JPS6095433A - 重合体被膜の形成方法 - Google Patents
重合体被膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6095433A JPS6095433A JP20338183A JP20338183A JPS6095433A JP S6095433 A JPS6095433 A JP S6095433A JP 20338183 A JP20338183 A JP 20338183A JP 20338183 A JP20338183 A JP 20338183A JP S6095433 A JPS6095433 A JP S6095433A
- Authority
- JP
- Japan
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- substrate
- soln
- film
- silane coupling
- coupling agent
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフルオロアルキルアクリレート類の重合体被膜
を基体表面に形成する方法に関する。さらに詳しくは、
本発明はフルオロアルキルアクリレート類の重合体被膜
を基体表面に形成するにあたって、該被膜と基体との密
着性を向」ニさせる方法に関する。
を基体表面に形成する方法に関する。さらに詳しくは、
本発明はフルオロアルキルアクリレート類の重合体被膜
を基体表面に形成するにあたって、該被膜と基体との密
着性を向」ニさせる方法に関する。
フルオロアルキルアクリレ−１類の重合体は、耐候性の
優れた樹脂として、特に集積回路製造に用いられるレジ
スト材料として、紫外線、Ｘ線、電子線などの高エネル
ギー線に月する解像度Ｊ目こび感度が優れているものと
して知られている。
優れた樹脂として、特に集積回路製造に用いられるレジ
スト材料として、紫外線、Ｘ線、電子線などの高エネル
ギー線に月する解像度Ｊ目こび感度が優れているものと
して知られている。
しかし、かかるレジス）・材料の被膜は、ある種の基体
表面に形成せしめた場合、これをレジストパターンに現
像する工程において、該レジスト被膜と基体との間に現
像液が浸透してレジスト被膜の一部が剥離したりあるい
は浮き」−かったりし、その結果エツチングなどによつ
一ζイ１１られる基体表面の回路パターンの寸法が所定
のＮ１法から外れるなど、精度の低下をきたすという密
着性不良による問題点が生ずる。そのような欠点はポス
トベーキングによっても回復することができない場合が
ある。
表面に形成せしめた場合、これをレジストパターンに現
像する工程において、該レジスト被膜と基体との間に現
像液が浸透してレジスト被膜の一部が剥離したりあるい
は浮き」−かったりし、その結果エツチングなどによつ
一ζイ１１られる基体表面の回路パターンの寸法が所定
のＮ１法から外れるなど、精度の低下をきたすという密
着性不良による問題点が生ずる。そのような欠点はポス
トベーキングによっても回復することができない場合が
ある。
本発明の目的はフルオロアルキルアクリレ−１・類の重
合体被膜の基体表面への密着性を向１−せしめる方法を
提供することにある。
合体被膜の基体表面への密着性を向１−せしめる方法を
提供することにある。
本発明は基体表面をシランカップリング剤で処理した後
に、フルオロアルキルアクリレ−１類の重合体被膜を基
体表面に形成する方法にｔ；いて、上記シランカップリ
ング剤が一般式 ％式％） （式中Ｒは炭素数１〜５のアルキル、Ｒ’は炭素数２〜
５のアルキル、ｎは１，２または３）で示される化合物
またはその加水分解物を主成分とすることを特徴とする
重合体被膜の形成方法に係る。
に、フルオロアルキルアクリレ−１類の重合体被膜を基
体表面に形成する方法にｔ；いて、上記シランカップリ
ング剤が一般式 ％式％） （式中Ｒは炭素数１〜５のアルキル、Ｒ’は炭素数２〜
５のアルキル、ｎは１，２または３）で示される化合物
またはその加水分解物を主成分とすることを特徴とする
