JPS6077121A - シリカ多形体の製造方法 - Google Patents
シリカ多形体の製造方法Info
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- JPS6077121A JPS6077121A JP18089984A JP18089984A JPS6077121A JP S6077121 A JPS6077121 A JP S6077121A JP 18089984 A JP18089984 A JP 18089984A JP 18089984 A JP18089984 A JP 18089984A JP S6077121 A JPS6077121 A JP S6077121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- polymorph
- silica
- reaction medium
- temperature
- Prior art date
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- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はケイ素源が元素状ケイ素である、多結晶性シリ
カ多形体(例えば、シリカライト及びゼオライト)の裏
造方法に関する。
カ多形体(例えば、シリカライト及びゼオライト)の裏
造方法に関する。
従来技術の説明
シリカライト及び結晶性アルミノシリケイトの製造のた
めに最もしばしば使用されるケイ素源のひとつは通常コ
ロイド状シリカの30チ水性グルの形でのシリカである
。このようなケイ素源についての代表的開示は1977
年12月6日に許可された米国特許第4,061,72
4号であシ、そこにはアルカリ金属シリケイトのはかに
無定形シリカ、例えばヒユームドシリカ、シリカゾル及
びシリカダルがケイ素源として記載されている。198
1年3月31日に許可された米国特許第4,259,3
06号には、ケイ素源としてケイ酸が開示されている。
めに最もしばしば使用されるケイ素源のひとつは通常コ
ロイド状シリカの30チ水性グルの形でのシリカである
。このようなケイ素源についての代表的開示は1977
年12月6日に許可された米国特許第4,061,72
4号であシ、そこにはアルカリ金属シリケイトのはかに
無定形シリカ、例えばヒユームドシリカ、シリカゾル及
びシリカダルがケイ素源として記載されている。198
1年3月31日に許可された米国特許第4,259,3
06号には、ケイ素源としてケイ酸が開示されている。
1981年12月23日に公開された英国特許出願第2
,077.709A号には、幾つかの特殊なケイ素源、
例えば粉末の固体シリカ及び溶解されたシリカが挙げら
れている。
,077.709A号には、幾つかの特殊なケイ素源、
例えば粉末の固体シリカ及び溶解されたシリカが挙げら
れている。
そこにはまたゴム用補強顔料中に使用し得るブレイドの
エーロゾルシリカ、及びアルカリ金属水酸化物または第
四級アンモニア水酸化物中にシリカを溶解することによ
シ作られた水ガンスジリカ及びシリケイ・トがケイ素源
として記載されている。ケイ素源としての有機ケイ素化
合物を使用することは、チタン化合物との組合せ(19
81年9月16日公開の英国特許出願第2.071,0
71A号)、アルミニウム化合物との組合せ(1981
年9月18日公告のフランス特許第2,478,063
号)、ゲルマニウム化合物との組合せ(1980年1月
3日公開の英国特許出願第2.023,562A号)、
及び鉄及びクロム化合物との組合せ(1980年8月8
日公開の欧州特許出願第0014059号)に記載され
ている。
エーロゾルシリカ、及びアルカリ金属水酸化物または第
四級アンモニア水酸化物中にシリカを溶解することによ
シ作られた水ガンスジリカ及びシリケイ・トがケイ素源
として記載されている。ケイ素源としての有機ケイ素化
合物を使用することは、チタン化合物との組合せ(19
81年9月16日公開の英国特許出願第2.071,0
71A号)、アルミニウム化合物との組合せ(1981
年9月18日公告のフランス特許第2,478,063
号)、ゲルマニウム化合物との組合せ(1980年1月
3日公開の英国特許出願第2.023,562A号)、
及び鉄及びクロム化合物との組合せ(1980年8月8
日公開の欧州特許出願第0014059号)に記載され
ている。
発明の概要
本発明はシリカライト及びゼオライトと呼ばれるような
ものを含むシリカ多形体の改良された製造方法に関し、
この方法は塩基性条件下で水性反応謀質中に元素状ケイ
素の形でケイ素を、通常はテンブレイト化合物と一緒に
導入し、次にこの媒質を、例えば100〜300℃の温
度範囲で及び少なくとも7.1の声で、加熱することを
含む。好ましい具体例においては、元紫状ケイ素は約2
000ミクロン以下、好ましくは約350ミクロン以下
の平均粒径を有する粉末である。他の元素、例えばアル
ミニウム、を元素状ケイ素と共に導入して多形体中に含
有させることもできる。
ものを含むシリカ多形体の改良された製造方法に関し、
この方法は塩基性条件下で水性反応謀質中に元素状ケイ
素の形でケイ素を、通常はテンブレイト化合物と一緒に
導入し、次にこの媒質を、例えば100〜300℃の温
度範囲で及び少なくとも7.1の声で、加熱することを
含む。好ましい具体例においては、元紫状ケイ素は約2
000ミクロン以下、好ましくは約350ミクロン以下
の平均粒径を有する粉末である。他の元素、例えばアル
ミニウム、を元素状ケイ素と共に導入して多形体中に含
有させることもできる。
3、発明の詳細な説明
ここで使用したシリカ多形体の用語は本質的に1001
シリカからなる多形体のほか、ケイ素以外の元素を約5
0俤まで含む多形体をも包含する。かかる元素の例とし
