JPS6090845A - 光フアイバ−の製造方法 - Google Patents
光フアイバ−の製造方法Info
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- JPS6090845A JPS6090845A JP19741983A JP19741983A JPS6090845A JP S6090845 A JPS6090845 A JP S6090845A JP 19741983 A JP19741983 A JP 19741983A JP 19741983 A JP19741983 A JP 19741983A JP S6090845 A JPS6090845 A JP S6090845A
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- rays
- optical fiber
- sio2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
-
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/22—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with deuterium
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放射線を受けても伝送損失が増加することが
ない耐放射線特性を有する光ファイバーの製造方法に関
するものである。
ない耐放射線特性を有する光ファイバーの製造方法に関
するものである。
近年、原子力発電所内で原子炉の制御その他界種情報の
伝道に光フアイバーケーブルが導入することが検討され
実験されている。このように原子力発電所内で使用され
る光ファイバーは耐放射線特性を有することが要求され
ているのでその開発が行なわれている。一般に、光ファ
イバーの耐放射線特性を増大するためにはＯＨドープが
有効であることが知られているが、最近では０Ｄ（Ｄは
重水素）をドープした光ファイバーが更に有効であるこ
とが報告されている。この光ファイバーはＯＨをドープ
した光ファイバーに比べて吸収ピークが長波長側ヘシフ
トするため固有（初期）損失を小さくすることができる
。即ち、ＯＨをドープした光ファイバーでは吸収ピーク
が０．９５ｐｍであるの対しＯＤをドープした光ファイ
バーは吸収ピークが１．２８ｐｍとなり０．８５ｇｍで
の固有損失を小さくすることができる。光フアイバー中
に数百乃至数千ｐｐｍの多情のＯＨをドープすると、固
有損失が０．８５ｐｍで２ｄｂ／ｋｍから１０乃至２０
ｄｂ／ｋｍに増大するので好ましくない。一方、ＯＤを
ドープした光ファイバーは既にのべたように固有損失の
増大がイφかであるのでＯＤを数百乃至数千ｐｐｍと多
量にドープするのが好ましいが、従来技術ではこのＯＤ
を多量にドープすることができなかった。
伝道に光フアイバーケーブルが導入することが検討され
実験されている。このように原子力発電所内で使用され
る光ファイバーは耐放射線特性を有することが要求され
ているのでその開発が行なわれている。一般に、光ファ
イバーの耐放射線特性を増大するためにはＯＨドープが
有効であることが知られているが、最近では０Ｄ（Ｄは
重水素）をドープした光ファイバーが更に有効であるこ
とが報告されている。この光ファイバーはＯＨをドープ
した光ファイバーに比べて吸収ピークが長波長側ヘシフ
トするため固有（初期）損失を小さくすることができる
。即ち、ＯＨをドープした光ファイバーでは吸収ピーク
が０．９５ｐｍであるの対しＯＤをドープした光ファイ
バーは吸収ピークが１．２８ｐｍとなり０．８５ｇｍで
の固有損失を小さくすることができる。光フアイバー中
に数百乃至数千ｐｐｍの多情のＯＨをドープすると、固
有損失が０．８５ｐｍで２ｄｂ／ｋｍから１０乃至２０
ｄｂ／ｋｍに増大するので好ましくない。一方、ＯＤを
ドープした光ファイバーは既にのべたように固有損失の
増大がイφかであるのでＯＤを数百乃至数千ｐｐｍと多
量にドープするのが好ましいが、従来技術ではこのＯＤ
を多量にドープすることができなかった。
本発明の目的は光ファイバーの中に多量のＯＤをドープ
せしめて固有損失を小さくし且つ耐放射１！特性を有す
る光フ、アイバーを製造する方法を提供することにある
。
せしめて固有損失を小さくし且つ耐放射１！特性を有す
る光フ、アイバーを製造する方法を提供することにある
。
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると３図
