JPS6083395A - 無電解メツキのために誘電体基板の表面を調整する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、導電性金属をその上に無電解メッキするた
めに誘電体基板の少なくとも１つの表面［従来技術］ 誘電体基板上に金属（銅）を無電解メッキする工程が例
えば米国特許第ＲＥ２８０４２号に記載されている。こ
の工程の一つとして基板上に金属を被着する前に基板表
面を触媒化又はシーディングする工程がある。この工程
は誘電体基板が不導体であるため必要である。

基板を触媒化するためにより広く用いられている工程の
中に１表面を塩化第一スズ敏感化溶液と塩化バラジウー
ム活性化剤で処理する工程がある。

例えば、誘電体基板を触媒化するための一つの方法が米
国特許第３０１１９２０号に示されている。

この方法は、初めコロイダル金属溶液による処理により
基板を敏感化し、敏感化された誘電体基板から保護コロ
イドを取り除くための選択的な溶剤によりその処理を促
進し、そして敏感化された基板上に金属１例えば銅を銅
塩と還元剤の溶液から無電解的に被着する工程を含む。

米国特許第４００８３４３号及び３５６２０３媒反応的
に活性化する方法が記載されている。

ある表面活性剤でもって基板を処理することの示唆が特
許文献中にある。特に、米国特許第４３０１１９０号に
は、非貴金属触媒の基板への付着を増強するために基板
を“吸着モデファイヤー″により前処理することが示唆
されている。ある表面活性剤、酸素水素化物ゾル及びあ
る錯化剤は″吸着モデファイヤー″として示唆されてい
る。

米国特許第３５６３７８４号には１表面をある単官能表
面活性剤で処理し、すすぎ、そして″２工程塩化第１ス
ズー塩化パラジウム処理又は／工程酸、スズ−パラジウ
ムヒドロシル処理″のいずれかで活性化する工程を含む
、メッキのために不導体を前処理する方法が示唆されて
いる。

米国特許第３６８４５７２号には、エツチング後に表面
の触媒化の前の不導体表面をある第４アミン単官能又は
単一荷電表面活性剤で処理する工程を含む、不導体をメ
□ツキする方法が記載されている。

米国特許第３５７５９５７号には、不導体基板にメッキ
する為の工程が記載されている。塩化第一スズで敏感化
し、塩化パラジウムで活性化する前にある洗剤で基板を
すすぐ工程が含まれている。

米国特許第３５１５６４９号、第３８７７９８１号及び
第３９３００７２号には触媒を被着する前に表面活性剤
を用いることが示されている。

米国特許第４００８３４’３号には、触媒的に準備され
た表面が、ｐＨ値が１．５以下の酸性水溶液でもってす
すがれるという無電解被着の工程が示されている。用い
られる酸は、塩酸、過塩素酸及び硝酸である。

米国特許第３４２１９２２号には、樹脂を形成する陽イ
オン・フィルム、特にメラニン−ホルムアルデヒド樹脂
、ポリアルキリン−アミン、アルキレーテッド−メチオ
ール−メラニン、トリアジン−ホルムアルデヒド及び尿
素ホルムアルデヒド樹脂を、ひき続いてメッキが行なわ
れる基板表面上に塗布することが記載されている。

本出願人の米国特許出願シリアルＮｏ、３９８１４０号
には、無電解メッキのために誘電体基板の表面を調整す
る方法が記載されている。ここでは、活性化の前の基板
表面に、塩酸などの希無機酸中ド溶解した複数電荷官能
性を持つテトラ−アルキル−アンモニウム化合物の短い
鎖が付着したポリアクリルアミドの不反応性中枢鎖の共
重合体を塗布、することが記載されている。

［発明が解決しようとする問題点コ 特に、最後に述べた方法を用いると、基板への優れた。

付着を持った非常に均質な金属化を得ることができる。

しかし、基板表面９近 イティカに回路配線が形成さオしる場合（即ち、メッキ
前の活性化された表面上にボトレジスト・マスクを彎成
することにより回路配線を形成する場合）４像工程後の
基板表面上の残留レジストの問題、（レジスト・ブリス
タリング）と、メッキされた回路配線が基板表面９近く
で広くなる傾向（ライン・ティリング）と力１ある。

