JPS6094724A - ドライエツチング装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体集積回路等の・母ターンを形成する際
に用いるドライエツチング装置に関する。
に用いるドライエツチング装置に関する。
近年、半導体集積回路の微細化に伴い最小・やターン寸
法が1μm以下の大規模集積回路も試作、開発され、量
産化され始めている。従来のウェットエツチングでは、
この微細パターンは加工することが出来ず、ドライエツ
チングによる異方性エツチングがこれらの集積回路の加
工に欠くことの出来ない技術とがっている。ドライエツ
チング装置にはいくつかの方式がある。その中の一つは
、平行平板型電極を備えた反応容器内の高周波印加電極
に試料を載置して、 CF4やCC14等の弗素や塩素
等のハロゲン化物を含む反応性ガスの高周波プラズマに
より、試料をエツチングする反応性イオンエツチング装
置である。この反応性イオンエツチング装置は、アルミ
ニウム、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜などを、フオ
トレジストや下地材料に対するエツチング速度比を大き
く保ち々がら。
法が1μm以下の大規模集積回路も試作、開発され、量
産化され始めている。従来のウェットエツチングでは、
この微細パターンは加工することが出来ず、ドライエツ
チングによる異方性エツチングがこれらの集積回路の加
工に欠くことの出来ない技術とがっている。ドライエツ
チング装置にはいくつかの方式がある。その中の一つは
、平行平板型電極を備えた反応容器内の高周波印加電極
に試料を載置して、 CF4やCC14等の弗素や塩素
等のハロゲン化物を含む反応性ガスの高周波プラズマに
より、試料をエツチングする反応性イオンエツチング装
置である。この反応性イオンエツチング装置は、アルミ
ニウム、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜などを、フオ
トレジストや下地材料に対するエツチング速度比を大き
く保ち々がら。
異方性エツチングを行うことが出来るため、最近の超L
SI製造工程のドライエツチングではその主流を占める
に至っている。
SI製造工程のドライエツチングではその主流を占める
に至っている。
しかし、この反応性イオンエツチング装置においても、
量産規模で微細加工を行おうとすると。
量産規模で微細加工を行おうとすると。
種々の問題が生じることが明らかとなった。例えば、シ
リコン酸化膜をCHF3と02 の混合ガスでエツチン
グする場合、エツチング速度がたかだか500X/mi
n と低いため、5000Xのシリコン酸化膜をエツチ
ングする場合には追加エツチングを含めて約12〜15
分のエツチング時間が必要である。エツチング速度を上
昇させようとして高周波電力を増加すると、プラズマ電
位が上昇してしまって反応容器壁面がス・やツタされる
割合が大きくカリ、基板表面が反応容器の構成材料であ
る重金絹等で汚染されたり、高エネルギーのイオン衝撃
によりデバイス特性に悪影響を与えたりする。
リコン酸化膜をCHF3と02 の混合ガスでエツチン
グする場合、エツチング速度がたかだか500X/mi
n と低いため、5000Xのシリコン酸化膜をエツチ
ングする場合には追加エツチングを含めて約12〜15
分のエツチング時間が必要である。エツチング速度を上
昇させようとして高周波電力を増加すると、プラズマ電
位が上昇してしまって反応容器壁面がス・やツタされる
割合が大きくカリ、基板表面が反応容器の構成材料であ
る重金絹等で汚染されたり、高エネルギーのイオン衝撃
によりデバイス特性に悪影響を与えたりする。
また、アルミニウムのエツチングやポリシリコンのエツ
チングの場合においても、エツチング速度が実用レベル
でたかだか100OX/minと低い。
チングの場合においても、エツチング速度が実用レベル
でたかだか100OX/minと低い。
このため、このドライエツチング装置を量産装置として
用いる場合には、6〜10枚程度を同時に処理するいわ
ゆるパッチ式処理装置がコストノや−フォーマンス士優
れていた。ところが、最近のように、ウェハーの直径が
125腸とか150mなど大口径化して来ると、これら
を前記パッチ式処理装置で処理しようとすると、電極面
積を大きく取らざるを得ない。このため、装置は大型化
せざるを得なくなる。その上、ウェハー面内のエツチン
グ速度の均一性は悪化の傾向を示す。このように通常の
パッチ式処理装置では大口径ウェハーの微細加工処理は
極めて困難である。
用いる場合には、6〜10枚程度を同時に処理するいわ
