０が割れた場合の爆発を防ぐた
め、空気よりもＮ２ガスを用いることが好ましい。この
空気およびＮ２ガスは、第２図に示した従来装置と違っ
て石英ベルジャ２０内には流入しないため、低純度の安
価な・ものでよいため、ランニングコストヲ低減できる
。また、空気やＮ２ガスの流れは、石英ベルジャ２０内
の反応ガスの流れに全く影響しないため、必要とする冷
却能力に応じてその流量を適宜に設定でき、石英ベルジ
ャ２０の昇温をより低く押えて、その内面への反応物質
の堆積をより少なく押えることができる。
スのキャリアガスとしてト■２ガスを用いているため、
運転中に石英ベルジャ２０が割れた場合の爆発を防ぐた
め、空気よりもＮ２ガスを用いることが好ましい。この
空気およびＮ２ガスは、第２図に示した従来装置と違っ
て石英ベルジャ２０内には流入しないため、低純度の安
価な・ものでよいため、ランニングコストヲ低減できる
。また、空気やＮ２ガスの流れは、石英ベルジャ２０内
の反応ガスの流れに全く影響しないため、必要とする冷
却能力に応じてその流量を適宜に設定でき、石英ベルジ
ャ２０の昇温をより低く押えて、その内面への反応物質
の堆積をより少なく押えることができる。
前記の説明ではシール部材２９の加熱によるゆ着現象や
破損を効果的に押えるため、空気やＮ２ガスの流入口２
３を金属ベルジャ２１の下端寄りに設け、流出口２４を
金属ベルジャ２１の上部に設けた例を示したが、反応ガ
スの種類などにより石英ベルジャ２０の内面のうち反応
物質が付着したとき最も悪影響を及ぼす上部内面への該
反応物質の付着をより優先して防止する必要がある場合
には流入口を金属ベルジャ２１の上部とし、流出口を下
端寄りとしてもよい。また、上部の流入口は１つに限ら
ず、複数個設けてもよい。さらにまた、金属ベルジャ２
１の上部と下部の両方に空気やＮ２ガスの流入口を設け
、これらの間の適宜な位置に流出口を設ければ、前述し
た両方の冷却を満足できる。このように流入口２３と流
出口２４の位置および個数は必要に応じて適宜に設定で
き、これによって反応ガスの流れが悪影響を受けること
はない。
破損を効果的に押えるため、空気やＮ２ガスの流入口２
３を金属ベルジャ２１の下端寄りに設け、流出口２４を
金属ベルジャ２１の上部に設けた例を示したが、反応ガ
スの種類などにより石英ベルジャ２０の内面のうち反応
物質が付着したとき最も悪影響を及ぼす上部内面への該
反応物質の付着をより優先して防止する必要がある場合
には流入口を金属ベルジャ２１の上部とし、流出口を下
端寄りとしてもよい。また、上部の流入口は１つに限ら
ず、複数個設けてもよい。さらにまた、金属ベルジャ２
１の上部と下部の両方に空気やＮ２ガスの流入口を設け
、これらの間の適宜な位置に流出口を設ければ、前述し
た両方の冷却を満足できる。このように流入口２３と流
出口２４の位置および個数は必要に応じて適宜に設定で
き、これによって反応ガスの流れが悪影響を受けること
はない。
また、リング状部材２７の流路２８内には、水などの冷
却流体を流し、シール部材２９．３０の昇温による劣化
やゆ着現象を防止する。特に、下方のシール部材３０は
、前記のようにリング状部材２７の昇温か防止され、か
つ基台１も図示しない冷却手段によって冷却されるため
、比較的長期間にわたって確実なシールができ、ゆ着現
象もより少なく押えられる。そこで、気密室４を開放す
る場合、シール部材３０とリング状部材２７は円滑に離
れ、シール部材３０が破損することもほとんどない。ま
た、石英ベルジャ２０に接して比較的加熱され易い状態
にあるシール部材２ｑは、通常の気密室４を開放する場
合は、リング状部材２７に接触したま捷で強制的にはが
されることもないので、多少のゆ着があっても破損する
ことはないＯなお、前記シール部材２ｃ／、３０の保護
をより確実にするため、石英ベルジャ２０の下部内側に
金属あるいはセラミックスなどの円筒体３１を設け、サ
セプタ５からの輻射熱が石英ベルジャ２０の下部を直接
加熱しないようにすることが好ましい。
却流体を流し、シール部材２９．３０の昇温による劣化
やゆ着現象を防止する。特に、下方のシール部材３０は
、前記のようにリング状部材２７の昇温か防止され、か
つ基台１も図示しない冷却手段によって冷却されるため
、比較的長期間にわたって確実なシールができ、ゆ着現
象もより少なく押えられる。そこで、気密室４を開放す
る場合、シール部材３０とリング状部材２７は円滑に離
れ、シール部材３０が破損することもほとんどない。ま
た、石英ベルジャ２０に接して比較的加熱され易い状態
にあるシール部材２ｑは、通常の気密室４を開放する場
合は、リング状部材２７に接触したま捷で強制的にはが
されることもないので、多少のゆ着があっても破損する
ことはないＯなお、前記シール部材２ｃ／、３０の保護
をより確実にするため、石英ベルジャ２０の下部内側に
金属あるいはセラミックスなどの円筒体３１を設け、サ
セプタ５からの輻射熱が石英ベルジャ２０の下部を直接
加熱しないようにすることが好ましい。
石英ベルジャ２０を交換、清掃などのために、金属ヘル
ジャ２１から外す場合は、ボルト２６を外して、リング
状部材２７を金属ベルジャ２１がら分離することにより
石英ベルジャ２（ｌ金属ベルジャ２１から取出すことが
できる。
ジャ２１から外す場合は、ボルト２６を外して、リング
状部材２７を金属ベルジャ２１がら分離することにより
石英ベルジャ２（ｌ金属ベルジャ２１から取出すことが
できる。
第４図（は、リング状部材２７と金属ベルジャ２１の連
結機構の他の実施例を示す部分拡大図で、ポル）２６ａ
’ｒピン３２によりリング状部材２７に揺動可能に取付
け、先端クリヲ金属ベルジャ２Ｉのフランジ部２１ｂに
設けた溝３３に係脱可能にし、ポル） ２６ａの途中に
はめたロックナツト３４．３５によりリング状部材２７
と石英ベルジャ２０のフランジ部２０ａとがプール部材
２９をシール可能な状態で押圧するように両者の間隔１
＜定めてナツト３６により固定したものである。なお、
間隔ｔ−ｑ定める手段としては、ロックナツト方式によ
らず、リング状部材２７と金属ベルジャ２１のフランジ
部２１ｂとの間にスペーサ全介在させてもよい。このよ
うに、前記間隔ｔｆ定めておけば、金属ベルジャ２１の
重量が石英ベルジャ２０のフランジ部２０ａに作用′し
てこれを破損するような不都合を防ぐことができる。ま
た、この場合には、気密室４を形成するのに、金属ベル
ジャ２１のフランジ部２１ｂでなく、図示のようにリン
グ状部材２７ｆ：クランプ片Ｉ８にて基台１に向けて押
圧するようにしてもよい。
結機構の他の実施例を示す部分拡大図で、ポル）２６ａ
’ｒピン３２によりリング状部材２７に揺動可能に取付
け、先端クリヲ金属ベルジャ２Ｉのフランジ部２１ｂに
設けた溝３３に係脱可能にし、ポル） ２６ａの途中に
はめたロックナツト３４．３５によりリング状部材２７
と石英ベルジャ２０のフランジ部２０ａとがプール部材
２９をシール可能な状態で押圧するように両者の間隔１
＜定めてナツト３６により固定したものである。なお、
間隔ｔ−ｑ定める手段としては、ロックナツト方式によ
