JPS6073625A - 再反転ネガ像の抑制された内部潜像型直接ポジハロゲン化銀感光材料 - Google Patents
再反転ネガ像の抑制された内部潜像型直接ポジハロゲン化銀感光材料Info
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- JPS6073625A JPS6073625A JP58182817A JP18281783A JPS6073625A JP S6073625 A JPS6073625 A JP S6073625A JP 58182817 A JP58182817 A JP 58182817A JP 18281783 A JP18281783 A JP 18281783A JP S6073625 A JPS6073625 A JP S6073625A
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- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/485—Direct positive emulsions
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- G03C1/48584—Direct positive emulsions non-prefogged, i.e. fogged after imagewise exposure spectrally sensitised
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はM接ポジハロゲン化銀写真感光材料の画質の改
良方法に関するもので、特に直接ボジノ為ロゲン化銀写
真感光材料の使用において高照度露光下で問題となる再
反転ネガ像の形成を抑制する方法に関するものである。
良方法に関するもので、特に直接ボジノ為ロゲン化銀写
真感光材料の使用において高照度露光下で問題となる再
反転ネガ像の形成を抑制する方法に関するものである。
又、本発明は、このような再反転ネガ像の抑制された直
接ポジハロゲン化銀感光材料に関するものである。
接ポジハロゲン化銀感光材料に関するものである。
ハロゲン化銀写真法の分野において、ポジ画像形成のた
めの反転処理を介することなく露光後単一処理でポジ写
真像を得るような写真法を直接ポジ写真法、そのような
写真法に用いる写真感光材料を直接ポジ写真感光材料と
称している。直接ポジ写真法として代表的なのは、予め
表面をカブらせたハロゲン化銀粒子を減感剤の存在下で
像様露光したのち現像する方法と、粒子内部に主として
感光核を有するハロゲン化銀乳剤を像様露光ののちに、
造核剤の存在下で、あるーは全面均一露光(光カブらせ
)処理のもとて表面現像する方法であり、本発明は特に
後者の方法に関するものである。即ち、ハロゲン化銀粒
子内部に感光核を有し、したがって粒子内部に主に潜像
が形成されるようなハロゲン化銀乳剤は内部潜像型(内
温型と以下略す)ハロゲン化銀乳剤とよばれ、主として
粒子表面上Vca像が形成される通常のハロゲン化銀孔
−j −/ −− 剤とけ本質的に異なる。
めの反転処理を介することなく露光後単一処理でポジ写
真像を得るような写真法を直接ポジ写真法、そのような
写真法に用いる写真感光材料を直接ポジ写真感光材料と
称している。直接ポジ写真法として代表的なのは、予め
表面をカブらせたハロゲン化銀粒子を減感剤の存在下で
像様露光したのち現像する方法と、粒子内部に主として
感光核を有するハロゲン化銀乳剤を像様露光ののちに、
造核剤の存在下で、あるーは全面均一露光(光カブらせ
)処理のもとて表面現像する方法であり、本発明は特に
後者の方法に関するものである。即ち、ハロゲン化銀粒
子内部に感光核を有し、したがって粒子内部に主に潜像
が形成されるようなハロゲン化銀乳剤は内部潜像型(内
温型と以下略す)ハロゲン化銀乳剤とよばれ、主として
粒子表面上Vca像が形成される通常のハロゲン化銀孔
−j −/ −− 剤とけ本質的に異なる。
内温型ハロゲン化銀乳剤においては、露光された粒子は
、粒子内部の感光核に生じた潜像が造核剤の注入する電
子を奪い取るために、実質上表面造核現像を受けなり0
一方、未露光の粒子は内部潜像をもたないため、造核剤
からの電子供与によって表面に潜像(カブリ核)が形成
されて表面現像可能となる。このように、露光後の表面
造核現像によって一段階でポジ像が形成される。
、粒子内部の感光核に生じた潜像が造核剤の注入する電
子を奪い取るために、実質上表面造核現像を受けなり0
一方、未露光の粒子は内部潜像をもたないため、造核剤
からの電子供与によって表面に潜像(カブリ核)が形成
されて表面現像可能となる。このように、露光後の表面
造核現像によって一段階でポジ像が形成される。
−j−,2−
表面造核現像によって直接ポジ像を得る上記の方法が、
写真の応用分野において実用上受は入れられるためには
、写真感度の向上、最高濃度(Dmax)の増加、最低
濃度(I)min)の低下といった写真の基礎特性の改
善が要求されることは言うまでもなく、この目的で乳剤
物性、増感剤、造核剤等の写真要素の改良に関して後述
のようが多くの特許(出願)が公開されている。しかし
ながら、従来、実用内温型直接ポジ乳剤の本質的欠陥で
あった再反転ネガイ濠の発生は、画質低下をもたらす大
負な問題であるにもかかわらず、未解決のままであった
。この内温型乳剤に特徴的な再反転ネガ像の発生は、感
材を高照度下で露光した場合、峙て太陽光やカメラのス
トロボ等の反射光に曝したときなどに顕著に起こり、感
材フィルム上に黒褐色の斑点としてプリントアウトする
。このような高照度再反転ネガ像の発生を抑止し画質を
改善するための積極的な対策が要求されてきた。
写真の応用分野において実用上受は入れられるためには
、写真感度の向上、最高濃度(Dmax)の増加、最低
濃度(I)min)の低下といった写真の基礎特性の改
善が要求されることは言うまでもなく、この目的で乳剤
物性、増感剤、造核剤等の写真要素の改良に関して後述
のようが多くの特許(出願)が公開されている。しかし
ながら、従来、実用内温型直接ポジ乳剤の本質的欠陥で
あった再反転ネガイ濠の発生は、画質低下をもたらす大
負な問題であるにもかかわらず、未解決のままであった
。この内温型乳剤に特徴的な再反転ネガ像の発生は、感
材を高照度下で露光した場合、峙て太陽光やカメラのス
トロボ等の反射光に曝したときなどに顕著に起こり、感
材フィルム上に黒褐色の斑点としてプリントアウトする
。このような高照度再反転ネガ像の発生を抑止し画質を
改善するための積極的な対策が要求されてきた。
本発明の目的は、上記の高照度再反転ネガ像の発生を抑
制する方法を提供すること、又、再反転ネガ像の発生を
抑制することにより写真特性が実用上改善されたぼ接ポ
ジハロゲン化銀感光材料を提供することにある。
制する方法を提供すること、又、再反転ネガ像の発生を
抑制することにより写真特性が実用上改善されたぼ接ポ
ジハロゲン化銀感光材料を提供することにある。
特に、本発明の目的は、円満型ハロゲン化銀写真乳剤を
造核剤の存在下で表面現像して直接ポジ像を得る写真法
において、再反転ネガ像の発生が抑制されて(す々わち
再反転ネガ像が減感されて)直接ポジ像の画質が実用上
良化され、かつ良好な最大濃度と最小濃度および速い現
像進行を有する直接ポジ用ハロゲン化銀写真感光材料を
得ることにある。
造核剤の存在下で表面現像して直接ポジ像を得る写真法
において、再反転ネガ像の発生が抑制されて(す々わち
再反転ネガ像が減感されて)直接ポジ像の画質が実用上
良化され、かつ良好な最大濃度と最小濃度および速い現
像進行を有する直接ポジ用ハロゲン化銀写真感光材料を
得ることにある。
本発明者らは、上記目的を達成するにあたり、まず以下
に述べる再反転ネガ像形成の原理を仮定し、これに基づ
いて、ネガ像抑制に必要な反応原理とネガ像抑制剤のも
つべき化学的性質とを見い出した。
に述べる再反転ネガ像形成の原理を仮定し、これに基づ
いて、ネガ像抑制に必要な反応原理とネガ像抑制剤のも
つべき化学的性質とを見い出した。
く再反転ネガ像生成の原理〉
第1図は内温型ハロゲン化銀結晶の表面のバンド構造と
増感色素のエネルギーレベルを描いたもので、h(2は
伝導帯レベル、Evは価電子帯レベル、Eil’;r結
晶内部での潜像形成の核と々る電子トラップ(感光核)
のレベル、E、は結晶表面でのネガ像形成の核と々る電
子トラップのレベル、またS。とS*はそれぞれ増感色
素の基底状態と励起状態のドナーレベルを示す。e−と
h+はそれぞれ励起電子と正孔を示す。h’vとhv’
はそれぞれ励起光のエネルギーに対応する。
増感色素のエネルギーレベルを描いたもので、h(2は
伝導帯レベル、Evは価電子帯レベル、Eil’;r結
晶内部での潜像形成の核と々る電子トラップ(感光核)
のレベル、E、は結晶表面でのネガ像形成の核と々る電
子トラップのレベル、またS。とS*はそれぞれ増感色
素の基底状態と励起状態のドナーレベルを示す。e−と
h+はそれぞれ励起電子と正孔を示す。h’vとhv’
はそれぞれ励起光のエネルギーに対応する。
いま、ハロゲン化銀(AgX)が露光されると、露光が
固有域における場合はハロゲン化銀表面の電子が伝導帯
へ励起されて価電子帯に正孔を生じ、分光増N&(色増
感)域の露光の場合は吸着色素から伝導帯への励起電子
の注入が起こって色素の正孔が表面に生ずる。伝導帯に
生じた電子はある短かい時間(一般に10 ’j以下)
内にバンドの曲がり(band bending )に
沿って結晶中バルクへ拡散し内部に存在する電子トラッ
プ(Ti )に捕えられた後内部潜像核を形成する。こ
の過程ij露光強度があまり強くな−常用露光強度の範
囲においては普通に起こる内部潜像形成の過程である。
固有域における場合はハロゲン化銀表面の電子が伝導帯
へ励起されて価電子帯に正孔を生じ、分光増N&(色増
感)域の露光の場合は吸着色素から伝導帯への励起電子
の注入が起こって色素の正孔が表面に生ずる。伝導帯に
生じた電子はある短かい時間(一般に10 ’j以下)
内にバンドの曲がり(band bending )に
沿って結晶中バルクへ拡散し内部に存在する電子トラッ
プ(Ti )に捕えられた後内部潜像核を形成する。こ
の過程ij露光強度があまり強くな−常用露光強度の範
囲においては普通に起こる内部潜像形成の過程である。
r−
しかしながら、ハロゲン化銀が強い光強度のもとで露光
され、短時間内に多ぐの励起電子と正孔が一度に生じる
場合は状況が異ってくる。この場合、上述の励起電子の
内部への拡散と感光核でのトラップが起こるよりも速く
伝導帯内に多量の電子が注入される結果、伝導帯には瞬
間光電子が蓄積されてバンドの曲がりが緩和され(図の
破線の状態)これによって光電子の内部への拡散は抑制
される。さらに、表面に多量に生じた正孔はそれが作る
電場によって光電子の内部への移動を抑える影響ともた
らすであろう。このようが状態では、光電子はその寿命
の間に表面近くで正孔と再結合して失活してしまうか、
あるいは適当か表面のトラップ(Ts)に捕えられて表
面潜像核を形成する確率が高くなる。後者の場合、表面
潜像核は表面現像処理によって銀像を与えるため、実際
上、上記のような高照度露光によりハロゲン化銀表面に
いわゆる再反転ネガ像が発生する結果になる。
され、短時間内に多ぐの励起電子と正孔が一度に生じる
場合は状況が異ってくる。この場合、上述の励起電子の
内部への拡散と感光核でのトラップが起こるよりも速く
伝導帯内に多量の電子が注入される結果、伝導帯には瞬
間光電子が蓄積されてバンドの曲がりが緩和され(図の
破線の状態)これによって光電子の内部への拡散は抑制
される。さらに、表面に多量に生じた正孔はそれが作る
電場によって光電子の内部への移動を抑える影響ともた
らすであろう。このようが状態では、光電子はその寿命
の間に表面近くで正孔と再結合して失活してしまうか、
あるいは適当か表面のトラップ(Ts)に捕えられて表
面潜像核を形成する確率が高くなる。後者の場合、表面
潜像核は表面現像処理によって銀像を与えるため、実際
上、上記のような高照度露光によりハロゲン化銀表面に
いわゆる再反転ネガ像が発生する結果になる。
くネガ像抑制の原理〉
上述の再反転ネガ像形成の過程において、表面−タ −
ネガ潜像核を生ぜしめる王たる原理は、伝導帯光電子を
表面に引きつけるバルクの正孔の存在と、バンド曲がり
の緩和による光電子の表面への逆拡散と考えられる。こ
れらの現象全抑制する1つの手段は、上記の正孔を電気
的に速やかに中和し、かつ表面へ逆拡散して表面潜像核
の形成をもたらす光電子を効率よく捕獲できる化合物を
乳剤系に添加することである。
表面に引きつけるバルクの正孔の存在と、バンド曲がり
の緩和による光電子の表面への逆拡散と考えられる。こ
れらの現象全抑制する1つの手段は、上記の正孔を電気
的に速やかに中和し、かつ表面へ逆拡散して表面潜像核
の形成をもたらす光電子を効率よく捕獲できる化合物を
乳剤系に添加することである。
図2には、このようか化合物によるネガ像抑制の原理と
機構を示した。化合物は電子供与性の化合物であり、ま
ず始めに光反応で生じたハロゲン化銀もしくは増感色素
の正孔に電子を供与してこれを中和する。ついで生じた
化合物の正孔(酸化体ラジカル)は、ハロゲン化銀表面
に逆拡散してくる光電子やすでに表面トラップ(T8)
に捕えられた光電子を再トラップして、表面潜像核の形
成を防止する。このような機構に従ってネガ像生成が抑
制されるためKは、化合物には以下の条件が要求される
と考えられる。
機構を示した。化合物は電子供与性の化合物であり、ま
ず始めに光反応で生じたハロゲン化銀もしくは増感色素
の正孔に電子を供与してこれを中和する。ついで生じた
化合物の正孔(酸化体ラジカル)は、ハロゲン化銀表面
に逆拡散してくる光電子やすでに表面トラップ(T8)
に捕えられた光電子を再トラップして、表面潜像核の形
成を防止する。このような機構に従ってネガ像生成が抑
制されるためKは、化合物には以下の条件が要求される
と考えられる。
(1)電子供与性であり、化合物の酸化電位がハロゲン
化銀の価電子帯レベルおよび既存の分光増感色素の正孔
レベル(酸化電位)より電気化学的に卑である。
化銀の価電子帯レベルおよび既存の分光増感色素の正孔
レベル(酸化電位)より電気化学的に卑である。
(2)表面潜像核をブリーチできる性質から、化合物の
酸化電位(正孔レベル)が、表面トラップのレベルE8
より責である。
酸化電位(正孔レベル)が、表面トラップのレベルE8
より責である。
(3)化合物の正孔が比較的安定である必要から化合物
が電子的共鳴構造會とっている。
が電子的共鳴構造會とっている。
(4)化合物がハロゲン化銀表面に吸着する性質のもの
であること。
であること。
本発明者等は、以上の性質を備えた化合物を探索した結
果、電子供与性であり、しかもノ・ロゲン化銀に吸着し
うるシアニン色素又はメロシアニン色素(これらの色素
はその本質上、実子的共鳴構造をもつ)がネガ像抑制の
目的を達成するうえで非常に有効なことを見出した。特
に顕著なネガ像抑制効果は、上記(1)の条件を満たす
比較的環な酸化電位(飽和カロメル標準電極に対して+
0.3〜O1りV%特に好ましくは+o、4A〜θ、ざ
V)を有する上記の色素の集団にみられた。本発明者等
はこれらの色票類を内部潜像型直接ポジハロゲン化銀感
材の親水性コロイド層C好ましくはハロゲン化銀乳剤層
)[適量(例えばハロゲン化銀1モル当り10 〜jX
10−3モル)添加する事により、直接ポジ写真感材の
再反転ネガ像を効果的に抑制し実用上画質を良化できる
ことを実験的に確認し、本発明を達成するに至った。
果、電子供与性であり、しかもノ・ロゲン化銀に吸着し
うるシアニン色素又はメロシアニン色素(これらの色素
はその本質上、実子的共鳴構造をもつ)がネガ像抑制の
目的を達成するうえで非常に有効なことを見出した。特
に顕著なネガ像抑制効果は、上記(1)の条件を満たす
比較的環な酸化電位(飽和カロメル標準電極に対して+
0.3〜O1りV%特に好ましくは+o、4A〜θ、ざ
V)を有する上記の色素の集団にみられた。本発明者等
はこれらの色票類を内部潜像型直接ポジハロゲン化銀感
材の親水性コロイド層C好ましくはハロゲン化銀乳剤層
)[適量(例えばハロゲン化銀1モル当り10 〜jX
10−3モル)添加する事により、直接ポジ写真感材の
再反転ネガ像を効果的に抑制し実用上画質を良化できる
ことを実験的に確認し、本発明を達成するに至った。
本願明細書中で使用される「再反転抑制剤」なる用語は
、先の説明から明らかなように、直接ポジハロゲン化銀
感材中に添加した場合に再反転ネガ像の相対感度が減少
する物を意味する。
、先の説明から明らかなように、直接ポジハロゲン化銀
感材中に添加した場合に再反転ネガ像の相対感度が減少
する物を意味する。
本発明の再反転ネガ像の抑制方法は、下記のような直接
ポジハロゲン化銀写真感材に適用すると°特に効果的で
ある。
ポジハロゲン化銀写真感材に適用すると°特に効果的で
ある。
即ち、内部潜像型直接ポジハロゲン化銀写真感光材料を
構成する内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤層の少な
くとも一つが再反転抑制剤(電子供与性であり、かつハ
ロゲン化銀への吸着可能なシアニン色素又はメロシアニ
ン色素)を含有しない場合に、この再反転抑制剤を含有
しない乳剤を l 2− 下記の条件下で塗布、露光及び現像処理した場合の乳剤
層の高照度再反転ネガ像の最大感度が下記の感度表示基
準において30以上、なかでも30以上であるような内
部潜像型直接ポジハロゲン化銀感材。
構成する内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤層の少な
くとも一つが再反転抑制剤(電子供与性であり、かつハ
ロゲン化銀への吸着可能なシアニン色素又はメロシアニ
ン色素)を含有しない場合に、この再反転抑制剤を含有
しない乳剤を l 2− 下記の条件下で塗布、露光及び現像処理した場合の乳剤
層の高照度再反転ネガ像の最大感度が下記の感度表示基
準において30以上、なかでも30以上であるような内
部潜像型直接ポジハロゲン化銀感材。
塗布条件:透明支持体上の片面にハロゲン化銀乳剤を銀
の量としてz、097m2 となるように均一に一層塗布し、黒 白内部潜像型直接ポジ感材を作成す る。ただし、乳剤には本願明細書の 実施例1に記載する造核剤工を添加 し、現像後得られる直接ポジ像の最 大濃度が1.0以上となるよう添加 量を調節するものとする。
の量としてz、097m2 となるように均一に一層塗布し、黒 白内部潜像型直接ポジ感材を作成す る。ただし、乳剤には本願明細書の 実施例1に記載する造核剤工を添加 し、現像後得られる直接ポジ像の最 大濃度が1.0以上となるよう添加 量を調節するものとする。
露光条件:キセノン灯を光源とする色温度≠。
r o o ’ Kの白色光で感材の乳剤面側に//1
0,000秒の露光を行 う。
0,000秒の露光を行 う。
処理条件:l−フェニルー3−ピラゾリドンθ。
Ot w t%、ハイドロキノン/ w t−/J−/
− 係、亜硫酸ナトリウムJwt%、リ ン酸三ナトリウム4’ w t ’Aおよび水酸化ナト
リウム/、/wt%から成 る表面現像液を用いて、200Cで io分間現像したのち、定着と水洗 を行う。
− 係、亜硫酸ナトリウムJwt%、リ ン酸三ナトリウム4’ w t ’Aおよび水酸化ナト
リウム/、/wt%から成 る表面現像液を用いて、200Cで io分間現像したのち、定着と水洗 を行う。
ネガ感度標示:ネガ像の(最大濃度十最小濃度)X//
コの濃度点における露光 量(cd、m、s、)の逆数のi。