重合体被膜の形成方法に係る。
本発明で使用されるシランカップリング剤は一般式
％式％（１）
（式中Ｒは炭素数１〜５のアルキル、１じは炭素数２〜
５のアルキル、ｎは１，２またけ；））で示される化合
物またはその加水分解物を主成分とする。
５のアルキル、ｎは１，２またけ；））で示される化合
物またはその加水分解物を主成分とする。
上記Ｒ，Ｒ’におけるアルキルの好ましい例としてメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルを挙げること
がで外る。
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルを挙げること
がで外る。
また一般式（１）の化合物の加水分解物としては各種の
化合物が包含されるが、例えば下記のような化合物を例
示することがで外る。
化合物が包含されるが、例えば下記のような化合物を例
示することがで外る。
（式中ａは１または２、））は０または］、Ｃは１．２
または３を′しめす） これらシランカップリング剤による基体表面の処理は、
適当な溶媒に該シランカップリング剤を溶解し、塗布、
浸漬、スプレーまたはスピンコーティングなどの各種の
コーティング法によって行われる。これらのシランカッ
プリング剤と基板との接触時間は好ましくは約１〜６０
秒間である。
または３を′しめす） これらシランカップリング剤による基体表面の処理は、
適当な溶媒に該シランカップリング剤を溶解し、塗布、
浸漬、スプレーまたはスピンコーティングなどの各種の
コーティング法によって行われる。これらのシランカッ
プリング剤と基板との接触時間は好ましくは約１〜６０
秒間である。
またシランカップリング剤か液体である場合には、その
ままで用いることも可能である。処理表３− 面上の残液は揮発させるかスピンコーター等で振り切る
か又は溶媒で洗い流すがして次のレジス１被膜形成工程
に供されるが、好ましくは７０〜１５０°Ｃでプリベー
クするのが適当である。。
ままで用いることも可能である。処理表３− 面上の残液は揮発させるかスピンコーター等で振り切る
か又は溶媒で洗い流すがして次のレジス１被膜形成工程
に供されるが、好ましくは７０〜１５０°Ｃでプリベー
クするのが適当である。。
かくしてシランカップリング剤によって表面処理せられ
た基体に、種々のフルオロアルキルアクリレート類の重
合体の被膜を常法に従って形成ぜしめた場合、その密１
１性は表面処理をしなかったものに比べて向上する。
た基体に、種々のフルオロアルキルアクリレート類の重
合体の被膜を常法に従って形成ぜしめた場合、その密１
１性は表面処理をしなかったものに比べて向上する。
本発明に用い得るフルオロアルキルアクリレート類の重
合体としては例えば一般式 ％式％（２） （式中、Ｒ１はメチル、エチル、もしくはそれらの水素
原子の少なくとも１つをハロゲン原子で置換した基、ハ
ロゲン原子または水素原ｒを表わし、Ｒ２は炭素数１〜
６の２価の炭化水素Ｊ、ｌ；を表わし、Ｒｆは少なくと
も１つの水素原子がフッ素原子で４− 置換された炭素数１〜１５のアルキルを表わす）で示さ
れるフルオロアルキルアクリレ−１・の同族重合体また
は該フルオロアルキルアクリレートとそれ以外の種々の
ビニル系単量体との共重合体が挙げられる。」１記のハ
ロゲン原子としては例えばＣＩ。
合体としては例えば一般式 ％式％（２） （式中、Ｒ１はメチル、エチル、もしくはそれらの水素
原子の少なくとも１つをハロゲン原子で置換した基、ハ
ロゲン原子または水素原ｒを表わし、Ｒ２は炭素数１〜
６の２価の炭化水素Ｊ、ｌ；を表わし、Ｒｆは少なくと
も１つの水素原子がフッ素原子で４− 置換された炭素数１〜１５のアルキルを表わす）で示さ
れるフルオロアルキルアクリレ−１・の同族重合体また
は該フルオロアルキルアクリレートとそれ以外の種々の
ビニル系単量体との共重合体が挙げられる。」１記のハ
ロゲン原子としては例えばＣＩ。
Ｆ等を例示することができる。
前記一般式（２）で表わされるフルオロアルキルアクリ
レートの具体例としては、 Ｃ１１２＝Ｃ（ＣＩ＋３）Ｃ００ＣＩ＋２（ＣＦ２）２