らず、リング状部材２７と金属ベルジャ２１のフランジ
部２１ｂとの間にスペーサ全介在させてもよい。このよ
うに、前記間隔ｔｆ定めておけば、金属ベルジャ２１の
重量が石英ベルジャ２０のフランジ部２０ａに作用′し
てこれを破損するような不都合を防ぐことができる。ま
た、この場合には、気密室４を形成するのに、金属ベル
ジャ２１のフランジ部２１ｂでなく、図示のようにリン
グ状部材２７ｆ：クランプ片Ｉ８にて基台１に向けて押
圧するようにしてもよい。
以上述べたように本発明によれば、石英ベルジャの保護
ならびに冷却および輻射熱の放出防止が確実にできると
共に、反応ガスの流れを石英ベルジャと基台とで形成さ
れる気密室内のみに止めることができ、余分なパージガ
スを必要とせず、ランニングコスト−を低く押えること
ができると共に、金属ベルジャおよび石英ベルジャの清
掃も容易になるなど、安全性および操作性等のうえで優
れた効果が得られる。
ならびに冷却および輻射熱の放出防止が確実にできると
共に、反応ガスの流れを石英ベルジャと基台とで形成さ
れる気密室内のみに止めることができ、余分なパージガ
スを必要とせず、ランニングコスト−を低く押えること
ができると共に、金属ベルジャおよび石英ベルジャの清
掃も容易になるなど、安全性および操作性等のうえで優
れた効果が得られる。
第１図および第２図は従来のエビクキソヤル装置のそれ
ぞれ異なる例を示す概要断面図、第３図は本発明による
エピタキシャル装置の一実施例金示す概要断面図、第４
図はリング状部材と金属ベルジャの連結機構の他の実施
例を示す部分拡大断面図である。 １・・・基台、 ２．２９．３０・・・シール部材、３
、＋６．２０・・・石英ベルジャ、 ４・・・気密室、
５・・・サセプタ、 ７・・・基板、 ８・・・ノズル
、９、・・ＲＦコイル、１１・・・排気管、１３．２１
・・・金属ベルジャ、１８・・・クランプ片、２２・・
・弾性体、 ２３・・・冷却ガス流入口、２４・・・冷
却ガス流出口、 ２６ 、２６ａ°°°ボルト、２７・
・リング状部材、 ２８・・・流路、３１・・・円筒体
、３４．３５・・・ロックナツト、３６・・・ナツト。 出願人 東芝機械株式会社
ぞれ異なる例を示す概要断面図、第３図は本発明による
エピタキシャル装置の一実施例金示す概要断面図、第４
図はリング状部材と金属ベルジャの連結機構の他の実施
例を示す部分拡大断面図である。 １・・・基台、 ２．２９．３０・・・シール部材、３
、＋６．２０・・・石英ベルジャ、 ４・・・気密室、
５・・・サセプタ、 ７・・・基板、 ８・・・ノズル
、９、・・ＲＦコイル、１１・・・排気管、１３．２１
・・・金属ベルジャ、１８・・・クランプ片、２２・・
・弾性体、 ２３・・・冷却ガス流入口、２４・・・冷
却ガス流出口、 ２６ 、２６ａ°°°ボルト、２７・
・リング状部材、 ２８・・・流路、３１・・・円筒体
、３４．３５・・・ロックナツト、３６・・・ナツト。 出願人 東芝機械株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 サセプタの周囲に気密室を形成し、該サセプタ上
に載置した基板表面上に半導体物質のエピタキシャル膜
を気相成長させるエピタキシャル装置において、下端に
フランジ部を有する石英ベルジャと、同石英ベルジャの
外方を被う金属ベルジャと、同金属ベルジャとにより前
記石英ベルジャのフランジ部を挾むようにして前記金属
ベルジャに着脱可能に取付けられたリング状部材とを具
備し、前記フランジ部とリング状部材および同すング状
部制と基台との間にそれぞれシール部ｅｔ−介在させて
前記石英ベルジャ、リング状部材および基台とにより気
密室を形成するようにしたことを特徴とするエピタキシ
ャル装置。 ２、石英ベルジャのフランジ部が、弾性体を介して金属
ベルジャに押圧されるようになっている特許請求の範囲
第１項記載のエピタキシャル装置。 ３、リング状部材と金属ベルジャが、石英ベルジャのフ
ランジ部を挾む方向へ若干移動可能に連結されている特
許請求の範囲第１または２項記載のエピタキシャル装置
。 ４、リング状部材と金属ベルジャが、石英ベルジャのフ
ランジ一部を所定の押圧力で挾むようにして一定間隔を
保って着脱可能に固定されている特許請求の範囲第１ま
たは２項記載のエピタキシャル装置。 ５、リング状部材が金属で形成され、内部に冷却流体を
流す流路を有している特許請求の範囲第１゜２．３捷た
け４項記載のエピタキシャル装置。 ６、石英ベルジャと金属ベルジャとの間に冷却ガスが流
れるようになっている特許請求の範囲第１゜２．３．４
−またけ５項記載のエピタキシャル装置０７ 石英ベル
ジャの下部内側にサセプタからの輻射熱を受ける円筒体
が配置されている特許請求の範囲第１．２，３，４．５
または６項記載のエピタキシャル装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205194A JPS6097622A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | エピタキシヤル装置 |
| DE19833342586 DE3342586C2 (de) | 1982-11-27 | 1983-11-25 | Vorrichtung zur Gasphasen-Epitaxie |
| US06/554,824 US4641603A (en) | 1983-11-01 | 1984-02-21 | Epitaxial growing apparatus |
| KR2019860008872U KR860001742Y1 (ko) | 1982-11-27 | 1986-06-24 | 에피택셜장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205194A JPS6097622A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | エピタキシヤル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097622A true JPS6097622A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16502958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205194A Pending JPS6097622A (ja) | 1982-11-27 | 1983-11-01 | エピタキシヤル装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4641603A (ja) |
| JP (1) | JPS6097622A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010225799A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Ricoh Co Ltd | 縦型ウエハ処理装置 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