コの濃度点における露光 量(cd、m、s、)の逆数のi。
0倍とする。
本発明の方法が適用される直接ポジハロゲン化銀写真感
材は、支持体上に少くとも一層のへロゲー /J −コ
− ン化銀乳剤層を有し、該乳剤層の少くとも一層が、プロ
ジエクテド、・エリア法(Projectedarea
method)により測定された粒子の平均辺長が0
.7μm以上のハロゲン化銀粒子群を少くとも一種含有
するものが好ましい。
材は、支持体上に少くとも一層のへロゲー /J −コ
− ン化銀乳剤層を有し、該乳剤層の少くとも一層が、プロ
ジエクテド、・エリア法(Projectedarea
method)により測定された粒子の平均辺長が0
.7μm以上のハロゲン化銀粒子群を少くとも一種含有
するものが好ましい。
また直接ポジハロゲン化銀写真感材は支持体上に分光増
感色素により分光増感された直接ポジハロゲン化銀乳剤
層ケ少くとも一層有し、しかも使用される再反転抑制剤
の酸化電位が上記分光増感色素の酸化電位よりも電気化
学的に卑であるものが好ましい。
感色素により分光増感された直接ポジハロゲン化銀乳剤
層ケ少くとも一層有し、しかも使用される再反転抑制剤
の酸化電位が上記分光増感色素の酸化電位よりも電気化
学的に卑であるものが好ましい。
本発明の方法が適用される感材は、直接ポジ乳剤が使用
されるものであれば特に制限か庁く、黒白感材ヤもカラ
ー感材でもよい。カラー感材としては、例えばカプラー
が使用される、いわゆる執コンインショナル(Conv
ention’al )感材”でも、或いはカラー拡散
転写法が利用される感材でも、或いは特開昭5r−zr
、t≠3号等に記載されているような感熱記録用感材で
あってもよい。
されるものであれば特に制限か庁く、黒白感材ヤもカラ
ー感材でもよい。カラー感材としては、例えばカプラー
が使用される、いわゆる執コンインショナル(Conv
ention’al )感材”でも、或いはカラー拡散
転写法が利用される感材でも、或いは特開昭5r−zr
、t≠3号等に記載されているような感熱記録用感材で
あってもよい。
本発明の再反転ネガ像の抑制方法について以下−l グ
ー に詳しく説明する。
ー に詳しく説明する。
本発明に使用しうるシアニン色素やメロシアニン色素は
、モノメチンシアニン、トリメチンシアニン、ペンタメ
チンシアニン、アポメロシアニン、ジメチンメロシアニ
ンやテトラメチンメロシアニン、或いは三核メロシアニ
ン等から選ばれ、更に具体的には下記の一般式(I)〜
(DOで表わされるシアニン色素やメロシアニン色素か
ら選ばれる。シアニン色素とメロシアニン色素はそれぞ
れ少くとも一種用いる事がで負、又、シアニン色素とメ
ロシアニン色素を組合せて用いる事ができる。
、モノメチンシアニン、トリメチンシアニン、ペンタメ
チンシアニン、アポメロシアニン、ジメチンメロシアニ
ンやテトラメチンメロシアニン、或いは三核メロシアニ
ン等から選ばれ、更に具体的には下記の一般式(I)〜
(DOで表わされるシアニン色素やメロシアニン色素か
ら選ばれる。シアニン色素とメロシアニン色素はそれぞ
れ少くとも一種用いる事がで負、又、シアニン色素とメ
ロシアニン色素を組合せて用いる事ができる。
一般式(I)
ここでZll及びZ121’j各々チアゾール核、チア
ゾリン核、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾニル核、
ベンゾセレナゾール核又はナフトセレ−/!F− ナゾール核を完成するのに必要な非金属原子群を表わす
。R11及びR1’2は各々アルキル基を表わす。Rr
ot;j水素原子、アルキル基又はアリール基を表わす
。X1eは酸アニオンを表わし、nは0又はlを表わす
。
ゾリン核、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾニル核、
ベンゾセレナゾール核又はナフトセレ−/!F− ナゾール核を完成するのに必要な非金属原子群を表わす
。R11及びR1’2は各々アルキル基を表わす。Rr
ot;j水素原子、アルキル基又はアリール基を表わす
。X1eは酸アニオンを表わし、nは0又はlを表わす
。
本願明細書に於て、「アルキル基Cアルキル残基本含む
)」や「アリール基(アリール残基)」なる用語はその
置換体も含む意味で用いられている。
)」や「アリール基(アリール残基)」なる用語はその
置換体も含む意味で用いられている。
一般式(II)
w21. w22. w23及びw24は各々水素゛原
子、アルキ゛ル基又はアリール基を示す。但しWSlt
とw22−及びw23とw24とは互−八に結合してベ
ンゼン環、又はナフタレン環全形成してよく、さらにそ
れらは置換基を有してもよい。
子、アルキ゛ル基又はアリール基を示す。但しWSlt
とw22−及びw23とw24とは互−八に結合してベ
ンゼン環、又はナフタレン環全形成してよく、さらにそ
れらは置換基を有してもよい。
R21及びR22fl各々アルキル基を表わす。
−/ t −
R20は水素原子、アルキル基又はアリール基を表わす
。X2θは酸アニオンケ表わし、nはO又はlを表わす
。
。X2θは酸アニオンケ表わし、nはO又はlを表わす
。
一般式(III)
(X aθ)n
V31〜VaSは各々水素原子、ハロゲン原子、トリフ
ルオロメチル基、シアン基、カルボキシル基、アルコキ
シカルボニル基、スルファモイル基、スルホニル基、又
はカルバモイル基を表わす。まws ValとVa2I
IV32とV33% Vas!:Va4、Va sとV
a 6% Va 6とVa 7% 又Ttl■37とV
aSが連結して炭素環(例えばベンゼン環でこれに置換
基がついていてもよい。)を形成してもよい。R3t〜
R34は各々アルキル基を表わす。Rsoは水素原子、
アルキル基又はアリール基を表わす。X30は酸アニオ
ンを表わし、nはO又はlを表わす。
ルオロメチル基、シアン基、カルボキシル基、アルコキ
シカルボニル基、スルファモイル基、スルホニル基、又
はカルバモイル基を表わす。まws ValとVa2I
IV32とV33% Vas!:Va4、Va sとV
a 6% Va 6とVa 7% 又Ttl■37とV
aSが連結して炭素環(例えばベンゼン環でこれに置換
基がついていてもよい。)を形成してもよい。R3t〜
R34は各々アルキル基を表わす。Rsoは水素原子、
アルキル基又はアリール基を表わす。X30は酸アニオ
ンを表わし、nはO又はlを表わす。
一般式(V)
V4 t〜V44% R4を及びR42nそり、ぞh一
般式(III)KおけるVat〜V34、Rat及びR
32と同義であり、w41、w42及びR43はそれぞ
れ一般式(I[)におけるw21、w22及びR21と
同義である。R40け水素原子、アルキル基又はアリー
ル基を表わす。X4C)は酸アニオンを表わし、nはO
又は/を表わす。
般式(III)KおけるVat〜V34、Rat及びR
32と同義であり、w41、w42及びR43はそれぞ
れ一般式(I[)におけるw21、w22及びR21と
同義である。R40け水素原子、アルキル基又はアリー
ル基を表わす。X4C)は酸アニオンを表わし、nはO
又は/を表わす。
一般式(V)
Zat、TLso及びR51はそれぞれ一般式(I)K
おける211、Rto及びR11と同義でありSWs
1.Ws 2及びR52iiそれぞれ一般式(II)K
おけるw21、w22及び)’121と同義である◎X
5θは酸アニオン分表わし、nは0又けlを表わす。
おける211、Rto及びR11と同義でありSWs
1.Ws 2及びR52iiそれぞれ一般式(II)K
おけるw21、w22及び)’121と同義である◎X
5θは酸アニオン分表わし、nは0又けlを表わす。
一般式(VI)
V61〜V64、Rat及びR62はそれぞれ一般式(
III)Kオけるv31〜■34、Ra 1及びR32
と同義であり、zctt、Raa及びRa。
III)Kオけるv31〜■34、Ra 1及びR32
と同義であり、zctt、Raa及びRa。
はそれぞれ一般式(I)におけるZll、R12及びR
IOと同義である。Zatはさらにインドリン核を完成
するのに必要が非金属原子群を含む。
IOと同義である。Zatはさらにインドリン核を完成
するのに必要が非金属原子群を含む。
X60は酸アニオンを表わし、n1lt0又はlを表わ
す。
す。
−lター
一般式(■)
Zyt及rJ”Z72Fi各々ベンゾオキサゾール核、
ベンゾチアゾール核、ベンゾセレナゾール核、ナフトオ
キサゾール核、ナフトチアゾール核、ナフトセレナゾー
ル核、チアゾール核、チアゾリン核、オキサゾール核、
セレナゾール核、セレナゾリン核、ピリジン核又はキノ
リン核を完成するに必要な非金属原子群を表わす。R7
1及びR72は各々アルキル基を表わす。X7eは酸ア
ニオンを表わし、nはO又はlを表わす。
ベンゾチアゾール核、ベンゾセレナゾール核、ナフトオ
キサゾール核、ナフトチアゾール核、ナフトセレナゾー
ル核、チアゾール核、チアゾリン核、オキサゾール核、
セレナゾール核、セレナゾリン核、ピリジン核又はキノ
リン核を完成するに必要な非金属原子群を表わす。R7
1及びR72は各々アルキル基を表わす。X7eは酸ア
ニオンを表わし、nはO又はlを表わす。
一般式(■)
−,20−
Zgl及びZ82Fi各々ピリジン核、キノリン核、ベ
ンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンズオキサ
ゾール核、ベンゾセレナゾール核、ナフトオキサゾール
核、ナフトセレナゾール核、チアゾール核、又はチアゾ
リン核を完成するに必要な非金属原子群を表わす。Rs
t及びRs2は各々アルキル基音表わす。R80、R8
01、及びR802は水素原子、アルキル基、又はノ飄
ロゲン原子を表わす。R801とR802は結合して環
を形成してもよい。X8θは酸アニオンを表わし、nは
O又はlを表わす。
ンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンズオキサ
ゾール核、ベンゾセレナゾール核、ナフトオキサゾール
核、ナフトセレナゾール核、チアゾール核、又はチアゾ
リン核を完成するに必要な非金属原子群を表わす。Rs
t及びRs2は各々アルキル基音表わす。R80、R8
01、及びR802は水素原子、アルキル基、又はノ飄
ロゲン原子を表わす。R801とR802は結合して環
を形成してもよい。X8θは酸アニオンを表わし、nは
O又はlを表わす。
一般式(IX)
1’Lot R92
z9はチアゾリン核、チアゾリジン核、セレナゾリン核
、セレナゾリジン族、ピロリジン核、ジヒドロピリジン
核、オキサジノン核、オキt / IJジン核、イミダ
シリン核、インドリン核、テトラゾリン核、ベンゾチア
ゾリン核、ベンゾセレナゾリン核、ベンズイミダシリン
核、ベンズオキサジノン核、ナフトチアゾリン核、ナフ
トセレナゾリン核、ナフトオキサジノン核、ナフトイミ
ダシリン核又はジヒドロキノリン核を完成するのに必要
な非金属原子群を表わす。Qはローダニン核、2−チオ
オキサゾリン−2,グージオン核、コーチオセレナゾリ
ンー2.弘−ジオン核、コーチオヒタントイン核、バル
ビッール酸核又はコーチオパルビツール酸核を完成する
に必要な非金属原子群を表わす。R91及びR92は各
々水素原子、アルキル基、又はアリール基會表わす。Y
91及びYO2は各々水素原子、アルキル基又はアリー
ル基を表わす。mは0./又はコを表わし)pはO又は
/を表わす。
、セレナゾリジン族、ピロリジン核、ジヒドロピリジン
核、オキサジノン核、オキt / IJジン核、イミダ
シリン核、インドリン核、テトラゾリン核、ベンゾチア
ゾリン核、ベンゾセレナゾリン核、ベンズイミダシリン
核、ベンズオキサジノン核、ナフトチアゾリン核、ナフ
トセレナゾリン核、ナフトオキサジノン核、ナフトイミ
ダシリン核又はジヒドロキノリン核を完成するのに必要
な非金属原子群を表わす。Qはローダニン核、2−チオ
オキサゾリン−2,グージオン核、コーチオセレナゾリ
ンー2.弘−ジオン核、コーチオヒタントイン核、バル
ビッール酸核又はコーチオパルビツール酸核を完成する
に必要な非金属原子群を表わす。R91及びR92は各
々水素原子、アルキル基、又はアリール基會表わす。Y
91及びYO2は各々水素原子、アルキル基又はアリー
ル基を表わす。mは0./又はコを表わし)pはO又は
/を表わす。
11・ 12・ 21・R22・
ここで、RRR
Rst・ R32・ R113・R84・ R41・R
42・R43・ R51・ R62・R61・R62・
R63・R,RR及びR8□で表わされ 71 72′% 81’ るアルキル基は無置換及び置換アルキル基を含み、無置
換アルキル基としては、炭素原子の数が/1以下、特に
l以下が好ましく、例えばメチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、n−メチル基、n −ヘキシル基、n−オク
タデシル基などがあげられる。また、置換アルキル基と
しては、アルキル部分の炭素原子の数がl以下のものが
好ましく、特に炭素原子□の数がl以下のものが好まし
く、例えば、スルホ基で置換されたアルキル基(スルホ
基はアルコキシ基や了り−ル基等を介して結合していて
もよい。例えばコースルホエチル基、3−スルホプロピ
ル基、3−スルホブチル基、弘−スルホブチル基1.2
−(3−スルホプロポキシ)エチル基、コー(,2−(
J−スルホプロポキシ)エトキシ〕エチル基、2−ヒド
ロキシ−3−スルホプロピル基、p−スルホフェネチル
基、p−スルホ23− フェニルプロピル基など)カルボキシ基で置換されたア
ルキル基(カルボキシ基はアルコキシ基やアリール基等
を介して結合していてもよい。例えば、カルボキシメチ
ル基、コーカルボキシエチル基、3−カルボキシプロピ
ル基、l−カルボキシブチル基、など)、ヒドロキシア
ルキル基(例えハ、コーヒドロキシエチル基、3−ヒド
ロキシゾロビル基、など)、アシロキシアルキル基(例
えば、λ−アセトキシエチル基、3−アセトキシプロピ
ル基など)、アルコキシアルキル基(例えば、λ−メト
キシエチル基、3−メトキシプロピル基、など)、アル
コキシカルボニルアルキル基(例工ば、コーメトキシカ
ルボニルエチル基、3−メトキシカルボニルプロ2ル基
、μ−エトキシカルボニルブチル基、など)、ビニル基
置換アルキル基(例えばアリル基)、シアノアルキル基
(例えばコーシアノエチル基など)、カルバモイルアル
キル基(例えばコーカルパモイルエチル基力ど)、アリ
ーロキシアルキル基(例えば−一フエノキシエチル基、
3−フェノキシプロビル基なト)、ア24− ラルキル基(例えばλ−フェネチル基、3−フェニルプ
ロピル基、など)、又はアリーロキシアルキル基(例工
ばλ−フェノキシエチル基、3−フェノキシプロビル基
など)などがあげられる。
42・R43・ R51・ R62・R61・R62・
R63・R,RR及びR8□で表わされ 71 72′% 81’ るアルキル基は無置換及び置換アルキル基を含み、無置
換アルキル基としては、炭素原子の数が/1以下、特に
l以下が好ましく、例えばメチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、n−メチル基、n −ヘキシル基、n−オク
タデシル基などがあげられる。また、置換アルキル基と
しては、アルキル部分の炭素原子の数がl以下のものが
好ましく、特に炭素原子□の数がl以下のものが好まし
く、例えば、スルホ基で置換されたアルキル基(スルホ
基はアルコキシ基や了り−ル基等を介して結合していて
もよい。例えばコースルホエチル基、3−スルホプロピ
ル基、3−スルホブチル基、弘−スルホブチル基1.2
−(3−スルホプロポキシ)エチル基、コー(,2−(
J−スルホプロポキシ)エトキシ〕エチル基、2−ヒド
ロキシ−3−スルホプロピル基、p−スルホフェネチル
基、p−スルホ23− フェニルプロピル基など)カルボキシ基で置換されたア
ルキル基(カルボキシ基はアルコキシ基やアリール基等
を介して結合していてもよい。例えば、カルボキシメチ
ル基、コーカルボキシエチル基、3−カルボキシプロピ
ル基、l−カルボキシブチル基、など)、ヒドロキシア
ルキル基(例えハ、コーヒドロキシエチル基、3−ヒド
ロキシゾロビル基、など)、アシロキシアルキル基(例
えば、λ−アセトキシエチル基、3−アセトキシプロピ
ル基など)、アルコキシアルキル基(例えば、λ−メト
キシエチル基、3−メトキシプロピル基、など)、アル
コキシカルボニルアルキル基(例工ば、コーメトキシカ
ルボニルエチル基、3−メトキシカルボニルプロ2ル基
、μ−エトキシカルボニルブチル基、など)、ビニル基
置換アルキル基(例えばアリル基)、シアノアルキル基
(例えばコーシアノエチル基など)、カルバモイルアル
キル基(例えばコーカルパモイルエチル基力ど)、アリ
ーロキシアルキル基(例えば−一フエノキシエチル基、
3−フェノキシプロビル基なト)、ア24− ラルキル基(例えばλ−フェネチル基、3−フェニルプ
ロピル基、など)、又はアリーロキシアルキル基(例工
ばλ−フェノキシエチル基、3−フェノキシプロビル基
など)などがあげられる。
R10%R20・R30・R2O・R50・R6゜、R
80”’801及びRで表わさ 02 れるアルキル基は無置換及び置換アルキル基を含み、無
置換アルキル基としては、炭素原子数が参以下のものが
好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基など
が挙げられる。また置換アルキル基としては、アラルキ
ル基(例えばベンジル基、2−フェネチル基)などが挙
げられる。またアリール基としては、例えばフェニル基
などが挙げられる。
80”’801及びRで表わさ 02 れるアルキル基は無置換及び置換アルキル基を含み、無
置換アルキル基としては、炭素原子数が参以下のものが
好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基など
が挙げられる。また置換アルキル基としては、アラルキ
ル基(例えばベンジル基、2−フェネチル基)などが挙
げられる。またアリール基としては、例えばフェニル基
などが挙げられる。
80・ 801. 802のパ6ゲ7原子RR及びR
としては例えば塩素原子、弗素原子又は臭素原子などが
あげられる。R801とR802とが連結して形成され
る環としては、を員環が挙げられる。
あげられる。R801とR802とが連結して形成され
る環としては、を員環が挙げられる。
RR及びR6゜として好ましいものは、1い 20
3o蒐 、。、R6゜とじて好まし
エチル基、RR
いものは水素原子である。
マq、、c2で表わされる酸アニオンとしては、例えば
クロライド、ブロマイド、ヨーダイト、メチルサルフェ
ート、エチルサルフェートやp−トルエンスルホネート
イオンなどがあげられる。nはO又はlを表わし、色素
が分子内塩を形成するときはnはOを表わす。
クロライド、ブロマイド、ヨーダイト、メチルサルフェ
ート、エチルサルフェートやp−トルエンスルホネート
イオンなどがあげられる。nはO又はlを表わし、色素
が分子内塩を形成するときはnはOを表わす。
■31〜V38・V41〜V44%■61〜■64は各
々水素原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、沃素原子)、トリフルオロメチル基、シアノ基
、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基など)、スルファ
モイル基〔スルファモイル基、アルキルスルファモイル
基(例えばメチルスルファモイル基、ジメチルスルファ
モイル基、ジエチルスルファモイル基など)等) 1.