てはアルミニウム、ホウ素、鉄、クロム、亜鉛、ガリウ
ム、リン及びヒ素があり、これらを単独でまたは組合せ
て使用できる。従来の技術によってシリカ多形体に添加
された元素は元素状ケイ素と共に導入できる。多形体に
導入されるべき元素が本反応に使用される条件下で反応
性であるか若しくは反応性になる場合には、それらはケ
イ素と同じ形で添加されうる。本方法においてケイ素と
他の元素が反応する時に形成される水素ガスを処理する
ための設備がなされるべきである。
シリカからなる多形体のほか、ケイ素以外の元素を約5
0俤まで含む多形体をも包含する。かかる元素の例とし
てはアルミニウム、ホウ素、鉄、クロム、亜鉛、ガリウ
ム、リン及びヒ素があり、これらを単独でまたは組合せ
て使用できる。従来の技術によってシリカ多形体に添加
された元素は元素状ケイ素と共に導入できる。多形体に
導入されるべき元素が本反応に使用される条件下で反応
性であるか若しくは反応性になる場合には、それらはケ
イ素と同じ形で添加されうる。本方法においてケイ素と
他の元素が反応する時に形成される水素ガスを処理する
ための設備がなされるべきである。
1972年11月14日に許可された米国特許M3,7
.02,886号、1973年lO月30日に許可され
た米国特許第3,769,386号、1977年5月1
0日に許可された米国特許第4,022,714号及び
1978年10月17日に許可された米国特許第4,1
20,910号に記載されたような、ケイ素以外の元素
を含有する結晶性ゼオライトを含む広範囲の多形体の製
造にケイ素を使用できる。
.02,886号、1973年lO月30日に許可され
た米国特許第3,769,386号、1977年5月1
0日に許可された米国特許第4,022,714号及び
1978年10月17日に許可された米国特許第4,1
20,910号に記載されたような、ケイ素以外の元素
を含有する結晶性ゼオライトを含む広範囲の多形体の製
造にケイ素を使用できる。
1981年3月31日に許可された米国特許第4.25
9,306号及び1982年11月2日に許可された米
国特許第4,357,233号に記載されたよりなゼオ
ライトも製造できる。1981年8月11日に許可され
た米国特許第4,283,306号、1977年12月
6日に許可された米国特許第4,061,724号及び
1976年3月2日に許可された米国特許第3,941
,871号に記載されたような結晶性シリカ多形体:
1981年8月25日に許可された米国特許第4,28
5,919号に記載されたようなポロシリケイト;及び
1980年2月7日に公開された丙独特許出願第2,8
31,611号に記載されたような鉄シリケイトもまた
本発明に従って製造できる。他のシリカ多形体は当業者
にとって明白であろう。
9,306号及び1982年11月2日に許可された米
国特許第4,357,233号に記載されたよりなゼオ
ライトも製造できる。1981年8月11日に許可され
た米国特許第4,283,306号、1977年12月
6日に許可された米国特許第4,061,724号及び
1976年3月2日に許可された米国特許第3,941
,871号に記載されたような結晶性シリカ多形体:
1981年8月25日に許可された米国特許第4,28
5,919号に記載されたようなポロシリケイト;及び
1980年2月7日に公開された丙独特許出願第2,8
31,611号に記載されたような鉄シリケイトもまた
本発明に従って製造できる。他のシリカ多形体は当業者
にとって明白であろう。
本方法は水、元素状ケイ素、通常はテンプレイト化合物
及び、所望によシ界面活性剤及び/または分散剤を含む
反応混合物を、少なくとも7゜1、好ましくは9.5〜
13.8の@囲及び更に好ましくは10.5〜13,8
の範囲の声で水熱条件下で加熱する工程を含む。ケイ素
は無定形、多結晶及び単結晶ケイ素を含む広範囲な源か
ら粉末、ウェハー、ロッドまたはペレツトの形で得られ
る。細分の程度、例えば粉末とペレット、は反応速度に
著しく影響する。シリカの炭素還元により製造されたケ
イ素が別の満足すべきケイ素源である。最も望ましいケ
イ素源は牛導体製造における別物質である。高純度のケ
イ素粉末は高純度のシリカ多形体の製造に使用できる。
及び、所望によシ界面活性剤及び/または分散剤を含む
反応混合物を、少なくとも7゜1、好ましくは9.5〜
13.8の@囲及び更に好ましくは10.5〜13,8
の範囲の声で水熱条件下で加熱する工程を含む。ケイ素
は無定形、多結晶及び単結晶ケイ素を含む広範囲な源か
ら粉末、ウェハー、ロッドまたはペレツトの形で得られ
る。細分の程度、例えば粉末とペレット、は反応速度に
著しく影響する。シリカの炭素還元により製造されたケ
イ素が別の満足すべきケイ素源である。最も望ましいケ
イ素源は牛導体製造における別物質である。高純度のケ
イ素粉末は高純度のシリカ多形体の製造に使用できる。
ケイ素の合金、例えばケイ素−アルミニウム合金及びケ
イ素−鉄合金も好適なケイ素源である。
イ素−鉄合金も好適なケイ素源である。
反応時間及び温度は重要ではなく、高められた温度での
十分な時間によってケイ素の反応及び結晶性シリカ多形
体の形成がなされる限り、従来技術において使用された
これらの条件と類似であシえる。通常、反応温度は10
0〜300℃で変化しえ−るが、140〜200℃に維
持するのが好ましい。反応時間は実用的な長でよいが、
30〜300時間をこえないことが好ましい。本方法を
連続的に実施することが好ましく、それによって実質的
な反応#′蘭の短縮がなされる。液体から反応生成物を
、例えばろ過によシ分離した後、好ましくはこれを洗浄
し、公知の技術によって乾燥する。
十分な時間によってケイ素の反応及び結晶性シリカ多形
体の形成がなされる限り、従来技術において使用された
これらの条件と類似であシえる。通常、反応温度は10