１１ＣＬ＝Ｃ（ＣＨ，、）ＣＯＯＣ（ＣＩ＋３）２（Ｃ
Ｆ２）、ＨＣＬ ＝Ｃ（ＣＩ＋３）ＣＯＯＣ１１２ＣＦ
２ＣＨＦＣＦ３Ｃ１１，＝Ｃ（Ｃ１１３）Ｃ００Ｃ１１
（Ｃ２１１５）ＣＦ２ＣＩＩＦＣＦ３Ｃ１１２＝Ｃ（Ｃ
Ｉ＋３）Ｃ００Ｃ（Ｃ１１３）（Ｃ２１１，）ＣＦ２Ｃ
ＩＩＰＣＦ３ＣＨ２＝ Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００Ｃ１１゜（
ＣＦ２ＣＦ、）２＋１Ｃ１１２＝Ｃ（ｅｌ＋３）ＣＯＯ
ＣＩＩ□ＣＦ３Ｃｌ１２＝Ｃ（ＣＩ−１，）ＣＯＯＣＩ
Ｉ２Ｃ２Ｆ、 及びこれらの７クリレートの０位のメチ
ル基の代りに水素、Ｆ、ＣＩ又はＣＦ、基が置換された
対応するアクリレートを挙げることがで外る、。
レートの具体例としては、 Ｃ１１２＝Ｃ（ＣＩ＋３）Ｃ００ＣＩ＋２（ＣＦ２）２
１１ＣＬ＝Ｃ（ＣＨ，、）ＣＯＯＣ（ＣＩ＋３）２（Ｃ
Ｆ２）、ＨＣＬ ＝Ｃ（ＣＩ＋３）ＣＯＯＣ１１２ＣＦ
２ＣＨＦＣＦ３Ｃ１１，＝Ｃ（Ｃ１１３）Ｃ００Ｃ１１
（Ｃ２１１５）ＣＦ２ＣＩＩＦＣＦ３Ｃ１１２＝Ｃ（Ｃ
Ｉ＋３）Ｃ００Ｃ（Ｃ１１３）（Ｃ２１１，）ＣＦ２Ｃ
ＩＩＰＣＦ３ＣＨ２＝ Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００Ｃ１１゜（
ＣＦ２ＣＦ、）２＋１Ｃ１１２＝Ｃ（ｅｌ＋３）ＣＯＯ
ＣＩＩ□ＣＦ３Ｃｌ１２＝Ｃ（ＣＩ−１，）ＣＯＯＣＩ
Ｉ２Ｃ２Ｆ、 及びこれらの７クリレートの０位のメチ
ル基の代りに水素、Ｆ、ＣＩ又はＣＦ、基が置換された
対応するアクリレートを挙げることがで外る、。
またフルオロアルキルアクリレ−１・以外のビニル系単
量体としては、たとえばイソブチレン、ブタジェンなど
のエチレン系不飽和Ａレフイン類；スチレン、ａ−メチ
ルスチレン、ｌ’ｌ−クロルスチレンなどのスチレン類
； アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレ
イン酸などの不飽和カルボン酸類； アクリル酸メチル
、アクリル酸フェニル、ａ−クロロアクリル酸メチル、
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチルなどのα−メ
チレン脂肪族モノカルボン酸のエステル類： ビニルメ
チルエーテルなどのビニルエーテル類； 塩化ビニノ呟
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニルなどのビ
ニルエステル類； そのほかアクリロニトリル、メタク
リレートリル、アクリルアミＩＳなどが挙げられる。
量体としては、たとえばイソブチレン、ブタジェンなど
のエチレン系不飽和Ａレフイン類；スチレン、ａ−メチ
ルスチレン、ｌ’ｌ−クロルスチレンなどのスチレン類
； アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレ
イン酸などの不飽和カルボン酸類； アクリル酸メチル
、アクリル酸フェニル、ａ−クロロアクリル酸メチル、
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチルなどのα−メ
チレン脂肪族モノカルボン酸のエステル類： ビニルメ
チルエーテルなどのビニルエーテル類； 塩化ビニノ呟
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニルなどのビ
ニルエステル類； そのほかアクリロニトリル、メタク
リレートリル、アクリルアミＩＳなどが挙げられる。
これらフルオロアルキルアクリレ−１・以外の１１を量
体は、共重合体中での量が１０重１ｉ）０％を越えない
割合で用いるのが好ましい。
体は、共重合体中での量が１０重１ｉ）０％を越えない
割合で用いるのが好ましい。
また本発明に用いる基体に特に限定はないか、具体的に
はたとえばクロムマスクされた基体、シリコン、酸化ケ
イ素、シリケートグラス、チツ化ケイ素、アルミニウム
、チタン、金などが挙げられ、いずれを用いた場合でも
本発明の方法によれば基体と重合体被膜の密着性を向上
せしめ得る。
はたとえばクロムマスクされた基体、シリコン、酸化ケ