レジスト・ブリスタリングは金属配線中の切断を生じ、
ライン・ティリングは近接した金属配線間の短絡を生ず
る。

この発明の目的は、無電解メッキのための基板表面を調
整する改良された方法を提供することである。

この発明の別の目的は、選択的に無電解メッキするため
に基板表面を調整する改良された方法を提供することで
ある。

この発明のさらＬｆ別の目的は、レジスト・ブリスタリ
ング及びライン・ティリングを防止するための効果的な
工程を提供することである。

［問題点を解決するための手段］ これらの目的は、必要な処理工程の数を増加させること
なく達成される。

これらの目的の達成は、基板の少くとも１つの表面を、
少くとも２つの有効なイオン部分を含む多官能陽イオン
共重合体と硫酸！１□ｓｏ４　とを有する組成物に接触
させ、そしてこの表面を塩化パラジウム及び塩化第１ス
ズを含む組成物と接触させて活性化させる工程を含む方
法で行なわれる。

米国特許出願シリアルＮα３９８１４０号中に用いられ
た塩化水車ＨｃＯｃａ齢＋４−Ｑｆ１．　＋、−−協す
ることが、この発明の方法によるレジスト・ブリスタリ
ング及びライン・ティリングの事実上の除去の原因であ
ると思われる。

この発明の方法は、好ましくはエポキシ・カードやボー
ドなどの一熱硬化性及び熱可塑性樹脂、及びガラスの基
板上に、金属回路を製造する工程に応用できる。この方
法はさらにすでに銅メッキを受けた後に欠陥があるため
にはねられた基板を修繕するのにも応用できる。

［実施例］ この発明は次の詳細な説明より明らかとなるであろう。

この発明の方法は、金属、例えば銅、の無電解メッキの
ために多くの種類の誘電体基板を調整するでに応用でき
る。ガラス及び熱可塑性又は熱硬化性樹脂を含む誘電体
基板は、この発明に従って処理することができる。

典型的な熱硬化性重合体材料は、エポキシ、フェノール
・ベース材料及びポリアミドを含む。誘電体材料は、グ
ラスが充填されたエポキシ又はフェノール・ベース材料
のように充填材及び／又は補強材を含んだ重合体をモー
ルドした部品であってよい。適当な熱可塑性重合体材料
の例としては、ポリプロピレン、ポリスルホン、ポリカ
ーボナート、二１〜リルゴム及びＡＢＳ重合体などのポ
リオレフィンを含む。

ここで用いられる″表面”という語は、基板の主表面と
同様に貫通孔の内側の表面をも指す。例えば、この発明
は、回路がはぎ落された銅の薄い層上にメンキされるこ
とにより付加的（アディティブ）に加えられるか又は減
算的（サブトラクティブ）に付は加えられる所にメッキ
された貫通孔にシーディングするのに有用である。この
発明はさらに、無電解直接結合（ＥＤＢ）工程中に於て
シーディングするのに有用である。この場合、回路が基
板表面上に選択的に塗布されたホトレジスト・マスクの
開口に露呈された表面の領域上および孔中の両方に、付
加的にメッキされる。

この発明の方法の開始の前に、もし必要ならば、回路の
異なるレベルを接続するバイアを受けるために使用され
る貫通孔が形成され、そして、貫通孔が形成された誘電
体は適当に洗浄され、前調整される。例えば、前調整は
サンド・ブリスティング及び／又はベーパ・ブリスタリ
ングの物理的手段及び／又は溶剤膨潤などの化学的方法
により活動的箇所（アクティブ・サイト）を形成するこ
とを含む。典型的な溶剤はＮ−メチル−１０リドンであ
る。基板はさらにスルホクロミック酸混合物で前処理す
ることもできる。

この発明の方法が基板表面上に銅などの金属を選□択的
に無電解メッキするのに応用される場合、次の工程が表
面を前調整するのに好ましく適用される。　１ 誘電体基板表面上に、粗な表面を有萱る金属シートが基
板表面に金属シートの□粗な表面をプレスする芝とによ
り積層される。金′處シードは約２５゜４μｍの厚さを
有する。その後で、金属シートは完全に食刻される。明
らかに、この処理工程に於て銅に対するアンカー・ポイ
ン′］・がメッキされるべき表面上に発達される。この
アンカー・ポイントは後の金属メッキを容易にし、その
表面への付着を改良する。