0〜300℃で変化しえ−るが、140〜200℃に維
持するのが好ましい。反応時間は実用的な長でよいが、
30〜300時間をこえないことが好ましい。本方法を
連続的に実施することが好ましく、それによって実質的
な反応#′蘭の短縮がなされる。液体から反応生成物を
、例えばろ過によシ分離した後、好ましくはこれを洗浄
し、公知の技術によって乾燥する。
多形体の製造のためにテンプレイトが必要な場合、多数
の化合物が好適である。非常に純粋なシリカ多形体の製
造を希望するならば、アルカリ金属を除いてテンプレイ
トは本質的に金属金倉んではならない。好適々テンプレ
イトは次の式で定義されるアルカリアンモニウムカチオ
ンを本質的に含有するかまfcI/′iこれからなって
式中、R基は同一または異たるもので、1〜6炭素原子
を含むアルキル基である。好ましくはRはメチル、エチ
ル、n−プロピル、n−ブチル及びこれらの異性体、及
びこれらの混合物である。使用でき且つ好ましいアニオ
ンは水酸基及びハロゲン、例えば塩素である。具体的化
合物としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テ
トラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びこれ
ら水酸化物に対応する塩、特にクロライド、アイオダイ
ド及ヒクロミド、例えばテトラプロビルアンモニウムグ
ロミド、がある。第四級カチオンはそれ自体反応混合物
に供給でき、またはその場で形成させることもできる。
の化合物が好適である。非常に純粋なシリカ多形体の製
造を希望するならば、アルカリ金属を除いてテンプレイ
トは本質的に金属金倉んではならない。好適々テンプレ
イトは次の式で定義されるアルカリアンモニウムカチオ
ンを本質的に含有するかまfcI/′iこれからなって
式中、R基は同一または異たるもので、1〜6炭素原子
を含むアルキル基である。好ましくはRはメチル、エチ
ル、n−プロピル、n−ブチル及びこれらの異性体、及
びこれらの混合物である。使用でき且つ好ましいアニオ
ンは水酸基及びハロゲン、例えば塩素である。具体的化
合物としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テ
トラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びこれ
ら水酸化物に対応する塩、特にクロライド、アイオダイ
ド及ヒクロミド、例えばテトラプロビルアンモニウムグ
ロミド、がある。第四級カチオンはそれ自体反応混合物
に供給でき、またはその場で形成させることもできる。
その他のテンプレイトはアルキルアミン、アルコールア
ミン、モノヒドロキシアルキレントリアルキルアンモニ
ウムハライド、アルカリ及びアンモニウムアルキルスル
ホネイト、ア七ドアミド、ペンタエリトリット、ペンノ
ルトリメチルアンモニウムのような錯イオン、有機ジオ
ール及び有機カルボン酸を含む。
ミン、モノヒドロキシアルキレントリアルキルアンモニ
ウムハライド、アルカリ及びアンモニウムアルキルスル
ホネイト、ア七ドアミド、ペンタエリトリット、ペンノ
ルトリメチルアンモニウムのような錯イオン、有機ジオ
ール及び有機カルボン酸を含む。
別のテンプレイトは、上記式中の窒素原子をリン原子で
置換し良化合物、及びエチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミンのような式NH2(CH2)nN上2、式中
n = 2〜12、を有するジアミンがある。更に、そ
の他のテンプレイト化5合物は当業者に自明であろう。
置換し良化合物、及びエチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミンのような式NH2(CH2)nN上2、式中
n = 2〜12、を有するジアミンがある。更に、そ
の他のテンプレイト化5合物は当業者に自明であろう。
反応媒質の塩基性度は幾つかの方法により制御できる。
テンプレイトまたはアルキルアンモニウムハライド若し
くはジアミン、例えばヘキサメチレンツアミンと組合せ
たテンプレイトは塩基性全付与する。水酸化アンモニウ
ム及びアルキルアンモニウムハライドも可能な組合せで
ある。アルカリ金属水酸化物も塩基性付与のために使用
できるか、前記の塩基と異なシ残留アルカリ金属を多形
体から除去するための付加的工程が必要となるので好ま
しくない。
くはジアミン、例えばヘキサメチレンツアミンと組合せ
たテンプレイトは塩基性全付与する。水酸化アンモニウ
ム及びアルキルアンモニウムハライドも可能な組合せで
ある。アルカリ金属水酸化物も塩基性付与のために使用
できるか、前記の塩基と異なシ残留アルカリ金属を多形
体から除去するための付加的工程が必要となるので好ま
しくない。
分散剤を本方法に使用できる。シリカ多形体の望ましい
性質を減じない程度までは反応に関係しない分散剤が好
ましい。1〜6炭素原子のアルコールが全く好適である
。かかるアルコールの例としては、メタノール、エタノ
ール、n−グロパノール、n−ブタノール、n−ペンタ
ノール、n−へギザノール及びこれらの異性体がある。
性質を減じない程度までは反応に関係しない分散剤が好
ましい。1〜6炭素原子のアルコールが全く好適である
。かかるアルコールの例としては、メタノール、エタノ
ール、n−グロパノール、n−ブタノール、n−ペンタ
ノール、n−へギザノール及びこれらの異性体がある。
その他の分散剤も当業者にとって自明であろう。エトキ
シル化アルコール、Iリオキシエチレントリデシルエー
テル、Iリエチレングリコールジラウレイト及びオクチ
ルフェノキシポリエトキシエタノールのような界面活性
剤も反応を促進するために反応混合物の2〜10重量−
の濃度で使用できる。その他の界面活性剤は当業者に自
明であろう。
シル化アルコール、Iリオキシエチレントリデシルエー
