JPS6080361A - Image sensor - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To quicken remarkably a driving speed by connecting a photo diode array in a matrix and also providing a transfer capacitor array to an individual electrode. CONSTITUTION:Selection switch arrays SY1, SY2...SYp at the individual electrode of the matrix are switched to the signal output or ground, and the signal output is connected respectively with capacitors CS1, CS2...CSn for signal charge transfer. The signal charge transferred to the signal transfer capacitors CS1, CS2...CSp flows to a load resistor RL by closing sequentially signal output switch arrays S1, S2...Sp and a signal is extracted from a signal output terminal 1. Since the signal charge stored in the parallel capacitors C11, C12...Cmn of the photodiode is transferred to the transfer capacitor arrays CS1, CS2...CSp in the unit of blocks at the same time in this way, the high speed extraction of the signal voltage is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、例えばファクシミリ用送信原稿と同一サイ
ズに複数個の光電変換要素を配列し、原稿上の画情報を
読取ることのできる大形イメージセンサに関するもので
ある。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention provides a large-sized image sensor that can read image information on a document by arranging a plurality of photoelectric conversion elements in the same size as, for example, a facsimile transmission document. It is related to.

［従来技術］ 従来この種のものとして第１図に示す構成のものがあり
、複数個のフォトダイオード列をマトリクス接続して駆
動するようになっている。図において、ＢＤ　１１、＋
３１）１２・・・Ｂ　Ｄｍｎけブロッキング・ダイオー
ド列、ｐｌ）＋１、ｐｌ）　１２−ＰＤｍｎはフォトダ
イオード列、Ｃ１１，ＣＩ２−　Ｃｍｎはフォトダイオ
ードの並列容量、ＳＸＩ　、ＳＸ２・・・ＳＸｍはマト
リクスの共通電極側の選択スイッチ列、ＳＹＩ、８Ｙ２
・・・ＳＹｐはマトリクスの個別電極側の選択スイッチ
列、ＣＸＩ　、ＣＸ２・・ＣＸｍは共通電極の浮遊容量
列、ＣＹＩ　、　ＣＸ２・・ＣＹｐは個別電極の浮遊容
量列、ＲＬＩ′ｉ負荷抵抗、ＥｌおよびＥ２は直流電源
、（１）は信号出力端子である、選択スイッチ列８Ｘ１
　、　ＳＸ２・ＳＸｍはそれぞれ直流電源Ｅｌ又は接地
のいずれかに接続し、選択スイッチ列８Ｙｌ、　ＢＹ２
・・ＳＹｍはそれぞれ負荷抵抗ＲＬ又は直流電源Ｅ２の
いずｈ、かに接続するようになっており、これらの選択
スイッチ列を所定の方法で切り換えることにより、任意
のフォトダイオードの光電変換信号を検ｄできるように
なっている。例えばフォトダイオードｐＤｎを選択する
ときは、共通電極側については選択スイッチＳＸＩは直
流電源Ｅｌにそれ以外の選択スイッチＳＸ２、ＳＸ３・
ＳＸｍは接地側に接続し、個別電極側については選択ス
イッチＳＹ１は負荷抵抗ＲＬに、それ以外の選択スイッ
チＳＹ２．８Ｙ３・・ＳＹｐは直流電源Ｅ２に接続〒る
。このときフォトダイオードｐ］）　ｏの並列容量Ｃｎ
を充電する電流がブロッキングダイオード：３ｐ　１１
を通って負荷抵抗ＲＬＫ流れる。[Prior Art] Conventionally, there is a device of this kind having the configuration shown in FIG. 1, in which a plurality of photodiode arrays are connected in a matrix and driven. In the figure, BD 11,+
31) 12...B Dmn is blocking diode string, pl)+1, pl) 12-PDmn is photodiode string, C11, CI2-Cmn is parallel capacitance of photodiode, SXI, SX2...SXm is matrix Common electrode side selection switch row, SYI, 8Y2
...SYp is the selection switch column on the individual electrode side of the matrix, CXI, CX2...CXm is the stray capacitance column of the common electrode, CYI, CX2...CYp is the stray capacitance column of the individual electrode, RLI'i load resistance, El and E2 is a DC power supply, (1) is a signal output terminal, selection switch row 8X1
, SX2 and SXm are connected to either the DC power supply El or the ground, respectively, and the selection switch rows 8Yl, BY2
...SYm is connected to either the load resistor RL or the DC power supply E2, and by switching these selection switch rows in a predetermined manner, the photoelectric conversion signal of any photodiode can be changed. It is now possible to perform an inspection. For example, when selecting the photodiode pDn, the selection switch SXI on the common electrode side is connected to the DC power supply El, and the selection switches SX2, SX3,
SXm is connected to the ground side, the selection switch SY1 on the individual electrode side is connected to the load resistor RL, and the other selection switches SY2, 8Y3, . . . SYp are connected to the DC power source E2. At this time, the parallel capacitance Cn of the photodiode p]) o
The current charging the blocking diode: 3p 11
Flows through the load resistance RLK.