□もし、基板中に貫通接続が形成される場合（例えば、
もし平らな基板の両方の□面上の印刷回路を一統しなけ
ればならない場合）、好ましくはレーザ・ビーム又は機
械的切削によ□り基板を貫通して孔が切削される。その
後に孔がベーパ・□ブリスティング、又は溶剤膨潤など
の化学的方法により清浄にされる。銅シート□を除去す
る前にれを作ることも可能である。

次の工程は清浄工程□で、基板は好ましくはリジ酸ナト
リウム及びケイ酸ナトリウムを含みｐＨ値１′３を有す
る溶液から成るアルカリ洗剤でもって４５″Ｃ乃至６０
℃の間の温度で約５分間の間洗浄される。洗剤は４５℃
□乃至６０℃の間の□温度を有する脱イオン水です萱ぎ
落される。

この発明によれば、基板は多官能陽イオン共重合体と硫
酸Ｈ’、Ｓｏ４とを含む水溶液で処理される。

共１合体は、少くともｈつの層性な又は有効な陽イオン
官能部分を含む多讐能陽イオン物質である。

好ましいイオン部分は第４ホスホニウム及び第４アンモ
ニウム４基である。少くとも２つの陽イオン部分を含む
共重合体は商業的に入手可能であり、ここで詳細に述べ
る必要はない。商業的に入手可能な多官能溶イオン共重
合体の例として、ＨＥＲＣＵＬＥＳから入手可能なＲｏ
ｔｏｎ　２］０及びＲａｔｅｎ２２０がある。これらに
ついての発明が、”Ｗａｔｅｒ−３ｏｌｕｂｌｅ　Ｐｏ
ｌｙｍｅｒｓ”、　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ　ＶＣ−４８２Ａ
、　）ＩＩＥＲｃＵＬＥＳ　Ｉｎｃ、＋　Ｗｉｌｍｉｎ
ｇｔｏｎ、　Ｄｅｌａｗａｒｅ　１（１８９９に記載さ
れている。参考のためにここにその内容を記載する。

Ｒｅｔｅｎ　２１０は、粉末形状で、アクリルアミドと
ベータメタアクリルオキシエチル１−リメチルアンモニ
ウム　メチル　硫酸塩との共重合体で、１％溶液中のブ
ルックフィールド粘性が６００−１０００ｃｐｓを有す
る。

Ｒｅｔｅｎ　２２０は、粉末形状で、アクリルアミドと
ベータメタアクリルオキシエチルトリメチルアンモニウ
ム　メチル　硫酸塩との共重合体で、１％溶液中のブル
ックフィールド粘性が８００−１２００ｃｐｓを有する
。

Ｒｅｔｓｎポリマーの分子量は、普通比較的高く、約５
００００乃至約１００００００又はそれ以上の間を変化
する。これら高い分子量の重合体は固体製品であって、
それらの主な化学的中枢構造はポリアクリルアミドであ
る。ポリアクリルアミドに種々のテトラ・アルキル・ア
ンモニウム化合物が付着することができる。これら第４
アンモニウム基は多くの重合体の正電荷を与える。

陽イオン共重合体は、共重合体の重量が約０゜０１％乃
至約１％好ましくは約０．０５％乃至０５％の薄い水溶
液として使用される。水層液はさらに硫酸を含み、ｐＨ
値を約Ｏ乃至約３、好ましくは約１にしている。低いＰ
Ｈ値は、重合体の塗布を容易にするために重合体溶液の
粘性を比較的低くするのに好まれる。酸は普通、重量で
約２％乃至約４％、好ましくは重量で約２％、の量存在
する。

陽イオン共重合体での処理は一般に、約１分間乃至約１
０分間、好ましくは約１分間乃至２分間を必要とする。

多官能陽イオン共重合体は正の極性を表面に与える。一
方、後に表面に塗布される触媒粒子は負の讐性を有して
いる。この極性の差ｔ２、触媒粒子へ静電、的引力を与
える。