x、 ル* = ル基C例、tハアルキルスルホニル基
(メチルスルホニル基など)、アリールスルホニル基(
例えばフェニルスルホニル基など)等〕、又ハカルパモ
イル基〔N−アルキルカルバモイル基(例えばN−メチ
ルカルバモイル基、N −71J−ルカルパモイル基(
N−フェニルカルバモイル基など)等〕を表わす。
々水素原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、沃素原子)、トリフルオロメチル基、シアノ基
、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基など)、スルファ
モイル基〔スルファモイル基、アルキルスルファモイル
基(例えばメチルスルファモイル基、ジメチルスルファ
モイル基、ジエチルスルファモイル基など)等) 1.
x、 ル* = ル基C例、tハアルキルスルホニル基
(メチルスルホニル基など)、アリールスルホニル基(
例えばフェニルスルホニル基など)等〕、又ハカルパモ
イル基〔N−アルキルカルバモイル基(例えばN−メチ
ルカルバモイル基、N −71J−ルカルパモイル基(
N−フェニルカルバモイル基など)等〕を表わす。
vvv 、v、v
31’ 341 35 38 41’
44% 61、■6.4の好ましいものは水素原■ v
子である。さらにVV、V 及び
32蔦 36 42
v6□の特に好ましいものは各々塩素原子で、33%
37%■43及びv63の特に好tL。
37%■43及びv63の特に好tL。
■ v
いものは各々塩素原子、トリフルオロメチル基各はシア
ノ基である。
ノ基である。
W21〜W24・W41〜W4□・W51〜W 1の無
置換アルキル基と【7ては例えばメチ2 ル基、エチル基などが、置換アルキル基としてはベンジ
ル基が、またアリール基としては例えばフェニル基、ナ
フチル基などがあげられる。さらにW21とW22・W
2BとW24・W41とW4□、又はW51とW5□と
で結合してベンゼン環やナフタレン環が形成されたベン
ゾオキサゾール核としては例えば以下のものがあげられ
る。
置換アルキル基と【7ては例えばメチ2 ル基、エチル基などが、置換アルキル基としてはベンジ
ル基が、またアリール基としては例えばフェニル基、ナ
フチル基などがあげられる。さらにW21とW22・W
2BとW24・W41とW4□、又はW51とW5□と
で結合してベンゼン環やナフタレン環が形成されたベン
ゾオキサゾール核としては例えば以下のものがあげられ
る。
27−
ここでW W W 及びW4は各々水素原1% 2s
3 子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、
沃素原子)、アルキA・基(例えばメチル基、エチル基
など)、アルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基
など)、ヒドロキシ基、アシロキシ基(例えばアセトキ
シ基など)又はアリール基(例えばフェニル基)を表わ
す。Wo及びW4の好ましいものは水素原子である。
3 子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、
沃素原子)、アルキA・基(例えばメチル基、エチル基
など)、アルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基
など)、ヒドロキシ基、アシロキシ基(例えばアセトキ
シ基など)又はアリール基(例えばフェニル基)を表わ
す。Wo及びW4の好ましいものは水素原子である。
W2の好ましいものは、水素原子、ハロゲン原−λを−
子又はアルキル基であり、さらに好ましくは水素原子で
ある。W3の好ましいものは、ハロゲン原子(特圧塩素
原子)、フェニル基又はアルコキシ基(特にメトキシ基
)である。
ある。W3の好ましいものは、ハロゲン原子(特圧塩素
原子)、フェニル基又はアルコキシ基(特にメトキシ基
)である。
上記一般式(m)で示される化合物の場合には、その化
合物へプロトンが付加した型の化合物もまた用いられう
る。一般式(I)〜(TI)のZ1□、12・ 51・
61・Z71・Z 72・Z s 1z Z Z やZ、で形成される複素環は少くとも一つの置換基で置
換されていてもよく、その置換基としてはハロゲン原子
(例えば弗素、塩素、臭素、沃素)、ニトロ基、アルキ
ル基(好ましくは炭素数/〜≠のもの、例えばメチル基
、エチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、フェ
ネチル基)、アリール基(例えばフェニル基)、アルコ
キシ基(好ましくは炭素数l−≠のもの、例えばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基)、カル
ボキシル基、アルコキシカルボニル基(好マしくは炭素
数2〜!のもの、例えばエトキシカルボニル基)、ヒド
ロキシ基、シアン基等を挙げる事ができる。
合物へプロトンが付加した型の化合物もまた用いられう
る。一般式(I)〜(TI)のZ1□、12・ 51・
61・Z71・Z 72・Z s 1z Z Z やZ、で形成される複素環は少くとも一つの置換基で置
換されていてもよく、その置換基としてはハロゲン原子
(例えば弗素、塩素、臭素、沃素)、ニトロ基、アルキ
ル基(好ましくは炭素数/〜≠のもの、例えばメチル基
、エチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、フェ
ネチル基)、アリール基(例えばフェニル基)、アルコ
キシ基(好ましくは炭素数l−≠のもの、例えばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基)、カル
ボキシル基、アルコキシカルボニル基(好マしくは炭素
数2〜!のもの、例えばエトキシカルボニル基)、ヒド
ロキシ基、シアン基等を挙げる事ができる。
Z11蔦”12・”51%”61・Z71・272%
Zlll及びz82に関し、ベンゾチアゾール核として
は、例えばベンゾチアゾール、弘−クロロベンゾチアゾ
ール、オークロロベンゾチアゾール、t−クロロベンゾ
チアゾール、7−クロロベンゾチアゾール、!−ニトロ
ベンゾチアソール、グーメチルベンゾチアゾール、j−
メチルベンゾチアゾール、6−メチルベンゾチアゾール
、j−ブロモベンゾチアゾール、t−ブロモベンゾチア
ゾール、!−ヨードベンゾチアゾール、j−フェニルベ
ンゾチアゾール、!−メトキシはンゾチアゾール、t−
メトキシベンゾチアゾール、!−エトキシベ/ゾチアゾ
ール、!−プロポキシベンソチアゾール、j−カルボキ
シベンゾチアゾール、j−エトキシカルボニルベンゾチ
アゾール、!−フエネチルベ/ゾチアゾール、!−フル
オロベンゾチアゾール、!−クロロー+−メチルベンゾ
チアゾール、!−トリフルオロメチルベンゾチアゾール
1.t、A−ジメチルベンゾチアゾール、j−ヒドロキ
シ−t−メチルベンゾチアゾール、などを、ナフトチア
ゾール核としては例えば、ナンド〔コ、/−d〕チアゾ
ール、ナフト〔l、2−d)チアゾール、ナフト〔コ、
J−d:]チアゾール、j−メトキシナフト[/、、2
−d]チアゾール、7−エトキシナフト[,2,/−d
)チアゾール、j−メトキシナフ)[,2,j−d]チ
アゾール、などを、ベンゾセレナゾール核としては例え
ば、ベンゾセレナゾール、!−クロロベンゾセレナゾー
ル、!−ニトロベンゾセレナゾール、j−メトキシベン
ゾセレナゾール、j−エトキシベンゾセレナゾール、j
−ヒドロキシベンゾセレナゾール、!−クロローt−メ
チルベンゾセレナゾール、などを、ナフトセレナゾール
核としては例えば、ナフト[z、、z−d〕セレナゾー
ル、ナフト〔λ、/−d)セレナゾールなどを、チアゾ
ール核としては例えば、チアゾール核、≠−メチルチア
ゾール核、≠−フェニルチアゾール核、≠。
Zlll及びz82に関し、ベンゾチアゾール核として
は、例えばベンゾチアゾール、弘−クロロベンゾチアゾ
ール、オークロロベンゾチアゾール、t−クロロベンゾ
チアゾール、7−クロロベンゾチアゾール、!−ニトロ
ベンゾチアソール、グーメチルベンゾチアゾール、j−
メチルベンゾチアゾール、6−メチルベンゾチアゾール
、j−ブロモベンゾチアゾール、t−ブロモベンゾチア
ゾール、!−ヨードベンゾチアゾール、j−フェニルベ
ンゾチアゾール、!−メトキシはンゾチアゾール、t−
メトキシベンゾチアゾール、!−エトキシベ/ゾチアゾ
ール、!−プロポキシベンソチアゾール、j−カルボキ
シベンゾチアゾール、j−エトキシカルボニルベンゾチ
アゾール、!−フエネチルベ/ゾチアゾール、!−フル
オロベンゾチアゾール、!−クロロー+−メチルベンゾ
チアゾール、!−トリフルオロメチルベンゾチアゾール
1.t、A−ジメチルベンゾチアゾール、j−ヒドロキ
シ−t−メチルベンゾチアゾール、などを、ナフトチア
ゾール核としては例えば、ナンド〔コ、/−d〕チアゾ
ール、ナフト〔l、2−d)チアゾール、ナフト〔コ、
J−d:]チアゾール、j−メトキシナフト[/、、2
−d]チアゾール、7−エトキシナフト[,2,/−d
)チアゾール、j−メトキシナフ)[,2,j−d]チ
アゾール、などを、ベンゾセレナゾール核としては例え
ば、ベンゾセレナゾール、!−クロロベンゾセレナゾー
ル、!−ニトロベンゾセレナゾール、j−メトキシベン
ゾセレナゾール、j−エトキシベンゾセレナゾール、j
−ヒドロキシベンゾセレナゾール、!−クロローt−メ
チルベンゾセレナゾール、などを、ナフトセレナゾール
核としては例えば、ナフト[z、、z−d〕セレナゾー
ル、ナフト〔λ、/−d)セレナゾールなどを、チアゾ
ール核としては例えば、チアゾール核、≠−メチルチア
ゾール核、≠−フェニルチアゾール核、≠。
j−ジメチルチアゾール核、t、!−ジフェニルチアゾ
ール核、などを、チアゾリン核としては例3 l − えば、チアゾリン核、μmメチルチアゾリン核などが挙
げられる。
ール核、などを、チアゾリン核としては例3 l − えば、チアゾリン核、μmメチルチアゾリン核などが挙
げられる。
Z7□、z72、z81及びZ8□に関し、ベンゾオキ
サゾール核としては例えば、ベンゾオキサゾール核、!
−クロロベンゾオキサゾール核、j−メチルベンゾオキ
サゾール核、!−iロモベンゾオキサゾール核、!−フ
ルオロベンゾオキサゾール核、j−フェニルベンゾオキ
サゾール核、!−メトキシベンゾオキサゾール核、j−
エトキシベンゾオキサゾール核、1−)リフルオロメチ
ルベンゾオキサゾール核、j−ヒドロキシベンゾオキサ
ゾール核、!−カルボキシベンゾオキサゾール核、6−
メチルベンゾオキサゾール核、4−クロロベンゾオキサ
ゾール核、t−メトキシベンゾオキサゾール核、t−ヒ
ドロキシベンゾオキサゾール核、!、t−ジメチルベン
ゾオキサゾール核などを、ナフトオキサゾール核として
は例えば、ナフ)[,2,/−d]オキサゾール核、ナ
フト(/、、2−d〕オキサゾール核、ナフト〔コ、3
−d)オキサゾール核、!−メトキシナフ)[/ 。
サゾール核としては例えば、ベンゾオキサゾール核、!
−クロロベンゾオキサゾール核、j−メチルベンゾオキ
サゾール核、!−iロモベンゾオキサゾール核、!−フ
ルオロベンゾオキサゾール核、j−フェニルベンゾオキ
サゾール核、!−メトキシベンゾオキサゾール核、j−
エトキシベンゾオキサゾール核、1−)リフルオロメチ
ルベンゾオキサゾール核、j−ヒドロキシベンゾオキサ
ゾール核、!−カルボキシベンゾオキサゾール核、6−
メチルベンゾオキサゾール核、4−クロロベンゾオキサ
ゾール核、t−メトキシベンゾオキサゾール核、t−ヒ
ドロキシベンゾオキサゾール核、!、t−ジメチルベン
ゾオキサゾール核などを、ナフトオキサゾール核として
は例えば、ナフ)[,2,/−d]オキサゾール核、ナ
フト(/、、2−d〕オキサゾール核、ナフト〔コ、3
−d)オキサゾール核、!−メトキシナフ)[/ 。
−3コ−
コーd〕オキサゾール核、などを挙げる事ができる。
更に2 及びz72に関し、オキサゾール核1
としては例えば、オキサゾール核、≠−メチルオキサゾ
ール核、を−エチルオキサゾール核、μ−フェニルオキ
サゾール核、グーベンジルオキサゾール核、≠−メトキ
シオキサゾール核、≠、!−ジメチルオキサゾール核、
j−フェニルオキサゾール核又はl−メトキシオキサゾ
ール核などを、ピリジン核としては例えばλ−ピリジン
核、弘−ピリジン核、j−メチル−2−ピリジン核、3
−メチル−≠−ピリジン核などを、又キノリン核として
は例えば、コーキノリン核、グーキノリン核、3−メチ
ルーーーキノリン核、!−エチルーλ−キノリン核、6
−メチル−2−キノリン核、を−フルオロ−グーキノリ
ン核、r−クロローコーキノリ/核、l−フルオロ−λ
−キノリン核、t−メトキシーコーキノリン核、を−エ
トキシ−グーキノリン核、t−クロロ−l−キノリン核
、を−メチル−グーキノリン核、t−メトキシ−グーキ
ノリン核などを挙げる事ができる。
ール核、を−エチルオキサゾール核、μ−フェニルオキ
サゾール核、グーベンジルオキサゾール核、≠−メトキ
シオキサゾール核、≠、!−ジメチルオキサゾール核、
j−フェニルオキサゾール核又はl−メトキシオキサゾ
ール核などを、ピリジン核としては例えばλ−ピリジン
核、弘−ピリジン核、j−メチル−2−ピリジン核、3
−メチル−≠−ピリジン核などを、又キノリン核として
は例えば、コーキノリン核、グーキノリン核、3−メチ
ルーーーキノリン核、!−エチルーλ−キノリン核、6
−メチル−2−キノリン核、を−フルオロ−グーキノリ
ン核、r−クロローコーキノリ/核、l−フルオロ−λ
−キノリン核、t−メトキシーコーキノリン核、を−エ
トキシ−グーキノリン核、t−クロロ−l−キノリン核
、を−メチル−グーキノリン核、t−メトキシ−グーキ
ノリン核などを挙げる事ができる。
z6□のインドリン核としては、例えば、3゜3−ジア
ルキルインドリン(例えば3.3−ジメチルインドリン
、3,3−ジエチルインドリン、3.3−ジメチル−j
−シアノインドリン、3゜3−ジメチル−t−ニトロイ
ンドリン、j、J−ジメチル−よ−ニトロインドリン、
3,3−ジメチル−!−メトキシインドリン、3.3−
ジメチル−j−メチルインドリン、3,3−ジメチル−
よ−クロロインドリンなど)を挙げる事ができる。
ルキルインドリン(例えば3.3−ジメチルインドリン
、3,3−ジエチルインドリン、3.3−ジメチル−j
−シアノインドリン、3゜3−ジメチル−t−ニトロイ
ンドリン、j、J−ジメチル−よ−ニトロインドリン、
3,3−ジメチル−!−メトキシインドリン、3.3−
ジメチル−j−メチルインドリン、3,3−ジメチル−
よ−クロロインドリンなど)を挙げる事ができる。
ここで、Z9は、各々
チアゾリン核(例えば、チアゾリン、φ−メチルチアゾ
リン、弘−フェニルチアゾリン、≠、!−ジメチルチア
ゾリン、4に、j−ジフェニルチアゾリンなど)、ベン
ゾチアゾリン核(例えば、ベンゾチアゾリン、≠−クロ
ロベンゾチアゾリン、!−クロロベンゾチアゾリン、t
−クロロベンゾチアゾリン、7−クロロベンゾチアゾリ
ン、j−二トロベンゾチアゾリン、t−ニトロベンゾチ
アゾリン、グーメチルベンゾチアゾリン、!−メチルベ
ンゾチアゾリン、t−メチルベンゾチアゾリン、t−−
iロモベ/ゾチアゾリン、t−ブロモベンゾチアゾリン
、j−ヨードベンゾチアゾリン、!−メトキシベンゾチ
アゾリン、6−メチルベンゾチアゾリン、!−エトキシ
ベンゾチアゾリン、!−プロポキシベンゾチアゾリン、
j−ブトキシベンゾチアゾリン、j−カルボキシベンゾ
チアゾリン、j−エトキ7カルボ゛ニルベンゾチアゾリ
ン、j−7エネチルベンゾチアゾリン、!−フルオロベ
ンゾチアゾリン、j−クロロ−t−メチルベンゾチアゾ
リン、j−トリフルオロメチルベンゾチアゾリン、j、
6−シメチルベンゾチアゾリン、j−ヒドロキシ−t−
メチルベンゾチアゾリン、テトラヒドロベンゾチアゾリ
ン、≠−フェニルベンゾチアゾリン、ターフェニルベン
ゾチアゾリンなど)、ナフトチアゾリン核(例えば、ナ
フト[J、/−dlチアゾリン、ナツト[/、、2−d
lチアゾリン、ナフト〔λ、J−d)チアゾリン、ター
メトキシナフト[/、、2−d]チアゾリジン7−エト
キシナフト[,2,/−d〕チアゾリジン3 j− t−メトキシナフト〔λ、/−d)チアゾリン、ターメ
トキシナフト[J、J−ct〕チアゾリンなど)、チア
ゾリジン核(例えばチアゾリジン、≠−メチルチアゾリ
ジン、参−ニトロチアゾリジンなど)、オキサジノン核
(例えば、オキサシリ/、l−メチルオキサゾリン、≠
−ニトロオキサゾリン、!−メチルオキサゾリン、弘−
フェニルオキサゾリン、仏、!−ジフェニルオキサゾリ
ン <t−エチルオキサゾリンなど)、ベンズオキサジ
ノン核(ベンズオキサゾリン、よ−クロロベンズオキサ
ゾリン、!−メチルベンズオキサゾリン、j−ブロモベ
ンズオキサゾリン、!−フルオロベンズオキサゾリン、
j−フェニルベンズオキサゾリン、j−メトキシベンズ
オキサゾリン、!−ニトロベンズオキサゾリン、j−ト
リフルオロメチルベンズオキサゾリン、j−ヒドロキシ
ベンズオキサゾリン、!−カルボキシベンズオキサジノ
ン、t−メチルベンズオキサゾリン、t−クロロベンズ
オキサゾリン、6−ニドロベンズオキサジノ/、t−メ
トキシベンズオキサゾリン、t−ヒドロキー3を− ジベンズオキサゾリン、j、6−シメチルベンズオキサ
ゾリン、!−エトキシベンズオキサゾリンなど)、ナフ
トオキサジノン核(例えば、ナフト〔コ、/−d)オキ
サゾリン、ナフト[/、2−d〕オキサゾリン、ナンド
[x、3−d]オキサゾリン、!−ニトロナフト〔λ、
/−d)オキサゾリンなど)、オキサゾリンン核(例え
ば≠、弘−ジメチルオキサシリシンカど)、セレナゾリ
ン核(例えば、≠−メチルセレナゾリン、≠−ニトロセ
レナゾリン、≠−フェニルセレナ/ IJンナト)、セ
レナゾリジン核(例えばセレナゾリジン、≠−メチルセ
レナゾリジン、≠−フェニルセレナソリジンなど)、ベ
ンゾセレナゾリン核(例えば、ベンゾセレナゾリン、!