ゆるパッチ式処理装置がコストノや−フォーマンス士優
れていた。ところが、最近のように、ウェハーの直径が
125腸とか150mなど大口径化して来ると、これら
を前記パッチ式処理装置で処理しようとすると、電極面
積を大きく取らざるを得ない。このため、装置は大型化
せざるを得なくなる。その上、ウェハー面内のエツチン
グ速度の均一性は悪化の傾向を示す。このように通常の
パッチ式処理装置では大口径ウェハーの微細加工処理は
極めて困難である。
これに対して、ウェハー一枚一枚を逐次処理する枚葉処
理装置では、1μ?FL/min程度のエツチング速度
を実現する平行平板型高速エツチング装置が提案されて
いる。しかしながら、この装置を使って高速でエツチン
グする場合には、エツチング加工特性が悪く、殊にイオ
ン衝撃によるデバイスの損傷が大きい欠点があって、微
細加工では必ずしも満足する特性は得られていない。
理装置では、1μ?FL/min程度のエツチング速度
を実現する平行平板型高速エツチング装置が提案されて
いる。しかしながら、この装置を使って高速でエツチン
グする場合には、エツチング加工特性が悪く、殊にイオ
ン衝撃によるデバイスの損傷が大きい欠点があって、微
細加工では必ずしも満足する特性は得られていない。
これらに対し、損傷を少くシ、尚かつ高速エツチングを
実現する装置として、最近、磁場を用いて前記方式より
も1〜2桁圧力の低い領域で高速エツチングする高速マ
グネトロンエツチング方式が提案された(例えば特開昭
57−98678号公報参照)。しかし、この方式の装
置では、電場と磁場が丁度直交している部分のみにプラ
ズマが集中する性質があるため、ウェハー面内のエツチ
ング速度分布の均一性が悪い。このため、特開昭58−
53832号公報に開示されている如く、マグネットを
駆動してこれを頻繁に移動させることによって、磁界を
変化させて、ウェハー内のエツチング(5) 速度分布の均一化を計る必要があシ、マグネットの駆動
機構に多大な費用を要するばかりか、エツチングを高速
に行えないという欠点がある。
実現する装置として、最近、磁場を用いて前記方式より
も1〜2桁圧力の低い領域で高速エツチングする高速マ
グネトロンエツチング方式が提案された(例えば特開昭
57−98678号公報参照)。しかし、この方式の装
置では、電場と磁場が丁度直交している部分のみにプラ
ズマが集中する性質があるため、ウェハー面内のエツチ
ング速度分布の均一性が悪い。このため、特開昭58−
53832号公報に開示されている如く、マグネットを
駆動してこれを頻繁に移動させることによって、磁界を
変化させて、ウェハー内のエツチング(5) 速度分布の均一化を計る必要があシ、マグネットの駆動
機構に多大な費用を要するばかりか、エツチングを高速
に行えないという欠点がある。
本発明の目的は、上述した従来の高速マグネトロンエツ
チング装置の欠点を除去し、試料面内のエツチング速度
の均一性の悪さを簡単に改善することかで゛き、かつ、
高速に試料をエツチングすることができるドライエツチ
ング装置を提供することにある。
チング装置の欠点を除去し、試料面内のエツチング速度
の均一性の悪さを簡単に改善することかで゛き、かつ、
高速に試料をエツチングすることができるドライエツチ
ング装置を提供することにある。
本発明によれば9反応容器内に設けられ、柱状部とその
両端のフランジ部とを含む第1の電極と。
両端のフランジ部とを含む第1の電極と。
該第1の電極の少なくとも前記柱状部の周囲を間隔を置
いて、囲む第2の電極と、前記第1の電極の前記柱状部
お軸に平行な磁界を前記第1及び第2の電極間の空間に
発生する磁界発生手段とを備え、前記第1の電極に前記
第2の電極に対する負電圧を連続的又は間欠的に印加し
て、前記第1の電極の前記柱状部表面上の試料を前記反
応容器中(6) に導入した活性ガスのプラズマによりエツチングするこ
とを特徴とするドライエツチング装置が得られる。
いて、囲む第2の電極と、前記第1の電極の前記柱状部
お軸に平行な磁界を前記第1及び第2の電極間の空間に
発生する磁界発生手段とを備え、前記第1の電極に前記
第2の電極に対する負電圧を連続的又は間欠的に印加し
て、前記第1の電極の前記柱状部表面上の試料を前記反
応容器中(6) に導入した活性ガスのプラズマによりエツチングするこ
とを特徴とするドライエツチング装置が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例によるドライエツチング装置
である。第1図において、101は角柱状電極である。
である。第1図において、101は角柱状電極である。
この角柱状電極101の各柱面に試料102が支持され
