JPS6074462A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6074462A JPS6074462A JP18128683A JP18128683A JPS6074462A JP S6074462 A JPS6074462 A JP S6074462A JP 18128683 A JP18128683 A JP 18128683A JP 18128683 A JP18128683 A JP 18128683A JP S6074462 A JPS6074462 A JP S6074462A
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- common electrode
- electrode
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はトランジスタやサイリスク等の大電力用素子か
らなる半導体装置に係り、特に圧接型モジュールに使用
される半導体装置に関する。
らなる半導体装置に係り、特に圧接型モジュールに使用
される半導体装置に関する。
従来、大電力用のモジュールとして例えば第１図圧水す
トランジスタモジュールがある。同図において、Ｌはノ
クワートランノスク１ノ及びダイオード１２からなる第
１のトランジスタ複合体、糸は同じくパワートランジス
ラ１３及びダイオード１４からなるａ１２のトランジス
タ複合体である。このトランクスタモジュールは、これ
ら第１及び第２のトランジスタ複合体１゜そをそれぞれ
絶縁基板１５’、 １６を介して共通の金属基板１７に
接着させる。と共に、これらのトランジスタ複合体１．
２を取り囲み収容する共通のパッケージ１８の上方に、
第１のトランジスタ複合体りのコレクタ電極端子１９、
第１のトランジスタ複合体表のエミッタ電極端子２゜と
接続した第２のトランジスタ複合体２のコレクタ電極端
子２ノ及び第２のトランジスタ複合体２のエミッタ電極
端子２２をそれぞれ導出して配列したものである。
トランジスタモジュールがある。同図において、Ｌはノ
クワートランノスク１ノ及びダイオード１２からなる第
１のトランジスタ複合体、糸は同じくパワートランジス
ラ１３及びダイオード１４からなるａ１２のトランジス
タ複合体である。このトランクスタモジュールは、これ
ら第１及び第２のトランジスタ複合体１゜そをそれぞれ
絶縁基板１５’、 １６を介して共通の金属基板１７に
接着させる。と共に、これらのトランジスタ複合体１．
２を取り囲み収容する共通のパッケージ１８の上方に、
第１のトランジスタ複合体りのコレクタ電極端子１９、
第１のトランジスタ複合体表のエミッタ電極端子２゜と
接続した第２のトランジスタ複合体２のコレクタ電極端
子２ノ及び第２のトランジスタ複合体２のエミッタ電極
端子２２をそれぞれ導出して配列したものである。
」二記禍°成により、このトランノスクモソ、−ルにお
いては、電気装置への組立てが容易であり、組立時のス
イースも小さくなり、Ｉｉｊ’ｆ’＋ ｍ化が達成でき
るものである。
いては、電気装置への組立てが容易であり、組立時のス
イースも小さくなり、Ｉｉｊ’ｆ’＋ ｍ化が達成でき
るものである。
しかしながら、従来のトランジスタモノニールには次の
ような欠点があった。すなわち、第１のトランジスタ複
合体り及び第２のトランジスタ複合体互の各エミッタ電
極及びカソード’ｆ（ｊ。
ような欠点があった。すなわち、第１のトランジスタ複
合体り及び第２のトランジスタ複合体互の各エミッタ電
極及びカソード’ｆ（ｊ。
極からの接続をボンディングや半田伺けにより取り出し
ているため、大電流、例えば１００Ａ以上のトランクス
タモジュールにあっては、ボンディング等の接続個所に
電流が集中することになる。このため、熱歪、熱疲労等
が生じ、大電力化が困難であった。さらに、ボンディン
グ等の接続個所で過電流てよる破壊が生じると、パッケ
ージの外へシリコンの溶融物が噴き出す一種の爆発等が
起きる危険性があった。また、共通の金属基板１７と共
通のパッケージ１８及び外部電極端子とを同時に樹脂接