−クロルベンゾセレナゾリン、j−二トロベンゾセレナ
ソ’)ン、!−メトキシベンゾセレナゾリン、!−ヒド
ロキシベンゾセレナゾリン、t−ニトロベンゾセレナソ
リン、タークロル−を−二トロベンゾセレナソリンナト
)、ナフトセレナゾリン核(例えば、ナフ)[,2,/
−d〕セレナゾリジンナンド(/、2−d)セレナゾリ
ンなど)、3,3−ジアルキルインドリン核(例えば3
.3−ジメチルインドリン、3,3−ジエチルインドリ
ン、3,3−ジメチル−よ−シアノインドリン、3,3
−ジメチル−t−ニトロインドリン、3.3−ジメチル
−よ−ニトロインドリン、3.3−ジメチル−!−メト
キシインドリン、3,3−ジメチル−3−メチルインド
リン、3,3−ジメチル−よ−クロルインドリンなど)
、イミダシリン核(例えば、/−アルキルイミダシリン
、l−アルキル−l−フェニルイミダシリン、l−アリ
ールイミダシリンなど)、ベンズイミダシリン核(例え
ば/−アルキルベンズイミダシリン、l−アルキル−よ
−クロロベンズイミダシリン、l−アルキル−j、t−
ジクロロ−ベンズイミダシリン、/−アルキル−よ−メ
トキシベンズイミダシリン、l−アルキル−!−シアノ
ベンズイミダシリン、l−アルキル−!−フルオロはン
ズイミダゾリン、l−アルキル−!−トリフルオロメチ
ルはンズイミダゾリン、l−アリ#−j、t−ジクロロ
ベンズイミダシリン、/−アリル−j−クロロベンズイ
ミダシリン、l−アリールベンズイミダシリン、l−ア
リール−!−クロロベンズイミダシリン、l−アリール
−!。
リン、弘−フェニルチアゾリン、≠、!−ジメチルチア
ゾリン、4に、j−ジフェニルチアゾリンなど)、ベン
ゾチアゾリン核(例えば、ベンゾチアゾリン、≠−クロ
ロベンゾチアゾリン、!−クロロベンゾチアゾリン、t
−クロロベンゾチアゾリン、7−クロロベンゾチアゾリ
ン、j−二トロベンゾチアゾリン、t−ニトロベンゾチ
アゾリン、グーメチルベンゾチアゾリン、!−メチルベ
ンゾチアゾリン、t−メチルベンゾチアゾリン、t−−
iロモベ/ゾチアゾリン、t−ブロモベンゾチアゾリン
、j−ヨードベンゾチアゾリン、!−メトキシベンゾチ
アゾリン、6−メチルベンゾチアゾリン、!−エトキシ
ベンゾチアゾリン、!−プロポキシベンゾチアゾリン、
j−ブトキシベンゾチアゾリン、j−カルボキシベンゾ
チアゾリン、j−エトキ7カルボ゛ニルベンゾチアゾリ
ン、j−7エネチルベンゾチアゾリン、!−フルオロベ
ンゾチアゾリン、j−クロロ−t−メチルベンゾチアゾ
リン、j−トリフルオロメチルベンゾチアゾリン、j、
6−シメチルベンゾチアゾリン、j−ヒドロキシ−t−
メチルベンゾチアゾリン、テトラヒドロベンゾチアゾリ
ン、≠−フェニルベンゾチアゾリン、ターフェニルベン
ゾチアゾリンなど)、ナフトチアゾリン核(例えば、ナ
フト[J、/−dlチアゾリン、ナツト[/、、2−d
lチアゾリン、ナフト〔λ、J−d)チアゾリン、ター
メトキシナフト[/、、2−d]チアゾリジン7−エト
キシナフト[,2,/−d〕チアゾリジン3 j− t−メトキシナフト〔λ、/−d)チアゾリン、ターメ
トキシナフト[J、J−ct〕チアゾリンなど)、チア
ゾリジン核(例えばチアゾリジン、≠−メチルチアゾリ
ジン、参−ニトロチアゾリジンなど)、オキサジノン核
(例えば、オキサシリ/、l−メチルオキサゾリン、≠
−ニトロオキサゾリン、!−メチルオキサゾリン、弘−
フェニルオキサゾリン、仏、!−ジフェニルオキサゾリ
ン <t−エチルオキサゾリンなど)、ベンズオキサジ
ノン核(ベンズオキサゾリン、よ−クロロベンズオキサ
ゾリン、!−メチルベンズオキサゾリン、j−ブロモベ
ンズオキサゾリン、!−フルオロベンズオキサゾリン、
j−フェニルベンズオキサゾリン、j−メトキシベンズ
オキサゾリン、!−ニトロベンズオキサゾリン、j−ト
リフルオロメチルベンズオキサゾリン、j−ヒドロキシ
ベンズオキサゾリン、!−カルボキシベンズオキサジノ
ン、t−メチルベンズオキサゾリン、t−クロロベンズ
オキサゾリン、6−ニドロベンズオキサジノ/、t−メ
トキシベンズオキサゾリン、t−ヒドロキー3を− ジベンズオキサゾリン、j、6−シメチルベンズオキサ
ゾリン、!−エトキシベンズオキサゾリンなど)、ナフ
トオキサジノン核(例えば、ナフト〔コ、/−d)オキ
サゾリン、ナフト[/、2−d〕オキサゾリン、ナンド
[x、3−d]オキサゾリン、!−ニトロナフト〔λ、
/−d)オキサゾリンなど)、オキサゾリンン核(例え
ば≠、弘−ジメチルオキサシリシンカど)、セレナゾリ
ン核(例えば、≠−メチルセレナゾリン、≠−ニトロセ
レナゾリン、≠−フェニルセレナ/ IJンナト)、セ
レナゾリジン核(例えばセレナゾリジン、≠−メチルセ
レナゾリジン、≠−フェニルセレナソリジンなど)、ベ
ンゾセレナゾリン核(例えば、ベンゾセレナゾリン、!
−クロルベンゾセレナゾリン、j−二トロベンゾセレナ
ソ’)ン、!−メトキシベンゾセレナゾリン、!−ヒド
ロキシベンゾセレナゾリン、t−ニトロベンゾセレナソ
リン、タークロル−を−二トロベンゾセレナソリンナト
)、ナフトセレナゾリン核(例えば、ナフ)[,2,/
−d〕セレナゾリジンナンド(/、2−d)セレナゾリ
ンなど)、3,3−ジアルキルインドリン核(例えば3
.3−ジメチルインドリン、3,3−ジエチルインドリ
ン、3,3−ジメチル−よ−シアノインドリン、3,3
−ジメチル−t−ニトロインドリン、3.3−ジメチル
−よ−ニトロインドリン、3.3−ジメチル−!−メト
キシインドリン、3,3−ジメチル−3−メチルインド
リン、3,3−ジメチル−よ−クロルインドリンなど)
、イミダシリン核(例えば、/−アルキルイミダシリン
、l−アルキル−l−フェニルイミダシリン、l−アリ
ールイミダシリンなど)、ベンズイミダシリン核(例え
ば/−アルキルベンズイミダシリン、l−アルキル−よ
−クロロベンズイミダシリン、l−アルキル−j、t−
ジクロロ−ベンズイミダシリン、/−アルキル−よ−メ
トキシベンズイミダシリン、l−アルキル−!−シアノ
ベンズイミダシリン、l−アルキル−!−フルオロはン
ズイミダゾリン、l−アルキル−!−トリフルオロメチ
ルはンズイミダゾリン、l−アリ#−j、t−ジクロロ
ベンズイミダシリン、/−アリル−j−クロロベンズイ
ミダシリン、l−アリールベンズイミダシリン、l−ア
リール−!−クロロベンズイミダシリン、l−アリール
−!。
t−ジクロロベンズイミダシリン、l−アリール−j−
メトキシベンズイミダシリン、/−アリーールー!−シ
アノベンズイミダシリンなど)、ナフトイミダシリン核
(例えば、l−アルキルナフ)[/、、2−d]イミダ
シリン、/−アリールナフト(/、、2−d〕イミダシ
リンなど)、前述のアルキルは特に炭素原子/−4のも
の、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブチル等の無置換アルキル基やヒドロキシアルキル基
(例えば、コーヒドロキシアルキル、3−ヒドロキシプ
ロピル等)等が望ましい。前述のアリール基ハ、フェニ
ル、ハロゲン(例えばクロル)置換フェニル、アルキル
(例えばメチル)置換フェニル、アルコキシ(例えばメ
トキシ)置換フェニルなどを表わす。)、ピロリジン核
(例えばコーピロリジンなど)、ジヒドロピリジン核1
例えばl。
メトキシベンズイミダシリン、/−アリーールー!−シ
アノベンズイミダシリンなど)、ナフトイミダシリン核
(例えば、l−アルキルナフ)[/、、2−d]イミダ
シリン、/−アリールナフト(/、、2−d〕イミダシ
リンなど)、前述のアルキルは特に炭素原子/−4のも
の、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブチル等の無置換アルキル基やヒドロキシアルキル基
(例えば、コーヒドロキシアルキル、3−ヒドロキシプ
ロピル等)等が望ましい。前述のアリール基ハ、フェニ
ル、ハロゲン(例えばクロル)置換フェニル、アルキル
(例えばメチル)置換フェニル、アルコキシ(例えばメ
トキシ)置換フェニルなどを表わす。)、ピロリジン核
(例えばコーピロリジンなど)、ジヒドロピリジン核1
例えばl。
グージヒドロピリジン、j−メチル−79,2−ジー3
2= ヒドロヒリシン、3−メチル−7,v−ジヒドロピリジ
ンなど)、ジヒドロキノリン核(例えば、l、ケージヒ
ドロキノリン、3−メチル−/、J−ジヒドロキノリン
、j−エチル−7,λ−ジヒドロキノリン、t−メチル
−/、2−ジヒドロキ/I)ン、A−ニトロ−/9,2
−ジヒドロキノリン、r−フルオロ−l9.2−ジヒド
ロキノリン、t−メトキシ−!1.2−ジヒドロキノリ
ン、t−ヒドロキシ−/9.2−ジヒドロキノリン、t
−クロロ−/、、2−ジヒドロキノリン、6−エトキシ
ーl。
2= ヒドロヒリシン、3−メチル−7,v−ジヒドロピリジ
ンなど)、ジヒドロキノリン核(例えば、l、ケージヒ
ドロキノリン、3−メチル−/、J−ジヒドロキノリン
、j−エチル−7,λ−ジヒドロキノリン、t−メチル
−/、2−ジヒドロキ/I)ン、A−ニトロ−/9,2
−ジヒドロキノリン、r−フルオロ−l9.2−ジヒド
ロキノリン、t−メトキシ−!1.2−ジヒドロキノリ
ン、t−ヒドロキシ−/9.2−ジヒドロキノリン、t
−クロロ−/、、2−ジヒドロキノリン、6−エトキシ
ーl。
ケージヒドロキノリン、6−ニトロ−l、ケージヒドロ
キノリン、t−クロロ−7,J−ジヒドロキノリン、t
−フルオロ−7,弘−ジヒドロキノリン、ざ−メチルー
/、4Z−ジヒドロキノリン、ざ−メトキシー7.弘−
ジヒドロキノリン、ジヒドロイソキノリン、6−ニトロ
−/、2−インキノリン、t−ニトロ−2,3−ジヒド
ロインキノリンなど)、テトラゾリン核をそれぞれ完成
するのに必要な非金属原子群を表わす。
キノリン、t−クロロ−7,J−ジヒドロキノリン、t
−フルオロ−7,弘−ジヒドロキノリン、ざ−メチルー
/、4Z−ジヒドロキノリン、ざ−メトキシー7.弘−
ジヒドロキノリン、ジヒドロイソキノリン、6−ニトロ
−/、2−インキノリン、t−ニトロ−2,3−ジヒド
ロインキノリンなど)、テトラゾリン核をそれぞれ完成
するのに必要な非金属原子群を表わす。
これらのうちZ9は好ましくは、チアゾリン核、−参〇
− ベンゾチアゾリン核、チアゾリジン核、ベンズオキサジ
ノン核、ナフトオキサジノン核、セレナゾリン核、セレ
ナゾリジン核、ベンゾセレナゾリン核、ベンズイミダシ
リン核、ピロリジン核、ジヒドロピリジン核、テトラゾ
リン核の場合である。
− ベンゾチアゾリン核、チアゾリジン核、ベンズオキサジ
ノン核、ナフトオキサジノン核、セレナゾリン核、セレ
ナゾリジン核、ベンゾセレナゾリン核、ベンズイミダシ
リン核、ピロリジン核、ジヒドロピリジン核、テトラゾ
リン核の場合である。
Z、の特に好ましい吃のはチアゾリン核、チアゾリジン
核、セレナゾリン核、センナシリジン核、ベンズイミダ
シリン核、ピロリジン核、ジヒドロピリジン核である。
核、セレナゾリン核、センナシリジン核、ベンズイミダ
シリン核、ピロリジン核、ジヒドロピリジン核である。
Z、としてさらに好ましいものは、チアゾリン核、チア
ゾリジン核、ベンズイミダシリン核、ピロリジン核であ
る。
ゾリジン核、ベンズイミダシリン核、ピロリジン核であ
る。
R及びR92は各々水素原子、無置換アル1
キル基(炭素原子数/〜it、好ましくは7〜lのアル
キル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、ヘキシル、ドデシルオクタデシルなど)
、置換アルキル基〔例えばアラルキル基(例えハ、ベン
ジル、β−フェニルエチルなど)、ヒドロキシアルキル
基(例えば、コーヒドロキシエチル、3−ヒドロキシプ
ロピル、λ−ヒドロキシエトキシエチルなど)、カルボ
キシアルキル基(例えば、カルボキシメチル、2−カル
ボキシエチル、3−カルボキシプロピル、≠−カルポ゛
キシブチルなど)、スルホ基で置換されたアルキル基(
スルホ基はアルコキシ基やアリール基等を介してアルキ
ル基に結合していてもよい。
キル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、ヘキシル、ドデシルオクタデシルなど)
、置換アルキル基〔例えばアラルキル基(例えハ、ベン
ジル、β−フェニルエチルなど)、ヒドロキシアルキル
基(例えば、コーヒドロキシエチル、3−ヒドロキシプ
ロピル、λ−ヒドロキシエトキシエチルなど)、カルボ
キシアルキル基(例えば、カルボキシメチル、2−カル
ボキシエチル、3−カルボキシプロピル、≠−カルポ゛
キシブチルなど)、スルホ基で置換されたアルキル基(
スルホ基はアルコキシ基やアリール基等を介してアルキ
ル基に結合していてもよい。
例えば、コースルホエチル、3−スルホプロピル、3−
スルホブチル、l−スルホブチル、λ−〔3−スルホプ
ロポキシ〕エチル、2−ヒドロキシ−3−スルホプロピ
ル、λ−〔λ−(3−スルホプロポキシ)エトキシ〕エ
チル、p−スルホフェネチルなど)、サルフェートアル
キル基(例えば、3−サルフェートフロビル、≠−サル
フェートフチルなど)、メルカプト基、ビニル基置換ア
ルキル基(例えばアリル基)、アシロキシアルキル基(
例えば、−一アセトキシエチル基、3−アセトキシプロ
ピル基など)、アルコキシアルキル基(例えば、コーメ
トキシエチル基、3−メトキシプロピル基なト)、アル
コキシカルボニルアルキル基(例えば、2−メトキシカ
ルボニルエチル基、3−メトキシカルボニルプロピル基
、≠−エトキシカルボニルブチル基など)、シアノアル
キル基(例えば、コーシアノエチル基など)、カルバモ
イルアルキル基(例えば、コーカルパモイルエチル基な
ど)、アリーロキシアルキル基(例えば、コーフエ、ノ
キンエチル基、3−フェノキシプロビル基など)、アリ
ーロキシアルキル基(例えば、λ−フェノキシエチル基
、3−フェノキシプロビル基など)、メルカプトアルキ
ル基(例えば、コーメルカブトエチル基、3−メルカプ
トプロピル基彦と)、アルキルチオアルキル基(例えハ
、コーメチルチオエチル基など)、又はアリール基(例
えばフェニル基、トリル基、ナフチル基、メトキシフェ
ニル基、クロロフェニル基など)を表わす。R9□とし
て好ましくは水素原子又はアリル基である。
スルホブチル、l−スルホブチル、λ−〔3−スルホプ
ロポキシ〕エチル、2−ヒドロキシ−3−スルホプロピ
ル、λ−〔λ−(3−スルホプロポキシ)エトキシ〕エ
チル、p−スルホフェネチルなど)、サルフェートアル
キル基(例えば、3−サルフェートフロビル、≠−サル
フェートフチルなど)、メルカプト基、ビニル基置換ア
ルキル基(例えばアリル基)、アシロキシアルキル基(
例えば、−一アセトキシエチル基、3−アセトキシプロ
ピル基など)、アルコキシアルキル基(例えば、コーメ
トキシエチル基、3−メトキシプロピル基なト)、アル
コキシカルボニルアルキル基(例えば、2−メトキシカ
ルボニルエチル基、3−メトキシカルボニルプロピル基
、≠−エトキシカルボニルブチル基など)、シアノアル
キル基(例えば、コーシアノエチル基など)、カルバモ
イルアルキル基(例えば、コーカルパモイルエチル基な
ど)、アリーロキシアルキル基(例えば、コーフエ、ノ
キンエチル基、3−フェノキシプロビル基など)、アリ
ーロキシアルキル基(例えば、λ−フェノキシエチル基
、3−フェノキシプロビル基など)、メルカプトアルキ
ル基(例えば、コーメルカブトエチル基、3−メルカプ
トプロピル基彦と)、アルキルチオアルキル基(例えハ
、コーメチルチオエチル基など)、又はアリール基(例
えばフェニル基、トリル基、ナフチル基、メトキシフェ
ニル基、クロロフェニル基など)を表わす。R9□とし
て好ましくは水素原子又はアリル基である。
Q9は各々ローダニン核、コーチオオキザゾリンー2.
