JPS608602B2 - 抵抗素子の製造方法 - Google Patents
抵抗素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS608602B2 JPS608602B2 JP54157126A JP15712679A JPS608602B2 JP S608602 B2 JPS608602 B2 JP S608602B2 JP 54157126 A JP54157126 A JP 54157126A JP 15712679 A JP15712679 A JP 15712679A JP S608602 B2 JPS608602 B2 JP S608602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- resistor
- ceramic substrate
- manufacturing
- glass frit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐熱性に優れた抵抗素子の製造方法を提供しよ
うとするものである。
うとするものである。
従来の抵抗体の一例を説明すると、セラミック基板上に
厚膜抵抗体、厚膜電極部を印刷し、これを焼成した後、
絶縁のために、上面に粉末樹脂を塗装暁付したりしてい
たが、耐熱性が不充分であり、不燃性の抵抗素子を得る
ことが困難であった。
厚膜抵抗体、厚膜電極部を印刷し、これを焼成した後、
絶縁のために、上面に粉末樹脂を塗装暁付したりしてい
たが、耐熱性が不充分であり、不燃性の抵抗素子を得る
ことが困難であった。
そこで本発明は耐熱性に優れた抵抗体素子の製造方法を
提供しようとするものであり、以下本発明一実施例につ
いて図面を参照して説明する。第1図a,b,c、第2
図に示すように、セラミック基板1の上に厚膜抵抗体2
a,2b,2cを印刷後約80000の温度で焼成する
。この抵抗体2a,2b,2cに電気的に接続された厚
膜電極部3a,3b,3c,3dをセラミック基板1上
に形成する。この電極部3a〜3dにはあらかじめ高融
点すなわち750qo程度で溶融するガラスフリットを
混入しておく。上記抵抗体2a〜2c、電極部3a〜3
dを覆うように別のセラミック基板4をセラミック基板
1の上に重ねる。次に750℃以上の焼成炉に通し、暁
絹に電極部3a〜3dを完成するとともにガラスフリッ
トを溶融してセラミック基板1とセラミック基板4とを
結合する。電極部はセラミック基板1の側面から裏面に
かけても形成されており、端子5a,5b,5cと半田
付けにより結合される。抵抗体は両セラミック基板1,
4で絶縁保護されており、約1ぴMQ以上の絶縁性のも
のが得られる。
提供しようとするものであり、以下本発明一実施例につ
いて図面を参照して説明する。第1図a,b,c、第2
図に示すように、セラミック基板1の上に厚膜抵抗体2
a,2b,2cを印刷後約80000の温度で焼成する
。この抵抗体2a,2b,2cに電気的に接続された厚
膜電極部3a,3b,3c,3dをセラミック基板1上
に形成する。この電極部3a〜3dにはあらかじめ高融
点すなわち750qo程度で溶融するガラスフリットを
混入しておく。上記抵抗体2a〜2c、電極部3a〜3
dを覆うように別のセラミック基板4をセラミック基板
1の上に重ねる。次に750℃以上の焼成炉に通し、暁
絹に電極部3a〜3dを完成するとともにガラスフリッ
トを溶融してセラミック基板1とセラミック基板4とを
結合する。電極部はセラミック基板1の側面から裏面に
かけても形成されており、端子5a,5b,5cと半田
付けにより結合される。抵抗体は両セラミック基板1,
4で絶縁保護されており、約1ぴMQ以上の絶縁性のも
のが得られる。
また、抵抗体は両セラミック基板で挟持されるため電力
負荷時の熱伝導が良く抵抗体の寿命特性は第3図に示す
ように良好である。第3図のAは従来の素子、Bは本発
明における素子の特性であり、30×20×0.815
上のセラミック基板上で250磯の抵抗体に2W印加し
、70こC雰囲気中でそれぞれ2の固測定して得たもの
である。
負荷時の熱伝導が良く抵抗体の寿命特性は第3図に示す
ように良好である。第3図のAは従来の素子、Bは本発
明における素子の特性であり、30×20×0.815
上のセラミック基板上で250磯の抵抗体に2W印加し
、70こC雰囲気中でそれぞれ2の固測定して得たもの
である。
また、両セラミック基板1,4を結合するためにガラス
フリットを用いているので、これも不燃性であり、全体
として不燃性の素子が得られる。以上のように本発明に
よれば耐熱性に優れた抵抗素子を製造することができる
ものである。
フリットを用いているので、これも不燃性であり、全体
として不燃性の素子が得られる。以上のように本発明に
よれば耐熱性に優れた抵抗素子を製造することができる
ものである。
第1図a,b,cは本発明の抵抗素子の製造方法で製造
した抵抗素子の斜視図、正面図および側面図、第2図は
同抵抗素子の分解斜視図、第3図は本発明説明のための
特性図である。 1,4・・・・・・セラミック基板、2a,2b,2c
・・…・厚膜抵抗体、3a,3b,3c,3d・・・・
・・厚膜電極部、5a,5b,5c・・・・・・端子。 繁1図繁2図 繁3図
した抵抗素子の斜視図、正面図および側面図、第2図は
同抵抗素子の分解斜視図、第3図は本発明説明のための
特性図である。 1,4・・・・・・セラミック基板、2a,2b,2c
・・…・厚膜抵抗体、3a,3b,3c,3d・・・・
・・厚膜電極部、5a,5b,5c・・・・・・端子。 繁1図繁2図 繁3図
Claims (1)
- 1 セラミツク基板上に厚膜抵抗体および厚膜電極部を
形成し、この厚膜電極材料中にあらかじめ高融点のガラ
スフリツトを混入しておき、上記厚膜抵抗体および厚膜
電極部の上を覆うように別のセラミツク基板を設け、熱
を加えて上記高融点ガラスフリツトを溶融して両セラミ
ツク基板を結合することを特徴とする抵抗素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54157126A JPS608602B2 (ja) | 1979-12-03 | 1979-12-03 | 抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54157126A JPS608602B2 (ja) | 1979-12-03 | 1979-12-03 | 抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5679404A JPS5679404A (en) | 1981-06-30 |
JPS608602B2 true JPS608602B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=15642772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54157126A Expired JPS608602B2 (ja) | 1979-12-03 | 1979-12-03 | 抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608602B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6248201U (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-25 |
-
1979
- 1979-12-03 JP JP54157126A patent/JPS608602B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6248201U (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-25 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5679404A (en) | 1981-06-30 |
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