ている。103及び104は角柱状電極101と同電位
に保たれるように角柱状電極101に接続される金属製
端板である。
ている。103及び104は角柱状電極101と同電位
に保たれるように角柱状電極101に接続される金属製
端板である。
角柱状電極101と、その両端のフランジ部となる端板
103及び104とが、陰極を構成している。両端板1
03,104はそれぞれ、絶縁体105及び106を介
して、シールド107及び108で被われており、不要
の放電が端板103及び104の裏面等で生じないよう
にしている。
103及び104とが、陰極を構成している。両端板1
03,104はそれぞれ、絶縁体105及び106を介
して、シールド107及び108で被われており、不要
の放電が端板103及び104の裏面等で生じないよう
にしている。
柱状電極101と両端板103及び104で構成された
陰極は、高周波電源109に接続されている。また、陽
極を構成する導電性の反応容器110はアースされる。
陰極は、高周波電源109に接続されている。また、陽
極を構成する導電性の反応容器110はアースされる。
反応容器110は、排気導管111と排気バルブ112
を介し、真空ポンプ(図示せず)に接続されている。反
応性ガスはガスコントローラ113を通し1反応容器1
10中に導入される。114及び115は、柱状電極1
01と、該柱状電極101に対向する真空容器110の
側板との間の空間に、柱状電極101の軸にほぼ平行な
磁界Bを発生させるための電磁コイルである。
を介し、真空ポンプ(図示せず)に接続されている。反
応性ガスはガスコントローラ113を通し1反応容器1
10中に導入される。114及び115は、柱状電極1
01と、該柱状電極101に対向する真空容器110の
側板との間の空間に、柱状電極101の軸にほぼ平行な
磁界Bを発生させるための電磁コイルである。
さて、上記のような本実施例の装置を動作させるには、
まず1反応容器i、 10を排気導管111を通して、
I O−3〜10−” Torr程度の真空に排気した
後、がスコントローラ113を通し、 CF4やBCC
50のハロゲン化活性ガスを導入し、真空度を10〜1
0−3Torrに保つ。この状態でRF電源109によ
り、高周波電力を、柱状電極101と端板103及び1
04とで構成される陰極と9反応容器(即ち陽極)11
0との間に印加すると、柱状電極101の周辺にはプラ
ズマが発生する。柱状電極101とプラズマの間に生じ
るイオンシース中に生じる電位勾配即ち電気力線は、コ
イル114と115により発生される矢印Bによって示
される磁界と直交するために、電子はサイクロイドやト
ロコイド状のらせん運動をしながら柱状電極101の周
辺を回転する。この際、電°子が117及び118に示
すように、柱状電極101の端方向へ拡散していくと、
柱状電極101の両端には。
まず1反応容器i、 10を排気導管111を通して、
I O−3〜10−” Torr程度の真空に排気した
後、がスコントローラ113を通し、 CF4やBCC
50のハロゲン化活性ガスを導入し、真空度を10〜1
0−3Torrに保つ。この状態でRF電源109によ
り、高周波電力を、柱状電極101と端板103及び1
04とで構成される陰極と9反応容器(即ち陽極)11
0との間に印加すると、柱状電極101の周辺にはプラ
ズマが発生する。柱状電極101とプラズマの間に生じ
るイオンシース中に生じる電位勾配即ち電気力線は、コ
イル114と115により発生される矢印Bによって示
される磁界と直交するために、電子はサイクロイドやト
ロコイド状のらせん運動をしながら柱状電極101の周
辺を回転する。この際、電°子が117及び118に示
すように、柱状電極101の端方向へ拡散していくと、
柱状電極101の両端には。
柱状電極10’lと同様に負にバイアスされるフランジ
部即ち端板103及び104があるため、電子は図示の
如く、端板103及び104によりはね返され、再び柱
状電極101の中央方向に戻される。この状態が繰り返
されるため、柱状電極101の近傍には非常にプラズマ
密度の高い領域が生じる。このような高い密度のプラズ
マが生じると、プラズマのインピーダンスが低下するた
め。
部即ち端板103及び104があるため、電子は図示の
如く、端板103及び104によりはね返され、再び柱
状電極101の中央方向に戻される。この状態が繰り返
されるため、柱状電極101の近傍には非常にプラズマ
密度の高い領域が生じる。このような高い密度のプラズ
マが生じると、プラズマのインピーダンスが低下するた
め。
低電圧で多大彦イオン電流を陰極に流すことが出来る。
このため、柱状電極101の柱面に支持された試料10