≠−ジオン核、λ−チオセレナゾリンー・コ、≠−ジオ
ン核、バルビッール酸根又はチオバルビッール酸根〔例
えばl−アルキル基(例えばl−メチル、/−エチル、
l−プロピル、l−へ−4!J− ブチルなど)、/、J−ジアルキル基(例えばl。
≠−ジオン核、λ−チオセレナゾリンー・コ、≠−ジオ
ン核、バルビッール酸根又はチオバルビッール酸根〔例
えばl−アルキル基(例えばl−メチル、/−エチル、
l−プロピル、l−へ−4!J− ブチルなど)、/、J−ジアルキル基(例えばl。
3−ジメチル、/、3−ジエチル、/、3−ジプロピル
、l、3−ジイソプロピル、/、3ジシクルヘキシル、
l、3−ジ(β−メトキシエチル)など)、l、3−ジ
アリール基(例えば、/、!−ジフェニル、’ w 3
−シ(p 70ロフエニル)、t、3−ジ(p−エトキ
シカルボニルフェニル)など)、l−スルホアルキル基
(例えば/−(2−スルホエチル)、i−<3−スルホ
プロピル)、/−(弘−スルホヘプチル)など)、/、
J−ジスルホアルキル基(例えば/、!−ジ(2−スル
ホエチル)、/、3−ジ(3−スルホプロピル)、/、
3−ジー(≠−スルホシクロヘキシルなト)、/、3−
ジー(スルホアリール基(例えば、l。
、l、3−ジイソプロピル、/、3ジシクルヘキシル、
l、3−ジ(β−メトキシエチル)など)、l、3−ジ
アリール基(例えば、/、!−ジフェニル、’ w 3
−シ(p 70ロフエニル)、t、3−ジ(p−エトキ
シカルボニルフェニル)など)、l−スルホアルキル基
(例えば/−(2−スルホエチル)、i−<3−スルホ
プロピル)、/−(弘−スルホヘプチル)など)、/、
J−ジスルホアルキル基(例えば/、!−ジ(2−スル
ホエチル)、/、3−ジ(3−スルホプロピル)、/、
3−ジー(≠−スルホシクロヘキシルなト)、/、3−
ジー(スルホアリール基(例えば、l。
J−シー(4t−スルホフェニル)ナト)、マタハl−
スルホアリール基(例えば/−(≠−スルホフェニル)
など)を含有するバルビッール核またはチオバルビッー
ル酸根〕、又はチオヒダントイン核(但し1位の置換基
は3位(19□)と同義であるが両省は同一でも異って
いてもよい)を完−t μ− 成するに必要な非金属原子群を表わす。
スルホアリール基(例えば/−(≠−スルホフェニル)
など)を含有するバルビッール核またはチオバルビッー
ル酸根〕、又はチオヒダントイン核(但し1位の置換基
は3位(19□)と同義であるが両省は同一でも異って
いてもよい)を完−t μ− 成するに必要な非金属原子群を表わす。
Qによって形成される複素環は好ましくはローダニン核
、又はチオヒダントイン核のであり、更に好ましくはロ
ーダニン核である。
、又はチオヒダントイン核のであり、更に好ましくはロ
ーダニン核である。
YO2及びYO2は水素原子、アルキル基(例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ベンジル基など)、アリ
ール基(例えばフェニル基、O−カルボキンフェニル基
、p−カルボキシフェニル基など)を表わす。
ル基、エチル基、プロピル基、ベンジル基など)、アリ
ール基(例えばフェニル基、O−カルボキンフェニル基
、p−カルボキシフェニル基など)を表わす。
mは0、/、又はλを表わす。
pはO又はlを表わす。
一般式(I)ないしく■)のうち、本発明の目的を達成
するのに好ましいものとしては、一般式%式%() (■)及び(K)があげられる。より好ましいものとし
ては、(N、(■)、及び(IX)であり、特に最も好
ましいものは(K)である。
するのに好ましいものとしては、一般式%式%() (■)及び(K)があげられる。より好ましいものとし
ては、(N、(■)、及び(IX)であり、特に最も好
ましいものは(K)である。
上記一般式で示される色素は、その酸化電位が飽和カロ
メル電極(SCE)に対し+0.3〜O0り■の範囲に
あるものが好ましく、特に+o3〜0.!rvの範囲の
ものが好ましい。酸化電位の測定は、例えば001M過
塩素酸ナトリウムを支持塩として、メタノールあるいは
アセトニトリル溶液(色素濃度的10 M)について回
転白金ディスク電極を用いて電解酸化する方法で行うこ
とができる。
メル電極(SCE)に対し+0.3〜O0り■の範囲に
あるものが好ましく、特に+o3〜0.!rvの範囲の
ものが好ましい。酸化電位の測定は、例えば001M過
塩素酸ナトリウムを支持塩として、メタノールあるいは
アセトニトリル溶液(色素濃度的10 M)について回
転白金ディスク電極を用いて電解酸化する方法で行うこ
とができる。
また上記色素の添加使用量は、乳剤層中のハ四ゲン化銀
1モルに対してlOモル〜!X10−3モルの範囲が好
ましく、特にコ×lOモ 3 ル〜10 モルの範囲が好ましい。
1モルに対してlOモル〜!X10−3モルの範囲が好
ましく、特にコ×lOモ 3 ル〜10 モルの範囲が好ましい。
本発明において一般式(I)〜(K)で表わされるシア
ニンおよびメロシアニン色素の具体例を以下に示す。た
だし、本発明で使用される再反転抑制剤はこれらの例に
限定されるものではない。
ニンおよびメロシアニン色素の具体例を以下に示す。た
だし、本発明で使用される再反転抑制剤はこれらの例に
限定されるものではない。
下記の化合物は共鳴構造をとるものであるが、ことでは
便宜上その極限構造で表わされている。
便宜上その極限構造で表わされている。
■−/
■−2
−参 7−
−J
−1
−1
一弘 t−
1−4
■−7
−r
I P−
■−2
−10
I−/1
1−/コ
1−/J
■−/ぴ
−4/ −
SU−
■−/j
■−/j
■−/7
−!−一
■−/I
■−/9
■−コO
−! 3−
−21
1−ココ
■−23
24A
−21
−26
一! j−
−よl−
■−27
■−λt
■−コタ
ta−
■−40
1−J/
I−Jコ
■−33
−JQ
11−/
■−一
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−jワタ
−−≠
■−!
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60−
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■−12
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I[−/、を
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−t ≠−
鵠ト
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目 目
1
目 ■
町
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−6を−
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≧ ≧
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≧ ≧
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1
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−737
町 喜
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\ \
1 1
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町 $
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−ざ 3−
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■−リ
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■−7
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(CH2)3S03e
■−2
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■−10
■−//
■−12
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−r、<−
■−13
■−744
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■−76
C2H6
■−lり
町 喜
21−
!! 冑
−タコー
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1)(a−λ
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1)(a −1
1(a−s
e21−1゜
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一’l’J−
1)(a−7
■a−1
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f)(a−//
■a−ンコ
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■a−/J
IXa−1!
晶
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IXa−/P
IX a −/ A
f)(a −/ 7
■a−/1
一タt−
IXa−コl
■a−コO
−タター
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1)(a−ココ
1)(a−JJ
Xa−24
■a −2j
f)(a −21゜
f)(a−27
一10コー
一10/−
Xa−21
D(a−22
1)(a−jθ
■a−J/
■a−Jλ
■a−JJ
])(a−j$
■a−31
1)(a−Jj
■−37
に−JI
K−Jタ
ーlθ!−
■a−リO
H3
■a−11
f)(a−≠2
H3
10t−
f)(a−−3
C2H。
1)(a−藝≠
f)(a−ys
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一10ター
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1)(b−/
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1)(t)−j
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1)(b−参
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])(b−4
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1)(b−7
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803 N a
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一/13−
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[)(it−/φ
一//J−−
一//弘−
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1)(b−20
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1)(b−コJ
1)(b−コ憂
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1)(b−コタ
1)(t)−3,0
−i、2o−
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1)(b−jJ
1)(b−JJ
■b−3!
1)(b−34
−11
■b−37
■b−31
1)(b−JP
−ia、i−
122−
1)(b−φ1
1)(b−μm
−lコ≠−
1)(b−リj
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1)(b−≠7
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1)(b−$り
■t)−j。
一/26−
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f)(b−13
−lコアー
一/+24−
1)(b−1!
■b−jg
−1λt−
\ )
II
Ou
8 と
−/J/−
前記一般式(1)ないしく1)()で表わされる増感色
素は、米国特許コ、tsコ、315号、同2゜t9ダ、
t3を号、同J 、t/!t、431号、同コ、り/2
.322号、同J、3411,031号、同3.327
,060号、同J、jO4,4IlJ号、英国特許l、
33り、ざ33号などに記載のもので、上記明細書また
はli’ 、 M 、 Hamer著の“The Cy
anine Dyes and RelatedCom
pounds″* IntersciencePubl
lshers 、New York (/り6参)全参
照すれば当業者は容易に合成でき、また記載のないもの
も類似の方法により合成できる。
素は、米国特許コ、tsコ、315号、同2゜t9ダ、
t3を号、同J 、t/!t、431号、同コ、り/2
.322号、同J、3411,031号、同3.327
,060号、同J、jO4,4IlJ号、英国特許l、
33り、ざ33号などに記載のもので、上記明細書また
はli’ 、 M 、 Hamer著の“The Cy
anine Dyes and RelatedCom
pounds″* IntersciencePubl
lshers 、New York (/り6参)全参
照すれば当業者は容易に合成でき、また記載のないもの
も類似の方法により合成できる。
本発明で用いる内m型ハロゲン化銀乳剤のハロゲン化銀
組成としては、例えば臭化銀、沃化銀、塩化銀、塩臭化
銀、臭沃化銀、塩臭沃化銀等を用いうる。好ましいハロ
ゲン化銀乳剤は少なくともSOモル−の臭化鉄からなり
、最も好ましい乳剤は臭沃化銀乳剤で、特に約10モル
チ以下(Oモルli含む)の沃化銀を含むものである。
組成としては、例えば臭化銀、沃化銀、塩化銀、塩臭化
銀、臭沃化銀、塩臭沃化銀等を用いうる。好ましいハロ
ゲン化銀乳剤は少なくともSOモル−の臭化鉄からなり
、最も好ましい乳剤は臭沃化銀乳剤で、特に約10モル
チ以下(Oモルli含む)の沃化銀を含むものである。
ハロゲン化銀粒子の晶形としては立方体、八面体、/p
−/Jλ− 面体など球状のレギュラー粒子のほかRe5earch
Disclosure 22s3p 、Jan、t y
r 3および特開昭5r−iorjコgに示されるよう
なアスペクト比(aspect ratio )が5以
上の平板型粒子も含まれる。
−/Jλ− 面体など球状のレギュラー粒子のほかRe5earch
Disclosure 22s3p 、Jan、t y
r 3および特開昭5r−iorjコgに示されるよう
なアスペクト比(aspect ratio )が5以
上の平板型粒子も含まれる。
本発明に使用するハロゲン化銀乳剤は結晶粒子中に異橿
元索として鉋、カドミウム、鉛、亜鉛などの金属をドー
プして処理された乳剤やこのようなドーピング処理によ
って再反転性等の写真特性が改良された乳剤、例えば米
国特許第ダ、3りj。
元索として鉋、カドミウム、鉛、亜鉛などの金属をドー
プして処理された乳剤やこのようなドーピング処理によ
って再反転性等の写真特性が改良された乳剤、例えば米
国特許第ダ、3りj。
≠7r号に記載された乳剤等、も含む。
内情型ハロゲン化銀乳剤は、「内部」現像液で現像した
場合に達成される最大濃度が[表面」現像液で現像した
場合に達成される最大濃度より大であるという事により
明確に定義することができる。
場合に達成される最大濃度が[表面」現像液で現像した
場合に達成される最大濃度より大であるという事により
明確に定義することができる。
本発明に適する円満型)・ロゲン化銀乳剤は、その乳剤
を透明な支持体に塗布し、06O7ないし1秒の一定時
間で露光を与え下記現像液A(内部現像液)中で、コ0
°Cで3分間現像したときに通常の写真IIk度測定
方法によって測られる最大濃度が、上記と同様にして露
光したハロゲン化銀乳剤を下記現像液B(表面現像液)
中で、コo ’Cで参分間現像した場合に得られる最大
濃度の少くとも5倍大きい濃度を有するものである。好
−ましくけ現fgAにおける最大濃度が現像液Bにおけ
る最大濃度の10倍をこえるものである。
を透明な支持体に塗布し、06O7ないし1秒の一定時
間で露光を与え下記現像液A(内部現像液)中で、コ0
°Cで3分間現像したときに通常の写真IIk度測定
方法によって測られる最大濃度が、上記と同様にして露
光したハロゲン化銀乳剤を下記現像液B(表面現像液)
中で、コo ’Cで参分間現像した場合に得られる最大
濃度の少くとも5倍大きい濃度を有するものである。好
−ましくけ現fgAにおける最大濃度が現像液Bにおけ
る最大濃度の10倍をこえるものである。
現像液 A
ハイドロキノン try
モノメチル−p−アミ/ブエ
/−ルセスキサルフエート 119
亜硫酸ナトリウム 50g
臭化カリウム 109
水酸化ナトリウム 25g
チオ硫酸ナトリウム コ09
水を加えて ′l
現sI液 B
p−オキシフェニルグリシン 70g
炭酸ナトリウム 10011
水を加えて /1
本発明を適用できる内情型ハロゲン化銀乳剤としては、
例えば、塩化銀のような溶解性の高い銀塩粒子を(沃)
臭化銀のような溶解性の低い銀塩に変換する方法(キャ
タストロフィー沈澱法)によって得られるコンバージョ
ン乳剤(例えば米国特許コ、jタコ、250号)、化学
増感した大粒子のコア乳剤に微粒子の乳剤を混合して物
理熟成する方法によってコア粒子の上にハロゲン化銀の
シェルを被覆し九コア/シェル乳剤(例えば米国特許3
.20t 、J/J号)、化学増感した単分散のコア乳
剤に銀イオン濃度を一定に保ちつつ可溶性銀塩溶液と可
溶性ハロゲン化物溶液とを同時添加する方法でコア粒子
の上にハロゲン化銀のシェルを被覆して作ったコア/シ
ェル乳剤(例エバ英国特許i、oコア 、/14号、米
国%n3.71、/、274号)、乳剤粒子が2つ以上
の積層構造になっており、第1相と第2相とハロゲン組
成を異にしたようなハロゲン局在乳剤(例えば米国特許