面は本発明の方法を実施する装置の一例を示し１図示の
実施例では本発明の方法はＶＡＤ法によって得られた高
純度の５ｉ０２１成分系のスー）１０を透明ガラス化す
る炉１２内で実施するのを示す、尚、このスートはＳＳ
１０２Ｌ−Ｇｅ、の２成分系でもよい、ＶＡＤ法によっ
て高純度の５ｉ０２のスート１０を作ると、極めて良質
の合成石英ガラスが得られる。ここでいう「良質ｊとは
不純物濃度が非常に小さいこと及び構造欠陥数が小さい
ことを意味する。Ｄ（重水素）はＨの同位体であり、そ
の化学的性質はＨとほとんど同一とみなしてよい。Ｈ２
はガラス中に拡散して構造欠陥に捕らえられ５ｉ−ＯＨ
という構造となる。ＤもＨと同じ挙動を示し、５ｔ−Ｏ
Ｄとなる。従って、Ｄをガラス中に多量にドープするに
はガラス中の構造欠陥数１多くすればよいことが解る。
面は本発明の方法を実施する装置の一例を示し１図示の
実施例では本発明の方法はＶＡＤ法によって得られた高
純度の５ｉ０２１成分系のスー）１０を透明ガラス化す
る炉１２内で実施するのを示す、尚、このスートはＳＳ
１０２Ｌ−Ｇｅ、の２成分系でもよい、ＶＡＤ法によっ
て高純度の５ｉ０２のスート１０を作ると、極めて良質
の合成石英ガラスが得られる。ここでいう「良質ｊとは
不純物濃度が非常に小さいこと及び構造欠陥数が小さい
ことを意味する。Ｄ（重水素）はＨの同位体であり、そ
の化学的性質はＨとほとんど同一とみなしてよい。Ｈ２
はガラス中に拡散して構造欠陥に捕らえられ５ｉ−ＯＨ
という構造となる。ＤもＨと同じ挙動を示し、５ｔ−Ｏ
Ｄとなる。従って、Ｄをガラス中に多量にドープするに
はガラス中の構造欠陥数１多くすればよいことが解る。
尚、ＶＡＤ法によって得られたスートは小さいガラス微
粒子の集合体であり表面の活性が大きい。従って、Ｄの
スート中における拡散はこの段階が最も大きいと考えら
れる。
粒子の集合体であり表面の活性が大きい。従って、Ｄの
スート中における拡散はこの段階が最も大きいと考えら
れる。
本発明の方法はこれに鑑みてＶＡＤ法によって得られた
光ファイバーの原料である５ｉ０２のスー）１０に放射
線または紫外線を照射してスートのガラス微粒子中の構
造欠陥数を増大せしめ、この構造欠陥の中に多情のＯＤ
基を捕らえるようにしたものである。図−１では５ｉ０
２スートｌＯを透明ガラス化する炉１２内に鉛遮蔽管１
４によって遮蔽されたγ線￥Ａ１６を配置しこのγ線源
１６から放射されるγ線によって一−−−−スー）１０
のガラス微粒子中に多数の構造欠陥を牛ぜしめている。
光ファイバーの原料である５ｉ０２のスー）１０に放射
線または紫外線を照射してスートのガラス微粒子中の構
造欠陥数を増大せしめ、この構造欠陥の中に多情のＯＤ
基を捕らえるようにしたものである。図−１では５ｉ０
２スートｌＯを透明ガラス化する炉１２内に鉛遮蔽管１
４によって遮蔽されたγ線￥Ａ１６を配置しこのγ線源
１６から放射されるγ線によって一−−−−スー）１０
のガラス微粒子中に多数の構造欠陥を牛ぜしめている。
炉１２内の炉心管１２ａ内にはＤとＨｅとが導入されて
いるのでこの構造ケ′陥内にＤが捕らえられＳ ｉ −
ＯＤの反応が発生してＯＤ、１４がガラス中に導入され
る。
いるのでこの構造ケ′陥内にＤが捕らえられＳ ｉ −
ＯＤの反応が発生してＯＤ、１４がガラス中に導入され
る。
本発明の一実施例では、炉心管１２ａ中にＤユを２リッ
トル／分、Ｈｅを１５リットル／分の流速で導入し、Ｓ
ｉＯ：Ｌスートを１２０ｍｍ／時の速度で炉心管１２ａ
内に引き下げ、γ線の線絨は１０乃至１０ｒａｄ／時と
した。このようにしてスート１０内にＤを１１０００ｐ
ｐ以Ｌトープすることができた。γ線を照射しないで前
記と同様に行なったところＤのドープ量は１１００ｐｐ
以下であった。尚、このスートｌＯは炉１２内最高温度
領域（１５００℃）を通過することによって透明となる
が、透明化する際には炉心管１２ａ内へＨｅを導入する
のを止めＤ２のみを２リットル／分導入する。Ｈｅの導
入を止めるのはＨｅによって部分的に５ｊ−ＯＤのＤが
飛散するためである。尚、放射線の！ｌ１Ｉｓは多い稈
スートのガラス微粒子中に構造欠陥を発生させることが
できるが、線敬が多すぎると、安全上取扱が問題となる
のでこの而を考慮しなければならない、また、スート中
に発生した構造欠陥は砂分乃至数時間で消滅することが
知られているが１本実施例のように構造欠陥が発生して
いるとき既にガラス微粒子中にＤ２が充分に拡散してい
るので欠陥の消滅前にＳ＋−〇Ｄ反応が起る。
トル／分、Ｈｅを１５リットル／分の流速で導入し、Ｓ
ｉＯ：Ｌスートを１２０ｍｍ／時の速度で炉心管１２ａ
内に引き下げ、γ線の線絨は１０乃至１０ｒａｄ／時と