着材で刺止していたため、各々の材料の熱膨張係数の差
によりクラック等が入り易（封止が困難であった。
ているため、大電流、例えば１００Ａ以上のトランクス
タモジュールにあっては、ボンディング等の接続個所に
電流が集中することになる。このため、熱歪、熱疲労等
が生じ、大電力化が困難であった。さらに、ボンディン
グ等の接続個所で過電流てよる破壊が生じると、パッケ
ージの外へシリコンの溶融物が噴き出す一種の爆発等が
起きる危険性があった。また、共通の金属基板１７と共
通のパッケージ１８及び外部電極端子とを同時に樹脂接
着材で刺止していたため、各々の材料の熱膨張係数の差
によりクラック等が入り易（封止が困難であった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、複数の電極、及び素子間の接続個所への電流集中を防
止し、信頼（り：に優れた半導体装置を提供することに
ある。
、複数の電極、及び素子間の接続個所への電流集中を防
止し、信頼（り：に優れた半導体装置を提供することに
ある。
本発明は、放熱を兼ねる支持基体と、この支持基体上に
配設された共通絶縁板と、この共通絶縁板上に載置され
た圧接型の半導体素子構体と、前記支持基体上に設けら
れ前記半導体素子構体を覆う蓋体と、前記半導体素子構
体に電気的に接続し、前記蓋体を貫通して外部に導出さ
れた外部接続端子を有する共通電極と、前記蓋体内にお
いて前記半導体素子構体と前記共通電極とを加圧接続さ
せるばね構体とを具備し、前記半導体素子構体は相互に
絶縁された複数の回路構成要素を有することを偶徴とす
るもので、複数の回路構成要素を同時に加圧ずろもので
ある。
配設された共通絶縁板と、この共通絶縁板上に載置され
た圧接型の半導体素子構体と、前記支持基体上に設けら
れ前記半導体素子構体を覆う蓋体と、前記半導体素子構
体に電気的に接続し、前記蓋体を貫通して外部に導出さ
れた外部接続端子を有する共通電極と、前記蓋体内にお
いて前記半導体素子構体と前記共通電極とを加圧接続さ
せるばね構体とを具備し、前記半導体素子構体は相互に
絶縁された複数の回路構成要素を有することを偶徴とす
るもので、複数の回路構成要素を同時に加圧ずろもので
ある。
さらに、本発明は、前記共通放熱板上に、前記半導体素
子構体、共通電極及びばね４ｆｒ体の紺合せを複数組設
け、かつ同共通電４ｉ４ ＶＣそれぞれ圧接面に対して
直角方向に折り曲げ形成され隣り合う共通電極間で相対
向する内部接に、；７Ｈ端子を設り゛、前記共通電極を
それぞれｉ１■記半導体素子構体に加圧接続させた後、
対向する内部接続端子間を電気的に接続し固定するもの
で、複数の半導体素子構体全体にわたって各共通１０；
極を均一に加圧接触させるものである。
子構体、共通電極及びばね４ｆｒ体の紺合せを複数組設
け、かつ同共通電４ｉ４ ＶＣそれぞれ圧接面に対して
直角方向に折り曲げ形成され隣り合う共通電極間で相対
向する内部接に、；７Ｈ端子を設り゛、前記共通電極を
それぞれｉ１■記半導体素子構体に加圧接続させた後、
対向する内部接続端子間を電気的に接続し固定するもの
で、複数の半導体素子構体全体にわたって各共通１０；
極を均一に加圧接触させるものである。
以下、図面を参照して本発明の〜実施例を説明する。第
２図は本発明を圧接型のトランクスタモジュールに適用
した例を示す平面図、第３図は同じく部分断面図である
。第２図及び第３図において１．ｑｌは熱的に良導体で
ある金属製の例えばアルミメイキャスト製の放熱基板で
ある。この放熱基板３ノの内側には電気的に絶縁され、
後述の各半導体素子３５に共通なセラミック板３２が載
置されている。このセラミック板３２上には、第４図に
取り出して示すような例えば銅Ｃｕで形成された２つの
コレクタ電極、９３ ａ 、 ３３ ｂがそれぞれ所定
の位置に載置されている。これらコレクタ電極３３ ａ
、 、３３ ｂはそれぞれ、圧接面に対して直角方向
に折り曲げ形成した外部接続端子３４ａ、３４ｂを有〔
ており、これら外部接続端子３４ ａ 、 ３４ ｂは
共に後述の蓋体５２から上方に導出されている。
２図は本発明を圧接型のトランクスタモジュールに適用