テル、Iリエチレングリコールジラウレイト及びオクチ
ルフェノキシポリエトキシエタノールのような界面活性
剤も反応を促進するために反応混合物の2〜10重量−
の濃度で使用できる。その他の界面活性剤は当業者に自
明であろう。
反応体の相対的割合は極めて広範Jで変化しうるが、ケ
イ!(81)、テンプレイト化合物(T5、水(H2O
)及び、任意の、界面活性剤(S)、アルコール(A)
及びケイ素以外の元素(E)の相対的愈はモル比で表わ
すと、一般にSi/H20は0.005〜0,25及び
好ましくは0.01〜o、os ;T/S iは0.O
1〜10及び好ましくは0.1〜1;A/)(2oは0
〜5及び好ましくは0.02〜1:]1%S iはO〜
1 ; S/’H20は0〜0.15及び好ましくは0
.0001〜0.001である。ケイ素、テンプレイト
及びアルコールの混合物は本発明の範囲内である。高イ
オン強度の系中で起る時期尚早な固体形成は当分野に公
知の方法で、例えば希釈によシ最少限にできる。
イ!(81)、テンプレイト化合物(T5、水(H2O
)及び、任意の、界面活性剤(S)、アルコール(A)
及びケイ素以外の元素(E)の相対的愈はモル比で表わ
すと、一般にSi/H20は0.005〜0,25及び
好ましくは0.01〜o、os ;T/S iは0.O
1〜10及び好ましくは0.1〜1;A/)(2oは0
〜5及び好ましくは0.02〜1:]1%S iはO〜
1 ; S/’H20は0〜0.15及び好ましくは0
.0001〜0.001である。ケイ素、テンプレイト
及びアルコールの混合物は本発明の範囲内である。高イ
オン強度の系中で起る時期尚早な固体形成は当分野に公
知の方法で、例えば希釈によシ最少限にできる。
第1表に要約した下記実施例は木兄FJAを説明スルタ
メノモので、これを限定するものではない。別に表示し
ない限シ部及びパーセントは重量に基づく。以下の略記
を実施例の衣中で使用した: TENQH−テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イド−4oチ水溶液 TPNBr =テトラプロビルアンモニウムグロミド TPNCl =テトラノロビルアンモニウムクロライド TPNOH= f ) 77’ロビルアンモニウムハイ
ドロオキサイド−40チ水溶液 I(MD 、=ヘキサメチレンジアミンー85%水溶液 TMNOH= f ) ラ)チルア/モニウムハイドロ
オキザイド−25チ水溶液 ETOH=エタノール MEOH=メタノール NA =分析せず 実施例1〜17 表示した反応体を25℃で激しく攪拌してスラリーを作
った。水溶液に添加されるテンプレイトのためにその溶
液重量ft記録する。得られたスラリーを攪拌器及び加
熱ジャケットを備え圧力制御できるオートクレイプ中で
処理した。
メノモので、これを限定するものではない。別に表示し
ない限シ部及びパーセントは重量に基づく。以下の略記
を実施例の衣中で使用した: TENQH−テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イド−4oチ水溶液 TPNBr =テトラプロビルアンモニウムグロミド TPNCl =テトラノロビルアンモニウムクロライド TPNOH= f ) 77’ロビルアンモニウムハイ
ドロオキサイド−40チ水溶液 I(MD 、=ヘキサメチレンジアミンー85%水溶液 TMNOH= f ) ラ)チルア/モニウムハイドロ
オキザイド−25チ水溶液 ETOH=エタノール MEOH=メタノール NA =分析せず 実施例1〜17 表示した反応体を25℃で激しく攪拌してスラリーを作
った。水溶液に添加されるテンプレイトのためにその溶
液重量ft記録する。得られたスラリーを攪拌器及び加
熱ジャケットを備え圧力制御できるオートクレイプ中で
処理した。
実施例1.2,3,7,8,12.14及び17では3
16ステンレス鋼製、実施例4,5.1011.13及
び16ではハステロイnHN実施例6ではハステロイC
M及び実施例15ではチタン製のオートクレイffそれ
ぞれ使用した。
16ステンレス鋼製、実施例4,5.1011.13及
び16ではハステロイnHN実施例6ではハステロイC
M及び実施例15ではチタン製のオートクレイffそれ
ぞれ使用した。
オートクレイff密閉し、攪拌(約100〜200 r
pm ) L、、ながら内容物の温度をゆりく9160
℃に上昇させ、圧力が37.4atmを越えることを防
ぐために排気する場合を除いて光示した時間だけ攪拌し
ながら160℃に保持した。
pm ) L、、ながら内容物の温度をゆりく9160
℃に上昇させ、圧力が37.4atmを越えることを防
ぐために排気する場合を除いて光示した時間だけ攪拌し
ながら160℃に保持した。
実施例9では、各物質をテフロン製のビンに充填し、こ
のビンをオートクレイプ中に入れ、反応の間ビンの内容
物を攪拌しなかつた。
のビンをオートクレイプ中に入れ、反応の間ビンの内容
物を攪拌しなかつた。
固形の結晶性生成物をろ過して回収し、固形物の容積と
同容積の水で3回洗浄し1、蜜素雰囲気中で95℃で乾
燥した。サンプルを採シ、これを5℃/分の割合で昇温
しながら空気中にて25〜550℃で加熱し、空気中で
約550℃に約4時間保持し、このサンプルについてX
線回折パターンをめた。X@回折の測定はシンチレーシ
ョンカウンター及び厚さ3s+mの照射すれた12.5
瓢サンプルを含む補償スリットを具備したPh1lli
piデイフラクトメーター上で、40 kevN 40
mAでのCuka放射線を用いて行なった。/母ター
ンは第夏表に参照記号を挙げ、第■〜X■に示した。焼
成生成物は実施例16及び17でアルミニウム、及び鉄
及びホウ素について各々分析した。
同容積の水で3回洗浄し1、蜜素雰囲気中で95℃で乾
燥した。サンプルを採シ、これを5℃/分の割合で昇温