した。このようにしてスート１０内にＤを１１０００ｐ
ｐ以Ｌトープすることができた。γ線を照射しないで前
記と同様に行なったところＤのドープ量は１１００ｐｐ
以下であった。尚、このスートｌＯは炉１２内最高温度
領域（１５００℃）を通過することによって透明となる
が、透明化する際には炉心管１２ａ内へＨｅを導入する
のを止めＤ２のみを２リットル／分導入する。Ｈｅの導
入を止めるのはＨｅによって部分的に５ｊ−ＯＤのＤが
飛散するためである。尚、放射線の！ｌ１Ｉｓは多い稈
スートのガラス微粒子中に構造欠陥を発生させることが
できるが、線敬が多すぎると、安全上取扱が問題となる
のでこの而を考慮しなければならない、また、スート中
に発生した構造欠陥は砂分乃至数時間で消滅することが
知られているが１本実施例のように構造欠陥が発生して
いるとき既にガラス微粒子中にＤ２が充分に拡散してい
るので欠陥の消滅前にＳ＋−〇Ｄ反応が起る。
」二記実施例ではγ線を用いたが、γ線以外にｘｌや電
子線を用いることができる。また１図示の実施例では、
放射線照射後直ちにスートを透明化したが、スートに放
射線を照射し数時間経過したのちにＤを導入してもよい
。しかし。
子線を用いることができる。また１図示の実施例では、
放射線照射後直ちにスートを透明化したが、スートに放
射線を照射し数時間経過したのちにＤを導入してもよい
。しかし。
既にのべたように構造欠陥は時間と共に消滅するのでこ
の場合にはドープすることができる量は減少する。更に
、炉心管１２ａに導入するのはＤ以外にＤ２０であって
もよい。
の場合にはドープすることができる量は減少する。更に
、炉心管１２ａに導入するのはＤ以外にＤ２０であって
もよい。
本発明によれば、上記のように、光フアイバー中にＤま
たはＯｎを多−品にドープすることができるので固有損
失を小さくシ、シかも酎放射線特性を向上することがで
きる実益がある。
たはＯｎを多−品にドープすることができるので固有損
失を小さくシ、シかも酎放射線特性を向上することがで
きる実益がある。
図面は本発明の方法を実施する装置の一例を吊す縦断面
図である。 １ ０ − − Ｓ ｉ Ｏ２スート 、１２−−一−
−炉、 ｌ ６−−−−−放射線源。 ↑ ０２、Ｈａ
図である。 １ ０ − − Ｓ ｉ Ｏ２スート 、１２−−一−
−炉、 ｌ ６−−−−−放射線源。 ↑ ０２、Ｈａ
Claims (1)
- （１）ＶＡＤ法によって得られた光ファイバーの原料で
ある５ｉＯ２１成分系またはＳｉＯニーＧｅ０２２成分
系スートに放射線または紫外線を照射してガラス微粒子
中め欠陥数を増加しつつ多量のＯＤ基を前記スートに導
入して得られることを特徴とする光ファイバーの製造方
法（２）前記放射線の照射は前記スートを透明ガラス化
する炉内で行なうことを特徴とする光ファイバーの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19741983A JPH0678172B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 光フアイバ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19741983A JPH0678172B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 光フアイバ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090845A true JPS6090845A (ja) | 1985-05-22 |
| JPH0678172B2 JPH0678172B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16374200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19741983A Expired - Lifetime JPH0678172B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 光フアイバ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678172B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047829A1 (de) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Deutsche Telekom Ag | Glas mit künstlicher isotopenverteilung für lichtwellenleiter |