した例を示す平面図、第３図は同じく部分断面図である
。第２図及び第３図において１．ｑｌは熱的に良導体で
ある金属製の例えばアルミメイキャスト製の放熱基板で
ある。この放熱基板３ノの内側には電気的に絶縁され、
後述の各半導体素子３５に共通なセラミック板３２が載
置されている。このセラミック板３２上には、第４図に
取り出して示すような例えば銅Ｃｕで形成された２つの
コレクタ電極、９３ ａ 、 ３３ ｂがそれぞれ所定
の位置に載置されている。これらコレクタ電極３３ ａ
、 、３３ ｂはそれぞれ、圧接面に対して直角方向
に折り曲げ形成した外部接続端子３４ａ、３４ｂを有〔
ており、これら外部接続端子３４ ａ 、 ３４ ｂは
共に後述の蓋体５２から上方に導出されている。
コレクタ電極３３ｈ、３３ｂ上にはそれぞれ、主トラン
ジスタと帰還ダイオードとを同一半導体基板で作った２
つの回路要素を有する半導体素子３５が載置されている
。これら半導体素子３５上にはそれぞれ例えば銅で形成
されたエミッタ盤３６ａ、３６ｂが載置されている。こ
れらエミッタ盤３６ａ、３６ｂは共に第５図に取り出し
て示すように、ベースリード３７．絶縁ガイド体３８及
びスプリングばね３９が取り付はうしており、スプリン
グばね３９の弾性力により半導体素子３５０ベース電極
とベースリード３７が接触できるようになっている。エ
ミ。
ジスタと帰還ダイオードとを同一半導体基板で作った２
つの回路要素を有する半導体素子３５が載置されている
。これら半導体素子３５上にはそれぞれ例えば銅で形成
されたエミッタ盤３６ａ、３６ｂが載置されている。こ
れらエミッタ盤３６ａ、３６ｂは共に第５図に取り出し
て示すように、ベースリード３７．絶縁ガイド体３８及
びスプリングばね３９が取り付はうしており、スプリン
グばね３９の弾性力により半導体素子３５０ベース電極
とベースリード３７が接触できるようになっている。エ
ミ。
り盤３６ ａ 、 ；？ ６ ｂ上にはそれぞれエミッ
タ′１（Ｉ、極４０ａ、４０ｂが載置されている。 力
のエミッタ電極４０ａは第４図に示すように、」二記−
ｚｖクタ電極、？ 、？ ａ 、 ３３ｂと同様Ｋ、圧
、：１２川ｆｉｒに対して直角方向に折り曲げ形成した
外部接続端子４１ａを有しており、この外部接続端子４
１ａも後述の蓋体５２から上方に導出されている。他方
のエミッタ電極４０ｂは、圧接面に対して直角方向に折
り曲げ形成した内部接続＆ｉｔ５子４２ｂを有している
。また、この内部接続端子４２ｂＫ対向して前記コレク
タ１１３．極３３ ａ ＩＪ、同形状の内部接続端子４
２ａを有している。これら内部接続端子４２ａ、４２ｂ
の各先殉部には例えばＵ字状の溝４３が設けられ、この
溝４３部においてボルト４４及びす、ｌ−４５を締付は
固定することにより、コレクタ電ｋ ３３ ａ及びエミ
ッタ電極４０ｂが電気的に接続され、２つの半導体素子
３５間の共通電極となるようになっている。エミッタ＠
極４０ａ、４０ｂ上にはそれぞれ、ばね圧力に耐える絶
縁体４６ａ・４６１）、これら絶縁体４６ａ、４６ｂＫ
ＩＪｌ込まれた皿ばね４７ａ、４７ｂ及び金属固定板４
８ａ、４８ｂからなるばね構体が設けられている。金属
固定板４８ａ、４８ｂはそれぞれボルト４９ａ、４９ｂ
により前記放熱基板３ノに固定されている。これにより
、上記各電極、半導体素子３５．セラミック基板３２及
び放熱基板３１間が、皿はね４８ａ、４８ｂの弾性力に
より加圧接触されている。
タ′１（Ｉ、極４０ａ、４０ｂが載置されている。 力
のエミッタ電極４０ａは第４図に示すように、」二記−
ｚｖクタ電極、？ 、？ ａ 、 ３３ｂと同様Ｋ、圧
、：１２川ｆｉｒに対して直角方向に折り曲げ形成した
外部接続端子４１ａを有しており、この外部接続端子４
１ａも後述の蓋体５２から上方に導出されている。他方
のエミッタ電極４０ｂは、圧接面に対して直角方向に折
り曲げ形成した内部接続＆ｉｔ５子４２ｂを有している
。また、この内部接続端子４２ｂＫ対向して前記コレク
タ１１３．極３３ ａ ＩＪ、同形状の内部接続端子４
２ａを有している。これら内部接続端子４２ａ、４２ｂ
の各先殉部には例えばＵ字状の溝４３が設けられ、この