しながら空気中にて25〜550℃で加熱し、空気中で
約550℃に約4時間保持し、このサンプルについてX
線回折パターンをめた。X@回折の測定はシンチレーシ
ョンカウンター及び厚さ3s+mの照射すれた12.5
瓢サンプルを含む補償スリットを具備したPh1lli
piデイフラクトメーター上で、40 kevN 40
mAでのCuka放射線を用いて行なった。/母ター
ンは第夏表に参照記号を挙げ、第■〜X■に示した。焼
成生成物は実施例16及び17でアルミニウム、及び鉄
及びホウ素について各々分析した。
実施例18
元素状ケイ素及び310gの水からなる混合物を還流コ
ンデンサー全備えたガラス容器中で攪拌しながら加熱し
た。容器内容物の温度が′72℃に達した時、110g
の水中の水酸化ナトリウム及びテトラプロピルアンモニ
ウムクロライドの溶液を3時間かけて温度72℃に保持
しながら添加した。次に温度′f、90℃に上昇させ、
その温度で16時間保持した。容器内容物をオートクレ
イプ(316s8 )に移し、実施例1〜17と同様に
処理した。結果を第1表に要約した。
ンデンサー全備えたガラス容器中で攪拌しながら加熱し
た。容器内容物の温度が′72℃に達した時、110g
の水中の水酸化ナトリウム及びテトラプロピルアンモニ
ウムクロライドの溶液を3時間かけて温度72℃に保持
しながら添加した。次に温度′f、90℃に上昇させ、
その温度で16時間保持した。容器内容物をオートクレ
イプ(316s8 )に移し、実施例1〜17と同様に
処理した。結果を第1表に要約した。
実施例19
元素状ケイ素、テトラプロピルアンモニウムプロミド及
び水(385Iりの混合物を還流コンデンサーを備えた
ガラス容器中で攪拌しながら加熱した。内容物温度が8
3℃に達した時、水酸化ナトリウム溶液を30分間で添
加し、次に内容物温度を99℃に上昇し、この温度で1
9時間保持した。内容物をオートクレイプ(3168B
)に移し、実施例1〜17と同様に処理した。結果を第
1表に要約した・ 本発明によシ製造された生成物は、異なる方法で製造さ
れた類似組成の多形体と実質的に同一方法で使用され得
る。多形体を含む種々の形でのケイ素の用途としては、
アルキル化用、水添分解用及びメチル化用などの触媒、
乾燥用吸着剤、モレキュラーシーツ及びイオン交換があ
るO 133 10 54 l1 196 10 53 102 385 55 ■ 292 1.069 NA ■ 96 343 135 118 447 67 ’lX 101 484 60 105 1.208 50 X 100 2.122 10 86 1.31(チ) NA 142 1.10(チ)49′X1 181 14 120 1[[ 25030NA IV loo 1 60 I 180 14 100 I 152 9’ 75 刈 169 26j 92 XI[I 24 NA 53 XI[[ 24NA I3.8 Xm (参照記号) a、平均粒径約9ミクロン b、平均粒径約350ミクロン C1平均粒径約300ミクロンのアルミニウム粉末約o
、65gtケイ素粉末と混合d6反反応度180℃ e・ 反応温度190℃ f、平均粒径約27ミクロン g、平均粒径約11ミクロンの鉄粉末約1.0yをケイ
素粉末と混合 り、平均粒径約2ミクロンのポウ素粉末約1.0gをケ
イ素粉末と混合 i、焼成生成物の鉄含有量8,756 ppmj、焼成
生成物のホウ素含有量6,129 ppmk、約509
のPluronic Grid (LIOI +商標)
を界面活性剤として添加 t、平均粒径約88ミクロン m、9.28.17の水酸化ナトリウム添加n、平均粒
径88〜149ミクロン o、409の50チ水酸化物水溶液添加第 ■ 嚢 d(X) 11.20 80 4.27 14 10.08 48 4.10 3 9.77 14 4.02 5 9.02 1 3.86 100 8.05 <1 3.82 64 7.47 1 3.76 39 6.72 7 3.72 50 6.39 13 3.66 29 6.02 19 3.50 5 5.74 9 3.45 11 5.57 10 3.36 10 5.38 3 3.32 14 5.16 2 3.26 4 5.01 7 3.15 3 4.89 <1 3.05 12 4.63 6 3.00 18 4.37 8 2.95 7 第 ■ 表 11.24 90 4.10 3 10.04 49 4.02 6 9.76 15 3.87 100 9.06 .1 3.83 62 8.10 <1 3.72 58 7.48 1 3.65 21 6.72 9 3.50 6 6.39 15 3.45 11 6.03 18 3.40 4 5.75 9 3.36 9 5.58 13 3.31 15 5.38 4 3.26 5 5.16 2 3.18 3 5.05 6 3.15 3 4.99 8 3.06 10 4.63 6 3.00 22 4.3B 9 2.96 11 4.28 13 第 ■ 表 11.08 5 2.90 6 6.78 27 2.69 4 5.79 79 2.57 1 5.55 60 2.51 13 4.80 29 2.42 <1 4.41 28 2.36 15 4.30 3 2.27 22 3.93 37 2.23 14 3.71 92 2.16 5 3.40 43 2.12 3 3.26 100 2.00 <1 3.21 16 2・02 2 3.05 13 1.97 4 2.94 11 1.94 9 第 V 表 11.73 29 3.07 2 10.18 8 2.86 14 7.12 3 2.74 2 6.10 4 2.69 2 5.85 9 2.62 2 5.26 (12,48(1 4,92<1 2.43 2 4.20 100 2.38 3 3.90 70 2.34 4 3.63 <1 2.23 2 3.46 (12,15<1 3.37 2 2.10 6 3.16 (12,064 第 ■ 表 11.08 67 