基板が陽イオン共重合体組成物に接触された後、基板は
基板表面に嗜収されな力、ワた添加の共重合体を除去す
るために、すすがれる。

次に、基板表面及び／又は貫通孔表面は、塩化パラジウ
ム、塩化第１スズ及び基準を含むコロイダル溶液によっ
て活性化される。活性化は、無電解メッキ工程を開１始
するための役瞥、果す。表面はコロイダル溶液と好まし
くは５分面、の間接触される。しかし、接触、時間は１
分、間から１０分間の間を変化することがで、きる。シ
ード槽を作るために４２つの溶液（Ａ及シＢ）が準備さ
れ、る。約６０ｋｇの５ｎＣＱ２・２Ｈ２，Ｏが２０１
リツタ、の濃い（３７％）塩酸中にかきまわしながら溶
解される。濃塩酸中にＳ　、ｎ　ＣＱ、、・２Ｈ２０を
溶解することが大変重、要である。この条、、件下では
、Ｓｎ塩の加水分解は生じない。塩が全て溶解した時、
さらに３７％塩酸が５０リツタの体積に達するまで加え
られる（溶液Ａ）、約１ｋｇ＋７）Ｐｄ（１１，が１５
リツタの３７％塩酸中に溶解さ九る。この溶液は５ｏリ
ツタの体積に達するまで脱イオン水で薄められる、（溶
液Ｂ）・溶ｆｉＢは溶液Ａへゆっくりとかくはんされな
がら加えられる。混合物は２時間の間、沸騰される。冷
却後に、約７０グラムのフルオロカーボン表面活性剤、
例えばＦＣ−９５という商品名でミネソタ・マイニング
・アンド・マニュファクチュアリングＣＯ０から売られ
ていてベルフルオルアルキルスルホン酸塩がら成るもの
を、加える。この溶液は、数カ月間貯えることができる
。

実際のシード槽を準備するために、約１３０ｍ１２のこ
の溶液と約１７５グラムの塩化ナトリ、ウムを取り出し
て、脱イオン水を加えることにより１リツタの体積にさ
れる。このシード槽は、溶液１リッタ当り、約８０グ、
ラムのＳｎ、ｃＡ２・２Ｈ２０と約１．２グラムのＰｄ
ＣＱｚと約８５ｍＡの３７％塩酸と、約０，０９グラム
のＦＣ−９５と塩化ナトリウムを含む。しばらく使用し
た後、シード槽を再び満すために、新鮮な溶液を加える
ことができる。もし、溶液１リッタ当り５ｎＣＩｌｌ、
・２Ｈ２０の量が８０グラム乃至１５０グラムの間を変
化し、ＰｄＣＱ２の量が１．２グラム乃至２゜６グラム
の間を変化し、３７％塩酸が８５　ｒｎ　Ｑ乃至３００
ｍｆｉの間を変化し、表面活性剤が０．０９乃至０．１
６グラムの間を変化する場合、シード槽は満足に働くこ
とがわかった。

これは、重量比が１＝３のパラジウム及びスズの核と塩
化物イオンの殻とを有するコロイダル粒子を含む。

表面は、室温で５分間コロイダル溶液と接触させられる
。しかし、接触時間は１分間乃至１０分間の量変化する
ことができる。

負の塩化物イオンの殻を有するコロイダル粒子は、Ｒｅ
ｔｅｎの処理により正の電荷を有する誘電体表面へ静電
引力により付着する。

調整された表面上に、金属１例えば銅又はニッケルが、
空気乾燥以外にメツキエ糊の前にこれ以上の処理をする
ことなくメッキされる。調整された表面は、メッキ前に
脱イオンで洗浄し、希塩酸で処理し、そして加熱して乾
燥してもよい。これらの工程に加えて、メッキ前の活性
化された表面上に所望の金属パターンのネガに相当する
ホトレジスト・マスクを形成してもよい。もし、メッキ
前にホトレジスト・マスクが付着される場合は、水洗、
塩酸処理及び乾燥工程の一連が特に重要である。