溝４３部においてボルト４４及びす、ｌ−４５を締付は
固定することにより、コレクタ電ｋ ３３ ａ及びエミ
ッタ電極４０ｂが電気的に接続され、２つの半導体素子
３５間の共通電極となるようになっている。エミッタ＠
極４０ａ、４０ｂ上にはそれぞれ、ばね圧力に耐える絶
縁体４６ａ・４６１）、これら絶縁体４６ａ、４６ｂＫ
ＩＪｌ込まれた皿ばね４７ａ、４７ｂ及び金属固定板４
８ａ、４８ｂからなるばね構体が設けられている。金属
固定板４８ａ、４８ｂはそれぞれボルト４９ａ、４９ｂ
により前記放熱基板３ノに固定されている。これにより
、上記各電極、半導体素子３５．セラミック基板３２及
び放熱基板３１間が、皿はね４８ａ、４８ｂの弾性力に
より加圧接触されている。
また、上記コレクタ電極３３ ａ 、 ３３ｂにはそれ
ぞれ駆動トランジスタ及びスビ゛−ドアツブダイオード
等の駆動回路要素５０が、前述のばね構成体により加圧
接触されている主トランジスタ等の半導体素子３５とは
別に、ボンディング及び半田付けにより接続ＩＡＩ定さ
れている。フ、仁お、５１ａ、５１ｈはそれぞれベース
端子、エミック端子、ベース中間ＷｈＡ子等に接続され
た外部接続端子である。
ぞれ駆動トランジスタ及びスビ゛−ドアツブダイオード
等の駆動回路要素５０が、前述のばね構成体により加圧
接触されている主トランジスタ等の半導体素子３５とは
別に、ボンディング及び半田付けにより接続ＩＡＩ定さ
れている。フ、仁お、５１ａ、５１ｈはそれぞれベース
端子、エミック端子、ベース中間ＷｈＡ子等に接続され
た外部接続端子である。
このように回路が構成されたユニットは、各電極間を絶
縁被膜から防止するようにケ゛ル月で採掘され、さらに
放熱基板３ノには例えばエポキシ樹脂で形成された蓋体
５２がＯぜられている。放熱基板３ノと俗体５２との間
のｌｔ７間は例えばエポキシ樹脂系の接着月５３ａで埋
められている。また、蓋体５２とこの俗体５２からｄ１
出された外部接続端子３４ ｎ 、 、９４ ｂ 、
４１ Ｆｌ及び外部接続端子１） Ｊ ａ＋ ５７ ｂ
との間の隙間も同じくエポキシ樹脂系の接着旧、５３ｂ
、 ５３ ｃで埋められている。」二言己−力のゼ２
左４Ａ）Ｊ’ 、’５ 、’＋ １１ ＋１放熱基板３
ノの形成材料であるアルミニウムＡｔに近い熱膨張係数
を有するもの、また他方の接着材５３ｂ、５３ｃは外部
接続端子、？ ４ ａ〜５１ｂの形成材料である銅Ｃｕ
に近い熱膨張係数を有するものを用いることにより、こ
れらの判止効果は熱的に強くなる。また、蓋体５２には
管５４が設げられており、この管５４を通して蓋体５２
内部のグル中には窒素が封入されて空間層を形成し、こ
れにより温度上昇に伴５グルの膨張を緩和するようにな
っている。
縁被膜から防止するようにケ゛ル月で採掘され、さらに
放熱基板３ノには例えばエポキシ樹脂で形成された蓋体
５２がＯぜられている。放熱基板３ノと俗体５２との間
のｌｔ７間は例えばエポキシ樹脂系の接着月５３ａで埋
められている。また、蓋体５２とこの俗体５２からｄ１
出された外部接続端子３４ ｎ 、 、９４ ｂ 、
４１ Ｆｌ及び外部接続端子１） Ｊ ａ＋ ５７ ｂ
との間の隙間も同じくエポキシ樹脂系の接着旧、５３ｂ
、 ５３ ｃで埋められている。」二言己−力のゼ２
左４Ａ）Ｊ’ 、’５ 、’＋ １１ ＋１放熱基板３
ノの形成材料であるアルミニウムＡｔに近い熱膨張係数
を有するもの、また他方の接着材５３ｂ、５３ｃは外部
接続端子、？ ４ ａ〜５１ｂの形成材料である銅Ｃｕ
に近い熱膨張係数を有するものを用いることにより、こ
れらの判止効果は熱的に強くなる。また、蓋体５２には
管５４が設げられており、この管５４を通して蓋体５２
内部のグル中には窒素が封入されて空間層を形成し、こ
れにより温度上昇に伴５グルの膨張を緩和するようにな
っている。
上記圧接型のトランジスタモジュールにおいては、その
組立時、先ず、エミッタＹｉ ＠ ４０ ａ 。
組立時、先ず、エミッタＹｉ ＠ ４０ ａ 。
４０ｂ上に皿ばね４７ａ、４７ｂ等のばね構体を載置し
、ボルト４９ａ、４９ｂをそれぞれ別個に続刊は調棺し