3.り31.01II号)、3価の金属イオンを含む酸
性媒体中でハロゲン化銀粒子を生成させ一/3!− て異種金属を内蔵させた乳剤(米国特許3.−≠7.9
.27号)などがある。その他、E、T。
例えば、塩化銀のような溶解性の高い銀塩粒子を(沃)
臭化銀のような溶解性の低い銀塩に変換する方法(キャ
タストロフィー沈澱法)によって得られるコンバージョ
ン乳剤(例えば米国特許コ、jタコ、250号)、化学
増感した大粒子のコア乳剤に微粒子の乳剤を混合して物
理熟成する方法によってコア粒子の上にハロゲン化銀の
シェルを被覆し九コア/シェル乳剤(例えば米国特許3
.20t 、J/J号)、化学増感した単分散のコア乳
剤に銀イオン濃度を一定に保ちつつ可溶性銀塩溶液と可
溶性ハロゲン化物溶液とを同時添加する方法でコア粒子
の上にハロゲン化銀のシェルを被覆して作ったコア/シ
ェル乳剤(例エバ英国特許i、oコア 、/14号、米
国%n3.71、/、274号)、乳剤粒子が2つ以上
の積層構造になっており、第1相と第2相とハロゲン組
成を異にしたようなハロゲン局在乳剤(例えば米国特許
3.り31.01II号)、3価の金属イオンを含む酸
性媒体中でハロゲン化銀粒子を生成させ一/3!− て異種金属を内蔵させた乳剤(米国特許3.−≠7.9
.27号)などがある。その他、E、T。
Walli ホトグラフィック・エマルションズ(Ph
otographic Emulsion ) 3s
〜J6頁、!コ〜j3頁+American Phot
o−graphic Publishing 、New
York(lタコ2年)、および米国特許2,412
7.17j号、同コ、zt3,7rs号、同J、J//
。
otographic Emulsion ) 3s
〜J6頁、!コ〜j3頁+American Phot
o−graphic Publishing 、New
York(lタコ2年)、および米国特許2,412
7.17j号、同コ、zt3,7rs号、同J、J//
。
442号、***特許出願(OL8 )コ、7コざ。
ioz号等に記載の方法でつくられた内性型乳剤も含ま
nる。上記の円満型孔剤中、本発明の適用に特に好まし
いタイプはコア/シェル型乳剤でるる。
nる。上記の円満型孔剤中、本発明の適用に特に好まし
いタイプはコア/シェル型乳剤でるる。
これら内性型乳剤の造核剤(nucleatingag
ent )としては、米国%許コ、143.71j号、
同コ、zrr、2g2号に記載されたヒドラジン類、同
3.コ、27,11コ号に記載されたヒドラジド類とヒ
ドラゾン類、英国特許11.2ざJ 、133号、特開
昭jコーJ5’A/j号、米国特許3.Al6.411
号、同3.71り、lターIJ&− ψ号、同3.734!、731号、同Q、094I。
ent )としては、米国%許コ、143.71j号、
同コ、zrr、2g2号に記載されたヒドラジン類、同
3.コ、27,11コ号に記載されたヒドラジド類とヒ
ドラゾン類、英国特許11.2ざJ 、133号、特開
昭jコーJ5’A/j号、米国特許3.Al6.411
号、同3.71り、lターIJ&− ψ号、同3.734!、731号、同Q、094I。
tr3号、同tl * / / j + / 22 %
’eKgd載すtした複素環−級塩化合切、米国特許3
.711r 、170号に記載された、造核作用のある
置換基を色素分子中に有する増感色素、米国特許ψ、O
JO。
’eKgd載すtした複素環−級塩化合切、米国特許3
.711r 、170号に記載された、造核作用のある
置換基を色素分子中に有する増感色素、米国特許ψ、O
JO。
り、2j号、同+、o3i、iコア号、回り、2参j
、037号、同u、2rz、zii号、回り。
、037号、同u、2rz、zii号、回り。
241.013号、同一、274 、Jj41’号、英
国特許λ、0/コ、4c≠34などに記載されたチオ尿
素紹曾型アシルヒドラジン系化脅物、および米国特ff
Fll、010,270号、同’1,271゜7参j号
、英国特許2.θ/1,3りlB等に記載されたチオア
ミド環やトリアゾール、テトラゾール等のへテロ環基を
吸着基として結合したアシルヒドラジン系化合物が代表
的なものであるが、本発明に有用なものはこれらに限ら
れない。
国特許λ、0/コ、4c≠34などに記載されたチオ尿
素紹曾型アシルヒドラジン系化脅物、および米国特ff
Fll、010,270号、同’1,271゜7参j号
、英国特許2.θ/1,3りlB等に記載されたチオア
ミド環やトリアゾール、テトラゾール等のへテロ環基を
吸着基として結合したアシルヒドラジン系化合物が代表
的なものであるが、本発明に有用なものはこれらに限ら
れない。
ここで使用される造核剤の量は、内層型乳剤を表面現像
液で現像したときに充分な最大濃度を与えるような量で
おることが望ましい。実際上は、用いられるハロゲン化
銀乳剤の特性(サイズ、化学増感の条件など)、造核剤
の化学構造及び現像条件に大きく依存するので、適当な
含有針は広い範囲にわたって変化しうるが、造核剤を現
像液中に添加する場合は、一般に現像01gについて約
/wI−!QC好−*シ<usq 〜o 、 s y
>−c−ibル。
液で現像したときに充分な最大濃度を与えるような量で
おることが望ましい。実際上は、用いられるハロゲン化
銀乳剤の特性(サイズ、化学増感の条件など)、造核剤
の化学構造及び現像条件に大きく依存するので、適当な
含有針は広い範囲にわたって変化しうるが、造核剤を現
像液中に添加する場合は、一般に現像01gについて約
/wI−!QC好−*シ<usq 〜o 、 s y
>−c−ibル。
乳剤層中に添加する場合には、内漕型ノーロゲン化銀乳
剤中の銀1モル当り約o、oirtig〜sgの範囲が
実際上有用で、好ましくは銀1モル当り約00osq〜
約0.!fである。乳剤層に隣接する親水性コロイド層
に含有させる場合には、それと同一面積の乳剤層に含ま
れる銀の量に対して上記と同様のtを含有させればよい
。
剤中の銀1モル当り約o、oirtig〜sgの範囲が
実際上有用で、好ましくは銀1モル当り約00osq〜
約0.!fである。乳剤層に隣接する親水性コロイド層
に含有させる場合には、それと同一面積の乳剤層に含ま
れる銀の量に対して上記と同様のtを含有させればよい
。
本発明において感光材料の写真乳剤は、増感色素を用い
て比較的長波長の青色光、緑色光、赤色光または赤外光
に分光増感させてもよい。増感色素としては、シアニン
色素、メロシアニン色素、コンプレックスシアニン色素
、コンプレックスメロシアニン色素、ホロポーラ−シア
ニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、オキソノ
ール色素、ヘミオキソノール色素等を用いることができ
る。これらの増感色素には、例えば特願昭17−tzo
、sri号、同z7−/ s/ 、41rr号’P同1
7−/lit、1113号に記載されたシアニン色素や
メロシアニン色素が含まれる。
て比較的長波長の青色光、緑色光、赤色光または赤外光
に分光増感させてもよい。増感色素としては、シアニン
色素、メロシアニン色素、コンプレックスシアニン色素
、コンプレックスメロシアニン色素、ホロポーラ−シア
ニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、オキソノ
ール色素、ヘミオキソノール色素等を用いることができ
る。これらの増感色素には、例えば特願昭17−tzo
、sri号、同z7−/ s/ 、41rr号’P同1
7−/lit、1113号に記載されたシアニン色素や
メロシアニン色素が含まれる。
その他、分光増感色素の具体的な例は、例えばシミー
フォト P 、Glafkides著“Chimie Phot
o −g¥、yp′h(、’2 i e”、第2版、P
aul Montel 。
フォト P 、Glafkides著“Chimie Phot
o −g¥、yp′h(、’2 i e”、第2版、P
aul Montel 。
エンド リレーテッド カンパウ/ズ
and Re1ated Compounds ’ +
Interacience 、New York (/
9A4c)、および米国特許コ、jrOJ 、776
号、同3.ダjり、163号、同3./77.210号
等に記載されている。
Interacience 、New York (/
9A4c)、および米国特許コ、jrOJ 、776
号、同3.ダjり、163号、同3./77.210号
等に記載されている。
本発明で用いる円満乳剤の増感色素は、通常のネガ型ハ
ロゲン化銀乳剤に用いられると同等の濃度で用いられる
。とくに、ハロゲン化銀乳剤の固有感度を実質的に低下
させない程度の色素濃度で用いるのが有利である。具体
的には、ハロゲン化銀/%AI当り約1.O×10 〜
約jx10’−/、3ター モル、トく二ハロゲン化銀7モル当すuXlo−5〜コ
×lOモルの濃度で用いることが好ましい。
ロゲン化銀乳剤に用いられると同等の濃度で用いられる
。とくに、ハロゲン化銀乳剤の固有感度を実質的に低下
させない程度の色素濃度で用いるのが有利である。具体
的には、ハロゲン化銀/%AI当り約1.O×10 〜
約jx10’−/、3ター モル、トく二ハロゲン化銀7モル当すuXlo−5〜コ
×lOモルの濃度で用いることが好ましい。
本発明の感光材料には色材として色像形成カプラーを含
有させることができる。あるいは色像形成カブ2−を含
む現像液で感光材料を現像することもできる。また、感
光材料には、ヒドロキシベンゼン類(例えばハイドロキ
ノン類)、アミンフェノール類、3−ピラゾリドン類等
の如き現像生薬又はその前駆体を乳剤中などに含有させ
てもよい。
有させることができる。あるいは色像形成カブ2−を含
む現像液で感光材料を現像することもできる。また、感
光材料には、ヒドロキシベンゼン類(例えばハイドロキ
ノン類)、アミンフェノール類、3−ピラゾリドン類等
の如き現像生薬又はその前駆体を乳剤中などに含有させ
てもよい。
本発明が適用される写真乳剤は、ハロゲン化銀の現像に
対応して拡散性色素を放出するようなカラー拡散転写法
用色素像供与化合物(色材)を組合せて、適当な現像処
理ののち受像層に所望のカラー−像を転写させるのに用
いることができる。
対応して拡散性色素を放出するようなカラー拡散転写法
用色素像供与化合物(色材)を組合せて、適当な現像処
理ののち受像層に所望のカラー−像を転写させるのに用
いることができる。
このようなカラー拡散転写法用色材としては多数のもの
が知られており、例えば米国時ff3.λλ7.11/
号、同3,227.!!’I号、同31444c3.り
3り号、同J 、$$J 、りpo号、同一/440− 3、ぴ13,230号、同3.参μ3,2μ3号、同J
、 4.2F 、り!−号、同3.ざ4cグ、7t!
号、同J 、tjl 、jJ1号、同3.tyr、rり
7号、同J 、 721.042号、同J 、 7.2
F 。
が知られており、例えば米国時ff3.λλ7.11/
号、同3,227.!!’I号、同31444c3.り
3り号、同J 、$$J 、りpo号、同一/440− 3、ぴ13,230号、同3.参μ3,2μ3号、同J
、 4.2F 、り!−号、同3.ざ4cグ、7t!
号、同J 、tjl 、jJ1号、同3.tyr、rり
7号、同J 、 721.042号、同J 、 7.2
F 。
//J号、同3,7オ/ 、106号、同3.タコタ、
740号、同3.りJ/、ハリ号、同3゜り3コ、31
r/号、同3.タコlr、J/2号、同! 、013
、 A33号、同3.り3コ、310号、同31りj4
! 、 4A7j号、同3.り4Aλ、りt7号、同弘
、0/I、431号、同ダ、 013 、 Jlコ号、
同μ、lり?、31μ号、同≠、lタタ。
740号、同3.りJ/、ハリ号、同3゜り3コ、31
r/号、同3.タコlr、J/2号、同! 、013
、 A33号、同3.り3コ、310号、同31りj4
! 、 4A7j号、同3.り4Aλ、りt7号、同弘
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同μ、lり?、31μ号、同≠、lタタ。
311号、同μ、/JJ−、タコ2号、同a、orz、
asr号、同$、、27r、4.2j′号、同≠。
asr号、同$、、27r、4.2j′号、同≠。
isy、3’yり号、同44./3り、3119号、同
μ、334.32.2号、米国特許出願公告(USB)
Jj/ 、473号、米国特許ruo。
μ、334.32.2号、米国特許出願公告(USB)
Jj/ 、473号、米国特許ruo。
73/号、同you 、 Jty号、同1,031゜3
31号、***特許出願公開(OLS)/。
31号、***特許出願公開(OLS)/。
りJO,コl!号11.同2..2/A、、Jr1号、
同λ、ココr、Jtt号、同一、317゜134号、同
コ、≠θコ、り00号、仏国特許コ。
同λ、ココr、Jtt号、同一、317゜134号、同
コ、≠θコ、り00号、仏国特許コ。
2ざ参、l参O号、特開昭53−ψ6730号、同jダ
−/ 30/λコ号、同4411−3Jtコを号、同!
7−410号、同67−!0参3号、同j/−70φ3
参3号、同it−//Jル、2≠号、同jj−/26参
コ号、□同!t−/All/号、同17−20731号
、同lター//Itλ1号、同!l−437.l1lj
号、同!3−t2033号、同zta−t3oyコア締
、特願昭5f−1,0212号などに記載の化合物を用
いることができるが、なかでも本来は非拡散性であるが
現像主薬(父は陽子供与剤)の酸化・生成物との酸化還
元反応によって開裂して拡散性色素を放出するタイプの
色材(以下り凡R化合物と略す)の使用が好ましく、特
にN−を換スルファモイル基を有するD RR化合物が
好ましい。これら色材の塗布量は、/×10 ’ 〜/
X10−2mo le/m”が適当であり、好ましくは
、コX10 〜2×IO−3mole/m”である。
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7−410号、同67−!0参3号、同j/−70φ3
参3号、同it−//Jル、2≠号、同jj−/26参
コ号、□同!t−/All/号、同17−20731号
、同lター//Itλ1号、同!l−437.l1lj
号、同!3−t2033号、同zta−t3oyコア締
、特願昭5f−1,0212号などに記載の化合物を用
いることができるが、なかでも本来は非拡散性であるが
現像主薬(父は陽子供与剤)の酸化・生成物との酸化還
元反応によって開裂して拡散性色素を放出するタイプの
色材(以下り凡R化合物と略す)の使用が好ましく、特
にN−を換スルファモイル基を有するD RR化合物が
好ましい。これら色材の塗布量は、/×10 ’ 〜/
X10−2mo le/m”が適当であり、好ましくは
、コX10 〜2×IO−3mole/m”である。
本発明に用いる感光材料には各種の写真用支j−,’j
体(プラスチックフィルム、ポリマー被覆紙、合成紙等
)を用いることができる。ハロゲン化銀乳剤は支持体の
片面又は両面に塗布することができる。
体(プラスチックフィルム、ポリマー被覆紙、合成紙等
)を用いることができる。ハロゲン化銀乳剤は支持体の
片面又は両面に塗布することができる。
本発明に用いる感光材料において、へ°目ゲン化銀乳剤
層及びその他の親水性コロイド層には前述した添加剤以
外に特に写真乳剤に有用なもの、例えば潤滑剤、安定化
剤、硬膜剤、界面活性剤、現像促進剤、増感剤、光吸収
染料、汚染防止剤、可塑剤等を添〃nすることができる
。
層及びその他の親水性コロイド層には前述した添加剤以
外に特に写真乳剤に有用なもの、例えば潤滑剤、安定化
剤、硬膜剤、界面活性剤、現像促進剤、増感剤、光吸収
染料、汚染防止剤、可塑剤等を添〃nすることができる
。
さらに本発明においてはハロゲン化銀乳剤中にヨウ素イ
オンを放出する化合*(例えばヨウ化カリウムなど)を
含有せしめることができ、またヨウ素イオンを含有する
現像液を用いて所望の画像を得ることができる。
オンを放出する化合*(例えばヨウ化カリウムなど)を
含有せしめることができ、またヨウ素イオンを含有する
現像液を用いて所望の画像を得ることができる。
本発明において感光材料を現像するには、知られている
種々の現像主系を用いることができる。
種々の現像主系を用いることができる。
すなわち、ポリヒドロキシベンゼン類、例工ばハイドロ
キノン、2−クロロハイドロキノン、コーメチルハイド
ロキ7ノ、カテコール、ビロガローーl≠3− ルなど;アミノフェノール類、例えばp−アミノフェノ
ール、N−メチル−p−アミノフエ/−ル、コ、4I−
ジアミノフェノールなど;3−ピラゾリドン類、例えば
/−フェニル−3−ピラゾリドン、弘、4!−ジメチル
−7−フエ゛ニル−3−ピラゾリドン、e、4!−ジヒ
ド四キシメチルーl−フェニル−3−ピラゾリドン、−
一メチルーダーヒドロキシメチルーl−フェニル−j−
ピラゾリドン、l−メチル−l−ヒドロキシメチル−/
−p−1リルー3−ピラゾリドン等;およびアスコルビ
ン酸類などを単独で又は組合せて用いることができる。
キノン、2−クロロハイドロキノン、コーメチルハイド
ロキ7ノ、カテコール、ビロガローーl≠3− ルなど;アミノフェノール類、例えばp−アミノフェノ
ール、N−メチル−p−アミノフエ/−ル、コ、4I−
ジアミノフェノールなど;3−ピラゾリドン類、例えば
/−フェニル−3−ピラゾリドン、弘、4!−ジメチル
−7−フエ゛ニル−3−ピラゾリドン、e、4!−ジヒ
ド四キシメチルーl−フェニル−3−ピラゾリドン、−
一メチルーダーヒドロキシメチルーl−フェニル−j−
ピラゾリドン、l−メチル−l−ヒドロキシメチル−/
−p−1リルー3−ピラゾリドン等;およびアスコルビ
ン酸類などを単独で又は組合せて用いることができる。
また、色素形成カゾラーにより色素像をlI41には、
芳香族−級アミン現像主薬、好゛ましくはp−フェニレ
ンジアミン系の現像主系を用いること ゛ができる。そ
の具体例は、l−アミノ−3−メチル−N、N−ジエチ
ルアニリンハイドロクロライド、N、N−ジェf A/
p 7−C= L/ 7 シ’アZ 7.3−メチル
ー−−アミ/−N−エチル−N−β−゛(メタン−スル
ホアミド)エチルアニリン、3−メチルーダ−アミノ−
N−xチル−N−(β−スーl参亭− ルホエチル)アニリン、3−エトキシ−l−アミ/−N
−工fルーN−(β−スルホエチル)アニリン、≠−ア
ミ/−N−エチルーN−(β−ヒドロキシエチル)アニ
リンである。このような現像薬は、アルカリ性処理組成
@(処理要素)の中に含ませてもよいし、感光材料の適
尚な層に含ませてもよい。
芳香族−級アミン現像主薬、好゛ましくはp−フェニレ
ンジアミン系の現像主系を用いること ゛ができる。そ
の具体例は、l−アミノ−3−メチル−N、N−ジエチ
ルアニリンハイドロクロライド、N、N−ジェf A/