これ以上の前処理をすることなくメッキを行うことは、
調整された表面が貫通孔に限定される場合、特に適用で
きる。ニッケル又は銅などの金属は、所望の厚さに到達
するまで、処理された表面上に無電解メッキによりメッ
キされる。使用されるの呻好ましい金属は銅である。好
ましい銅無電解メッキ槽及びその応用の方法が、米国特
許第３８４４７９９号及び第４１５２４６７号に開示さ
れている。

銅無電解メッキ槽は一般に、第２銅イオン源、還元剤、
第２銅イオンのための錯化剤及びｐｉ（調整剤を含んだ
水性の組成物である。メッキ槽は好ましくはさらにシア
ンイオン源及び表面活性剤を含む。

一般に用いられる第２銅イオン源は、硫酸第２銅である
。１０グラム／リツタとして用いるのが好まれるが、８
グラム／リツタ乃至１２グラム／リツタの間が最も好ま
しい。最も普通に用いられる還元剤はホルムアルデヒド
であって約０．７グラム／リシタ乃至約７グラム／リツ
タの量で用いられる。最も好ましいのは、約０．７グラ
ム／リツタから約２．２グラム／リツタである。最も普
通の錯化剤は、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）で
ある、錯化剤の量は溶液中に存在する第２銅イオンの量
に依存し七いて、一般に約２０グラム／リツタ乃至約５
０グラム／リツタ、又は３−４倍モルだけ多い、メッキ
槽はさらにメッキされるべき表面をぬらすのを助ける表
面活性剤を含むことができる。満足な表面活性剤は、＠
えば商品名Ｇａｆａｃ’ＲＥ　−６１０で入手可能な有
機リン酸エステルである。一般に、表面活性剤は約０．
０２／／ラム／１１ツタ７ＩＪ至釣０−３グラム／リツ
タの量存□在する。

これに加えて、槽のｐＨは一般に水酸化ナトリウム又は
水酸化カリウムなどの塩基化合物を所望の量だけ加えて
所望のｐＨに到達させることにより、調節される。無電
解メッキ槽の好ましいｐＨは１１．６と１１．８の間で
ある。また、好ましくは、メッキ槽はシアン化ナトリウ
ム又はシアン化アンモニウムの形でシアン・イオンを含
む。その量は、槽内に０．０００２モルカ至ｏ、ｏｏ。

４モルの範囲内のシアン濃度を与えるために好ましくは
約ＩＣ）ｍｇ／リッタ乃至約２５ｍｇ／リッタめ間であ
る。槽の温度は好ましくは７０℃乃至８０℃の間に維持
される。門も好ましいのは、７０℃乃至７５℃の間であ
る。槽中の０□含有量は好ましくは約２ｐｐｍ乃至約４
ｐｐｍの間、最も好ましくは約２．５ｐｐｍ乃至約３’
、５ｐｐｍの間に□維持される。０□含有量は槽中１こ
不活性ガスと酸素を注入することにより調節できる。

上で列挙されたメッキ前の処理は、金属を基板の主表面
上に選択的又は連続的にメッキする場合に有用である。

列挙された処理工程は、以下により詳細に説明される。

基板は、脱イオン水ですすがれる。突然のｐ、　Ｈ値の
変化に起因して、塩素イオンの大部分は０「イオンに置
き換る。その後、基板は８％塩酸で処理され、ここでス
ズが基板表面から選択的に除去される。こ九は、メッキ
工程中に増強された触媒効果を持つＰｄに富んだ領域を
残す。Ｉ−Ｉ　ＣＵの処理によりＳｎの量は１μｇｒ／
ｃｎ？以下となり、一方Ｐｄの量は３−４μｇｒ／−の
程度である。

もう−変説イオン水ですすいだ後、基板は約６０℃乃至
約７０℃の間の温度で３０分間オーブン中で乾燥される
か、又は約１００℃の温度で真空オーブン中で乾燥され
る。乾燥工程中、全ての水は酸素の殻を不溶性の酸化ス
ズの形で残してコロイダル粒子から不可逆的に追い出さ
れる。

もし、基板表面上の全面に金属被膜を形成することが意
図される場合、次の工程は上述した無電解メッキである
。もし、金属が乾燥された基板表面上にアディティブ（
付加的）工程により付着される場合、ホトレジスト層が
基板表面上にスピン・コーティング、または好ましくは
ホトレジスト箔の基板表面上への積層のいずれかにより
付着される。