て、２つの半導体素子３５を均等に圧接するよ５に加圧
した状態にする。その後、その状態でボルト４４及びナ
ツト４５を締付げることにより、共通電極となるコレク
タ電極３．９ ａの内部接続端子４２ａとエミッタ電極
４０ｂの内部接続端子４２ｂとを電気的に接続し固定す
るものである。
、ボルト４９ａ、４９ｂをそれぞれ別個に続刊は調棺し
て、２つの半導体素子３５を均等に圧接するよ５に加圧
した状態にする。その後、その状態でボルト４４及びナ
ツト４５を締付げることにより、共通電極となるコレク
タ電極３．９ ａの内部接続端子４２ａとエミッタ電極
４０ｂの内部接続端子４２ｂとを電気的に接続し固定す
るものである。
２つ以上の回路構成要素の電極面を１つの共通電極によ
り同時に加圧接触させたいとと、部品や半導体素子の寸
法精度から均等に加圧接触させることは極めて困難であ
り、半導体素子や電極には圧力のアンバランスが生じる
。この場合、部分的に圧力が集中し、機械的歪が牛じて
半導体素子が劣化したり、又は部分的に放熱されれば温
度上列を招き半導体素子が劣化したりする。
り同時に加圧接触させたいとと、部品や半導体素子の寸
法精度から均等に加圧接触させることは極めて困難であ
り、半導体素子や電極には圧力のアンバランスが生じる
。この場合、部分的に圧力が集中し、機械的歪が牛じて
半導体素子が劣化したり、又は部分的に放熱されれば温
度上列を招き半導体素子が劣化したりする。
上記トランジスタモノニールでは、主トランジスタと帰
還ダイオードとの２つの回路要素を１つの半導体素子３
５に組込み、両省の市、（１１ζを同時に加圧している
ため、均等に加圧接触さすることができる。
還ダイオードとの２つの回路要素を１つの半導体素子３
５に組込み、両省の市、（１１ζを同時に加圧している
ため、均等に加圧接触さすることができる。
また、半導体素子、？ ５ 、３５間の共通’Ｋ ４Ｑ
しな分割（コレクタ％ 棚３３ ａ及びエミッタ′ｆＩ
・、極４ｏｂ ）ｊ、、それぞれ内部接続ｓ％ｊ子４２
ａ 、 ４２ ｂを対向して設けることにより、両′
屯Ｉ・仮を圧接げ１１に対して直角方向にスライドＥＩ
ｌ能とし、両電極を各々別個に加圧接触させた後、これ
ら両：’：ｌ： ４ｈを接続固定して共通電極とするよ
うにしているので、２つ半導体素子３５間にわたって各
１′１」１，１ヒを均等に加圧接触させることがてきる
。
しな分割（コレクタ％ 棚３３ ａ及びエミッタ′ｆＩ
・、極４ｏｂ ）ｊ、、それぞれ内部接続ｓ％ｊ子４２
ａ 、 ４２ ｂを対向して設けることにより、両′
屯Ｉ・仮を圧接げ１１に対して直角方向にスライドＥＩ
ｌ能とし、両電極を各々別個に加圧接触させた後、これ
ら両：’：ｌ： ４ｈを接続固定して共通電極とするよ
うにしているので、２つ半導体素子３５間にわたって各
１′１」１，１ヒを均等に加圧接触させることがてきる
。
さらに、半導体構成要素には、ばね圧接により電流が引
き出せる部分と、圧接により電流の引き出しが難しい部
分がある。引き出しの難しい部分もばね圧接されている
のでは、面積効率が悪く、不経済である。上記トランジ
スタモジュールにおいては、引き出しの容易な主トラン
ジスタ等の半導体素子３５はばね構体による圧接構造と
し、引き出しの困難な駆動トランジスタ等の駆動回路要
素５０を圧接部以外の個所で半田等により′「（１、極
に接続させるようにしているので、面積効率が良く、小
型化が可能となる。
き出せる部分と、圧接により電流の引き出しが難しい部
分がある。引き出しの難しい部分もばね圧接されている
のでは、面積効率が悪く、不経済である。上記トランジ
スタモジュールにおいては、引き出しの容易な主トラン
ジスタ等の半導体素子３５はばね構体による圧接構造と
し、引き出しの困難な駆動トランジスタ等の駆動回路要
素５０を圧接部以外の個所で半田等により′「（１、極
に接続させるようにしているので、面積効率が良く、小
型化が可能となる。
尚、上記実施例においては、−万の半導体素子３５側の
コレクタ電極３３ｈと他方の半導体系子側のエミッタ電
極４ Ｌ） ｂとを共通電極とし、回路構成を直列とし
たが、回路構成が並列である場合圧はエミッタ電極４０