の この充電電流＝大きさけ、容量Ｃ１１が前回選択されて
充電された時点から今回選択されるまでの否選択期間に
フォトダイオードＰＤ　１１によって放電された放電量
に等しい。従ってこの充′屯電流が光電変換信号であり
、信号出力端子（１）から外部へ取り川される。このさ
き、ｐｐｌ＋以外の否選択フォトダイオ〜ドにＮ続接続
されたブロッキングダイオードはすべて逆バイアス状態
に維持されており、否選択フォトダイオードの並列容量
の信号電荷は、選択時まで保存されるようになっている
。This charging current is equal to the discharge amount discharged by the photodiode PD 11 during the non-selection period from the time when the capacitor C11 was selected and charged last time until it is selected this time. Therefore, this charging current is a photoelectric conversion signal and is taken out from the signal output terminal (1). At this point, all the blocking diodes connected in N series to the unselected photodiodes other than ppl+ are maintained in a reverse bias state, and the signal charge in the parallel capacitance of the unselected photodiode is conserved until selection. It has become.

ところで、大形イメージセンサにおいてはプロン式ング
ダイオード、フォトダイオードｕａ−８ｉ：Ｈに代表さ
れる薄膜半導体で形成されているため、その特性は単結
晶半導体と比較して悪く、特にブロッキングダイオード
の順方向抵抗が大きいために大形イメージセンサの駆動
速度を速くできないっ さらに詳細に説明すると任意のフォトダイオードを選択
したときに得られる光電変換出力信号の立上り時間は、
フォトダイオードの並列容量Ｃとブロッキングダイオー
ドの順方向抵抗Ｒ６による時定数Ｒ６ＸＣによって近似
できるが、一時にフォトダイオードの並列容量Ｃは２０
ｐＦ〜３０　ＰＦ’、ブロッキングダイオードの順方向
直流抵抗は電流値によ−）で変化し１００にΩ〜故ＭΩ
の値をとるため、上記時定数は数μ８以上になり、駆動
速度を速くできない原因となっている。また、第１図の
共通電極側の選択スイッチを薄膜トランジスタ（ＴＰＴ
）でフォトダイオードやブロッキングダイオードと一体
形成して小形、低価格化する試みがなされているが、薄
膜トランジスタのオン抵抗は通常数百にΩと犬きく、＃
！、Ｉｉ１ノも小さいため従来の大形イメージセッサの
構成では、時定５　Ｒｘ　Ｘ　Ｃｘが数十μ８以上にな
り、躯！ｌ１ＩＪ速度の点で実現が困難であった。By the way, large-sized image sensors are made of thin film semiconductors such as prong diodes and photodiodes UA-8I:H, so their characteristics are poor compared to single crystal semiconductors, especially in the order of blocking diodes. Due to the large directional resistance, it is not possible to increase the driving speed of a large image sensor.To explain in more detail, the rise time of the photoelectric conversion output signal obtained when any photodiode is selected is:
It can be approximated by the time constant R6XC due to the parallel capacitance C of the photodiode and the forward resistance R6 of the blocking diode, but at one time the parallel capacitance C of the photodiode is 20
pF~30 PF', the forward DC resistance of the blocking diode varies depending on the current value, and varies from 100Ω to MΩ.
Therefore, the above-mentioned time constant becomes several μ8 or more, which is the reason why the driving speed cannot be increased. In addition, the selection switch on the common electrode side in Fig. 1 is replaced with a thin film transistor (TPT).
), attempts have been made to make them smaller and cheaper by integrally forming them with photodiodes and blocking diodes, but the on-resistance of thin film transistors is usually in the hundreds of ohms.
! , Ii1 is also small, so in the configuration of a conventional large image sensor, the time constant 5 Rx This was difficult to realize due to the l1IJ speed.