4.35 7 9.92 42 3.83 100 7.42 1 3.70 44 6.67 5 3.47 3 6.34 4 3.33 8 5.97 15 3.16 1 5.56 10 3.04 5 5.34 2 2.97 14 4.99 6 2.85 1 4.60 2 2.77 <1 第1表 11.15 81 4.26 14 1−0.02 51 4.08 3 9.70 12 4.01 6 9.00 1 3.86 100 8.05 (13,8282 7,4513,7543 7,12(13,7258 6,7163,6539 6,37133,496 6,00183,4412 5,71113,405 5,57153,3511 g、3s 3 3.31 14 5.15 2 3.25 5 5.00 7 3.17 3 4.88 (13,144 4,6263,0516 4,4622,9818 4,368 第1表 11.17 1 3.21 8 9.09 2 3.15 3 B、31 3 3.05 13 6.82 9 2.95 13 6.59 4 2.86 1 6.28 6 2.79 3 5.80 47 2.71 2 5.55 46 2.61 <1 5.35 2 2.51 9 4.81 32 2.42 2 4.56 6 2.36 12 4.43 28 2.27 24 4.30 13 2.23 6 4.00 25 2.16 3 3.94 44 2.12 4 3.71 100 2.06 <1 3.58 5 2.02 <1 3.41 45 1.97 3 3.27 71 1.94 4 第 ■ 表 11.64 24 3.07 2 10.05 8 2.85 14 7.11 2 2.72 1 6.05 4 2.62 1 5.82 8 2.52 (1 5,24(12,471 5,02(12,422 4,8712,373 4,191002,344 3,87672,241 3,6142,096 3,4412,063 3,362 MX表 11.11 55 3.85 100 10.03 48 3.71 38 7.47 (13,482 6,7233,349 6,3723,25<1 6.01 13 3.18 <1 5.58 9 3.06 6 5.02 6 2.99 13 4.60 2 2.86 1 4.36 5 2.80 <1 4.25 2 第X表 11.12 59 4.36 7 9.99 33 4.26 12 9、.73 11 4.08 3 9.03 1 4.01 6 8.06 (13,86100 7,46(1,3,8267 7,14<1 3.75 36 6.71 5 3.72 50 6.36 10 3.65 32 6.01 12 3.49 6 5.72 8 3.44 11 5.58 11 3.35 10 5.37 2 3.31 12 5.1? 1 3.25 5 5.04 5 3.18 3 4.99 6 3.14 4 4.86 (13,0612 4,6252,9814 d(ス) 相対強度 d(X) ユニ!!11.10
82 4.08 3 9.97 53 4.01 6 8.95 1 3.86 100 8.12 (13,8174 7,43(13,7541 6,6973,7263 6,35153,642B 5.97 20 3.49 6 5.70 11 3.44 14 5.56 14 3.35 11 5.36 4 3.31 16 5.13 3 3.24 5 4.99 9 3.17 3 4.61 6 3.13 3 4.36 10 3.04 13 4.25 15 2.98 25 第履表 11.21 100 4.0S 10.06 61 4.0] 9.75 18 3.87 9.04 1 3.82 8.09 (13,72 7,4723,66 6,7193,63 6,36163,60 6,00233,49 5,71123,44 5,58153,35 5,3733,31 5,1623,26 5,04B 3.19 4.99 10 3.14 4.89 1 3.05 4.61 7 2.99 4.36 10 2.96 4.26 15 相対強度 00 6 5 4 2 3 6 1 6 4
び水(385Iりの混合物を還流コンデンサーを備えた
ガラス容器中で攪拌しながら加熱した。内容物温度が8
3℃に達した時、水酸化ナトリウム溶液を30分間で添
加し、次に内容物温度を99℃に上昇し、この温度で1
9時間保持した。内容物をオートクレイプ(3168B
)に移し、実施例1〜17と同様に処理した。結果を第
1表に要約した・ 本発明によシ製造された生成物は、異なる方法で製造さ
れた類似組成の多形体と実質的に同一方法で使用され得
る。多形体を含む種々の形でのケイ素の用途としては、
アルキル化用、水添分解用及びメチル化用などの触媒、
乾燥用吸着剤、モレキュラーシーツ及びイオン交換があ
るO 133 10 54 l1 196 10 53 102 385 55 ■ 292 1.069 NA ■ 96 343 135 118 447 67 ’lX 101 484 60 105 1.208 50 X 100 2.122 10 86 1.31(チ) NA 142 1.10(チ)49′X1 181 14 120 1[[ 25030NA IV loo 1 60 I 180 14 100 I 152 9’ 75 刈 169 26j 92 XI[I 24 NA 53 XI[[ 24NA I3.8 Xm (参照記号) a、平均粒径約9ミクロン b、平均粒径約350ミクロン C1平均粒径約300ミクロンのアルミニウム粉末約o
、65gtケイ素粉末と混合d6反反応度180℃ e・ 反応温度190℃ f、平均粒径約27ミクロン g、平均粒径約11ミクロンの鉄粉末約1.0yをケイ
素粉末と混合 り、平均粒径約2ミクロンのポウ素粉末約1.0gをケ
イ素粉末と混合 i、焼成生成物の鉄含有量8,756 ppmj、焼成
生成物のホウ素含有量6,129 ppmk、約509
