JPS6096391A - レ−ザ加工機 - Google Patents
レ−ザ加工機Info
- Publication number
- JPS6096391A JPS6096391A JP58203514A JP20351483A JPS6096391A JP S6096391 A JPS6096391 A JP S6096391A JP 58203514 A JP58203514 A JP 58203514A JP 20351483 A JP20351483 A JP 20351483A JP S6096391 A JPS6096391 A JP S6096391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
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- processing
- generator
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
本発明は、切断、穴明け、マーキングなどを行うための
レーザ加工機に関する。
レーザ加工機に関する。
［発明の背景］
複雑な形状のマーキングなどを行う場合、従来のレーザ
加工機ではコンピュータ制御によりマーキングしようと
するパターンをソフトウェア造型する必要があり、装置
そのものが複雑であるばかりか、その操作も容易ではな
かった。
加工機ではコンピュータ制御によりマーキングしようと
するパターンをソフトウェア造型する必要があり、装置
そのものが複雑であるばかりか、その操作も容易ではな
かった。
［発明の目的］
本発明の目的は、極めて筒中な構成によって、しかも複
雑な形状のマーキングも容易に行いうるレーザ加工機を
提供することにある。
雑な形状のマーキングも容易に行いうるレーザ加工機を
提供することにある。
［発明の実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明になるレーザ加工機の原理図、第２図は
第１図のレーザ加工機におけるレーザ光線のスキャニン
グの方法を示す原理図である。ｌは不可視波長を持つ加
工用レーザを発生する発生装置、２は発生装置ｌの加工
用レーザの光軸を示す。３は微弱な可視波長の、例えば
Ｈｅ−Ｎｅ（ヘリウムネオン）レーザによる位置確認用
レーザ光線を発光する発光装置、４は発光装置３の位置
確認用レーザ光線の光軸を示す。そして、前記２つの光
軸２．４は互いに直交する方向になっている。５は前記
２つの光軸２．４の交叉点にあってそれぞれの光軸２．
４に４５度の傾斜角を持つように設けられた第１コール
ドミラーで、発生装置１の不可視光線を通過させ、発光
装置３の可視光線を反射させる。この第１コールドミラ
ー５によって光軸２は発光方向に平行に屈折透過して進
行し、光軸４は発光方向に直交する方向に反射して進行
し、その先軸２．４を一致させ新たに光軸６が形成され
る。
第１図のレーザ加工機におけるレーザ光線のスキャニン
グの方法を示す原理図である。ｌは不可視波長を持つ加
工用レーザを発生する発生装置、２は発生装置ｌの加工
用レーザの光軸を示す。３は微弱な可視波長の、例えば
Ｈｅ−Ｎｅ（ヘリウムネオン）レーザによる位置確認用
レーザ光線を発光する発光装置、４は発光装置３の位置
確認用レーザ光線の光軸を示す。そして、前記２つの光
軸２．４は互いに直交する方向になっている。５は前記
２つの光軸２．４の交叉点にあってそれぞれの光軸２．
４に４５度の傾斜角を持つように設けられた第１コール
ドミラーで、発生装置１の不可視光線を通過させ、発光
装置３の可視光線を反射させる。この第１コールドミラ
ー５によって光軸２は発光方向に平行に屈折透過して進
行し、光軸４は発光方向に直交する方向に反射して進行
し、その先軸２．４を一致させ新たに光軸６が形成され
る。
１０は光軸６上に設けられたスキャニング装置で、第２
図に示すように光軸６に直交する軸の周りに揺動する第
１スキヤニングミラー１０ａと、第１スキヤニングミラ
ー１０ａの揺動中心軸に直交する軸の周りに揺動する第
２スキヤニングミラー１０ｂとからなり、第１スキヤニ
ングミラー１０ａと第２スキヤニングミラー１０１０ｂ
の揺動によって光軸６を成る平面域１１内にスキャニン
グさせ、スキャニング光軸１２を形成させる。１３はス
キャニング光軸１２の進行域内にあって第２スキヤニン
グミラー１０ｂから自らの焦点距離だけ離れた位置に置
かれた平行変換レンズで、この平行変換レンズ１３によ
ってスキャニング光軸１２は平行光線１４となって進行
する。１５は平行光！！１４の進行域内にあってこの平
行光線１４に４５度の傾斜角を持つように設けられた第
２コールドミラーで、不可視光線を通過させ可視光線を
反射させる。この第２コールドミラー１５によって平行
線１４はその方向に平行に屈折透過して進行する加工用
レーザ平行光線１６と、この加工用レーザ平行光線１６
の直交方向に反射して進行する位置確認用レーザ平行光
線１７とに再分離される。またこの第２コールドミラー
１５は支点１５ａを中心として２点鎖線の状態に回動で
きるように設けられている。
図に示すように光軸６に直交する軸の周りに揺動する第
１スキヤニングミラー１０ａと、第１スキヤニングミラ
ー１０ａの揺動中心軸に直交する軸の周りに揺動する第
２スキヤニングミラー１０ｂとからなり、第１スキヤニ
ングミラー１０ａと第２スキヤニングミラー１０１０ｂ
の揺動によって光軸６を成る平面域１１内にスキャニン
グさせ、スキャニング光軸１２を形成させる。１３はス
キャニング光軸１２の進行域内にあって第２スキヤニン
グミラー１０ｂから自らの焦点距離だけ離れた位置に置
かれた平行変換レンズで、この平行変換レンズ１３によ
ってスキャニング光軸１２は平行光線１４となって進行
する。１５は平行光！！１４の進行域内にあってこの平
行光線１４に４５度の傾斜角を持つように設けられた第
２コールドミラーで、不可視光線を通過させ可視光線を
反射させる。この第２コールドミラー１５によって平行
線１４はその方向に平行に屈折透過して進行する加工用
レーザ平行光線１６と、この加工用レーザ平行光線１６
の直交方向に反射して進行する位置確認用レーザ平行光
線１７とに再分離される。またこの第２コールドミラー
１５は支点１５ａを中心として２点鎖線の状態に回動で
きるように設けられている。
２０は平行光線１６の進行域内に設けられた第１凸レン
ズ、２１は平行光線１７の進行域内に設′けられた第２
凸レンズである。２２は第２コールドミラー１５と第２
凸レンズ２１の間にあって平行光線１７の進行域内に置
かれるマスクで、このマスク２２は通常の３５ｍｍネガ
フィルムなどで被加工物にマーキングするパターンを撮
影したものを等尺度の大きさにしたものがそのまま用い
られる。２３は第２凸レンズ２１からその焦点距離だけ