［発明の概要」 この発明は−１−、記のような従来のものの欠点を除去
するためになされたもので、従来の犬ｊレイメージセン
サにくらべてｍ動速度を大幅に速くできる新規す大形イ
メージセンサを提供することを目的としている。[Summary of the Invention] This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional image sensor as described below. The purpose is to provide a large-sized image sensor.

［兄り」の実施例］ 第２凶はこの発明の一実施例を示す、マトリクスの＜’
ｊｌｊ　Ｕ　ｌＩ′ｉＩＩ図の従来醤と同じであるが、
個別電荷側の選択スイッチ列ＳＹＩ　、　ＳＹ２・・Ｓ
Ｙｐ　は信号出力ｔ＾桜地側に切り替わるようになって
おり、信号出力側にはそれぞれ信号電荷転送用の容量”
Ｓ’ｓＣ８２−ｃｓｐ　が接続されている。この信号転
送用容ＭＣ８Ｉ　、　Ｃ８２・ａｓｐに転送された信号
電荷は、信号出力スイッチ列８１，８２・・Ｓｐが順次
開閉されることにより、負荷抵抗ＲＬに流れ出し、イａ
づ°出力端子（１）から信号が取り出される。[Example of older brother] The second problem is <' of the matrix, which shows an example of this invention.
It is the same as the conventional sauce shown in Fig.
Individual charge side selection switch row SYI, SY2...S
Yp is designed to switch to the signal output t^Sakuraji side, and each signal output side has a capacitor for signal charge transfer.
S'sC82-csp is connected. The signal charges transferred to the signal transfer capacitors MC8I, C82.asp flow to the load resistor RL by sequentially opening and closing the signal output switch arrays 81, 82, . . .
A signal is taken out from the output terminal (1).

以下、第３図のタイミノグチヤードにより、動作の詳細
を説明する。第２図において、フォトダイオード列ＰＤ
　ＩＩ　、ＰＤ　１２−　ＰＤｍｎはｎ個ずつを１ブロ
ツクとし、ｍ個のブロックに分けられているが、伯りの
収り出しは、ｌブロック単位に行う。”まず、選択スイ
ッチＳＸＩに選絖されている第１ブロツクの信号を取り
出す場合を説明する。第１ブロツクを選択するには、選
択スイッチＳＸＩを直流電源側に、ＳＸ２、ＳＸ３・・
・ＳＸｍを接地側に接続する。選択スイッチ列ＳＹＩ　
、　ＳＹ２・・ＳＹｐは常に同時に切り替わるようにな
っており、選択スイッチＳＸＩを直流電源側に切り替え
るのと同期して、蓄積コンデンサＣ８１、Ｃ８Ｚ　Ｃｓ
ｐ側に切り替える。また信号スイッチ８１，８２・・・
Ｓｐは全て開いた状態にする。この状態を第３図の期間
ｔ１に示す。この期間ｔｌに、フォトダイオードの並列
容量Ｃｎ％Ｃ１２・・・Ｃ１ｎＶｃ蓄積された信号電荷
は転送容量Ｃ８Ｉ　、Ｃ８２・・Ｃ８ｍＫ伝送される。The details of the operation will be explained below with reference to the timing chart shown in FIG. In FIG. 2, the photodiode array PD
II, PD12-PDmn is divided into m blocks, with each n block being one block, but the calculation of the number is carried out in units of l blocks. ``First, we will explain the case of extracting the signal of the first block selected by the selection switch SXI. To select the first block, set the selection switch SXI to the DC power supply side, and turn the selection switch SX2, SX3, etc.
・Connect SXm to the ground side. Selection switch row SYI
, SY2...SYp are always switched at the same time, and in synchronization with switching the selection switch SXI to the DC power supply side, the storage capacitors C81, C8Z Cs
Switch to p side. In addition, signal switches 81, 82...
Leave all SP open. This state is shown in period t1 in FIG. During this period tl, the signal charges accumulated in the parallel capacitances Cn%C12...C1nVc of the photodiodes are transmitted through the transfer capacitors C8I, C82...C8mK.