このような箔はネガティブ・ホトレジストであって、デ
ュポンによりタイプ表示Ｔ１６８で売られている。

基板に正確に整列された適当なマスクを通して露光し、
その後に現像することにより、所望の回路パターンのネ
ガがホトレジスト箔に作られる。

現像工程により、ホトレジストが除去された所望のパタ
ーンに対応する領域に於て、基板表面の触媒化された領
域が露呈される。ホトレジスト工程は１貫通孔中の表面
をも含む触媒化された表面上に有害な影響を与えない。

レジスト・ブリスタリングは所望のパターンに対応する
領域に存在しなしＸや 次に、金属が露呈さ九た表面領域上に無電解メッキによ
りメッキされる。メッキ工程が以下に金属として銅をも
ちいて記載されている。しかし、台の工程は他の金属に
も同様に適シロ可能である。

４ツキは、工程時間と用いられる槽の組成が異なる２つ
の工程により行なおれる。

両方の槽は、溶液上りツタ中に約８グラム１乃至１０グ
ラムの硫酸鋼、約３５グラム乃至約５５グラムのエチレ
ンジアミン四酢酸（、Ｅ　Ｄ　ＴＡ）　、、約２ｍ、Ｑ
乃至約３ｍｆｌのホルムアルデヒド及び０゜０２グラム
乃至約０．０３グラムの表面活性剤を含む。表面活性剤
はメッキされる。入き表面を、ぬらすのを助ける。満足
な表面活性剤は、例、えば商品名Ｇ、ａｆａｃ　ＲＥ−
６１０で売られている有機リン酸エステルである。無電
解メッキ槽の好ま叫いｐＨ値は２５℃の温度で１１．．
６乃至１１．８の間である。第１のメッキ工程に用いら
れる槽は、シアンを含まず、酸素のレベルを２　ｐ　ｐ
　ｍ以、下にしている。空気のようケ気体は、槽中をあ
わだたせられることがない。

ＣＮ−と０２はＰｄと画壇な錯ネオンを・浸酸、する。

０□含有量の下限は、槽中に酸素仁王活性ガスとを注入
することにより制御できる。メッキの第２工程中に用い
られる槽は、約１０ｐＰｍ乃至約２０ｐｐｍのシアン化
物を含む。そして、その酸素含有量は槽中に空気をあわ
立たせることにより達成される約３ｐｐｍである。基板
を第１槽から取出して第２槽へ入れる必要はない。第１
メッキ期間が終了した後、シアン化ナトリウムを加えそ
して槽中に空気をあわ立たせることにより第１槽を第２
槽に変えることも可能である。

メッキは７０℃乃゛至８０℃の間、好ましくは７０℃乃
至７５℃の間の温度で行なわれる。基板は第１工程で約
１５分乃至゛約２０時間メッキされ、第２メツキ工程で
約１０時間乃至約２０時間メッキされる。メッキされた
銅は、約３７．５乃至５０μｍの厚さである。

この発明によれば、貫通孔を含む基板表面の全ての露呈
された領域に均一な被膜が達成される。

メッキ後、ホトレジストが好ましくは塩化メチレン又は
類似の溶剤ではがされる。そして、銅でメッキされてい
ない領域中のＰｄは亜鉛素酸塩溶液での処理により除去
される。

この発明の方法は、ガラス及び熱可塑性樹脂及び熱硬化
性樹脂のような基板上に金属回路を形成するための工程
に特に応用できる。この発明の方法は、高品質の銅メッ
キされたエポキシ・ボード及びカードの製造に特に有用
である。

この発明の方法は、さらに、既に無電解メッキを受けさ
れらはハンダ付けまで受けた構造的には正常であるが、
欠陥、例えば開口、メッキ空隙、ハンダ欠陥及び回路上
の傷など、がある為にはねられた基板を修繕する為の工
程にも有利に応用できる。修繕されるべき基板は、選択
的に銅などの金属で覆われており、そして時にはまたホ
トレジスト及び／又はスズでも選択的に覆われている。