イ素、シリケートグラス、チツ化ケイ素、アルミニウム
、チタン、金などが挙げられ、いずれを用いた場合でも
本発明の方法によれば基体と重合体被膜の密着性を向上
せしめ得る。
本発明においてシランカップリング剤によって表面処理
した基体表面にフルオロアルキルアクリレートの重合体
の被膜を形成するのは常法により行うことができ、例え
ば適当な溶媒に該重合体を溶解し、塗布、浸漬、スプレ
ーまたはスピンコーティング法等によって行われる。被
膜を塗布した後、適宜乾燥し、プリベークすることによ
り目的とする重合体被膜を形成することがで外る。
した基体表面にフルオロアルキルアクリレートの重合体
の被膜を形成するのは常法により行うことができ、例え
ば適当な溶媒に該重合体を溶解し、塗布、浸漬、スプレ
ーまたはスピンコーティング法等によって行われる。被
膜を塗布した後、適宜乾燥し、プリベークすることによ
り目的とする重合体被膜を形成することがで外る。
次に実施例および比較例をあげて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限定される
ものではない。
説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限定される
ものではない。
７−
実施例１
シランカップリング剤として、メチルトリイソ７’ Ｄ
ホキジシランを５％含有するイソプロパ７−゛ ル溶
液をシリコンウェハー全面に接触させて２０秒間放置し
、１．０００ ｒｐｍで１分間かけてスピンコーティン
グし、被膜を形成させた。さらに、そのカップリング剤
処理された表面にポリ−２，２，３，４，４，４−ヘキ
サフルオロブチルメタクリレート（重り平均分子量８０
万）の８重量％メチルイソブチルケトン溶液を２０００
ｒｐｍで１分間スピンコーティングし、１４０℃で３０
分間プリベークして約０．４μｍのレジスト被膜を形成
させた。
ホキジシランを５％含有するイソプロパ７−゛ ル溶
液をシリコンウェハー全面に接触させて２０秒間放置し
、１．０００ ｒｐｍで１分間かけてスピンコーティン
グし、被膜を形成させた。さらに、そのカップリング剤
処理された表面にポリ−２，２，３，４，４，４−ヘキ
サフルオロブチルメタクリレート（重り平均分子量８０
万）の８重量％メチルイソブチルケトン溶液を２０００
ｒｐｍで１分間スピンコーティングし、１４０℃で３０
分間プリベークして約０．４μｍのレジスト被膜を形成
させた。
得うレタレジスト被膜と基体（シリコンウェハー）との
密着性を調べるために次に述べる密着性試験を行った。
密着性を調べるために次に述べる密着性試験を行った。
（密着性試験）
ＥＲＥ−３０２型電子線描画装置（エリオニクス社製）
を用い、加速電圧２０ｋＶ（電流１ｘｌＯ−ｇＡ）の電
子線８− を得られたレジスト被膜に１μＣ／ｃｍ２で照射してラ
インアンドスペース０．５μ【ｎ、１μｍ、 ２μ箱、
３μｍおよび５μ岳でパターンを描画し、次いでメチル
イソブチルケトン−イソプロパノール混液（容量比１
：１５０）で現像し、さらにインプロパ／−ルで洗浄し
、最後に乾燥した。かくして得られたレジストパターン
を４００倍の光学顕微鏡で観察してその密着性を調べた
。その結果を第１表に示す。
を用い、加速電圧２０ｋＶ（電流１ｘｌＯ−ｇＡ）の電
子線８− を得られたレジスト被膜に１μＣ／ｃｍ２で照射してラ
インアンドスペース０．５μ【ｎ、１μｍ、 ２μ箱、
３μｍおよび５μ岳でパターンを描画し、次いでメチル
イソブチルケトン−イソプロパノール混液（容量比１
：１５０）で現像し、さらにインプロパ／−ルで洗浄し
、最後に乾燥した。かくして得られたレジストパターン
を４００倍の光学顕微鏡で観察してその密着性を調べた
。その結果を第１表に示す。
なお、密着性の評価の基準は次の通りである。
×：いずれか一部のレジストパターンに剥離が観察され
たもの。
たもの。
△：いずれか少しでもレジストパターンの浮き上がりが
観察されたもの。
観察されたもの。
○：いずれも完全にレジストパターンが密着しているの
が観察されたもの。
が観察されたもの。
実施例２