のPluronic Grid (LIOI +商標)
を界面活性剤として添加 t、平均粒径約88ミクロン m、9.28.17の水酸化ナトリウム添加n、平均粒
径88〜149ミクロン o、409の50チ水酸化物水溶液添加第 ■ 嚢 d(X) 11.20 80 4.27 14 10.08 48 4.10 3 9.77 14 4.02 5 9.02 1 3.86 100 8.05 <1 3.82 64 7.47 1 3.76 39 6.72 7 3.72 50 6.39 13 3.66 29 6.02 19 3.50 5 5.74 9 3.45 11 5.57 10 3.36 10 5.38 3 3.32 14 5.16 2 3.26 4 5.01 7 3.15 3 4.89 <1 3.05 12 4.63 6 3.00 18 4.37 8 2.95 7 第 ■ 表 11.24 90 4.10 3 10.04 49 4.02 6 9.76 15 3.87 100 9.06 .1 3.83 62 8.10 <1 3.72 58 7.48 1 3.65 21 6.72 9 3.50 6 6.39 15 3.45 11 6.03 18 3.40 4 5.75 9 3.36 9 5.58 13 3.31 15 5.38 4 3.26 5 5.16 2 3.18 3 5.05 6 3.15 3 4.99 8 3.06 10 4.63 6 3.00 22 4.3B 9 2.96 11 4.28 13 第 ■ 表 11.08 5 2.90 6 6.78 27 2.69 4 5.79 79 2.57 1 5.55 60 2.51 13 4.80 29 2.42 <1 4.41 28 2.36 15 4.30 3 2.27 22 3.93 37 2.23 14 3.71 92 2.16 5 3.40 43 2.12 3 3.26 100 2.00 <1 3.21 16 2・02 2 3.05 13 1.97 4 2.94 11 1.94 9 第 V 表 11.73 29 3.07 2 10.18 8 2.86 14 7.12 3 2.74 2 6.10 4 2.69 2 5.85 9 2.62 2 5.26 (12,48(1 4,92<1 2.43 2 4.20 100 2.38 3 3.90 70 2.34 4 3.63 <1 2.23 2 3.46 (12,15<1 3.37 2 2.10 6 3.16 (12,064 第 ■ 表 11.08 67 4.35 7 9.92 42 3.83 100 7.42 1 3.70 44 6.67 5 3.47 3 6.34 4 3.33 8 5.97 15 3.16 1 5.56 10 3.04 5 5.34 2 2.97 14 4.99 6 2.85 1 4.60 2 2.77 <1 第1表 11.15 81 4.26 14 1−0.02 51 4.08 3 9.70 12 4.01 6 9.00 1 3.86 100 8.05 (13,8282 7,4513,7543 7,12(13,7258 6,7163,6539 6,37133,496 6,00183,4412 5,71113,405 5,57153,3511 g、3s 3 3.31 14 5.15 2 3.25 5 5.00 7 3.17 3 4.88 (13,144 4,6263,0516 4,4622,9818 4,368 第1表 11.17 1 3.21 8 9.09 2 3.15 3 B、31 3 3.05 13 6.82 9 2.95 13 6.59 4 2.86 1 6.28 6 2.79 3 5.80 47 2.71 2 5.55 46 2.61 <1 5.35 2 2.51 9 4.81 32 2.42 2 4.56 6 2.36 12 4.43 28 2.27 24 4.30 13 2.23 6 4.00 25 2.16 3 3.94 44 2.12 4 3.71 100 2.06 <1 3.58 5 2.02 <1 3.41 45 1.97 3 3.27 71 1.94 4 第 ■ 表 11.64 24 3.07 2 10.05 8 2.85 14 7.11 2 2.72 1 6.05 4 2.62 1 5.82 8 2.52 (1 5,24(12,471 5,02(12,422 4,8712,373 4,191002,344 3,87672,241 3,6142,096 3,4412,063 3,362 MX表 11.11 55 3.85 100 10.03 48 3.71 38 7.47 (13,482 6,7233,349 6,3723,25<1 6.01 13 3.18 <1 5.58 9 3.06 6 5.02 6 2.99 13 4.60 2 2.86 1 4.36 5 2.80 <1 4.25 2 第X表 11.12 59 4.36 7 9.99 33 4.26 12 9、.73 11 4.08 3 9.03 1 4.01 6 8.06 (13,86100 7,46(1,3,8267 7,14<1 3.75 36 6.71 5 3.72 50 6.36 10 3.65 32 6.01 12 3.49 6 5.72 8 3.44 11 5.58 11 3.35 10 5.37 2 3.31 12 5.1? 1 3.25 5 5.04 5 3.18 3 4.99 6 3.14 4 4.86 (13,0612 4,6252,9814 d(ス) 相対強度 d(X) ユニ!!11.10