ａ 、４０ｂを共通電極としそれぞれに内部接続端子を
設ける構成とすればよい。また、上記実施例においては
、主トランジスタ及び帰還トランジスタのような複数の
回路構成要素を一体化し１つの半導体素子３５とし、こ
れを１組のばね構体により圧接する構造としたが、これ
ら回路構成要素を個々の要素とし、これら複数の素子を
１釦のばね構体により同時に圧接する構造としてもよい
。また上記実施例においては、本発明をトランジスタモ
ジー−ルに適用した例について説明したが、これに限定
するものではなく、他のザイリスタモジュール等にも適
用できることは勿論である。
コレクタ電極３３ｈと他方の半導体系子側のエミッタ電
極４ Ｌ） ｂとを共通電極とし、回路構成を直列とし
たが、回路構成が並列である場合圧はエミッタ電極４０
ａ 、４０ｂを共通電極としそれぞれに内部接続端子を
設ける構成とすればよい。また、上記実施例においては
、主トランジスタ及び帰還トランジスタのような複数の
回路構成要素を一体化し１つの半導体素子３５とし、こ
れを１組のばね構体により圧接する構造としたが、これ
ら回路構成要素を個々の要素とし、これら複数の素子を
１釦のばね構体により同時に圧接する構造としてもよい
。また上記実施例においては、本発明をトランジスタモ
ジー−ルに適用した例について説明したが、これに限定
するものではなく、他のザイリスタモジュール等にも適
用できることは勿論である。
以上のように本発明によれば、トランジスタ。
ザイリスタ、ダイオード等のイ艮数の回路構成要素の電
極間及び素子間を共通電極により加圧接続させるように
した七ので、ポンディング及び半田接続構造の場合のよ
うに大電流が局部的に集中するようなことがなく、接続
個所全体にわたって均一に電流が流れるよう眞なり、破
壊等の発生を防止することができる（ｉ軸性に優れた半
導体装置を提供できる。
極間及び素子間を共通電極により加圧接続させるように
した七ので、ポンディング及び半田接続構造の場合のよ
うに大電流が局部的に集中するようなことがなく、接続
個所全体にわたって均一に電流が流れるよう眞なり、破
壊等の発生を防止することができる（ｉ軸性に優れた半
導体装置を提供できる。
第１図は従来のトランジスタモノニールの構造を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例に係るトランゾスタモ
ノー−ルの構造を示す平面図、第３図は同断面図、第４
図は第２図のモジュールにおける電極の構造を示す斜視
図、第５図は同じくエミッタ盤の構造を示す断面図であ
る。 Ｂ１・・・放熱基板、３２・・・セラミック板、３３ａ
。 ３３ｂ・・・コレクク電極、３４ｇ、３４ｂ・・・外部
接続端子、３５・・・半導体集子、３６ａ 、３６ｂ・
・・エミッタ盤、４０ｔ＋、４０ｂ・・・エミッタ電極
、４１ａ・・・外部接続端子、４２ａ、４２ｂ・・・内
部接続端子、４６・・・絶縁体、４７ａ、４７ｂ・・・
皿ばね、４８ ａ 、 ４８ ｂ−金属固定板、４９ａ
。 ４９ｂ・・・ボルト、５０・・・駆動回路要素、５２・
・・蓋体、５ Ｊ ａ ＋ ５．３ ｂ ＋ ５３ ｃ
・・・接着材。
面図、第２図は本発明の一実施例に係るトランゾスタモ
ノー−ルの構造を示す平面図、第３図は同断面図、第４
図は第２図のモジュールにおける電極の構造を示す斜視
図、第５図は同じくエミッタ盤の構造を示す断面図であ
る。 Ｂ１・・・放熱基板、３２・・・セラミック板、３３ａ
。 ３３ｂ・・・コレクク電極、３４ｇ、３４ｂ・・・外部
接続端子、３５・・・半導体集子、３６ａ 、３６ｂ・
・・エミッタ盤、４０ｔ＋、４０ｂ・・・エミッタ電極
、４１ａ・・・外部接続端子、４２ａ、４２ｂ・・・内
部接続端子、４６・・・絶縁体、４７ａ、４７ｂ・・・
皿ばね、４８ ａ 、 ４８ ｂ−金属固定板、４９ａ
。 ４９ｂ・・・ボルト、５０・・・駆動回路要素、５２・
・・蓋体、５ Ｊ ａ ＋ ５．３ ｂ ＋ ５３ ｃ
・・・接着材。
Claims (5)
- （１）放熱を兼ねる支持基体と、この支持基体上に配設
される共通絶縁板と、この共通絶縁板上に載置される圧
接型の半導体素子構体と、前記支持基体上に設けられ前