実施例１の重合体溶液に代えて、ポリ−２，２，３゜３
−テトラフルオｅ＋−１，１−ノメチルプａピルメタク
リレート（重量平均分子量８０７ｊ）の）３重１ｆ％メ
チルイソブチルケトン溶液を用いたほかは、実施例１と
同様にして実験を行い、レジスト被膜を形成させた。
−テトラフルオｅ＋−１，１−ノメチルプａピルメタク
リレート（重量平均分子量８０７ｊ）の）３重１ｆ％メ
チルイソブチルケトン溶液を用いたほかは、実施例１と
同様にして実験を行い、レジスト被膜を形成させた。
得られたレジスト被膜の基体との密力゛ｆ性試験の条件
および試験結果を第１表に示す。
および試験結果を第１表に示す。
比較例１
シランカップリング剤で処理しなか−）だ他は実施例１
と同様にして実験を行い、レジスト被膜を形成させた。
と同様にして実験を行い、レジスト被膜を形成させた。
得られたレジスト被膜の基体との密７ｆ性試験の条件お
よび試験結果を第１表に示す。
よび試験結果を第１表に示す。
第 １ 表
実 施 例 比較例
１ ２ １
電子線照射量
（μＣ／ｃｍ２） １ ５ ］
現像液の容量比
（メチルイソブチ ］：］５０ １９：８］ １：１５
０ルケトン：イソプ ロバノール） 密 着 性 ○ ○ × 実施例３ ガラス基板上の酸化クロム／クロム２層上にメチルトリ
ブトキシシランとその水添加による加水分解物（１モル
に水１モル）の重量比で１：１の混合物を５％含むブタ
７−ル溶液をのせ３０秒間接触させて１１０００ｒｐで
振り切り酸化クロム上にシラン−１１＝ ／シロキサンの被膜を形成させた。１００℃で３（）分
間ベークの後、ヘキサフルオロブチルメタクリレ−）
（９９田ｔ％）とグリシジ゛ルメタクリレート（］ｕ＋
１％）の共重合体の１０％メチルイソブチルケトン溶液
を２００Ｏｒｐｍで塗布し１４０ ’Ｃで３０分間ベー
クした。
０ルケトン：イソプ ロバノール） 密 着 性 ○ ○ × 実施例３ ガラス基板上の酸化クロム／クロム２層上にメチルトリ
ブトキシシランとその水添加による加水分解物（１モル
に水１モル）の重量比で１：１の混合物を５％含むブタ
７−ル溶液をのせ３０秒間接触させて１１０００ｒｐで
振り切り酸化クロム上にシラン−１１＝ ／シロキサンの被膜を形成させた。１００℃で３（）分
間ベークの後、ヘキサフルオロブチルメタクリレ−）
（９９田ｔ％）とグリシジ゛ルメタクリレート（］ｕ＋
１％）の共重合体の１０％メチルイソブチルケトン溶液
を２００Ｏｒｐｍで塗布し１４０ ’Ｃで３０分間ベー
クした。
実施例１と同様にして描画した後、エタノール／イソブ
Ｐ ／ ”（１： １ ’ｆＦ ｆＹｔｌｔ）１．：
、］−、’） ２３℃テ９０ 秒間現像し実施例１と同
様に評価した。密着性は優れ評価は○であった。
Ｐ ／ ”（１： １ ’ｆＦ ｆＹｔｌｔ）１．：
、］−、’） ２３℃テ９０ 秒間現像し実施例１と同
様に評価した。密着性は優れ評価は○であった。
実施例４
実施例３に用いたシラン／シロキザン処理を行った酸化
膜をもつシリコンウェハ、１−に分子量５０−Ｊｊのへ
ブタフルオロプロピル−〇−フルオロアクリレートの８
％アセトン溶液をスピンコーターにより１１０００ｒｐ
で塗布し、１７０ ’Ｃで：（０分間ベークした。
膜をもつシリコンウェハ、１−に分子量５０−Ｊｊのへ
ブタフルオロプロピル−〇−フルオロアクリレートの８
％アセトン溶液をスピンコーターにより１１０００ｒｐ
で塗布し、１７０ ’Ｃで：（０分間ベークした。
実施例１と同様にして描画し、メチルイソブチルケトン
／イソプロパツール（１：４容量比）を用いて、２３℃
で１２０秒間現像した。実施例１と同様１２− に評価したところ、密着性はよく評価は０であった。
／イソプロパツール（１：４容量比）を用いて、２３℃
で１２０秒間現像した。実施例１と同様１２− に評価したところ、密着性はよく評価は０であった。
（以上）
特許出願人 ダイキン工業株式会月
代理人 弁理士用材 巌
Claims (1)
- （１）基体表面をシランカップリング剤で処理した後に
、フルオロアルキルアクリレート類の重合体被膜を基体
表面に形成する方法において、上記シランカップリング