転送が完了すると、選択スイッチＳＹ＋　５ＳＹ２・・
・ＳＹｐけ接地側に同時に切り替えられる。この状態を
期（川ｔ２に示す。この期間には、第１ブロツクのブロ
ッキングダイオードＢＤｌ１１ＢＤ１２・・・ＢＤｌｎ
　は順方向にバイアスされ、フォトダイオードの並列容
量Ｃａｌ、（１＋２０１　ｎは全て電源電圧Ｅｌにより
完全に充電される。充電が完了すると、選択スイッチＳ
ＸＩは接地側に切り替えられ、ブロッキングダイオード
ＥＤ　＋１、Ｂ１）＋２・・ＢＤｌｎは逆バイアス状態
になる。この逆バイアス状態は、駆動走査が一順して次
に再び第１ブロツクが選択されるまで続き、この間にフ
ォトダイオードＰＤＩＩ　１ＰＤ１２−　ＰＤｌｎに流
れる光電流に応じて、各容量ＣＩｌ、Ｃ１２・・・Ｃａ
ｎの電荷は放電する。この放電した電荷が（正確例は、
放電した電荷に比例して一義的に定まる電荷量が）、信
号検出時に１吠送谷Ｊｆ（Ｃ８１、Ｃ８２Ｃ８３に転送
されるのである。When the transfer is complete, select switch SY+ 5SY2...
- SYp can be switched to the ground side at the same time. This state is shown in the period (river t2). During this period, the blocking diodes BDl11BD12...BDln of the first block
is forward biased, and the parallel capacitance Cal, (1+201 n) of the photodiode is fully charged by the power supply voltage El. When charging is completed, the selection switch S
XI is switched to the ground side, and the blocking diodes ED+1, B1)+2...BDln are put into a reverse bias state. This reverse bias state continues until the first block is selected again after one drive scan, and during this period, each capacitor CIl, C12, . . . Ca
n charges are discharged. This discharged charge (exact example is
The amount of charge that is uniquely determined in proportion to the discharged charge) is transferred to one line Jf (C81, C82C83) when a signal is detected.

ところで、転送容量Ｃ８１１Ｃ８２・ａｓｐに転送され
た（、（号電荷は、転送完了後＠号出力スイッチｓ１、
Ｂ２・Ｓｐ　を順次閉じていくこ七により負荷抵抗ＲＬ
全全通て完全に放電する。このときの負荷抵抗ＲＬの尖
頭電圧を信号電圧として端子（１）から収り出すのであ
る。この期間を第３図の＋３に示す。また期間ｔはフォ
トダイオード１個当りの期間である。By the way, the charge transferred to the transfer capacitor C811C82・asp (, () is transferred to the output switch s1,
The load resistance RL is increased by sequentially closing B2・Sp.
Completely discharge all parts. The peak voltage of the load resistor RL at this time is output from the terminal (1) as a signal voltage. This period is shown at +3 in FIG. Further, the period t is a period for one photodiode.

以上の動作を第２ブロツク、第３ブロツクと順次行って
いくことにより、駆動走査を行うのである。Driving scanning is performed by sequentially performing the above operations in the second block and the third block.