82 4.08 3 9.97 53 4.01 6 8.95 1 3.86 100 8.12 (13,8174 7,43(13,7541 6,6973,7263 6,35153,642B 5.97 20 3.49 6 5.70 11 3.44 14 5.56 14 3.35 11 5.36 4 3.31 16 5.13 3 3.24 5 4.99 9 3.17 3 4.61 6 3.13 3 4.36 10 3.04 13 4.25 15 2.98 25 第履表 11.21 100 4.0S 10.06 61 4.0] 9.75 18 3.87 9.04 1 3.82 8.09 (13,72 7,4723,66 6,7193,63 6,36163,60 6,00233,49 5,71123,44 5,58153,35 5,3733,31 5,1623,26 5,04B 3.19 4.99 10 3.14 4.89 1 3.05 4.61 7 2.99 4.36 10 2.96 4.26 15 相対強度 00 6 5 4 2 3 6 1 6 4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、水性反応媒質中に元素状ケイ素とテンプレイト化合
物を導入し、該媒質の−を9.5〜13.8の範囲に維
持しながら100〜300℃の温度にて多形体が形成さ
れるまで加熱することを含む、シリカ多形体の製造方法
。 2、 ケイ素は粒径約2000ミクロン以下の粉末であ
る、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、温度を140〜200℃に保持する、特許請求の範
囲第2項に記載の方法。 4、 ケイ素粉末の粒径が約100ミクロン以下である
、特許請求の範囲第3項に記載の方法。 5、多形体の形成前に、反応媒質中にアルミニウムを特
徴する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 6、多形体の形成前に、反応媒質中にホウ素を特徴する
特許請求の範囲第1項に記載の方法0 7、 多形体の形成前に、反応媒質中に鉄を特徴する特
許請求の範囲第1項に記載の方法。 8、 アルミニウム、ホウ素、鉄及びこれらの混合pを
特徴する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 9、アルミニウムーケイ素合金を特徴する特許請求の範
囲第1項に記載の方法。 10、反応媒質中に非イオン性界面活性剤が存在する、
特許請求の範囲第2項に記載の方法。 11、テンプレイト化合物は式 (式中、Rで表わされる基は同一または異なるものであ
って、1〜6炭素原子のアルキル基から選ばれる。) で定義されるアルキルアンモニウムカチオンから本質的
になる、特許請求の範囲第1項に記載の方法。゛ 12、上記カチオンはテトラシロビルアンモニウム、テ
トラメチルアンモニウム、ナト2ブチルアンそニクム及
びこれらの混合物から選ばれる、特許請求の範囲第11
項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US52860183A | 1983-08-31 | 1983-08-31 | |
US528601 | 1983-08-31 | ||
US633429 | 1984-07-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6077121A true JPS6077121A (ja) | 1985-05-01 |
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ID=24106370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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JP (1) | JPS6077121A (ja) |
ZA (1) | ZA846795B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04104155U (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-08 | 日産車体株式会社 | 燃料の断熱装置 |
JP2013177312A (ja) * | 2005-10-12 | 2013-09-09 | Basf Se | ケイ酸塩の製造方法 |
JP2013227182A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-11-07 | Admatechs Co Ltd | コロイドシリカの製造方法及びcmp用スラリーの製造方法 |
-
1984
- 1984-08-30 ZA ZA846795A patent/ZA846795B/xx unknown
- 1984-08-31 JP JP18089984A patent/JPS6077121A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04104155U (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-08 | 日産車体株式会社 | 燃料の断熱装置 |
JP2013177312A (ja) * | 2005-10-12 | 2013-09-09 | Basf Se | ケイ酸塩の製造方法 |
JP2013227182A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-11-07 | Admatechs Co Ltd | コロイドシリカの製造方法及びcmp用スラリーの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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ZA846795B (en) | 1986-04-30 |
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