剤が一般式 ％式％） （式中Ｒは炭素数１〜５のアルキル、Ｒ゛は炭素数２〜
５のアルキル、ｎは１．２または３）で示される化合物
またはその加水分解物を主成分とすることを特徴とする
重合体被膜の形成力法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20338183A JPS6095433A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | 重合体被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20338183A JPS6095433A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | 重合体被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095433A true JPS6095433A (ja) | 1985-05-28 |
Family
ID=16473091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20338183A Pending JPS6095433A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | 重合体被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095433A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293240A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | フオトレジストの付着性促進剤 |
| JPS6449040A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-23 | Minnesota Mining & Mfg | Radiation photosensitive photographic element |
| EP0792195A1 (en) * | 1994-11-22 | 1997-09-03 | Complex Fluid Systems, Inc. | Non-aminic photoresist adhesion promoters for microelectronic applications |
-
1983
- 1983-10-29 JP JP20338183A patent/JPS6095433A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293240A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | フオトレジストの付着性促進剤 |
| JPS6449040A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-23 | Minnesota Mining & Mfg | Radiation photosensitive photographic element |
| EP0792195A1 (en) * | 1994-11-22 | 1997-09-03 | Complex Fluid Systems, Inc. | Non-aminic photoresist adhesion promoters for microelectronic applications |
| EP0792195A4 (en) * | 1994-11-22 | 1999-05-26 | Complex Fluid Systems Inc | NON-AMINIC PHOTOSENSITIVE RESIN ADHESION PROMOTERS FOR MICROELECTRONIC APPLICATIONS |
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