以上の説明から明らかなように、１ブロックｎ個のフォ
トダイオードを駆動する期間はｔｌ＋ｔ３（＝ｔ＋＋ｎ
Ｘｔ）　、フォトダイオード１個当りでは慧十七で示す
ことができる。駆動速度を速くする場合、期間ｔ１、ｔ
をいずれも小さくする必要がある。As is clear from the above explanation, the period for driving n photodiodes in one block is tl+t3(=t++n
Xt), per photodiode can be expressed as Kei 17. When increasing the driving speed, periods t1, t
Both need to be made smaller.

期間ｔは、転送容量Ｃ８Ｉ、Ｃ８２・・Ｃ８ｐの容量ｃ
８と、信号出力スイッチ８１，８２・・・８ｐのオン抵
抗Ｒｓおよび負荷抵抗ＲＬから定まる時定数に依存する
が、容量Ｃ８は１００〜３００ＰＦ　（個別電極の浮遊
容量ＣＹＩ。The period t is the capacity c of the transfer capacity C8I, C82...C8p.
8, and the time constant determined from the on-resistance Rs and load resistance RL of the signal output switches 81, 82, .

ＣＹ２・・ｃｙｐ　と同程度の値）が適当であり１オン
抵抗Ｒ８は汎用のＩＣであるアナロ゛グスイッチを用い
れば５０〜３１ＪＯΩ、負荷抵抗ＲＬを数にΩ以下に選
択すると、時定数は数百ｎ８以下にできる。一方、期間
ｊｌは、従来例である第１図の場合さ同じく、ブロッキ
ング　ダイオードＢＤ　１１１ＢＤ　Ｉ２・・ＢＤｍｎ
の順方向抵抗とフォトダイオードの並列容ｔｃ１１．ｃ
１２・Ｃｍｎで定寸る時定数に近似でき、その値は数μ
８以上必要となる。しかしこの発明によるとフォトダイ
々しては通常１６．３２など大きな値を選ぶため、−の
値は数百ｎ８以下にできる。このように、フオが可能で
ある。CY2... cyp) is appropriate, and the 1-on resistance R8 is 50 to 31 JOΩ if a general-purpose IC analog switch is used.If the load resistance RL is selected to be less than Ω, the time constant is It can be reduced to less than 100n8. On the other hand, the period jl is the same as in the case of the conventional example shown in FIG.
The forward resistance of tc11. and the parallel capacitance of the photodiode tc11. c.
It can be approximated to the time constant determined by 12・Cmn, and its value is several μ.
8 or more is required. However, according to the present invention, since a large value such as 16.32 is normally selected for each photodie, the negative value can be reduced to several hundred n8 or less. In this way, Huo is possible.

また、この発り」によると選択スイッチＳＸＩ　、ＳＸ
２ＳＸｍおよびＳＹ　ｌ　、　ＳＹ　２　ＳＹｐを薄膜
トランジスタで構成し、信号出力スイッチ３＋　、　Ｂ
２・Ｓｐだけを半導体ＩＣで構成して、大形イメージセ
ンサを小形化、低価格化することも可能である。即ちこ
の場合薄膜トランジスタ化によりｔ】の値が数十μｓの
値になるが、ｎの値を３２．６４等と犬きく選ぶことに
よりフォトダイオード１個当りの駆動期間は２〜５μ・
］にでき、十分実用化できる値になる。Also, according to this origin, select switch SXI, SX
2SXm and SY l , SY 2 SYp are configured with thin film transistors, and signal output switches 3+ and B
It is also possible to reduce the size and cost of a large image sensor by configuring only 2.Sp with a semiconductor IC. That is, in this case, the value of t becomes several tens of microseconds due to thin film transistors, but by carefully selecting the value of n, such as 32.64, the drive period per photodiode can be reduced to 2 to 5 microseconds.
], which is a value that can be put into practical use.