再処理の第１の工程において、ホトレジストが好ましく
は塩化メチレン又は類似の有機溶剤ではがされ、その後
で基板が乾燥される。そして、金属がメッキにより付着
される。スズがもしあれば、食刻により除去される。も
し金属が銅であるならば、好ましくはＣｎＣΩ、／ＨＣ
Ω溶液が用いられる。なぜならば、この薬品は銅及びス
ズも食刻するからである。この段階で基板表面は外観上
、銅シートの粗な表面をメッキされるべき基板表面に対
して積層しその後でその銅シートを食刻し去るという上
述の方法により形成された粗さを呈す。

この工程から、再処理は上述したのと同じように行なわ
れる（例えば、アルカリ溶液ですすぎ、Ｒｅｔｅｎ溶液
で表面を調整し、単一のシード工程に於てパラジウム／
スズ塩で表面をシーディングし、脱イオン水ですすぎ、
８％ＨＣＱ溶液で大部分のスズを除去することにより促
進し、所望の回路パターンのネガに対応するホトレジス
ト・マスクを形成し、そして最後に選択的に無電解メッ
キを行う。） 次の２つの例は、この発明の方法の好実施例を説明する
ためのものであり、この発明を制限することを意図する
ものではない。

（例１） 前もってアルコールで清浄にされたガラス基板が、１リ
ッタ当り０．０５グラムのＲｅｔｅｎ　２　ｌＯを含む
２％Ｈ２ＳＯ４水溶液の槽中に約３分間浸される。そし
て、基板が脱イオン水ですすがれ、空気乾燥される。次
に、被膜された基板が１リッタ当りＰｄＣＡ２を約１．
５グラム、Ｓ　ｎ　ＣＱ　２を約１００グラム、３７％
ＨＣＱを行１０６ミリリツトル及び表面活性剤を約０．
１グラムを含む槽中に約３分間程度室温で浸される。そ
して基板は空気乾燥される。基板はその上に目で見える
Ｐｄ触媒膜を有する。その後で、基板は脱イオン水です
すがれ、室温で十分間８％ＨＣＱで処理され、室温で３
分間脱イオン水ですすがれ、そして１００℃で３０分間
真空乾燥される。乾燥された基板上に、ホトレジストＴ
１６８の層が積層される。

マスクされた領域が所望の回路パターンのネガに対応す
る照射マスクが基板と整列さ才し、そしてマスクを通じ
て基板は照射される。トリクロルエタン型の現像剤で現
像され、所望のパターンに対応したメッキされるべき基
板のシーディングさ才Ｇた領域が露呈される。所望のパ
ターンに対応する領域においては、レジスタ・ブリスタ
ーリングは検出されない。

そして、基板は十分間、銅無電解アディティブ・メッキ
槽中に浸される。無電解メッキ槽は２０グラム／リツ、
夕のＣｕＳＯ４・５Ｈ２０，３５グラム／リツタのＥＤ
ＴＡデバイドライド、０．２５グラム／・リッタのＧａ
ｆａｃ　ＲＥ　−６１０，１４ミリグラム／リツタのシ
アン化ナトリウム、及び２ＩＩｌＱ／リツタのＨＣＨＯ
を含む。槽のＰＩ３値はＮａＯＨを加えることにより１
１．７である。槽の温度□は７３℃±５℃である。槽中
の酸素含有量は約２．５ｐｐｍ乃至３．５ｐｐｍに維持
される。