p 7−C= L/ 7 シ’アZ 7.3−メチル
ー−−アミ/−N−エチル−N−β−゛(メタン−スル
ホアミド)エチルアニリン、3−メチルーダ−アミノ−
N−xチル−N−(β−スーl参亭− ルホエチル)アニリン、3−エトキシ−l−アミ/−N
−工fルーN−(β−スルホエチル)アニリン、≠−ア
ミ/−N−エチルーN−(β−ヒドロキシエチル)アニ
リンである。このような現像薬は、アルカリ性処理組成
@(処理要素)の中に含ませてもよいし、感光材料の適
尚な層に含ませてもよい。
本発明において感材中にDRn化合物を用いる場合、こ
れをクロス酸化できるものであれば、どのようなハロゲ
ン化銀現像薬(又は電子供与剤)でも使用することがで
きるが、なかでも3−ピラゾリドン類が好ましい。また
、現像液は保恒剤として、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カ
リウム、アスコルビン酸、レダクトン類(たとえばピペ
リジノヘキソースレダクトン)などを含んでよい。
れをクロス酸化できるものであれば、どのようなハロゲ
ン化銀現像薬(又は電子供与剤)でも使用することがで
きるが、なかでも3−ピラゾリドン類が好ましい。また
、現像液は保恒剤として、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カ
リウム、アスコルビン酸、レダクトン類(たとえばピペ
リジノヘキソースレダクトン)などを含んでよい。
本発明に用いられる感光材料は、表面現像液を用いて現
像することにより直接ポジ画像を得ることができる。表
面現像液はそれによる現像過程が実質的に、ハロゲン化
銀粒子の表面にあるm像又はカブリ核によって鱈起され
るものである。現像液はハロゲン化銀溶解剤を含まない
ことが好ましいが、ハロゲン化銀粒子の表面現像中心に
よる現像が完結するまでに内s漕儂が実質的に寄与しな
い限り、ハロゲン化銀溶解剤(たとえは亜硫酸塩)を多
少は含んでもよい。
像することにより直接ポジ画像を得ることができる。表
面現像液はそれによる現像過程が実質的に、ハロゲン化
銀粒子の表面にあるm像又はカブリ核によって鱈起され
るものである。現像液はハロゲン化銀溶解剤を含まない
ことが好ましいが、ハロゲン化銀粒子の表面現像中心に
よる現像が完結するまでに内s漕儂が実質的に寄与しな
い限り、ハロゲン化銀溶解剤(たとえは亜硫酸塩)を多
少は含んでもよい。
現像液にはアルカリ剤及び緩衝剤として水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸3ナトリウム、メタホウ酸ナトリウム等を含んで
よい。これらの薬剤の含有量は、現像液のpHを10−
/*、好ましくはpH/J〜lψとするように選ぶ。ま
た、現像液にはベンジルアルコールなどの発色現像促進
剤や、直接ポジ画像の最小濃度(カブリ)をより低くす
る薬剤として!−二トロベンズイミダゾール等のベンズ
イミダゾール類、ベンゾトリアゾール、!−メチルーベ
ンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール類など、通常
カプリ防止剤として用いられる化合物を含むことが有利
である。
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸3ナトリウム、メタホウ酸ナトリウム等を含んで
よい。これらの薬剤の含有量は、現像液のpHを10−
/*、好ましくはpH/J〜lψとするように選ぶ。ま
た、現像液にはベンジルアルコールなどの発色現像促進
剤や、直接ポジ画像の最小濃度(カブリ)をより低くす
る薬剤として!−二トロベンズイミダゾール等のベンズ
イミダゾール類、ベンゾトリアゾール、!−メチルーベ
ンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール類など、通常
カプリ防止剤として用いられる化合物を含むことが有利
である。
本発明に2いて感光材料は粘性現像液で処理することが
好ましい。この粘性現像液は/%ロゲン化鋏乳剤の現像
と拡散転写色素像の形成とに必要な処理成分を含有した
液状組成物であって、溶媒の主体は水でアシ、他にメタ
ノール、メチルセロソルゾの如き親水性溶媒を含むこと
もめる。処理組成物は、乳剤層の現像會起烙せるに必要
なpHを維持し、現像と色素僧形成の諸過程中に生成す
る酸(例えば臭化水素酸等のハロゲン化水素酸、酢酸等
のカルボン酸等)を中和するに足りる量のアルカリを含
■する。アルカリとしては水酸化リチウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム分散物、炭
酸ナトリウム、リン酸3ナトリウム、水酸化テトラメチ
ルアンモニウム、ジエチルアミン等のアルカリ金属(ア
ルカリ土類金属)堰やアミ/類が使用され、好ましくは
室温において約72以上のpH(特に73以上のpH)
を与えるような#に匿の苛性アルカリを含Mさせること
が望ましい。さらに好ましくは処理組成物は高分子量の
ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルローズ、
ナトリウムカルボキシメチルセルローズの如き親水性ポ
リマーを含有する。これ−/447− らのポリマーは処理組成物に室温でlボイス以上、好ま
しくは200〜1oooポイス程度の粘度を与えるよう
に用いるとよい。
好ましい。この粘性現像液は/%ロゲン化鋏乳剤の現像
と拡散転写色素像の形成とに必要な処理成分を含有した
液状組成物であって、溶媒の主体は水でアシ、他にメタ
ノール、メチルセロソルゾの如き親水性溶媒を含むこと
もめる。処理組成物は、乳剤層の現像會起烙せるに必要
なpHを維持し、現像と色素僧形成の諸過程中に生成す
る酸(例えば臭化水素酸等のハロゲン化水素酸、酢酸等
のカルボン酸等)を中和するに足りる量のアルカリを含
■する。アルカリとしては水酸化リチウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム分散物、炭
酸ナトリウム、リン酸3ナトリウム、水酸化テトラメチ
ルアンモニウム、ジエチルアミン等のアルカリ金属(ア
ルカリ土類金属)堰やアミ/類が使用され、好ましくは
室温において約72以上のpH(特に73以上のpH)
を与えるような#に匿の苛性アルカリを含Mさせること
が望ましい。さらに好ましくは処理組成物は高分子量の
ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルローズ、
ナトリウムカルボキシメチルセルローズの如き親水性ポ
リマーを含有する。これ−/447− らのポリマーは処理組成物に室温でlボイス以上、好ま
しくは200〜1oooポイス程度の粘度を与えるよう
に用いるとよい。
処理組成物はこの他に、処理中又は処理後にハロゲン化
銀乳剤が外部光によってカブるのを防止するための遮光
剤としてカーボンブラックやp H指示色素のような吸
光性物質のほか、米国特許3゜!79,333号に記載
されているような減感剤を含有していることが、特にモ
ノシートフィルムユニットの場合に有利である。さらに
処理液組成物中にはベンゾトリアゾールの如き現像抑制
剤を添加することができる。
銀乳剤が外部光によってカブるのを防止するための遮光
剤としてカーボンブラックやp H指示色素のような吸
光性物質のほか、米国特許3゜!79,333号に記載
されているような減感剤を含有していることが、特にモ
ノシートフィルムユニットの場合に有利である。さらに
処理液組成物中にはベンゾトリアゾールの如き現像抑制
剤を添加することができる。
上記の処理組成物は、米国特許コ、z4Is、txi号
、同、2.44!J 、1rlt号、同2.A!!。
、同、2.44!J 、1rlt号、同2.A!!。
732号、同一、7コ3,05/号、同3.Oj6.4
21号、同J、0!tt、4I9コ号、同3゜/j、Z
、111号等に記載されているような破裂可能な容器に
充填して使用することが好ましい。
21号、同J、0!tt、4I9コ号、同3゜/j、Z
、111号等に記載されているような破裂可能な容器に
充填して使用することが好ましい。
本発明において感材を拡散転写写真法に用いる場合、そ
の感材はフィルムユニットの形態である一7参j− ことが好ましい。写真フィルムユニット、すなわち、−
寸の並置された抑圧部材の間にそのフィルムユニットを
挿入し通過せしめることによシ現像処理を行ない得るよ
うにされているフィルムユニットは、基本的には下記の
三要素かり成る。
の感材はフィルムユニットの形態である一7参j− ことが好ましい。写真フィルムユニット、すなわち、−
寸の並置された抑圧部材の間にそのフィルムユニットを
挿入し通過せしめることによシ現像処理を行ない得るよ
うにされているフィルムユニットは、基本的には下記の
三要素かり成る。
この写真フィルムユニットの好ましい形態は、改ね合わ
せて一体化し九タイプであって、英国特許/ 、330
.721号に開示されているようなタイプのものである
。この態様によれば、透明な一つの支持体の上に、受像
層、実質的に不透明な光反射層と遮光層(たとえばTi
O2+−とカーボンブラック層)、そしてD RR化合
物と組み合わされた単数又は複数のハロゲン化銀感光層
からなる感光要素を順次塗布し、さらにこの上に透明な
カバーシートを面対面に重ねる。不透明化剤(たとえば
カーボンブラック)を含むアルカリ性処理組成物を含有
する破裂可能な容器は、上記感光層の最上層と透明なカ
バーシートの間に挾まれて配置される。このようなフィ
ルムユニットを、透明なカバーシートを介して胤光し、
カメラから取り出す際に抑圧部材によって容器を破裂さ
せ、処理組成物(不透明化剤を含む)を感光層上の保膜
層とカバーシートとの間に一面にわ九って均一な液厚で
展開する。これにより、フィルムユニットは遮光された
状態で、現俸が通行する。カバーシートは、その支持体
上に中和層、さらに必要によシ中和速度調節層(タイミ
ング層)が順次に塗布されているのが好ましい。
せて一体化し九タイプであって、英国特許/ 、330
.721号に開示されているようなタイプのものである
。この態様によれば、透明な一つの支持体の上に、受像
層、実質的に不透明な光反射層と遮光層(たとえばTi
O2+−とカーボンブラック層)、そしてD RR化合
物と組み合わされた単数又は複数のハロゲン化銀感光層
からなる感光要素を順次塗布し、さらにこの上に透明な
カバーシートを面対面に重ねる。不透明化剤(たとえば
カーボンブラック)を含むアルカリ性処理組成物を含有
する破裂可能な容器は、上記感光層の最上層と透明なカ
バーシートの間に挾まれて配置される。このようなフィ
ルムユニットを、透明なカバーシートを介して胤光し、
カメラから取り出す際に抑圧部材によって容器を破裂さ
せ、処理組成物(不透明化剤を含む)を感光層上の保膜
層とカバーシートとの間に一面にわ九って均一な液厚で
展開する。これにより、フィルムユニットは遮光された
状態で、現俸が通行する。カバーシートは、その支持体
上に中和層、さらに必要によシ中和速度調節層(タイミ
ング層)が順次に塗布されているのが好ましい。
また、DR几化合物または拡散性色素放出カプラーを使
用することができる別の有用な積層一体化形態は、米国
特許第3.ulj、AqI号、同第s、yiz、6ps
号、同第J、4I/j、A41を号、同第J、t4I7
.参17号、及び同第3゜tJ!、707号、同i@J
、jPl、/j1号、同第J、91J、41rA号、英
国特許/、330゜j2ψ号や欧州特許s3,321r
号等に記載されている。
用することができる別の有用な積層一体化形態は、米国
特許第3.ulj、AqI号、同第s、yiz、6ps
号、同第J、4I/j、A41を号、同第J、t4I7
.参17号、及び同第3゜tJ!、707号、同i@J
、jPl、/j1号、同第J、91J、41rA号、英
国特許/、330゜j2ψ号や欧州特許s3,321r
号等に記載されている。
さらに、フィルムユニットの形態は、展開処理後、受像
要素から感光要素を剥離するいわゆるビールアパート型
のものでもよい。
要素から感光要素を剥離するいわゆるビールアパート型
のものでもよい。
次に本発明の方法にしたがった再反転儂抑制の具体的な
実施例を記載するが、本発明の実施の態様はこれらに限
定されるものではない。
実施例を記載するが、本発明の実施の態様はこれらに限
定されるものではない。
実施例 l
−すエチレンテレフタレート透明支持体上に下記の各層
(1)〜(6)を順次塗布して、カラー直接ポジ拡散転
写感光シート(1)を作成した。
(1)〜(6)を順次塗布して、カラー直接ポジ拡散転
写感光シート(1)を作成した。
(1)下記の共重合体(J 、0117m2)とゼラチ
ン(3,og7m )を含む媒染層(受像)1m )。
ン(3,og7m )を含む媒染層(受像)1m )。
−/、tl−
6H13
x: y=zo:s。
(2)酸化チタン(it、oyim )およびゼラチン
(コ、Of//m)を含む白色反射下地層◎(3)カー
ボンブラック(コ、Of / m ” )およびゼラチ
ン(i、oy7m )を含む黒色遮光層。
(コ、Of//m)を含む白色反射下地層◎(3)カー
ボンブラック(コ、Of / m ” )およびゼラチ
ン(i、oy7m )を含む黒色遮光層。
(4)下記構造式IのマゼンタDRR化合物(0゜2/
l/m”)と構造式■のマゼンタDR几化合吻(o、i
/f/m )、トリシクロへキシルホスフェートCD、
0rf7’Wl )、コ、j−ジーtert−ペンタデ
シルハイドロキ/ン(0,0/l/m2)およびゼラチ
7(0,917m2)を含有するマゼンタ色材層。
l/m”)と構造式■のマゼンタDR几化合吻(o、i
/f/m )、トリシクロへキシルホスフェートCD、
0rf7’Wl )、コ、j−ジーtert−ペンタデ
シルハイドロキ/ン(0,0/l/m2)およびゼラチ
7(0,917m2)を含有するマゼンタ色材層。
−/Jコ−
構造式I
構造式■
C(C)(3)3
−lよ3−
(5)色素増感された平均粒子辺長/、Jμmのへ面体
円満型臭沃化銀(沃素含量2モルチ)(銀の量、t、p
ot/m )、ゼラチ:/(1,117m )、j−n
−ヘンタデシルハイドロキノンーコースルホン酸ナトリ
ウム(o、oiy/m )および下記の造核剤1(0,
0031Ml/m2)を含む緑色感光性直接ポジ乳剤層
。
円満型臭沃化銀(沃素含量2モルチ)(銀の量、t、p
ot/m )、ゼラチ:/(1,117m )、j−n
−ヘンタデシルハイドロキノンーコースルホン酸ナトリ
ウム(o、oiy/m )および下記の造核剤1(0,
0031Ml/m2)を含む緑色感光性直接ポジ乳剤層
。
造核剤I
(6)下記の紫外線吸収剤(0゜10117m”)、硬
膜剤としてトリアクロイルトリアジン(0゜021 /
m ” )およびゼラチンC0,3f/m2)を含む
保護層。
膜剤としてトリアクロイルトリアジン(0゜021 /
m ” )およびゼラチンC0,3f/m2)を含む
保護層。
紫外線吸収剤
また、上記の乳剤層(5)に本発明の方法によって表1
の例示化合物を再反転抑制剤としてそれぞれ添7111
して感光シート(2)〜(26)を作成した。
の例示化合物を再反転抑制剤としてそれぞれ添7111
して感光シート(2)〜(26)を作成した。
上記カラーポジ感光シート(1)〜(26)を次に示す
処理液とカバーシートと組み合せて露光と現像処理を行
つ九。
処理液とカバーシートと組み合せて露光と現像処理を行
つ九。
く処理液組成〉
/−p−トリル−l−メチルーダ
一ヒドロキシメチルー3−ピラ
ゾリドン r、op
tert−ブチルハイドロキノン o、igj−メチル
ベンゾトリアゾール x、zg−/j!− 一/!弘− ベンジルアルコール /、Jul 亜硫酸ナトリウム(無水) /、If 硝酸亜鉛(ぶ水和物) 0.4ip カルボキシメチルセルロースNa 塩 tiy カーボンブラック −10f 水酸化カリウム sty 水 λtOg/ (pi(約/J、7) くカバーシート〉 ポリエチレンテレフタレート支持体上に酸性ポリマー層
(中和)−)としてポリアクリル酸(10wtチ水溶液
で粘度的1,000Cp)C1317m2)およびその
上に中和タイミング層としてアセチルセルロース(io
ogを加水分解して32.4’I(Dア*fk基を生成
する)CJ、Ir9/m2)およびスチレンと無水マレ
イン酸のコポリマー(モル組成比、スチレン:無水マレ
イン酸=約to”、uo、分子量約5万’)CD、21
7m2)t−塗布したカバーシートを作成した。
ベンゾトリアゾール x、zg−/j!− 一/!弘− ベンジルアルコール /、Jul 亜硫酸ナトリウム(無水) /、If 硝酸亜鉛(ぶ水和物) 0.4ip カルボキシメチルセルロースNa 塩 tiy カーボンブラック −10f 水酸化カリウム sty 水 λtOg/ (pi(約/J、7) くカバーシート〉 ポリエチレンテレフタレート支持体上に酸性ポリマー層
(中和)−)としてポリアクリル酸(10wtチ水溶液
で粘度的1,000Cp)C1317m2)およびその
上に中和タイミング層としてアセチルセルロース(io
ogを加水分解して32.4’I(Dア*fk基を生成
する)CJ、Ir9/m2)およびスチレンと無水マレ
イン酸のコポリマー(モル組成比、スチレン:無水マレ
イン酸=約to”、uo、分子量約5万’)CD、21
7m2)t−塗布したカバーシートを作成した。
lJt−
〈露光と処理工程〉
上記カバーシートを前記感材シート(1)〜(26)の
各々と重ね合せ、シートの一端には上記処理液のo、r
yを充填した「加圧下で破裂可能な容器」を挿入して装
着した。得られたフィルムユニットをカバーシート側か
ら連続ウェッジを通して、キセノン灯光源による最大/
07.0′00Q債≦Imp sこの光量下でl/1
0・000秒フラッシュ露光したのち、処理液を加圧ロ
ーラーを用いて100μmの均一な液厚みで迅速展開し
た。露光と展開処理は室温(約25 o()で行った。
各々と重ね合せ、シートの一端には上記処理液のo、r
yを充填した「加圧下で破裂可能な容器」を挿入して装
着した。得られたフィルムユニットをカバーシート側か
ら連続ウェッジを通して、キセノン灯光源による最大/
07.0′00Q債≦Imp sこの光量下でl/1
0・000秒フラッシュ露光したのち、処理液を加圧ロ
ーラーを用いて100μmの均一な液厚みで迅速展開し
た。露光と展開処理は室温(約25 o()で行った。
処理1時間後、感材シートの透明支持体を通して、受像
層に生じたマゼンタ画像の色濃度をマクベス反射濃度計
によって測定した。
層に生じたマゼンタ画像の色濃度をマクベス反射濃度計
によって測定した。
表1には、この露光下で高照度側に生じた再反転ネガ像
の相対感度を、感材(1)の感度をiooとして(2)
〜(26)について比較した。なお、この感材系で再反