第２１Ｘ１の実施例では、転送容量Ｃ８Ｉ％Ｃ８２・Ｃ
８ｐに転送さｔ′Ｌ／を信づ電荷を負荷抵抗ＲＬに流す
ことによる信号電圧を収り出しているが、第４図に示す
ようにリセットスイッチＳｒを備えた構成にし、画素信
号毎に転送容量の両端電圧を検出する期間と転送容量の
電荷をリセットスイッチＳｒを閉じて急速に放電さすＮ
１間を設ける方法であってもよい。In the 21st X1 embodiment, the transfer capacity C8I%C82・C
The signal voltage is collected by flowing the charge to the load resistor RL based on t'L/ transferred to 8p, but as shown in Fig. 4, the configuration is equipped with a reset switch Sr, and A period for detecting the voltage across the transfer capacitor and a period for rapidly discharging the charge of the transfer capacitor by closing the reset switch Sr.
A method of providing one interval may also be used.

この場合には、個別電極の選択スイッチｓｙ＋、５ｙ２
ＳＹｐけ接地側に接続する端子は無くてもよく、浮遊容
量ＣＹＩ％ＣＹ２・ＣＹｐの不要な電荷を放電さすＬい
う向等の機能をリセットスイッチＳｒで行うことができ
る。In this case, the individual electrode selection switches sy+, 5y2
There may be no terminal connected to the ground side of SYp, and the reset switch Sr can perform functions such as discharging unnecessary charges of the stray capacitance CYI%CY2·CYp.

寸た、第２図および第３図に示した例では、転送期間と
信号出力期間を別々に設けた例を示したが、個別電極側
のマトリクス接続を偶数ブロックと奇数ブロック、！：
全月々に行って２組に分け、各々の組毎に第４図に示す
転送および信号検出回路を設け、一方の転送期間を他方
の信号出力期間にあて、交互に信号出力を収り出すよう
にすれば、より高速駆動ができる。In addition, in the examples shown in FIGS. 2 and 3, the transfer period and the signal output period are provided separately, but the matrix connection on the individual electrode side is divided into even blocks, odd blocks, and so on! :
The test was carried out every month, divided into two groups, and each group was equipped with a transfer and signal detection circuit as shown in Figure 4, so that the transfer period of one was applied to the signal output period of the other, and the signal output was collected alternately. If you do this, you can drive at higher speeds.

さらに、第２図においてはフォトダイオードとブロッキ
ングダイオードを直列に接続したものを光電変換の単位
要素としたものを示したが、この部分は、第５図のよう
にフォトダイオードと容量を歯列に接続したものであっ
てもよい。この場合、フォトダイオードはブロッキング
ダイオードの機能を兼ねて動作し、直列容量は第２図の
フォトダイオードの並列容量ＣＩｌ、ＣＩ２・・・Ｃｍ
ｎと同等の機能を有する。Furthermore, although Fig. 2 shows a photodiode and a blocking diode connected in series as the unit element for photoelectric conversion, this part is a photodiode and a capacitor connected in series as shown in Fig. 5. It may be connected. In this case, the photodiode also functions as a blocking diode, and the series capacitance is the parallel capacitance CIl, CI2...Cm of the photodiode in Figure 2.
It has the same function as n.