ガス流率は約１２５ＣＦＭである。これに加えて、メッ
キ・ラックはメッキ中常に揺動される。

メッキ後の基板は、連続した銅膜を基板上に有する。製
造された銅線はライン・ティリングを示さない。

（例２） エポキシ樹脂から成る基板上に、粗な表面を有する２５
．４μｍの厚さの銅がプレスにより積層される。食刻さ
れた基板内に、バイアを形成するだめの貫通孔がレーザ
により切削され、そしてベーパ・ブラスティングで清浄
にされる。基板はリン酸ナトリウム及びケイ酸ナトリウ
ムを含むＰＨ値値上１３水溶液で処理される。基板は２
分間約５０℃の温度で脱イオン水によりすすがれる。引
き続いて基板は、２分間ＰＨ値１を有し０．０５％のＲ
ｅｔｉｎ　２１０を有する２％１（２Ｓｏ４溶液中に浸
される。もう一度、温かい脱イオン水ですすいだ後、基
板は溶液１リッタ当り、約１．２グラムのＰｄＣｆ１．
、約８０グラムの５ｎＣＱ２・２Ｈ２０、約８５ｍｆｉ
の３７％ＨＣＱ、約０．１グラムの表面活性剤、及び１
７５グラムの塩化ナトリウムを含み残りは水であるシー
ド槽中に浸される。溶液は上述した様に準備される。

基板はシード槽に室温で３乃至５分間浸される。

その後、基板は脱イオン水ですすがれ、室温で十分間８
％ＨＣΩで処理され、室温で３分間脱イオン水ですすが
れ、そして３０分間１００℃の温度で真空乾燥される。

乾燥された基板上にホトレジストＴ−１６８の層が積層
される。所望の回路パターンのネガに対応する所がマス
クさ九た領域である照明マスクが基板に整列され、そし
てマスクを通じて基板が照射される。その後、トリクロ
ルエタン型現像液でもって現像が行なわれ、所望のパタ
ーンに対応したメッキされるべき基板のシーディングさ
れた領域が露呈される。所望のパターンに対応する領域
に於ては、レジスト・ブリスタリングは検出されない。

次に、基板の露呈された領域は無電解銅メッキされる。

ここで、基板は初めに約３０分間、温度７２±２℃を有
し溶液１リッタ当り８−１０グラムのＣｕ５Ｏ，，３５
−５５グラムのＥＤＴＡ、０．１グラムのＧａｆａｃ湿
潤剤、２−３ｍｆｆのホルムアルデヒド、及び２ｐｐｍ
以下の酸素を含み残りは水である槽中に浸される。槽は
２５℃に、於てりＨ値１１．７を有する。そして、基板
は第１槽と３ｐｐｍの酸素含有量と１１０−２０ｐｐの
シアン化物を含む以外は同じ組成を有する第２槽中に浸
される。この槽内に於て、温度はまた７２±２℃であり
、基板は１５時間浸される。メッキされた銅の厚さは約
５０．８μｍである。

最後に、ホトレジスト・マスクが塩化メチレンではがさ
れる。

メッキされた銅を目で見た印象は優れている。

貫通孔も含んだ基板の全ての露呈された領域は連続した
銅膜で覆われていて、その厚さは本質的に均質であり、
大変良い付着を有する。銅線はライン・テイリ、ングを
示さない。

［発明の効果］ この発明の方法によれば、レジスト・ブリスタリング（
現像工程後の基板表面上の残留レジストの問題）及びラ
イン・ティリング（メッキされた回路配線が基板表面の
近くで広くなる傾向）を防止することができ、従って、
レジスト・ブリスタリングによる金属配線中の切断を防
ぎ、ライン・ティリングによる近接した金属配線間の短
絡を防止することができる。

第１頁の続き ０発　明　者　ヴオヤ・マルコヴイツ チ ０発　明　者　カーロス・シュアン・ サムブセツテイ ０発　明　者　スチーブン・レオ・デ ィスゾール ０発　明　者　ドナ・ジーン・トレヴ イット アメリカ合衆国ニューヨーク州エンドウェル、ジョーエ
ル・ドラ４１３６１１番地 アメリカ合衆国ニューヨーク州クロトン・オン・ハドソ
ン、サツシ−４番地 アメリカ合衆国ニューヨーク州ベスタル、ゲーツ・ロー
ド４０幡地 アメリカ合衆国ニューヨーク州ベスタル、グリーンロー
ン・ロード２お番地

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 導電金属をその上に無電解メッキするために誘電体基板
   の少くとも１つの表面を調整する方法において、 前記表面を少くとも２つの有効な陽イオン部分を有する
   多官能陽イオン共重合体と１１□８０４とを含む組成物
   に接触させ、そして、前記表面を塩化パラジウム、塩化
   第１スズ及びＩＩＣＱを含むコロイダル溶液でもって処
   理することにより表面を活性化する工程を含む方法。