| EP0943936A2 (en) * | 1998-03-20 | 1999-09-22 | Polymicro Technologies, Inc. | Gamma radiation sterilized fiber optic UV delivery systems |
| JP2009514774A (ja) * | 2005-11-07 | 2009-04-09 | コーニング インコーポレイテッド | デューテロキシルドープ石英ガラス、このガラスを有する光学部材及びリソグラフィシステム並びにこのガラスの作成方法 |
| JP2013075827A (ja) * | 2005-11-07 | 2013-04-25 | Corning Inc | デューテロキシルドープ石英ガラス、このガラスを有する光学部材及びリソグラフィシステム並びにこのガラスの作成方法 |
| EP2798388A4 (en) * | 2011-12-30 | 2014-11-05 | James Dalton Bell | ISOTOPICALLY MODIFIED OPTICAL FIBER |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19741983A patent/JPH0678172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047829A1 (de) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Deutsche Telekom Ag | Glas mit künstlicher isotopenverteilung für lichtwellenleiter |
| EP0943936A2 (en) * | 1998-03-20 | 1999-09-22 | Polymicro Technologies, Inc. | Gamma radiation sterilized fiber optic UV delivery systems |
| EP0943936A3 (en) * | 1998-03-20 | 2004-09-29 | Polymicro Technologies, Inc. | Gamma radiation sterilized fiber optic UV delivery systems |
| JP2009514774A (ja) * | 2005-11-07 | 2009-04-09 | コーニング インコーポレイテッド | デューテロキシルドープ石英ガラス、このガラスを有する光学部材及びリソグラフィシステム並びにこのガラスの作成方法 |
| JP2013075827A (ja) * | 2005-11-07 | 2013-04-25 | Corning Inc | デューテロキシルドープ石英ガラス、このガラスを有する光学部材及びリソグラフィシステム並びにこのガラスの作成方法 |
| EP2798388A4 (en) * | 2011-12-30 | 2014-11-05 | James Dalton Bell | ISOTOPICALLY MODIFIED OPTICAL FIBER |
| EP2798388A1 (en) * | 2011-12-30 | 2014-11-05 | James Dalton Bell | Isotopically altered optical fiber |
| JP2015507598A (ja) * | 2011-12-30 | 2015-03-12 | ベル, ジェイムズ ダルトンBELL, James Dalton | 同位体改変光ファイバー |
| US9014524B2 (en) | 2011-12-30 | 2015-04-21 | James Dalton Bell | Isotopically altered optical fiber |
| US9459401B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-10-04 | James Dalton Bell | Isotopically altered optical fiber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0678172B2 (ja) | 1994-10-05 |
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