2のエツチング速度は従来のエツチング方式に比べて飛
躍的に改善出来る。そればか(9) りでなく、試料102に入射するイオンの入射エネルギ
ーを従来の反応性イオンエツチング装置等に比較してと
ることができる。しかも、フランジ部即ち端板103及
び104によってプラズマを柱状電極101の周辺に集
中させることができるため、試料102面内のエツチン
グ速度の均一性を良好にすることができ、しかもイオン
入射や不純物汚染による損傷の少ないエツチングを行う
ことが出来る。
2のエツチング速度は従来のエツチング方式に比べて飛
躍的に改善出来る。そればか(9) りでなく、試料102に入射するイオンの入射エネルギ
ーを従来の反応性イオンエツチング装置等に比較してと
ることができる。しかも、フランジ部即ち端板103及
び104によってプラズマを柱状電極101の周辺に集
中させることができるため、試料102面内のエツチン
グ速度の均一性を良好にすることができ、しかもイオン
入射や不純物汚染による損傷の少ないエツチングを行う
ことが出来る。
第2図は第1図のA−A’断面図である。図で、柱状電
極101は四角柱であり、端板103は四角形である。
極101は四角柱であり、端板103は四角形である。
もう一つの端板104も同様に四角形である。試料10
2は、柱状電極101の4つの柱面にそれぞれ支持され
ている。又、柱状電極101の試料102以外の部分は
9石英、テフロン等で作られたカバープレート201に
よって被われている。壕だ、端板103及び104の互
いの対向面も同様のカバープレートで被われている。
2は、柱状電極101の4つの柱面にそれぞれ支持され
ている。又、柱状電極101の試料102以外の部分は
9石英、テフロン等で作られたカバープレート201に
よって被われている。壕だ、端板103及び104の互
いの対向面も同様のカバープレートで被われている。
柱状電極101の内部は水冷・母イゾ202に水を流す
ことによって水冷されている。
ことによって水冷されている。
(10)
第2図では試料102を同時に4枚エツチング出来る構
成になっているが、柱状電極101の形状を、平板状の
角柱とすれば、同時に2枚の試料102のエツチングが
可能である。また、柱状電極101を、三角柱、六角柱
、八角柱等の多角柱とすれば、同時に他数枚のエツチン
グが可能である。即ち、柱状電極101はN角柱(ただ
し、Nは3以上の整数)であればよい。さらに、柱状電
極101の一つの柱面に多数の試料を支持させるように
すれば、より多数の枚数のエツチングが同時に可能であ
る。また、端板103及び104の形状は、柱状電極1
01の断面の外形と相似形のものであるか、又は円形あ
るいは楕円形のものであってもよい。
成になっているが、柱状電極101の形状を、平板状の
角柱とすれば、同時に2枚の試料102のエツチングが
可能である。また、柱状電極101を、三角柱、六角柱
、八角柱等の多角柱とすれば、同時に他数枚のエツチン
グが可能である。即ち、柱状電極101はN角柱(ただ
し、Nは3以上の整数)であればよい。さらに、柱状電
極101の一つの柱面に多数の試料を支持させるように
すれば、より多数の枚数のエツチングが同時に可能であ
る。また、端板103及び104の形状は、柱状電極1
01の断面の外形と相似形のものであるか、又は円形あ
るいは楕円形のものであってもよい。
第3図は本発明を一枚処理のエツチング装置に適用した
実施例における陰極の構造を示す図である。本実施例で
は柱状電極101は内部が水冷出来る構造の扁平な角柱
であり、試料102はこの柱状電極101の一往面に保
持されている。また本例では端板103及び104は長
方形の形状をとっている。柱状電極101は水冷・ぐイ
ゾ203及び204に水を流すことによって、水冷され
ている。電磁コイル114及び115(第1図参照)に
よって矢印Bに示す方向に磁界を印加し、柱状電極1.
O]にRF電圧を印加すると、柱状電極101は負に
バイアスされ、電子は柱状電極101の周囲を回転する
。この際、端板103及び104が柱状電極10】の近
傍から、電子が飛散するのを防ぐため、高密度フ0ラズ
マが均一に柱状電極1010周辺に生じ高速エツチング
がエツチング速度の不均一性を伴わずに実現可能である
。本方式では、試料102の自動装置による反応容器に
対する出入れが容易であるため、試料の搬送が自動化さ
れた自動装置h′に適用することが可能である。
実施例における陰極の構造を示す図である。本実施例で
は柱状電極101は内部が水冷出来る構造の扁平な角柱
であり、試料102はこの柱状電極101の一往面に保
持されている。また本例では端板103及び104は長