離れた点に置かれた受光素子、２４は受光素子２３の動
作信号を受け発生装置１からの加工用レーザの発生を０
Ｎ−ＯＦＦ制御するコントローラである。３０はマーキ
ングを行う被加工物で、第１凸レンズ２０の焦点近傍に
置かれる。
ズ、２１は平行光線１７の進行域内に設′けられた第２
凸レンズである。２２は第２コールドミラー１５と第２
凸レンズ２１の間にあって平行光線１７の進行域内に置
かれるマスクで、このマスク２２は通常の３５ｍｍネガ
フィルムなどで被加工物にマーキングするパターンを撮
影したものを等尺度の大きさにしたものがそのまま用い
られる。２３は第２凸レンズ２１からその焦点距離だけ
離れた点に置かれた受光素子、２４は受光素子２３の動
作信号を受け発生装置１からの加工用レーザの発生を０
Ｎ−ＯＦＦ制御するコントローラである。３０はマーキ
ングを行う被加工物で、第１凸レンズ２０の焦点近傍に
置かれる。
次にかかる構成よりなるレーザ加工機の動作について説
明する。発生装置１から発生される加工用レーザと発光
装置３から構成される装置確認用レーザ光線は、第１コ
ールドミラー５によって同一光軸上を進行し、スキャニ
ング装置ｌＯによってスキャニングされ、平行変換レン
ズ１３によって平行光線１４となった後、第２コールド
ミラー１５によって再び分離される。分離された位置確
認用レーザ光線はマスク２２を通過して受光素子２３に
至る。マーキング形状を撮影したネガフィルムであるマ
スク２２は、可視波長レーザである位置確認用レーザ光
線をそのマーキング形状の範囲内でのみ透過させ、他の
域では位置確認用レーザ光線を遮断する。そして、受光
素子２３は受光した時だけ動作してコントローラ２４に
信号を送るので、発生装置ｌはその詩だけ加工用レーザ
を発生する。従って、スキャニング装置ｌＯによりスキ
ャニングが進むと、マーキングすべき形状に沿って加工
用レーザが発生され、被加工物３０に照射されて加工が
行われ、所定のパターンのマーキングが行われる。
明する。発生装置１から発生される加工用レーザと発光
装置３から構成される装置確認用レーザ光線は、第１コ
ールドミラー５によって同一光軸上を進行し、スキャニ
ング装置ｌＯによってスキャニングされ、平行変換レン
ズ１３によって平行光線１４となった後、第２コールド
ミラー１５によって再び分離される。分離された位置確
認用レーザ光線はマスク２２を通過して受光素子２３に
至る。マーキング形状を撮影したネガフィルムであるマ
スク２２は、可視波長レーザである位置確認用レーザ光
線をそのマーキング形状の範囲内でのみ透過させ、他の
域では位置確認用レーザ光線を遮断する。そして、受光
素子２３は受光した時だけ動作してコントローラ２４に
信号を送るので、発生装置ｌはその詩だけ加工用レーザ
を発生する。従って、スキャニング装置ｌＯによりスキ
ャニングが進むと、マーキングすべき形状に沿って加工
用レーザが発生され、被加工物３０に照射されて加工が
行われ、所定のパターンのマーキングが行われる。
［発明の効果］
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、必要に
応じて第２コールドミラーを回動させて光軸外に位置さ
せると、微弱な位置確認用レーザ光線によって被加工物
の位置の確認を被加工物に損傷を榮えずに行うことがで
きる。このため試し加工も不要となる。また第２コール
ドミラーな］Ｔｙり伺けることにより、加エバターンを
極めて容易に被加工物にマーキングすることができる。
応じて第２コールドミラーを回動させて光軸外に位置さ
せると、微弱な位置確認用レーザ光線によって被加工物
の位置の確認を被加工物に損傷を榮えずに行うことがで
きる。このため試し加工も不要となる。また第２コール
ドミラーな］Ｔｙり伺けることにより、加エバターンを
極めて容易に被加工物にマーキングすることができる。
更に消耗品が不要でマスクの損傷の恐れもなく、レーザ
光線のパワー密度を犠牲にすることがないなどの効果が
得られる。
光線のパワー密度を犠牲にすることがないなどの効果が
得られる。
第１図は本発明になるレーザ加圧機の一実施例を示す原
理図、第２図は第１図のレーザ加工機におけるレーザ光
線のスキャニングの方法を示す原理図である。 １・・・発生装置、 ３・・・発光装置、５・・ｅ第１
コールドミラー、１０・・・スキャニング装置、 １３
・・・平行変換レンズ、１５＠・・第２コールドミラー
、 ２０・・ｅ第１凸レンズ、 ２１・・・第２凸レン
ズ、２２・・・マスク、２３・・・受光素子、２４・−
・制御装置、 ３０・・φ被加工物。 第１図 第 Ａし
理図、第２図は第１図のレーザ加工機におけるレーザ光
線のスキャニングの方法を示す原理図である。 １・・・発生装置、 ３・・・発光装置、５・・ｅ第１
コールドミラー、１０・・・スキャニング装置、 １３
・・・平行変換レンズ、１５＠・・第２コールドミラー
、 ２０・・ｅ第１凸レンズ、 ２１・・・第２凸レン
ズ、２２・・・マスク、２３・・・受光素子、２４・−
・制御装置、 ３０・・φ被加工物。 第１図 第 Ａし
Claims (2)
- （１）不可視波長をもつ強力な加工用レーザの発生装置
と、可視波長をもつ微弱な位置確認用レーザ光線の発光
装置と、前記加工用レーザと前記位置確認用レーザ光線
の光軸を一致させるための重畳手段とを備えたレーザ加
工機。 - （２）不可視波長をもつ強力な加工用レーザの発生装置
と、可視波長をもつ微弱な位置確認用レーザ光線の発光
装置と、前記加工用レーザと前記位置確認用レーザ光線
の光軸を一致させるための重畳手段と、前記加工用レー
ザと前記位置確認用レーザ光線を再び分離させるための
光学的分離手段と、再分離させた後の前記位置確認用レ
ーザ光線の入力を検出する受光手段と、この受光手段の
動作により前記発生装置に指令を与えて前記加工用レー
ザをオン・オフする制御装置とを備えたレーザ加工機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203514A JPS6096391A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | レ−ザ加工機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203514A JPS6096391A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | レ−ザ加工機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6096391A true JPS6096391A (ja) | 1985-05-29 |