記半導体素子構体を覆う蓋体と、前記半導体素子構体に
電気的に接続される共通電極と、前記蓋体内において前
記半導体素子構体と前記共通電極とを加圧接続させるば
ね構体とを具備し、前記半導体素子構体は相互に絶縁さ
れた複数の回路構成要素を有することを特徴とする半導
体装置。 - （２）前記共通放熱板上に、前記半導体素子構体、共通
電極及びばね構体の組合せが複数縮設けられると共に、
同共通電極にそれぞれ、圧接面に対して直角方向に折り
曲げ形成され隣り合う共通電極間で相対向する内部接続
端子が設けられ、前記共通電極をそれぞれ前記半導体素
子構体に加圧接続させた後、対向する内部接続端子間を
電気的に接続し固定する特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。 - （３）前記半導体素子構体における複数の回路構成要素
は同一半導体基板に形成された特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の半導体装置。 - （４）前記半導体素子構体がトランジスタ及び帰還ダイ
オードにより構成されたものにおいて、当該主トランジ
スタ及び帰還ダイオードは前記ばね構体により前記共通
電極に加圧接続され、駆動トランジスタ又は駆動回路要
素は前記加圧接続以外の手段により前記共通電極の一部
に接続された特許請求の範囲第１項乃至第３項いずれか
記載の半導体装置。 - （５）前記共通電極から前記蓋体を貫通して外部接続端
子が導出されると共に、前記支持基体は金属製、前記蓋
体は樹脂製であり、同支持基体と同蓋体との間隙、及び
同蓋体と前記外部接続端子との間隙がそれぞれ異なる熱
膨張係数を有する樹脂により封止された特許請求の範囲
第１項乃至第４項いずれが記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18128683A JPS6074462A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体装置 |
| EP19840110766 EP0138048B1 (en) | 1983-09-29 | 1984-09-10 | Press-packed semiconductor device |
| DE84110766T DE3486256T2 (de) | 1983-09-29 | 1984-09-10 | Halbleiteranordnung in Druckpackung. |
| US06/650,107 US4694322A (en) | 1983-09-29 | 1984-09-13 | Press-packed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18128683A JPS6074462A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074462A true JPS6074462A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH0374035B2 JPH0374035B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=16098031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18128683A Granted JPS6074462A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266608A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Infineon Technologies Ag | 半導体モジュール |