方形の形状をとっている。柱状電極101は水冷・ぐイ
ゾ203及び204に水を流すことによって、水冷され
ている。電磁コイル114及び115(第1図参照)に
よって矢印Bに示す方向に磁界を印加し、柱状電極1.
O]にRF電圧を印加すると、柱状電極101は負に
バイアスされ、電子は柱状電極101の周囲を回転する
。この際、端板103及び104が柱状電極10】の近
傍から、電子が飛散するのを防ぐため、高密度フ0ラズ
マが均一に柱状電極1010周辺に生じ高速エツチング
がエツチング速度の不均一性を伴わずに実現可能である
。本方式では、試料102の自動装置による反応容器に
対する出入れが容易であるため、試料の搬送が自動化さ
れた自動装置h′に適用することが可能である。
もちろん、試料102の置かれていない柱状電極面や端
板103及び104の互いの対向面等は。
板103及び104の互いの対向面等は。
前述したカバープレートで被った方が不純物の汚染防止
や、エツチング速度の改善に効果がある。
や、エツチング速度の改善に効果がある。
尚、上述した本発明の実施例では、磁界発生手段として
電磁コイル114及び115を用いたが永久磁石を用い
ても良いことは言うまでもない。
電磁コイル114及び115を用いたが永久磁石を用い
ても良いことは言うまでもない。
また、電源109として、直流電源を用いてもよい。
また9反応容器101中に導入される活性ガスは、弗素
、塩素等のノ・ログン化物を含むガス、あるいは該ハロ
ゲン化物を含むガスに不活性ガス。
、塩素等のノ・ログン化物を含むガス、あるいは該ハロ
ゲン化物を含むガスに不活性ガス。
酸素、水素、窒素等の少なくとも一つを混合したガスで
あれば効果が著しい。
あれば効果が著しい。
また、カバープレート201の材料としては。
有機物ポリマー、弗素を含んだ有機物ポリマー。
石英、カーボン、シリコン等の物質のうち、適当な材料
を選択して使用する。
を選択して使用する。
以上説明したように1本発明のドライエツチング装置は
、7ランノ部等を設けることにより、簡単に高密度プラ
ズマを均一に試料面上に生じさせることができるため、
均一なエツチング速度での試料の高速エツチングを、試
料に大きい損傷を与えることなく、簡単に、実現するこ
とができる。
、7ランノ部等を設けることにより、簡単に高密度プラ
ズマを均一に試料面上に生じさせることができるため、
均一なエツチング速度での試料の高速エツチングを、試
料に大きい損傷を与えることなく、簡単に、実現するこ
とができる。
以下余白
(13)
第1図は本発明の一実施例の断面図である。第2図は第
1図のA−A’断面図である。第3図は本発明を枚葉処
理装置に適用した実施例における陰極の構造を示す図で
ある。 101・・・柱状電極、102・・・試料、 103,
104・・・端板(7ランノ部)、105,106・・
絶縁体。 107 、108・・・シールド、109・・・高周波
電源。 110・・・反応容器、111・・・排気導管、112
・・・排気バルブ、113・・ガスコン) o−7、]
、 14゜115・・・コイル、201・・・カバーフ
レート。 (14) 第1図 形2図 111
1図のA−A’断面図である。第3図は本発明を枚葉処
理装置に適用した実施例における陰極の構造を示す図で
ある。 101・・・柱状電極、102・・・試料、 103,
104・・・端板(7ランノ部)、105,106・・
絶縁体。 107 、108・・・シールド、109・・・高周波
電源。 110・・・反応容器、111・・・排気導管、112
・・・排気バルブ、113・・ガスコン) o−7、]
、 14゜115・・・コイル、201・・・カバーフ
レート。 (14) 第1図 形2図 111
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 反応容器内に設けられ、柱状部とその両端のフラン
ジ部とを含む第1の電極と、該第1の電極の少なくとも
前記柱状部の周囲を1間隔を置いて、囲む第2の電極と
、前記第1の電極の前記柱状部の軸に平行な磁界を前記
第1及び第2の電極間の空間に発生する磁界発生手段と
を備え、前記第1の電極に前記第2の電極に対する負電
圧を連続的又は間欠的に電源により印加して、前記第1
の電極の前記柱状部表面上の試料を前記反応容器中に導
入した活性ガスのプラズマによりエツチングすることを
特徴とするドライエツチング装置。 2 電源が高周波又は直流電圧を供給するものである特
許請求の範囲第1項記載のドライエツチング装置。 3 第1の電極の柱状部が、N角柱(ただし。 Nは3以上の整数)である特許請求の範囲第1項又は第
2項記載のドライエツチング装置。 4、磁界発生手段が反応容器外部に設けられた電磁コイ