| JPH0318993B2 JPH0318993B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16475409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203514A Granted JPS6096391A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | レ−ザ加工機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6096391A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0241722A2 (en) * | 1986-03-17 | 1987-10-21 | Cincinnati Milacron Inc. | Laser beam switching device |
| US6180991B1 (en) | 1982-12-23 | 2001-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor having low concentration of phosphorous |
| USRE37441E1 (en) | 1982-08-24 | 2001-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| US6346716B1 (en) | 1982-12-23 | 2002-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material having particular oxygen concentration and semiconductor device comprising the same |
| US6503771B1 (en) | 1983-08-22 | 2003-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor photoelectrically sensitive device |
| US6660574B1 (en) | 1984-05-18 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming a semiconductor device including recombination center neutralizer |
| US6664566B1 (en) | 1982-08-24 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
| USRE38727E1 (en) | 1982-08-24 | 2005-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53152579U (ja) * | 1977-05-09 | 1978-12-01 | ||
| JPS57154389A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Toshiba Corp | Laser working device |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58203514A patent/JPS6096391A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53152579U (ja) * | 1977-05-09 | 1978-12-01 | ||
| JPS57154389A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Toshiba Corp | Laser working device |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37441E1 (en) | 1982-08-24 | 2001-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| US6664566B1 (en) | 1982-08-24 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
| USRE38727E1 (en) | 1982-08-24 | 2005-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
| US6180991B1 (en) | 1982-12-23 | 2001-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor having low concentration of phosphorous |
| US6346716B1 (en) | 1982-12-23 | 2002-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material having particular oxygen concentration and semiconductor device comprising the same |
| US6503771B1 (en) | 1983-08-22 | 2003-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor photoelectrically sensitive device |
| US6660574B1 (en) | 1984-05-18 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming a semiconductor device including recombination center neutralizer |
| EP0241722A2 (en) * | 1986-03-17 | 1987-10-21 | Cincinnati Milacron Inc. | Laser beam switching device |
| EP0241722A3 (en) * | 1986-03-17 | 1989-01-25 | Cincinnati Milacron Inc. | Laser beam switching device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318993B2 (ja) | 1991-03-13 |
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