転抑制剤を含有しない比較用感材(1)が与えた再反転
ネガ像の標準感度は、特許請求の範囲第2項に記載した
測定条件下で約toであった。
の相対感度を、感材(1)の感度をiooとして(2)
〜(26)について比較した。なお、この感材系で再反
転抑制剤を含有しない比較用感材(1)が与えた再反転
ネガ像の標準感度は、特許請求の範囲第2項に記載した
測定条件下で約toであった。
表7の結果が示すように、本発明の方法に従い、一般式
(1)〜(IK)によるシアニン色素またはメロシアニ
ン色素を添加することにより感材の再反転ネガ儂の形成
が効果的に抑制されることが、ネガ像感度の減少から明
らかである。
(1)〜(IK)によるシアニン色素またはメロシアニ
ン色素を添加することにより感材の再反転ネガ儂の形成
が効果的に抑制されることが、ネガ像感度の減少から明
らかである。
実施例 2
ポリエチレンテレフタレート透明支持体上に下記の各層
を順次塗設して、多層カラー拡散転写感光シート(A)
を作成した。
を順次塗設して、多層カラー拡散転写感光シート(A)
を作成した。
(1)実施例1と同様の媒染層。
(2) tt tt 白色反射下地層。
(3) // tt 黒色遮光層。
(4)下記のシア7DR,8化合物(0,ppf//m
2)、トリシクロへキシルホスフェート(0,02f/
m )、コ、!−ジーtert−ペンタデシルハイドロ
キノン(o 、oor y7m2)お、tびゼラチン(
o、ry/m2>を含有するl−0(5) 酸化チタン
(r、z(//ln )2よびゼラチン(0,/I/p
n”)を含む反射層。
2)、トリシクロへキシルホスフェート(0,02f/
m )、コ、!−ジーtert−ペンタデシルハイドロ
キノン(o 、oor y7m2)お、tびゼラチン(
o、ry/m2>を含有するl−0(5) 酸化チタン
(r、z(//ln )2よびゼラチン(0,/I/p
n”)を含む反射層。
(6) 色素増感された平均粒子辺長i、oμmのへ面
体円満型臭化銀(銀の童、o、szf/m 入ゼラチン
(o、pf/m )、j−n−ペンタデシルハイドロキ
ノンーコースルホン酸ナトリウム(0,031/m2)
および造核剤IC0゜0 / OMf/l112)を含
む赤色感光性直接ポジ乳−/J/− 剤層。
体円満型臭化銀(銀の童、o、szf/m 入ゼラチン
(o、pf/m )、j−n−ペンタデシルハイドロキ
ノンーコースルホン酸ナトリウム(0,031/m2)
および造核剤IC0゜0 / OMf/l112)を含
む赤色感光性直接ポジ乳−/J/− 剤層。
(7)色素増感された平均粒子辺長/、7μ2nのへ面
体円満型臭化銀(銀の量、1.コzy7 m2人ゼラチ
ン(o、At/m )、j −n−ペンタデシルハイド
ロキノンーコースルホン酸ナトリウム(o、ogl/m
2)および下記の造核剤■(o、oo2oq/m2>を
含む赤色感光性直接ポジ乳剤層。
体円満型臭化銀(銀の量、1.コzy7 m2人ゼラチ
ン(o、At/m )、j −n−ペンタデシルハイド
ロキノンーコースルホン酸ナトリウム(o、ogl/m
2)および下記の造核剤■(o、oo2oq/m2>を
含む赤色感光性直接ポジ乳剤層。
造核剤■
(g) 2.j−ジーtart−ペンタデシルハイドロ
キノン(o、4c3f/m )、トリへキシルホスフェ
ート(o、it//m )およびゼラチン(0,ダf
/ m 2)を含有する中間層。
キノン(o、4c3f/m )、トリへキシルホスフェ
ート(o、it//m )およびゼラチン(0,ダf
/ m 2)を含有する中間層。
(9)実施例1と同じマゼンタ色材層。
QO(5)と同じ酸化チタン反射層。
−/12−
(ロ)色素増感され九平均粒子辺長/、0μmのへ面体
円満型臭化銀(銀の量、o、5tfl/m 入ゼラチン
(0,397m )、j−n−ペンタデシルハイドロキ
ノンーコースルホン酸ナトリウム(o、o4ダ/m )
および造核剤I (0゜00/IIv/m2)を含む緑
色感光性直接ポジ乳剤層。
円満型臭化銀(銀の量、o、5tfl/m 入ゼラチン
(0,397m )、j−n−ペンタデシルハイドロキ
ノンーコースルホン酸ナトリウム(o、o4ダ/m )
および造核剤I (0゜00/IIv/m2)を含む緑
色感光性直接ポジ乳剤層。
@ 色素増感された平均粒子辺長1.7μmのへ面本円
満型臭化銀(銀の童、/、/lff71N )、ゼラチ
ン(o、ty/m >、t−n−ぺ/タデシルハイトロ
キ/ンーコースルホン酸ナトリウム(0、/ / f
/ m 2)および造核剤’11.(o。
満型臭化銀(銀の童、/、/lff71N )、ゼラチ
ン(o、ty/m >、t−n−ぺ/タデシルハイトロ
キ/ンーコースルホン酸ナトリウム(0、/ / f
/ m 2)および造核剤’11.(o。
ootoq/m2)を含む緑色感光性直接ポジ乳剤層。
(3(8)と同じ中間層。
α◆ 下記構造のイエローDB几化合物(0,!3f/
m”)、)リシジルへキシルホスフェート(0,/Jl
//nt2)、コ、!−ジーtert−ペンタデシルハ
イド四キノン(0,0/1ill/m2)およびゼラチ
:y(0,7f/m2)を/7?− 含有する層。
m”)、)リシジルへキシルホスフェート(0,/Jl
//nt2)、コ、!−ジーtert−ペンタデシルハ
イド四キノン(0,0/1ill/m2)およびゼラチ
:y(0,7f/m2)を/7?− 含有する層。
(ト)(5)と同じ酸化チタン反射層。
(ト)色素増感された平均粒子辺長/、0μmの八面体
内情型臭化銀(銀の量、0.37f/m )、ゼラチン
(o、2y/m )、j−n−ペンタデシルハイドロキ
ノンーノースルホン酸ナトリウム(0,03fl/m2
)および造核剤I(0゜oorox17m”)を含む青
色感光性直接ポジ乳剤ノー。
内情型臭化銀(銀の量、0.37f/m )、ゼラチン
(o、2y/m )、j−n−ペンタデシルハイドロキ
ノンーノースルホン酸ナトリウム(0,03fl/m2
)および造核剤I(0゜oorox17m”)を含む青
色感光性直接ポジ乳剤ノー。
α力 色素増感された平均粒子辺長1.7μmのへm体
内mli臭化銀(銀O量、/ 、Jr f/m”)、ゼ
ラチンCD、417m2)、j−n−ペンタデシルハイ
ドロキノンーコースルホン酸ナトリウム(0,Osf/
/m”)および造核剤yco。
内mli臭化銀(銀O量、/ 、Jr f/m”)、ゼ
ラチンCD、417m2)、j−n−ペンタデシルハイ
ドロキノンーコースルホン酸ナトリウム(0,Osf/
/m”)および造核剤yco。
oopoq/m”)を含む宵色感光性直接ポジ乳剤層。
(至)実施例1の層(6)と同じ保護層。
また、上記の層構成中、赤感性乳剤層(7)、緑感性乳
剤層(12)%青感性乳剤層(17)の各乳剤層に本発
明の方法に従って表2に示す例示化合物を再反転抑制剤
としてそれぞれ添加して多層カラー感材シート(B)〜
(E)を作成した。
剤層(12)%青感性乳剤層(17)の各乳剤層に本発
明の方法に従って表2に示す例示化合物を再反転抑制剤
としてそれぞれ添加して多層カラー感材シート(B)〜
(E)を作成した。
上記感材シートを実施例1の処理液およびカバーシート
と組み合わせて、17io、ooo秒のフラッシュ露光
ののち展開処理した。高照度部に生じた再反転ネガ像の
イエロー、マゼンタ、シアン色濃度をマクベス反射濃度
針によってそれぞれ測定し、ネガ像の相対感度を比較し
た。この結果を表λにまとめた。なお、表2に2いて再
反転抑制剤を含まない比較感材シート(A)が与えたネ
ガ像の標準感度は、特許請求の範囲第2項に記載した測
定条件下で約100であった。
と組み合わせて、17io、ooo秒のフラッシュ露光
ののち展開処理した。高照度部に生じた再反転ネガ像の
イエロー、マゼンタ、シアン色濃度をマクベス反射濃度
針によってそれぞれ測定し、ネガ像の相対感度を比較し
た。この結果を表λにまとめた。なお、表2に2いて再
反転抑制剤を含まない比較感材シート(A)が与えたネ
ガ像の標準感度は、特許請求の範囲第2項に記載した測
定条件下で約100であった。
−/44−
表−の結果から明らかなように、本発明の方法にもとづ
いてカラー直接ポジ感材のBL%GL。
いてカラー直接ポジ感材のBL%GL。
几りの各乳剤層に適当な再反転抑制色素を1種あるいは
コ種併用して添加することKよシ、各層における再反転
ネガ像が効果的に抑制され、実質上感材の写真画質が阪
化されることがわかる。
コ種併用して添加することKよシ、各層における再反転
ネガ像が効果的に抑制され、実質上感材の写真画質が阪
化されることがわかる。
第1図会・ま、再反転ネガ像生成の機構を説明する模式
図であり、又第2図はネガ像抑制の機構を説明する模式
図である。図中、ECは伝導帯レベル、Byは価電子帯
レベル、E蓋は結晶内部での潜像形成の核となる電子ト
ラップ(感光核)のレベル、Esは結晶表面でのネガ像
形成の核となる電子トラップのレベル、またSOと8
はそれぞれ増感色素の基底状態と励起状態のドナーレベ
ルを示す。 e−とh+はそれぞれ励起電子と正孔を示す。hνとh
ν′ はそれぞれ励起光のエネルギーに対応する。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社−/ll− gI 図 gX 第2図 手続補正書 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和!を年特願第172117号2、
発明の名称 直接ポジハロゲン化銀写真感光材料におけ
る再反転ネガ嫌の抑制方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 件 所 神奈川県南足柄市中沼210番地名 称(52
0)富士写真フィルム株式会社連絡先 〒106東京都
港区西麻布2丁目26番30号富士写真フィルム株式会
社東京本社 電話(406) 2537 屯 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 5、補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の逸り
補正する。 (1)第を頁を行目の 「乳剤物性」を 「乳剤粒子」 と補正する。 (2)第1jj/ 1行目の 「プリントアウトする」を 「現像される」 と補正する。 (3)第1/頁!行目の [正孔レベルJ’? 「最高被占準位」 と補正する。 (4)第22頁を行目の 「Zg IJの後に 「・z82」 一’/ ”− を挿入する。 (5)第39′ijL/J行目の 「ノーヒドロΦジアルキル」を [−一ヒドロキシエチル」 と補正する。 (6)第ダ3頁2θ行目の 「I−へ」を 「l−」 と補正する。 (7)@4’4’頁10行目の 「スルホヘプチル」を 「スルホブチル」 と補正する。 (8)第4I3頁j行目の 「フェノキンエチル基」を 「フェノキシエチル基」 と補正する。 (9)第ぶt頁1[−rの 一ノー と補正する。 (11)第107頁IX a −4’ −2ノ[ と補正する。 αB 第1コア頁■1)−J/の [ 3− と補正する。 QID 第130頁IXC−4’の と補正する。 (1国 第1昼り頁λ行目の 「−寸の」を 「一対の」 と補正する。 (14) 第141頁の化学構造式中のrOcH2cH
,0cHJを ■ [0CH2CH20CHa J と補正する。 (151第its頁it行目の 「相対感度」の後に [各感光層(BL、GL、RL)毎に感光シートAを1
00として」 を挿入する。 以上
図であり、又第2図はネガ像抑制の機構を説明する模式
図である。図中、ECは伝導帯レベル、Byは価電子帯
レベル、E蓋は結晶内部での潜像形成の核となる電子ト
ラップ(感光核)のレベル、Esは結晶表面でのネガ像
形成の核となる電子トラップのレベル、またSOと8
はそれぞれ増感色素の基底状態と励起状態のドナーレベ
ルを示す。 e−とh+はそれぞれ励起電子と正孔を示す。hνとh
ν′ はそれぞれ励起光のエネルギーに対応する。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社−/ll− gI 図 gX 第2図 手続補正書 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和!を年特願第172117号2、
発明の名称 直接ポジハロゲン化銀写真感光材料におけ
る再反転ネガ嫌の抑制方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 件 所 神奈川県南足柄市中沼210番地名 称(52
0)富士写真フィルム株式会社連絡先 〒106東京都
港区西麻布2丁目26番30号富士写真フィルム株式会
社東京本社 電話(406) 2537 屯 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 5、補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の逸り
補正する。 (1)第を頁を行目の 「乳剤物性」を 「乳剤粒子」 と補正する。 (2)第1jj/ 1行目の 「プリントアウトする」を 「現像される」 と補正する。 (3)第1/頁!行目の [正孔レベルJ’? 「最高被占準位」 と補正する。 (4)第22頁を行目の 「Zg IJの後に 「・z82」 一’/ ”− を挿入する。 (5)第39′ijL/J行目の 「ノーヒドロΦジアルキル」を [−一ヒドロキシエチル」 と補正する。 (6)第ダ3頁2θ行目の 「I−へ」を 「l−」 と補正する。 (7)@4’4’頁10行目の 「スルホヘプチル」を 「スルホブチル」 と補正する。 (8)第4I3頁j行目の 「フェノキンエチル基」を 「フェノキシエチル基」 と補正する。 (9)第ぶt頁1[−rの 一ノー と補正する。 (11)第107頁IX a −4’ −2ノ[ と補正する。 αB 第1コア頁■1)−J/の [ 3− と補正する。 QID 第130頁IXC−4’の と補正する。 (1国 第1昼り頁λ行目の 「−寸の」を 「一対の」 と補正する。 (14) 第141頁の化学構造式中のrOcH2cH
,0cHJを ■ [0CH2CH20CHa J と補正する。 (151第its頁it行目の 「相対感度」の後に [各感光層(BL、GL、RL)毎に感光シートAを1
00として」 を挿入する。 以上
Claims (8)
- (1)内部潜像型直接ポジハロゲン化銀写真感光材料の
少なくとも一種の親水性コロイド層中に再反転抑制剤と
して電子供与性であり、かつハロゲン化銀へ吸着可能な
シアニン色素又はメロシアニン色素を含有せしめる事を
特徴とする、高照度露光下における再反転ネガ像の抑制
方法。 - (2)内部潜像型直接ポジハロゲン化銀写真感光材料を
構成する内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤層の少な
くとも一つが再反転抑制剤(電子供与性であり、かつハ
ロゲン化銀への吸着可能なシアニン色素又はメロシアニ
ン色素)を含有しない場合に、この再反転抑制剤を含有
しない乳剤を下記の条件下で塗布、露光及び現像処理し
た場合の乳剤層の高照度再反転ネガ像の最大感度が下記
の感度表示基準において30以上であるような、特許請
求の範囲第1項記載の抑制方法。 塗布条件:透明支持体上の片面にハロゲン化銀乳剤を鋏
の量としてj、077m2 となるように均一に一層塗布し、黒 白内部潜像型直接ポジ感材を作成す る。ただし、乳剤には本願明細書の 実施例IK記載する造核剤Iを添加 し、現像後得られる直接ポジ像の最 大濃度がi、o以上となるよう添加 量を調節するものとする。 露光条件:キセノン灯を光源とする色温度μ。 goθ°にの白色光で感材の乳剤面 側VC//10,000秒の露光を行 う。 処理条件:l−フェニル−3−ピラゾリドン0゜01r
w t q6、ハイドロキノ21wt係、亜硫酸ナト
リウム3wtq6、リ ン酸三ナトリウム4’ w t%および水酸化ナトリウ
ム/、/wt%から成 る表面現像液を用いて、コθ0Cで 10分間現像したのち、定着と水洗 を行う。 ネガ感度表示:ネガ像の(最大濃度十最小濃度)×l/
コの濃度点における露光 量(cd−m−a )の逆数の10 0倍とする。 - (3)内部潜像型直接ポジハロゲン化銀写真感光材料が
再反転抑制剤を含有しない場合には、その最大ネガ感度
が上記感度表示基準においてSO以上である、特許請求
の範囲第2項の抑制方法。 - (4)内部潜像型直接ポジハロゲン化銀写真感光材料中
の再反転抑制剤の含有量が乳剤層中のハロゲン化銀1モ
ルに対してio ’モル〜!X10−3モルの範囲であ
る、特許請求の範囲第7項記載の抑制方法。 - (5)再反転抑制剤の酸化電位が飽和カロメル標準電極
(SCE)K対し”C+0.3〜0.yvの範囲である
、特許請求の範囲第1項記載の抑制方法。 - (6)親水性コロイド層が内部潜像型直接ポジハロゲン
化銀乳剤層である、特許請求の範囲第1項記載の抑制方
法。 - (7)内部潜像型直接ポジハロゲン化銀写Xg光材料が
支持体上に少くとも一層のハロゲン化銀乳剤層を有し、
該乳剤層の少くとも一層が平均辺長0.7μm以上のハ
ロゲン化銀粒子群を少くとも一種含有する、特許請求の
範囲第1項記載の抑制方法。 - (8)内部潜像型直接ポジハロゲン化銀写真感光材料が
支持体上に分光増感色素により分光増感された内部潜像
型直接ポジハロゲン化銀乳剤層を少くとも一層有し、し
かも使用される再反転抑制剤の酸化電位が上記分光増感
色素の酸化電位よりも電気化学的に卑である、特許請求
の範囲第7項記載の抑制方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58182817A JPS6073625A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 再反転ネガ像の抑制された内部潜像型直接ポジハロゲン化銀感光材料 |
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JP58182817A JPS6073625A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 再反転ネガ像の抑制された内部潜像型直接ポジハロゲン化銀感光材料 |
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- 1986-06-18 US US06/876,300 patent/US4769316A/en not_active Expired - Lifetime
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JPH051452B2 (ja) | 1993-01-08 |
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