ルである特許請求の範囲第1項又は第2項又は第3項記
載のドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20109683A JPS6094724A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20109683A JPS6094724A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6094724A true JPS6094724A (ja) | 1985-05-27 |
JPH0578171B2 JPH0578171B2 (ja) | 1993-10-28 |
Family
ID=16435325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20109683A Granted JPS6094724A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6094724A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62241335A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-10-22 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | マグネトロン増強型プラズマエツチング法 |
JPS63104332A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-05-09 | エム シー エヌ シー | プラズマ加工方法及び装置 |
EP0665575A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing systems |
CN107130214A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-05 | 成都西沃克真空科技有限公司 | 一种蒸发器用可旋转的水冷式电极装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58151028A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-09-08 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP20109683A patent/JPS6094724A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58151028A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-09-08 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62241335A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-10-22 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | マグネトロン増強型プラズマエツチング法 |
JPS63104332A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-05-09 | エム シー エヌ シー | プラズマ加工方法及び装置 |
EP0665575A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing systems |
US5573596A (en) * | 1994-01-28 | 1996-11-12 | Applied Materials, Inc. | Arc suppression in a plasma processing system |
CN107130214A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-05 | 成都西沃克真空科技有限公司 | 一种蒸发器用可旋转的水冷式电极装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0578171B2 (ja) | 1993-10-28 |
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