| FR2628985B1 (fr) * | 1988-03-22 | 1990-12-28 | Labo Electronique Physique | Reacteur d'epitaxie a paroi protegee contre les depots |
| JP3106172B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の封止構造 |
| JP3121915B2 (ja) * | 1992-06-01 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 封止装置 |
| US5497727A (en) * | 1993-09-07 | 1996-03-12 | Lsi Logic Corporation | Cooling element for a semiconductor fabrication chamber |
| JP3165322B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧容器 |
| US5676757A (en) * | 1994-03-28 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Decompression container |
| US5620523A (en) * | 1994-04-11 | 1997-04-15 | Canon Sales Co., Inc. | Apparatus for forming film |
| US5855677A (en) * | 1994-09-30 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling the temperature of reaction chamber walls |
| US6002109A (en) | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6046439A (en) | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US5888303A (en) * | 1997-04-07 | 1999-03-30 | R.E. Dixon Inc. | Gas inlet apparatus and method for chemical vapor deposition reactors |
| JP3602372B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2004-12-15 | 松下電器産業株式会社 | 真空処理装置 |
| US6193804B1 (en) * | 1999-10-02 | 2001-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Apparatus and method for sealing a vacuum chamber |
| US6342691B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-01-29 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for thermal processing of semiconductor substrates |
| US6666924B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-12-23 | Asm America | Reaction chamber with decreased wall deposition |
| US6738683B1 (en) | 2000-09-05 | 2004-05-18 | Cxe Equipment Services, Llc | Apparatus and method for cleaning a bell jar in a barrel epitaxial reactor |
| WO2002050463A2 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Tokyo Electron Limited | Seal for process tube |
| JP2003213421A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US20040052969A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-03-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for operating a chemical vapor deposition chamber using a heated gas distribution plate |
| US6946033B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-09-20 | Applied Materials Inc. | Heated gas distribution plate for a processing chamber |
| US7390535B2 (en) | 2003-07-03 | 2008-06-24 | Aeromet Technologies, Inc. | Simple chemical vapor deposition system and methods for depositing multiple-metal aluminide coatings |
| JP4397655B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2010-01-13 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、電子部品製造装置及び電子部品製造方法 |
| DE102005056324A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit auswechselbarer Prozesskammerdecke |
| WO2009049020A2 (en) | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Valence Process Equipment, Inc. | Chemical vapor deposition reactor |