| WO2017032356A1 (de) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiterbauelementmodul mit einer ein becken ausbildenden druckplatte |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52110342A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-16 | Nissan Motor Co Ltd | Fuel-air ratio control device for internal-combustion engine |
| JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS5410672A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-26 | Siemens Ag | Semiconductor |
| JPS5666049A (en) * | 1979-10-19 | 1981-06-04 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS56130958A (en) * | 1980-02-13 | 1981-10-14 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor forming unit |
| JPS5724749U (ja) * | 1980-07-15 | 1982-02-08 | ||
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4077845A (en) * | 1977-04-20 | 1978-03-07 | Miles Laboratories, Inc. | Disposable inoculation device and process of using same |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP18128683A patent/JPS6074462A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52110342A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-16 | Nissan Motor Co Ltd | Fuel-air ratio control device for internal-combustion engine |
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| JPS5666049A (en) * | 1979-10-19 | 1981-06-04 | Siemens Ag | Semiconductor device |
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| JPS5724749U (ja) * | 1980-07-15 | 1982-02-08 | ||
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007266608A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Infineon Technologies Ag | 半導体モジュール |
| WO2017032356A1 (de) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiterbauelementmodul mit einer ein becken ausbildenden druckplatte |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374035B2 (ja) | 1991-11-25 |
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