［発明の効果］ 以上のようにこの発明によると、フォトダイオード列を
マトリクス構成に接続するとともに、個別゛市極側に転
送容量列Ｃ８Ｉ、Ｃ８２・・・ａｓｐを４値した構成に
し、信号の検出は、フォトダイオードの並列容：Ｍ：Ｃ
Ｉｌ、ＣＩ２・・・Ｃｍｎに蓄積された信号電荷をブロ
ック単位に同時に上記転送容量列Ｃ８Ｉ、Ｃ８２・・ａ
ｓｐ　Ｋ転送し、その後信号出力スイッチ３１．３２・
Ｓｐ　により高速に信号出力端子（１）から信号・電圧
として検出するようにしたので、従来のものに対して、
格段に高速駆動ができる効果がある。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the photodiode arrays are connected in a matrix configuration, and the transfer capacitor arrays C8I, C82, . Detection is done by parallel capacitance of photodiodes: M:C
The signal charges accumulated in Il, CI2...Cmn are transferred simultaneously in block units to the transfer capacitor columns C8I, C82...a.
sp K transfer, then signal output switch 31.32.
Since the signal/voltage is detected from the signal output terminal (1) at high speed by Sp, it is faster than the conventional one.
This has the effect of allowing much higher speed driving.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は従来の大形イメージセンサの構成ヲ示す図、第
２図はこの発明の一実施例による大形イメージセンサの
構成を示す図、第３図は第２図の実施例の動作を説明す
るだめのタイミングを示す図、第４図はこの発明の他の
実施例を説明するための構成図、第５図はこの発明の第
３の実施例を説明する図である。 図において、ＰＤＩＩ、ＰＤ］２・・・ＰＤｍｎはフォ
トダイオード、ＢＤＩ　Ｉ　ＳＢＤ＋　２　・−・ＢＤ
ｍｎはブロッキングダイオード、ＳＸｌ、　ＳＸ２・ｓ
Ｘｍは共通電極側選択スイッチ、８Ｙ＋　、　ＳＹ２−
ＢＹｐ　ｕ個別電極側選択スイッチ、Ｃ８＋、Ｃ８２・
・・Ｃ８ｐは転送容量である。 なお各図中において同一符号は同−又は相当部分を示す
。 代　理　人　大　岩　増　雄 ｃｏ’ｙ 第３図 第４−１４ 第５図 倖 丁、続　補　正　書（自発） ｆ、ｔＬｊ′山長官殿 １　、１ｃ　ｆ’ｌの表示　１冒（ｉｌ１７ｊ　５８−
１８８９９６号２　ブこ明の名称 イメージセンサ ：３　補正をする衷 東イ」との関係　＋１１・許出願人 ｆＬ　所　東京都千代田区丸の内二丁目２番；３号名　
称　（６０］）：、菱電機株式会拐代表者片山仁へ部 ４代理人 ６　補正のネｊ象 （１）　明細書をつぎのとおり訂正する。 ページ １FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a conventional large-sized image sensor, FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a large-sized image sensor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing the operation of the embodiment of FIG. 2. FIG. 4 is a block diagram for explaining another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram for explaining a third embodiment of the present invention. In the figure, PDII, PD]2...PDmn are photodiodes, BDI I SBD+ 2...BD
mn is blocking diode, SXl, SX2・s
Xm is the common electrode side selection switch, 8Y+, SY2-
BYp u Individual electrode side selection switch, C8+, C82・
...C8p is the transfer capacity. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Agent Oiwa Masuo Co'y Figure 3 Figure 4-14 Figure 5 Book, continuation of amendment (self-motivated) f,tLj'Mr. −
No. 188996 No. 2 Name of Bukomei Image Sensor: 3 Relationship with “Correcting System” +11・Applicant fL Address 2-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo; No. 3 Name
Title (60): Ryodenki Co., Ltd. Representative Hitoshi Katayama Department 4 Agent 6 Amendment (1) The description is amended as follows. page 1

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）光電変換要素を多数配列したものをマトリクス接
続したものと、所定電位の直流電源側又は大地側に切替
え接続できるようにした上記マトリク列 スの共通電極側の選択スイッチ側と、個別電極側の選択
スイッチ列と、個別電極側の選択スイッチ列の出力側に
接続した容量列と、該容量列に接続し、たスイッチ列と
を備えたイメージセンサ。(1) A matrix connection of a large number of photoelectric conversion elements arranged, a selection switch on the common electrode side of the matrix array that can be switched and connected to the DC power supply side of a predetermined potential or the ground side, and individual electrodes. An image sensor comprising: a selection switch row on the side; a capacitor row connected to the output side of the selection switch row on the individual electrode side; and a switch row connected to the capacitor row. （２）光電変換要素がフォトダイオードと容量を直列接
続したものであることを特徴とする特ｉｆＦ請求の範囲
第一項記載のイメージセンサ。(2) The image sensor according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a photodiode and a capacitor connected in series. （３）光電変換要素がフォトダイオードとブロッキング
ダイオードとを直列接続したものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のイメージセンサ。(3) The image sensor according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a photodiode and a blocking diode connected in series.