| US20090250053A1 (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Flaherty B Michael | Active thermal insulation system including evacuated structures and a vacuum sustaining unit |
| IT1392068B1 (it) * | 2008-11-24 | 2012-02-09 | Lpe Spa | Camera di reazione di un reattore epitassiale |
| JP5477145B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2014-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン反応炉 |
| TWM392431U (en) * | 2010-02-04 | 2010-11-11 | Epistar Corp | Systems for epitaxial growth |
| US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50536A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-07 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124437A (en) * | 1980-03-07 | 1981-09-30 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas phase chemical reaction apparatus |
| JPH0237086B2 (ja) * | 1981-01-31 | 1990-08-22 | Toshiba Machine Co Ltd | Handotaikisoseichosochi |
| JPS586124A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体気相成長装置 |
| JPS58128728A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-01 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体気相成長装置 |
| US4545327A (en) * | 1982-08-27 | 1985-10-08 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58205194A patent/JPS6097622A/ja active Pending
-
1984
- 1984-02-21 US US06/554,824 patent/US4641603A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50536A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-07 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010225799A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Ricoh Co Ltd | 縦型ウエハ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4641603A (en) | 1987-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6097622A (ja) | エピタキシヤル装置 | |
| US5997651A (en) | Heat treatment apparatus | |
| US5207573A (en) | Heat processing apparatus | |
| US5935338A (en) | Chemical vapor deposition chamber | |
| US5065698A (en) | Film forming apparatus capable of preventing adhesion of film deposits | |
| JP4361614B2 (ja) | 半導体基板のエッジ成膜の制御 | |
| KR101647958B1 (ko) | 처리 챔버용 밀봉 장치 | |
| KR100279487B1 (ko) | 화학증착법을 이용한 처리 챔버 | |
| JP4108119B2 (ja) | 改良型化学気相堆積チャンバ | |
| US6283175B1 (en) | Enveloping device and vertical heat-treating apparatus for semiconductor process system | |
| US5370371A (en) | Heat treatment apparatus | |
| KR100280689B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| US6669784B2 (en) | Gas processing apparatus for object to be processed | |
| JP2013123062A (ja) | ハブを有するウエハキャリア | |
| US5855679A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| EP1012358B1 (en) | Inflatable elastomeric element for rapid thermal processing (rtp) system | |
| US5942038A (en) | Cooling element for a semiconductor fabrication chamber | |
| JP3278011B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US20030015142A1 (en) | Apparatus for fabricating a semiconductor device | |
| JP3256037B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS594434A (ja) | 気相反応装置 | |
| KR860001742Y1 (ko) | 에피택셜장치 | |
| JP3473263B2 (ja) | 低圧ｃｖｄ装置 | |
| JP3203536B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH01168030A (ja) | 減圧気相成長方法 |